JPH07176407A - プルアップ抵抗内蔵型サーミスタ - Google Patents
プルアップ抵抗内蔵型サーミスタInfo
- Publication number
- JPH07176407A JPH07176407A JP32235193A JP32235193A JPH07176407A JP H07176407 A JPH07176407 A JP H07176407A JP 32235193 A JP32235193 A JP 32235193A JP 32235193 A JP32235193 A JP 32235193A JP H07176407 A JPH07176407 A JP H07176407A
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- JP
- Japan
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- temperature
- resistor
- pull
- thermistor
- constant
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、特に、低温域、または、高温域で
の温度計測精度が悪化することのない広範囲の温度測定
に適用可能なプルアップ抵抗内蔵型サーミスタを提供す
ることを目的とする。 【構成】 温度に応じて抵抗値が変化するサーミスタか
らなる温度検出用の温度測定抵抗２と該温度測定抵抗の
抵抗値変化を出力として検出するためのプルアップ抵抗
３と、該プルアップ抵抗から出力を取り出すための電極
４とが、電気絶縁性基板１に一体化されて備えられ、し
かも前記温度測定抵抗のサーミスタＢ定数と前記プルア
ップ抵抗のサーミスタＢ定数との比であるＢ定数比が、
Ｂ定数比０．４〜０．９の範囲、或いは、Ｂ定数比１．
１〜１．５の範囲で構成されたことを特徴とする構成を
採用したものである。
の温度計測精度が悪化することのない広範囲の温度測定
に適用可能なプルアップ抵抗内蔵型サーミスタを提供す
ることを目的とする。 【構成】 温度に応じて抵抗値が変化するサーミスタか
らなる温度検出用の温度測定抵抗２と該温度測定抵抗の
抵抗値変化を出力として検出するためのプルアップ抵抗
３と、該プルアップ抵抗から出力を取り出すための電極
４とが、電気絶縁性基板１に一体化されて備えられ、し
かも前記温度測定抵抗のサーミスタＢ定数と前記プルア
ップ抵抗のサーミスタＢ定数との比であるＢ定数比が、
Ｂ定数比０．４〜０．９の範囲、或いは、Ｂ定数比１．
１〜１．５の範囲で構成されたことを特徴とする構成を
採用したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ボイラーの温度或いは
自動車の排気温度などを検知するために低温から高温ま
で温度測定可能なワイドレンジのプルアップ抵抗内蔵型
サーミスタに関するものである
自動車の排気温度などを検知するために低温から高温ま
で温度測定可能なワイドレンジのプルアップ抵抗内蔵型
サーミスタに関するものである
【０００２】
【従来の技術】従来より、ボイラーの温度或いは自動車
の排気温度などを検知するために低温から高温まで温度
測定可能なワイドレンジの温度検出器が提案されてきて
いる。例えば、特開平５−３４２０８号公報は、温度測
定部に、サーミスタＢ定数の異なる２種以上のサーミス
タを並列に接続して、サーミスタの合成抵抗値を望まし
い抵抗値の範囲で変化させようとするものであるが、そ
の抵抗値の変化は、低温から高温の変化でおよそ３桁
（ex.０．１ＫΩから２００ＫΩに変化）変化する。こ
の場合、一般的に用いられている温度−電圧変換回路
（代表例を図２に記す）にて電圧変換すると電圧検出用
プルアップ抵抗３’が固定抵抗であるために、温度変化
により広範囲に変化するサーミスタ抵抗値に対して、温
度変化に対する電圧変化量を最大とするような最適なプ
ルアップ抵抗値が得られず、特に、低温域、または、高
温域にて温度計測精度が悪化するという問題がある。
の排気温度などを検知するために低温から高温まで温度
測定可能なワイドレンジの温度検出器が提案されてきて
いる。例えば、特開平５−３４２０８号公報は、温度測
定部に、サーミスタＢ定数の異なる２種以上のサーミス
タを並列に接続して、サーミスタの合成抵抗値を望まし
い抵抗値の範囲で変化させようとするものであるが、そ
の抵抗値の変化は、低温から高温の変化でおよそ３桁
（ex.０．１ＫΩから２００ＫΩに変化）変化する。こ
の場合、一般的に用いられている温度−電圧変換回路
（代表例を図２に記す）にて電圧変換すると電圧検出用
プルアップ抵抗３’が固定抵抗であるために、温度変化
により広範囲に変化するサーミスタ抵抗値に対して、温
度変化に対する電圧変化量を最大とするような最適なプ
ルアップ抵抗値が得られず、特に、低温域、または、高
温域にて温度計測精度が悪化するという問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題を
鑑み、特に、低温域、または、高温域での温度計測精度
が悪化することのない広範囲の温度測定に適用可能なプ
ルアップ抵抗内蔵型サーミスタを提供するものである。
鑑み、特に、低温域、または、高温域での温度計測精度
が悪化することのない広範囲の温度測定に適用可能なプ
ルアップ抵抗内蔵型サーミスタを提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、温度に応じて抵
抗値が変化する厚膜又は薄膜のサーミスタからなる温度
検出用の温度測定抵抗と、該温度測定抵抗の抵抗値変化
を出力として検出するためのプルアップ抵抗と、該プル
アップ抵抗から出力を取り出すための手段とが、電気絶
縁性基板上に一体化されて備えられ、しかも前記温度測
定抵抗のサーミスタＢ定数と前記プルアップ抵抗のサー
ミスタＢ定数との比であるＢ定数比が、Ｂ定数比０．４
〜０．９の範囲、或いはＢ定数比１．１〜１．５の範囲
で構成されたことを特徴とするプルアップ抵抗内蔵型サ
ーミスタを採用するものである。
抗値が変化する厚膜又は薄膜のサーミスタからなる温度
検出用の温度測定抵抗と、該温度測定抵抗の抵抗値変化
を出力として検出するためのプルアップ抵抗と、該プル
アップ抵抗から出力を取り出すための手段とが、電気絶
縁性基板上に一体化されて備えられ、しかも前記温度測
定抵抗のサーミスタＢ定数と前記プルアップ抵抗のサー
ミスタＢ定数との比であるＢ定数比が、Ｂ定数比０．４
〜０．９の範囲、或いはＢ定数比１．１〜１．５の範囲
で構成されたことを特徴とするプルアップ抵抗内蔵型サ
ーミスタを採用するものである。
【０００５】
【作用】上記の構成を採用することによって、即ち特に
温度測定抵抗のサーミスタＢ定数と前記プルアップ抵抗
のサーミスタＢ定数との比であるＢ定数比が、Ｂ定数比
０．４〜０．９の範囲、或いは、Ｂ定数比１．１〜１．
５の範囲で構成されたことから、温度変化に対する電圧
変化量を最大にすることが可能である。さらに、サーミ
スタのＢ定数は、バラツキがあり、このバラツキがＢ定
数比をバラツかせて、電圧変化量が変化し、温度測定精
度を低下させる原因となりうるのであるが、本発明の如
く構成することによって、Ｂ定数比変化に対して電圧変
化量がほとんど変化せず、大きな電圧変化量が得られ
る。即ち、各々バラツいても測定温度に対して安定した
電圧変化量が得られることから、高い温度検出精度が得
られることになる。
温度測定抵抗のサーミスタＢ定数と前記プルアップ抵抗
のサーミスタＢ定数との比であるＢ定数比が、Ｂ定数比
０．４〜０．９の範囲、或いは、Ｂ定数比１．１〜１．
５の範囲で構成されたことから、温度変化に対する電圧
変化量を最大にすることが可能である。さらに、サーミ
スタのＢ定数は、バラツキがあり、このバラツキがＢ定
数比をバラツかせて、電圧変化量が変化し、温度測定精
度を低下させる原因となりうるのであるが、本発明の如
く構成することによって、Ｂ定数比変化に対して電圧変
化量がほとんど変化せず、大きな電圧変化量が得られ
る。即ち、各々バラツいても測定温度に対して安定した
電圧変化量が得られることから、高い温度検出精度が得
られることになる。
【０００６】
【発明の効果】以上に記した作用により、低温域、また
は、高温域での温度計測精度が悪化することのない広範
囲の温度測定に適用可能なプルアップ抵抗内蔵型サーミ
スタを提供することができる。
は、高温域での温度計測精度が悪化することのない広範
囲の温度測定に適用可能なプルアップ抵抗内蔵型サーミ
スタを提供することができる。
【０００７】
【実施例】本発明者らは、上記問題点について鋭意検討
してきた。その結果、温度変化に対する電圧変化量は、
サーミスタ抵抗と、電圧検出用のプルアップ抵抗の比に
支配されるということに着目した。そして、特に低温時
にはプルアップ抵抗値を大きく、高温時には小さくなる
ように連続的に設定することにより、温度変化に対する
電圧変化量が大きくなるように検出するための研究を重
ね、本発明に至ったのである。以下、本発明について図
に記した実施例を参照しながら説明する。
してきた。その結果、温度変化に対する電圧変化量は、
サーミスタ抵抗と、電圧検出用のプルアップ抵抗の比に
支配されるということに着目した。そして、特に低温時
にはプルアップ抵抗値を大きく、高温時には小さくなる
ように連続的に設定することにより、温度変化に対する
電圧変化量が大きくなるように検出するための研究を重
ね、本発明に至ったのである。以下、本発明について図
に記した実施例を参照しながら説明する。
【０００８】図１は、本発明の実施例であるプルアップ
抵抗内蔵型サーミスタの構成を説明するための一部破断
面斜視図である。図において、Ｂ値の異なる２種のサー
ミスタを温度検出部に直列に配置し、一方のサーミスタ
を温度検出用、他方を電圧検出用のプルアップ抵抗とす
る構成からなり、１はアルミナ等の電気絶縁性セラミッ
クス基板であり、２はMn-Crスピネル系等の温度検出用
サーミスタである温度測定抵抗であり、３はCr2O3-ZnO
系等の電圧検出用サーミスタであるプルアップ抵抗であ
り、４（４ａ，４ｂ，４ｃ）は、出力を取り出すための
手段であり、Pt等の貴金属或いは高耐熱性金属等からな
る電極である。また６はアルミナ等の電気絶縁性セラミ
ックス基板からなる被覆基板である。ここで、本発明の
実施例であるプルアップ抵抗内蔵型サーミスタは、アル
ミナ等の前記電気絶縁性セラミックス基板１のグリーン
シート上に、Mn-Crスピネル系等の前記温度検出用サー
ミスタである前記温度測定抵抗２のペースト物、Cr2O3-
ZnO系等の前記電圧検出用サーミスタである前記プルア
ップ抵抗３のペースト物、及びは、Pt等の貴金属或いは
高耐熱性金属等からなる前記電極４（４ａ，４ｂ，４
ｃ）のペースト物を印刷して、アルミナ等の電気絶縁性
セラミックス基板からなる前記被覆基板６であるグリー
ンシートを被覆して一体化したのちに、焼成して焼成体
としたものである。尚、前記電極４は、４ａ：一定電圧
印加用電極、４ｂ：電圧検出用電極、４ｃ：共通電極か
ら構成されている。そして、前記一定電圧印加用電極４
ａと前記共通電極４ｃとの間に一定電圧Ｅが印加されて
いる。また、前記電圧検出用電極４ｂと前記共通電極４
ｃとの間の前記温度測定抵抗２の設けられた温度検出部
５の温度に対応した数１に示される電圧Ｖを出力してい
る。
抵抗内蔵型サーミスタの構成を説明するための一部破断
面斜視図である。図において、Ｂ値の異なる２種のサー
ミスタを温度検出部に直列に配置し、一方のサーミスタ
を温度検出用、他方を電圧検出用のプルアップ抵抗とす
る構成からなり、１はアルミナ等の電気絶縁性セラミッ
クス基板であり、２はMn-Crスピネル系等の温度検出用
サーミスタである温度測定抵抗であり、３はCr2O3-ZnO
系等の電圧検出用サーミスタであるプルアップ抵抗であ
り、４（４ａ，４ｂ，４ｃ）は、出力を取り出すための
手段であり、Pt等の貴金属或いは高耐熱性金属等からな
る電極である。また６はアルミナ等の電気絶縁性セラミ
ックス基板からなる被覆基板である。ここで、本発明の
実施例であるプルアップ抵抗内蔵型サーミスタは、アル
ミナ等の前記電気絶縁性セラミックス基板１のグリーン
シート上に、Mn-Crスピネル系等の前記温度検出用サー
ミスタである前記温度測定抵抗２のペースト物、Cr2O3-
ZnO系等の前記電圧検出用サーミスタである前記プルア
ップ抵抗３のペースト物、及びは、Pt等の貴金属或いは
高耐熱性金属等からなる前記電極４（４ａ，４ｂ，４
ｃ）のペースト物を印刷して、アルミナ等の電気絶縁性
セラミックス基板からなる前記被覆基板６であるグリー
ンシートを被覆して一体化したのちに、焼成して焼成体
としたものである。尚、前記電極４は、４ａ：一定電圧
印加用電極、４ｂ：電圧検出用電極、４ｃ：共通電極か
ら構成されている。そして、前記一定電圧印加用電極４
ａと前記共通電極４ｃとの間に一定電圧Ｅが印加されて
いる。また、前記電圧検出用電極４ｂと前記共通電極４
ｃとの間の前記温度測定抵抗２の設けられた温度検出部
５の温度に対応した数１に示される電圧Ｖを出力してい
る。
【０００９】
【数１】 ここで、 ＲPt：温度ｔ℃における前記プルアップ抵抗３の抵抗値 ＲSt：温度ｔ℃における前記温度測定抵抗２の抵抗値 である。
【００１０】図２は従来の温度検出の基本的な回路図で
あり、温度検出部５’には、温度測定抵抗２’が配さ
れ、また固定抵抗である電圧検出用プルアップ抵抗３’
と直列に接続されて構成されている。温度検出部５’の
温度に対応した数２に示される電圧Ｖ’を出力してい
る。
あり、温度検出部５’には、温度測定抵抗２’が配さ
れ、また固定抵抗である電圧検出用プルアップ抵抗３’
と直列に接続されて構成されている。温度検出部５’の
温度に対応した数２に示される電圧Ｖ’を出力してい
る。
【００１１】
【数２】 ここで、 ＲPt’：温度ｔ℃における前記プルアップ抵抗３’の抵
抗値 ＲSt’：温度ｔ℃における前記温度測定抵抗２’の抵抗
値 である。
抗値 ＲSt’：温度ｔ℃における前記温度測定抵抗２’の抵抗
値 である。
【００１２】図３は、前記温度検出部５’の温度に対す
る出力電圧Ｖ’の関係を示すもので、図中の記号ａは、
前記プルアップ抵抗３’の抵抗値が小さい場合であり、
又、ｂは、大きい場合である。温度が高いときには、前
記プルアップ抵抗３’の抵抗値が小さく、温度が低いと
きには、大きく設定すれば、温度の変化に対する電圧変
化を大きく設定でき、温度検出精度を向上させることが
できる。
る出力電圧Ｖ’の関係を示すもので、図中の記号ａは、
前記プルアップ抵抗３’の抵抗値が小さい場合であり、
又、ｂは、大きい場合である。温度が高いときには、前
記プルアップ抵抗３’の抵抗値が小さく、温度が低いと
きには、大きく設定すれば、温度の変化に対する電圧変
化を大きく設定でき、温度検出精度を向上させることが
できる。
【００１３】図１に記した本発明の実施例では、前記温
度検出部５に、前記プルアップ抵抗３として前記プルア
ップ抵抗３’に相当する抵抗体が、サーミスタにて形成
されていることから、前記温度検出部５の温度が低いと
きには、前記プルアップ抵抗３の抵抗値は大きく、温度
が高いときには小さくなる。そのため、広い温度測定領
域に渡って、温度変化に対する電圧変化量を大きな値と
して検出できる。該電圧変化量は、各温度における前記
温度測定抵抗２の抵抗値と前記プルアップ抵抗３の抵抗
値の比によって、決定される。そして、前記温度測定抵
抗２の抵抗値と前記プルアップ抵抗３の抵抗値は、各々
のサーミスタ材料によって決まるＢ定数によって定まる
ので、前記電圧変化量は、Ｂ定数の比に左右される。
度検出部５に、前記プルアップ抵抗３として前記プルア
ップ抵抗３’に相当する抵抗体が、サーミスタにて形成
されていることから、前記温度検出部５の温度が低いと
きには、前記プルアップ抵抗３の抵抗値は大きく、温度
が高いときには小さくなる。そのため、広い温度測定領
域に渡って、温度変化に対する電圧変化量を大きな値と
して検出できる。該電圧変化量は、各温度における前記
温度測定抵抗２の抵抗値と前記プルアップ抵抗３の抵抗
値の比によって、決定される。そして、前記温度測定抵
抗２の抵抗値と前記プルアップ抵抗３の抵抗値は、各々
のサーミスタ材料によって決まるＢ定数によって定まる
ので、前記電圧変化量は、Ｂ定数の比に左右される。
【００１４】ところで、Ｂ定数は、
【００１５】
【数３】 で表され、ここで、Ｒ（Ｔ）は、絶対温度ＴＫでの抵抗
値、Ｒ0（Ｔ0）は、絶対温度Ｔ0Ｋでの抵抗値を表して
おり、一般に温度に対する抵抗値変化量の少ないものほ
ど小さく、抵抗値変化量の大きいものほど大きい。
値、Ｒ0（Ｔ0）は、絶対温度Ｔ0Ｋでの抵抗値を表して
おり、一般に温度に対する抵抗値変化量の少ないものほ
ど小さく、抵抗値変化量の大きいものほど大きい。
【００１６】このＢ定数を、各種変更し、即ち前記温度
測定抵抗２のＢ定数と前記プルアップ抵抗３のＢ定数の
比を、Ｂ定数比として、温度変化に対する電圧変化量
を、０．１〜１Ｖが、１００〜１０００℃になるようス
ケーリングしたときのスケーリングアンプの増幅率と、
温度変化に対するスケーリングアンプ後の電圧変化量を
調査した結果を、図４に示す。ｃは、Ｂ定数比１．０以
下の時の電圧変化量である。ｄは、Ｂ定数比１．０以上
の時の電圧変化量である。ｅは、Ｂ定数比１．０以下の
時のスケーリングアンプの増幅率であり、ｆは、Ｂ定数
比１．０以上の時のスケーリングアンプの増幅率であ
る。
測定抵抗２のＢ定数と前記プルアップ抵抗３のＢ定数の
比を、Ｂ定数比として、温度変化に対する電圧変化量
を、０．１〜１Ｖが、１００〜１０００℃になるようス
ケーリングしたときのスケーリングアンプの増幅率と、
温度変化に対するスケーリングアンプ後の電圧変化量を
調査した結果を、図４に示す。ｃは、Ｂ定数比１．０以
下の時の電圧変化量である。ｄは、Ｂ定数比１．０以上
の時の電圧変化量である。ｅは、Ｂ定数比１．０以下の
時のスケーリングアンプの増幅率であり、ｆは、Ｂ定数
比１．０以上の時のスケーリングアンプの増幅率であ
る。
【００１７】図４から、Ｂ定数比を最適に選定すること
により、温度変化に対する電圧変化量を最大にすること
が可能である。また、Ｂ定数比１．０近傍は、スケーリ
ングアンプの増幅率が、過大となり実用的でない。さら
に、サーミスタのＢ定数は、バラツキがあり、このバラ
ツキがＢ定数比をバラツかせて、電圧変化量が変化し、
温度測定精度を低下させる原因となりうるのであるが、
本発明の如く構成することによって、Ｂ定数比０．４〜
０．９の範囲（図４中ｇで記す）に、或いは、Ｂ定数比
１．１〜１．５の範囲（図４中ｈで記す）では、Ｂ定数
比変化に対して電圧変化量がほとんど変化せず、大きな
電圧変化量が得られる。そのため、温度測定精度の優れ
たＢ定数比範囲である。
により、温度変化に対する電圧変化量を最大にすること
が可能である。また、Ｂ定数比１．０近傍は、スケーリ
ングアンプの増幅率が、過大となり実用的でない。さら
に、サーミスタのＢ定数は、バラツキがあり、このバラ
ツキがＢ定数比をバラツかせて、電圧変化量が変化し、
温度測定精度を低下させる原因となりうるのであるが、
本発明の如く構成することによって、Ｂ定数比０．４〜
０．９の範囲（図４中ｇで記す）に、或いは、Ｂ定数比
１．１〜１．５の範囲（図４中ｈで記す）では、Ｂ定数
比変化に対して電圧変化量がほとんど変化せず、大きな
電圧変化量が得られる。そのため、温度測定精度の優れ
たＢ定数比範囲である。
【００１８】従って、Ｂ定数比０．４〜０．９の範囲、
或いは、Ｂ定数比１．１〜１．５の範囲になるように、
前記温度測定抵抗２と前記プルアップ抵抗３を設定する
ことにより、前記温度測定抵抗２のＢ定数と前記プルア
ップ抵抗３のＢ定数が、各々バラツいても測定温度に対
して安定した電圧変化量が得られることから、高い温度
検出精度が得られることになる。
或いは、Ｂ定数比１．１〜１．５の範囲になるように、
前記温度測定抵抗２と前記プルアップ抵抗３を設定する
ことにより、前記温度測定抵抗２のＢ定数と前記プルア
ップ抵抗３のＢ定数が、各々バラツいても測定温度に対
して安定した電圧変化量が得られることから、高い温度
検出精度が得られることになる。
【００１９】以上に説明した実施例では、同一の電気的
絶縁性セラミックス基板上に２種類のサーミスタを配置
し、片方を温度測定抵抗（温度検出用サーミスタ）、他
方をプルアップ抵抗（電圧検出用サーミスタ）として使
用したが、一つの電気的絶縁性セラミックス基板上に１
種類の温度測定抵抗（温度検出用サーミスタ）を配置
し、別の電気的絶縁性セラミックス基板上に別の１種類
のプルアップ抵抗（電圧検出用サーミスタ）を配置し
て、重ね合わせ、前記実施例と同様の回路構成になるよ
うに各電極をスルーホール等により接続する構成として
もよく、また各電極をプルアップ抵抗内蔵型サーミスタ
の外部で接続する構成としてもよい。
絶縁性セラミックス基板上に２種類のサーミスタを配置
し、片方を温度測定抵抗（温度検出用サーミスタ）、他
方をプルアップ抵抗（電圧検出用サーミスタ）として使
用したが、一つの電気的絶縁性セラミックス基板上に１
種類の温度測定抵抗（温度検出用サーミスタ）を配置
し、別の電気的絶縁性セラミックス基板上に別の１種類
のプルアップ抵抗（電圧検出用サーミスタ）を配置し
て、重ね合わせ、前記実施例と同様の回路構成になるよ
うに各電極をスルーホール等により接続する構成として
もよく、また各電極をプルアップ抵抗内蔵型サーミスタ
の外部で接続する構成としてもよい。
【図１】本発明の実施例であるプルアップ抵抗内蔵型サ
ーミスタの構成を説明するための一部破断面斜視図であ
る。
ーミスタの構成を説明するための一部破断面斜視図であ
る。
【図２】従来の温度検出の基本的な回路図である。
【図３】温度検出部の温度に対する出力電圧Ｖの関係を
示すものである。
示すものである。
【図４】スケーリングアンプの増幅率と、温度変化に対
するスケーリングアンプ後の電圧変化量を調査した結果
を示す図である。
するスケーリングアンプ後の電圧変化量を調査した結果
を示す図である。
１ 電気絶縁性セラミックス基板 ２ 温度測定抵抗 ３ プルアップ抵抗 ４ 電極 ４ａ 一定電圧印加用電極 ４ｂ 電圧検出用電極 ４ｃ 共通電極 ５ 温度検出部 ６ 被覆基板
Claims (1)
- 【請求項１】 温度に応じて抵抗値が変化する厚膜又は
薄膜のサーミスタからなる温度検出用の温度測定抵抗
と、 該温度測定抵抗の抵抗値変化を出力として検出するため
のプルアップ抵抗と、 該プルアップ抵抗から出力を取り出すための手段とが、
電気絶縁性基板上に一体化されて備えられ、しかも前記
温度測定抵抗のサーミスタＢ定数と前記プルアップ抵抗
のサーミスタＢ定数との比であるＢ定数比が、Ｂ定数比
０．４〜０．９の範囲、或いは、Ｂ定数比１．１〜１．
５の範囲で構成されたことを特徴とするプルアップ抵抗
内蔵型サーミスタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32235193A JP3365013B2 (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | プルアップ抵抗内蔵型サーミスタ |
| US08/323,227 US5600296A (en) | 1993-10-14 | 1994-10-14 | Thermistor having temperature detecting sections of substantially the same composition and dimensions for detecting subtantially identical temperature ranges |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32235193A JP3365013B2 (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | プルアップ抵抗内蔵型サーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176407A true JPH07176407A (ja) | 1995-07-14 |
| JP3365013B2 JP3365013B2 (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=18142678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32235193A Expired - Fee Related JP3365013B2 (ja) | 1993-10-14 | 1993-12-21 | プルアップ抵抗内蔵型サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3365013B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101683460B1 (ko) * | 2016-02-05 | 2016-12-07 | (주)세종코리아지능화시스템 | 미세온도 판단을 위한 이중화 온도 감지회로 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5595466B2 (ja) | 2012-11-08 | 2014-09-24 | 本田技研工業株式会社 | 温度検出回路 |
| JP5657628B2 (ja) | 2012-11-12 | 2015-01-21 | 本田技研工業株式会社 | 温度検出回路 |
-
1993
- 1993-12-21 JP JP32235193A patent/JP3365013B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101683460B1 (ko) * | 2016-02-05 | 2016-12-07 | (주)세종코리아지능화시스템 | 미세온도 판단을 위한 이중화 온도 감지회로 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3365013B2 (ja) | 2003-01-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021001 |
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