JPH07183320A - ボンディングワイヤ接続構造及びボンディングワイヤ接続方法 - Google Patents

ボンディングワイヤ接続構造及びボンディングワイヤ接続方法

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JPH07183320A
JPH07183320A JP5327115A JP32711593A JPH07183320A JP H07183320 A JPH07183320 A JP H07183320A JP 5327115 A JP5327115 A JP 5327115A JP 32711593 A JP32711593 A JP 32711593A JP H07183320 A JPH07183320 A JP H07183320A
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仁 藤田
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ボンディングパッドと電極とのワイヤボンデ
ィング接続が不良となった場合でも半導体集積回路の組
立歩留りを向上させる。 【構成】 半導体集積装置からの各引出配線4a〜4n
に対してボンディングパッドPam〜Pnm及びPan
〜Pnnを設ける。ボンディングパッドPam〜Pnm
と電極Sa〜Snとのワイヤボンディング接続が不良と
なった場合には、そのワイヤを取除いた後、電極Sa〜
SnをボンディングパッドPan〜Pnnと再度ワイヤ
ボンディング接続することができ、半導体集積回路の組
立歩留りが向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はボンディングワイヤ接続
構造及び接続方法に関し、特に半導体集積回路の製造に
用いられるボンディングワイヤ接続構造及び接続方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路は、電極間をボ
ンディングワイヤで電気的に接続することにより製造さ
れる。その電極とボンディングワイヤとの関係について
図面を参照して説明する。図2には従来のボンディング
ワイヤ接続構造を含む半導体集積回路の概略構成が示さ
れている。
【0003】図において、半導体集積回路10は、基板
1の中に半導体集積装置2がマウントされ、半導体集積
装置2の内部素子3の信号が引出配線4a〜4nにより
導出される。また、引出配線4a〜4nに対応してボン
ディングパッドPa〜Pnが設けられ、さらにこれらパ
ッドPa〜Pnに対応して電極Sa〜Snが設けられて
いる。これらパッドPa〜Pnの各々は、半導体集積装
置2に配置される都合上、各電極Sa〜Snより面積が
小である。
【0004】パッドPa〜Pnと電極Sa〜Snとの対
応するもの同士がワイヤボンディング法(例えば、ステ
ッチボンディング法)により接続されることにより、内
部素子3が図示せぬ外部端子と電気的に接続されること
になる。なお、5a〜5nはワイヤである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述したワイヤが正常
にボンディングされれば、完全な製品となるが、ワイヤ
5dのようにパッドPdの中央に正しく接続されず接続
状態が不良である場合や、ワイヤ5kのように断線した
場合には組立不良となる。この場合、半導体集積回路1
0全体が不良となり、組立歩留りが低下するという欠点
がある。
【0006】ところで、プリント基板上にパッドを複数
組用意しておき、搭載するICチップの大きさに応じて
パッドの組を変更して使用する技術が実開平1―844
60号公報に記載されている。これについて図3を参照
して説明する。
【0007】まず、図3(a)に示されているようにプ
リント基板上にパッドを複数組用意する。すなわち、ラ
インL1〜Lnに対してパッドP1〜Pnの他にパッド
Q1〜Qnをプリント基板2に設け、これらパッドQ1
〜Qnは夫々各パッドP1〜Pnに対しライン方向に所
定距離隔てて形成する。また、パッドP1〜Pn及びパ
ッドQ1〜Qnは互いに千鳥状になるように、夫々横方
向2列に配列される。その結果、4段のパッド列P1,
P3,……P(2m−1)…、P2,P4,……P(2
m)、Q1,Q3,……Q(2m−1)…、Q2,Q
4,……Q(2m)が形成される。
【0008】かかる構成によれば、同図(b)に示され
ているように、形状の異なるICチップ4、6、8のパ
ッドP1〜Pn及びQ1〜Qnより面積に小なる各出力
端子5、7、9と上記パッド列のいずれかとをワイヤボ
ンディングで接続でき、形状の異なるICチップ毎にプ
リント基板を製造する必要がない。
【0009】しかし、かかる構成においても、ICチッ
プ4、6、8の各出力端子5、7、9のボンディング状
態が不良である場合にはプリント基板2全体が不良にな
り、やはり組立歩留りが低下するという欠点がある。
【0010】本発明は上述した従来の欠点を解決するた
めになされたものであり、その目的は半導体集積回路の
組立歩留りを向上させることのできるボンディングワイ
ヤ接続構造及びボンディングワイヤ接続方法を提供する
ことである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明によるボンディン
グワイヤ接続構造は、第1の電極と、いずれか一方が前
記第1の電極とボンディングワイヤにより電気的に接続
され前記第1の電極より小なる面積を有し互いに同一の
信号を導出するための第2及び第3の電極とを含み、前
記第1の電極は、前記第2の電極との接続が不良である
とき該電極の代りに前記第3の電極と接続されることを
特徴とする。
【0012】また、本発明によるボンディングワイヤ接
続方法は、第1の電極と、いずれか一方が前記第1の電
極とボンディングワイヤにより電気的に接続され前記第
1の電極より小なる面積を有し互いに同一の信号を導出
するための第2及び第3の電極とを電気的に接続するボ
ンディングワイヤ接続方法であって、前記第1の電極と
前記第2の電極とを第1のボンディングワイヤにより電
気的に接続する第1ステップと、前記第1ステップにお
ける接続状態が不良であるとき前記第1のボンディング
ワイヤを取除く第2ステップと、この取除き後に前記第
1の電極と前記第3の電極とを第2のボンディングワイ
ヤにより電気的に接続する第3ステップとを含むことを
特徴とする。
【0013】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0014】図1は本発明の一実施例によるボンディン
グワイヤ接続構造を含む半導体集積回路の概略構成図で
あり、図2と同等部分は同一符号により示されている。
【0015】図において、本発明の一実施例によるボン
ディングワイヤ接続構造が従来のものと異なる点は、各
引出配線4a〜4nに対応してボンディングパッドPa
m〜Pnm及びPan〜Pnnが設けられている点であ
る。
【0016】つまり、1つの引出配線により導出される
信号について、2つのボンディングパッドが設けられる
ことになる。そして、1つのボンディングパッドとボン
ディングワイヤとが接続不良であった場合には、そのワ
イヤを取除いた後もう1つのボンディングパッドを用い
て再度ボンディングワイヤを接続するのである。こうす
ることにより、半導体集積回路の組立歩留りが向上する
のである。
【0017】以下、ボンディングワイヤの接続について
詳細に説明する。
【0018】まず、最初に引出配線4a〜4nに対応し
て設けられているボンディングパッドPam〜Pnmと
電極Sa〜Snとの対応するもの同士がワイヤボンディ
ング法により接続される。これにより、内部素子3が図
示せぬ外部端子と電気的に接続される。
【0019】ところが、図2の場合と同様にパッドPd
mと電極Sdとの接続が不良であった場合には、両者を
接続するワイヤを剥がして取除く。そして、この取除き
後、今度はパッドPdnを用い、このパッドPdnと電
極Sdとをワイヤボンディング接続するのである。すな
わち、電極Sdは、パッドPdmとの接続が不良であっ
た場合には、その代りにパッドPdnと接続されるので
ある。
【0020】同様に、パッドPkmと電極Skとを接続
するワイヤが断線した場合も、両者を接続するワイヤを
取除いた後、パッドPknを用いて電極Skと接続する
のである。すなわち、電極Skは、パッドPdmとの接
続が不良であった場合には、その代りにパッドPdnと
接続されるのである。
【0021】以上により、内部素子3が図示せぬ外部端
子と電気的に接続され、半導体集積回路の組立歩留りが
向上するのである。
【0022】なお、以上の実施例においては、各引出配
線に対してボンディングパッドを2つずつ設けている
が、ボンディングパッドを複数設ければ良く、その数に
限定されない。
【0023】また、各引出配線に対して正方形のボンデ
ィングパッドを複数設けるのではなく、長方形等の長形
のボンディングパッドを1つだけ設けても良い。この場
合には、その長形のパッドの一部分を用いてワイヤボン
ディング接続し、その接続が不良だった場合にはそのワ
イヤを取除いた後で他の一部分を用いて再度ワイヤボン
ディング接続しても同様の効果が得られる。
【0024】さらに、以上は半導体集積回路におけるワ
イヤボンディング接続を例にして説明したが、これに限
らずワイヤボンディング接続が用いられる場合について
本発明が広く適用できることは明白である。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体集
積装置からの各引出配線に対して複数又は長形のボンデ
ィングパッドを設けることにより、パッドと電極とのワ
イヤボンディング接続が不良となった場合でも再度ワイ
ヤボンディング接続することができ、半導体集積回路の
組立歩留りが向上するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例によるボンディングワイヤ接続
構造を含む半導体集積回路の概略構成図である。
【図2】従来のボンディングワイヤ接続構造を含む半導
体集積回路の概略構成図である。
【図3】従来の他のボンディングワイヤ接続構造を示す
概略構成図であり、(a)はICチップ搭載前の状態、
(b)はICチップ搭載後の状態を夫々示す。
【符号の説明】
1 基板 2 半導体集積装置 3 内部素子 4a〜4n 引出配線 5a〜5n ワイヤ Pam〜Pnm、Pan〜Pnn ボンディングパッド Sa〜Sn 電極

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の電極と、いずれか一方が前記第1
    の電極とボンディングワイヤにより電気的に接続され前
    記第1の電極より小なる面積を有し互いに同一の信号を
    導出するための第2及び第3の電極とを含み、前記第1
    の電極は、前記第2の電極との接続が不良であるとき該
    電極の代りに前記第3の電極と接続されることを特徴と
    するボンディングワイヤ接続構造。
  2. 【請求項2】 前記信号は半導体集積装置からの信号で
    あり、前記第2及び第3の電極は該信号を導出するため
    のパッド電極であり、前記第1の電極は外部端子接続用
    電極であることを特徴とする請求項1記載のボンディン
    グワイヤ接続構造。
  3. 【請求項3】 前記パッド電極は長形であり、この電極
    の一部を前記第2の電極とし、他の一部を前記第3の電
    極としたことを特徴とする請求項2記載のボンディング
    ワイヤ接続構造。
  4. 【請求項4】 第1の電極と、 いずれか一方が前記第1の電極とボンディングワイヤに
    より電気的に接続され前記第1の電極より小なる面積を
    有し互いに同一の信号を導出するための第2及び第3の
    電極と、 を電気的に接続するボンディングワイヤ接続方法であっ
    て、 前記第1の電極と前記第2の電極とを第1のボンディン
    グワイヤにより電気的に接続する第1ステップと、 前記第1ステップにおける接続状態が不良であるとき前
    記第1のボンディングワイヤを取除く第2ステップと、 この取除き後に前記第1の電極と前記第3の電極とを第
    2のボンディングワイヤにより電気的に接続する第3ス
    テップと、 を含むことを特徴とするボンディングワイヤ接続方法。
  5. 【請求項5】 前記信号は半導体集積装置からの信号で
    あり、前記第2及び第3の電極は該信号を導出するため
    のパッド電極であり、前記第1の電極は外部端子接続用
    電極であることを特徴とする請求項4記載のボンディン
    グワイヤ接続方法。
  6. 【請求項6】 前記パッド電極は長形であり、この電極
    の一部を前記第2の電極とし、他の一部を前記第3の電
    極としたことを特徴とする請求項5記載のボンディング
    ワイヤ接続構造。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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