JPH07175082A - アクティブマトリクスパネル及びその製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクスパネル及びその製造方法Info
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- JPH07175082A JPH07175082A JP31990293A JP31990293A JPH07175082A JP H07175082 A JPH07175082 A JP H07175082A JP 31990293 A JP31990293 A JP 31990293A JP 31990293 A JP31990293 A JP 31990293A JP H07175082 A JPH07175082 A JP H07175082A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は表示品位をある程度に保ちながら、
前記サンプルホールド容量のリーク電流を止めることが
できるアクティブマトリクスパネル構造及び製造方法の
実現を目的とする。 【構成】 本発明のアクティブマトリクスパネルは、絶
縁基板上に設けられたゲート線群、ソース線群、該ゲー
ト線群と該ソース線群を駆動する薄膜ドライバー回路、
該ソース線群に設けられたサンプルホールド容量及び該
ゲート線群と該ソース線群の各交点に設けられた薄膜ト
ランジスタアレイによって液晶を駆動する場合におい
て、前記サンプルホールド容量は、前記ソース線群の各
ソース線毎に並列に複数具備されるか、又は、少なくと
も一方側のサンプルホールド容量電極は複数に分割され
た枝電極の結合体形状とされる。そして、前記サンプル
ホールド容量に静電破壊が発生した場合、その破壊部の
属するサンプルホールド容量又はサンプルホールド容量
の破壊部分周辺だけをレーザー光線等によって切断可能
となる。
前記サンプルホールド容量のリーク電流を止めることが
できるアクティブマトリクスパネル構造及び製造方法の
実現を目的とする。 【構成】 本発明のアクティブマトリクスパネルは、絶
縁基板上に設けられたゲート線群、ソース線群、該ゲー
ト線群と該ソース線群を駆動する薄膜ドライバー回路、
該ソース線群に設けられたサンプルホールド容量及び該
ゲート線群と該ソース線群の各交点に設けられた薄膜ト
ランジスタアレイによって液晶を駆動する場合におい
て、前記サンプルホールド容量は、前記ソース線群の各
ソース線毎に並列に複数具備されるか、又は、少なくと
も一方側のサンプルホールド容量電極は複数に分割され
た枝電極の結合体形状とされる。そして、前記サンプル
ホールド容量に静電破壊が発生した場合、その破壊部の
属するサンプルホールド容量又はサンプルホールド容量
の破壊部分周辺だけをレーザー光線等によって切断可能
となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴと略記する。）より成るアクティブマトリク
スパネル、特にドライバー回路を一体化したアクティブ
マトリクスパネルに関する。
下、ＴＦＴと略記する。）より成るアクティブマトリク
スパネル、特にドライバー回路を一体化したアクティブ
マトリクスパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のアクティブマトリクスパネルは、
特開昭６２−１７８２９６号公報に示される様に、図５
に示す様な構造を持っていた。同図において、１はソー
ス駆動回路、Ｓ1〜Ｓnは該ソース駆動回路１に具備され
たアナログスイッチ、２は前記ソース駆動回路１に具備
され前記アナログスイッチＳ1〜Ｓnに線順次動作でＯＮ
／ＯＦＦ信号を送るシフトレジスタ、３は映像信号線、
４はゲート駆動回路、Ｘ1〜Ｘnは該ゲート駆動回路４か
ら送られたゲート信号が印加されるゲート線、Ｙ1〜Ｙn
は前記ソース駆動回路１から送られたソース信号が印加
されるソース線、５はゲート線Ｘ1〜Ｘnとソース線Ｙ1
〜Ｙnの交点に形成されたＴＦＴ、６は該ＴＦＴ５から
信号が書き込まれる液晶セル、７は前記液晶セルのそれ
ぞれに設けられた付加容量、８はサンプルホールド容
量、９はサンプルホールド容量に接続された共通配線を
示す。
特開昭６２−１７８２９６号公報に示される様に、図５
に示す様な構造を持っていた。同図において、１はソー
ス駆動回路、Ｓ1〜Ｓnは該ソース駆動回路１に具備され
たアナログスイッチ、２は前記ソース駆動回路１に具備
され前記アナログスイッチＳ1〜Ｓnに線順次動作でＯＮ
／ＯＦＦ信号を送るシフトレジスタ、３は映像信号線、
４はゲート駆動回路、Ｘ1〜Ｘnは該ゲート駆動回路４か
ら送られたゲート信号が印加されるゲート線、Ｙ1〜Ｙn
は前記ソース駆動回路１から送られたソース信号が印加
されるソース線、５はゲート線Ｘ1〜Ｘnとソース線Ｙ1
〜Ｙnの交点に形成されたＴＦＴ、６は該ＴＦＴ５から
信号が書き込まれる液晶セル、７は前記液晶セルのそれ
ぞれに設けられた付加容量、８はサンプルホールド容
量、９はサンプルホールド容量に接続された共通配線を
示す。
【０００３】次に、図５に示す従来のアクティブマトリ
クスパネル、特にサンプルホールド容量の動作を説明す
る。図５において、映像信号線３を通して映像信号が伝
送される。一方、ソース駆動回路１に具備されたシフト
レジスタ２は、線順次走査でアナログスイッチＳ1〜Ｓn
に信号を送ることにより、一つ毎に時分割で各アナログ
スイッチをオン状態にする。そして、該アナログスイッ
チがオン状態の間、該アナログスイッチを介して前記映
像信号線からの映像信号を各ソース線Ｙ1〜Ｙnにサンプ
リングする。サンプリングされた信号は各ソース線、該
ソース線に接続された液晶セル及び付加容量によって、
電荷としてチャージされる。このような動作を各ソース
線で線順次に繰り返して、全てのソース線に電荷のチャ
ージが終了した時に、全ゲート線Ｘ1〜Ｘnの内から選択
された１本のゲート線がＯＮ状態となり、その選択され
たゲート線に接続された横１列の液晶セルに信号が送ら
れる。以降、ゲート線Ｘ1〜Ｘnについて１列毎に前記動
作が線順次で行われて１画面を完成する。しかし、この
ような動作を行う場合、それぞれのソース線にチャージ
される電荷は、少なくとも全ソース線に電荷がチャージ
される間に亙って、確実にホールドされている必要があ
る。このため、従来のアクティブマトリクスパネルに
は、各ソース線にチャージされた電荷のホールドを十分
に行うため、サンプルホールド容量８を設ける必要があ
った。
クスパネル、特にサンプルホールド容量の動作を説明す
る。図５において、映像信号線３を通して映像信号が伝
送される。一方、ソース駆動回路１に具備されたシフト
レジスタ２は、線順次走査でアナログスイッチＳ1〜Ｓn
に信号を送ることにより、一つ毎に時分割で各アナログ
スイッチをオン状態にする。そして、該アナログスイッ
チがオン状態の間、該アナログスイッチを介して前記映
像信号線からの映像信号を各ソース線Ｙ1〜Ｙnにサンプ
リングする。サンプリングされた信号は各ソース線、該
ソース線に接続された液晶セル及び付加容量によって、
電荷としてチャージされる。このような動作を各ソース
線で線順次に繰り返して、全てのソース線に電荷のチャ
ージが終了した時に、全ゲート線Ｘ1〜Ｘnの内から選択
された１本のゲート線がＯＮ状態となり、その選択され
たゲート線に接続された横１列の液晶セルに信号が送ら
れる。以降、ゲート線Ｘ1〜Ｘnについて１列毎に前記動
作が線順次で行われて１画面を完成する。しかし、この
ような動作を行う場合、それぞれのソース線にチャージ
される電荷は、少なくとも全ソース線に電荷がチャージ
される間に亙って、確実にホールドされている必要があ
る。このため、従来のアクティブマトリクスパネルに
は、各ソース線にチャージされた電荷のホールドを十分
に行うため、サンプルホールド容量８を設ける必要があ
った。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示す従来のアクティブマトリクスパネルによると、パネ
ル完成後の工程（例えば、液晶配向膜のラビング処理
等）において発生する静電気等により、前記サンプルホ
ールド容量が図４の１０に示すような静電気破壊が起こ
り、リーク電流が発生することがあった。そして、前記
リーク電流の発生したサンプルホールド容量が接続され
たソース線では、チャージされた電荷のホールドが不可
能となる。このため、該ソース線に接続された液晶セル
は、正常な液晶セルに対してコントラストが著しく異な
る表示となり、結果として、液晶表示装置の表示品位を
低下させるという問題があった。
示す従来のアクティブマトリクスパネルによると、パネ
ル完成後の工程（例えば、液晶配向膜のラビング処理
等）において発生する静電気等により、前記サンプルホ
ールド容量が図４の１０に示すような静電気破壊が起こ
り、リーク電流が発生することがあった。そして、前記
リーク電流の発生したサンプルホールド容量が接続され
たソース線では、チャージされた電荷のホールドが不可
能となる。このため、該ソース線に接続された液晶セル
は、正常な液晶セルに対してコントラストが著しく異な
る表示となり、結果として、液晶表示装置の表示品位を
低下させるという問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の問題
点を解決するために成されたものであり、本発明におい
ては、絶縁基板上に設けられたゲート線群、ソース線
群、該ゲート線群と該ソース線群を駆動する薄膜ドライ
バー回路、該ソース線群に接続されたサンプルホールド
容量及び該ゲート線群と該ソース線群の各交点に設けら
れた薄膜トランジスタアレイによって液晶を駆動して成
るアクティブマトリクスパネルにおいて、前記サンプル
ホールド容量は、前記ソース線群の各ソース線毎に並列
に複数具備されて成ることを特徴とするアクティブマト
リクスパネルを提供する。
点を解決するために成されたものであり、本発明におい
ては、絶縁基板上に設けられたゲート線群、ソース線
群、該ゲート線群と該ソース線群を駆動する薄膜ドライ
バー回路、該ソース線群に接続されたサンプルホールド
容量及び該ゲート線群と該ソース線群の各交点に設けら
れた薄膜トランジスタアレイによって液晶を駆動して成
るアクティブマトリクスパネルにおいて、前記サンプル
ホールド容量は、前記ソース線群の各ソース線毎に並列
に複数具備されて成ることを特徴とするアクティブマト
リクスパネルを提供する。
【０００６】また、本発明は、絶縁基板上に設けられた
ゲート線群、ソース線群、該ゲート線群と該ソース線群
を駆動する薄膜ドライバー回路、該ソース線群に接続さ
れたサンプルホールド容量及び該ゲート線群と該ソース
線群の交点に設けられた薄膜トランジスタアレイによっ
て液晶を駆動して成るアクティブマトリクスパネルにお
いて、前記サンプルホールド容量は上下一対の電極を有
し、少なくとも一方側の電極が複数に分割された枝電極
の結合体であることを特徴とするアクティブマトリクス
パネルを提供する。
ゲート線群、ソース線群、該ゲート線群と該ソース線群
を駆動する薄膜ドライバー回路、該ソース線群に接続さ
れたサンプルホールド容量及び該ゲート線群と該ソース
線群の交点に設けられた薄膜トランジスタアレイによっ
て液晶を駆動して成るアクティブマトリクスパネルにお
いて、前記サンプルホールド容量は上下一対の電極を有
し、少なくとも一方側の電極が複数に分割された枝電極
の結合体であることを特徴とするアクティブマトリクス
パネルを提供する。
【０００７】また、本発明は、絶縁基板上に設けられた
ゲート線群、ソース線群、該ゲート線群と該ソース線群
を駆動する薄膜ドライバー回路、該ソース線群に接続さ
れたサンプルホールド容量及び該ゲート線群と該ソース
線群の各交点に設けられた薄膜トランジスタアレイによ
って液晶を駆動して成るアクティブマトリクスパネルの
製造方法において、前記サンプルホールド容量を、前記
ソース線群の各ソース線毎に並列に複数設け、レーザー
光線を用いて、前記サンプルホールド容量のうち欠陥が
発生したものを、電気的に切断することを特徴とするア
クティブマトリクスパネルの製造方法を提供する。
ゲート線群、ソース線群、該ゲート線群と該ソース線群
を駆動する薄膜ドライバー回路、該ソース線群に接続さ
れたサンプルホールド容量及び該ゲート線群と該ソース
線群の各交点に設けられた薄膜トランジスタアレイによ
って液晶を駆動して成るアクティブマトリクスパネルの
製造方法において、前記サンプルホールド容量を、前記
ソース線群の各ソース線毎に並列に複数設け、レーザー
光線を用いて、前記サンプルホールド容量のうち欠陥が
発生したものを、電気的に切断することを特徴とするア
クティブマトリクスパネルの製造方法を提供する。
【０００８】また、本発明は、絶縁基板上に設けられた
ゲート線群、ソース線群、該ゲート線群と該ソース線群
を駆動する薄膜ドライバー回路、該ソース線群に接続さ
れたサンプルホールド容量及び該ゲート線群と該ソース
線群の交点に設けられた薄膜トランジスタアレイによっ
て液晶を駆動して成るアクティブマトリクスパネルの製
造方法において、前記サンプルホールド容量を上下一対
の電極に形成し、少なくとも一方側の電極を複数に分割
された枝電極の結合体に形成し、レーザー光線を用い
て、前記サンプルホールド容量の欠陥が発生した枝電極
部分を、電気的に切断することを特徴とするアクティブ
マトリクスパネルの製造方法を提供する。
ゲート線群、ソース線群、該ゲート線群と該ソース線群
を駆動する薄膜ドライバー回路、該ソース線群に接続さ
れたサンプルホールド容量及び該ゲート線群と該ソース
線群の交点に設けられた薄膜トランジスタアレイによっ
て液晶を駆動して成るアクティブマトリクスパネルの製
造方法において、前記サンプルホールド容量を上下一対
の電極に形成し、少なくとも一方側の電極を複数に分割
された枝電極の結合体に形成し、レーザー光線を用い
て、前記サンプルホールド容量の欠陥が発生した枝電極
部分を、電気的に切断することを特徴とするアクティブ
マトリクスパネルの製造方法を提供する。
【０００９】
【作用】以上のようなアクティブマトリクスパネルによ
れば、サンプルホールド容量が複数具備された構造又は
サンプルホールド容量の少なくとも一方側の電極が複数
に分割された枝電極の結合体とされたことにより、サン
プルホールド容量に静電気破壊が生じた場合に、その破
壊部の属するサンプルホールド容量又はサンプルホール
ド容量電極の破壊部分周辺だけをレーザー光線等によっ
て切断可能とする。 そして、上記した理由から、サン
プルホールド容量に静電気破壊が生じた場合でも、表示
コントラストに与える影響が少ないアクティブマトリク
スパネルが得られる。
れば、サンプルホールド容量が複数具備された構造又は
サンプルホールド容量の少なくとも一方側の電極が複数
に分割された枝電極の結合体とされたことにより、サン
プルホールド容量に静電気破壊が生じた場合に、その破
壊部の属するサンプルホールド容量又はサンプルホール
ド容量電極の破壊部分周辺だけをレーザー光線等によっ
て切断可能とする。 そして、上記した理由から、サン
プルホールド容量に静電気破壊が生じた場合でも、表示
コントラストに与える影響が少ないアクティブマトリク
スパネルが得られる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の一実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明に係る第１実施例のアクティ
ブマトリクスパネルに具備されたサンプルホールド容量
周辺部分についての説明図である。
て説明する。図１は本発明に係る第１実施例のアクティ
ブマトリクスパネルに具備されたサンプルホールド容量
周辺部分についての説明図である。
【００１１】図において、８ａ，８ｂ，８ｃはそれぞれ
サンプルホールド容量、９は各サンプルホールド容量に
接続される共通配線、Ｙはソース線、Ｓはアナログスイ
ッチ、３は映像信号線、２は前記アナログスイッチＳに
ＯＮ／ＯＦＦ信号を送るシフトレジスタである。
サンプルホールド容量、９は各サンプルホールド容量に
接続される共通配線、Ｙはソース線、Ｓはアナログスイ
ッチ、３は映像信号線、２は前記アナログスイッチＳに
ＯＮ／ＯＦＦ信号を送るシフトレジスタである。
【００１２】図３は本発明に係る第２実施例のアクティ
ブマトリクスパネルに具備されたサンプルホールド容量
周辺部分についての説明図である。
ブマトリクスパネルに具備されたサンプルホールド容量
周辺部分についての説明図である。
【００１３】図において、８´はサンプルホールド容
量、９はサンプルホールド容量に接続される共通配線、
Ｙはソース線である。
量、９はサンプルホールド容量に接続される共通配線、
Ｙはソース線である。
【００１４】まず、第１実施例のアクティブマトリクス
パネルから説明する。第１実施例のアクティブマトリク
スパネルは、図５に示す従来のアクティブマトリクスパ
ネルのサンプルホールド容量８を、図１に示すサンプル
ホールド容量８ａ，８ｂ，８ｃに置き換えた構造であ
る。そして、第１実施例のアクティブマトリクスパネル
の駆動方法は、図５に示す従来のアクティブマトリクス
パネルと同じ動作になる。 第１実施例のアクティブマ
トリクスパネルによれば、１本のソース線Ｙに対して、
３個のサンプルホールド容量８ａ，８ｂ，８ｃを備え
る。このような構造によれば、前記３個のサンプルホー
ルド容量の内、１個のサンプルホールド容量にリーク電
流が発生した場合、リーク電流の生じたサンプルホール
ド容量のソース側又はアース側の配線部を切断すること
によりリーク電流を止める。そして、残る２個のサンプ
ルホールド容量は正常であり、この２個のサンプルホー
ルド容量に映像信号に必要な電荷を溜めることができ
る。従って、前記サンプルホールド容量に接続された液
晶セルは、正常な液晶セルと比べて視認者が表示を見る
場合に異常を感じない程度のコントラストになる。この
ため、サンプルホールド容量にリーク電流が発生した場
合でも、液晶セルの表示を良好に保つことができる。
また、図２に示すように、第１実施例の３個のサンプル
ホールド容量８ａ，８ｂ，８ｃに、それぞれ共通配線９
を設けることもできる。このような構成によれば、それ
ぞれの共通配線について導通検査をすることにより、容
易にリーク電流の発生したサンプルホールド容量を特定
できる。
パネルから説明する。第１実施例のアクティブマトリク
スパネルは、図５に示す従来のアクティブマトリクスパ
ネルのサンプルホールド容量８を、図１に示すサンプル
ホールド容量８ａ，８ｂ，８ｃに置き換えた構造であ
る。そして、第１実施例のアクティブマトリクスパネル
の駆動方法は、図５に示す従来のアクティブマトリクス
パネルと同じ動作になる。 第１実施例のアクティブマ
トリクスパネルによれば、１本のソース線Ｙに対して、
３個のサンプルホールド容量８ａ，８ｂ，８ｃを備え
る。このような構造によれば、前記３個のサンプルホー
ルド容量の内、１個のサンプルホールド容量にリーク電
流が発生した場合、リーク電流の生じたサンプルホール
ド容量のソース側又はアース側の配線部を切断すること
によりリーク電流を止める。そして、残る２個のサンプ
ルホールド容量は正常であり、この２個のサンプルホー
ルド容量に映像信号に必要な電荷を溜めることができ
る。従って、前記サンプルホールド容量に接続された液
晶セルは、正常な液晶セルと比べて視認者が表示を見る
場合に異常を感じない程度のコントラストになる。この
ため、サンプルホールド容量にリーク電流が発生した場
合でも、液晶セルの表示を良好に保つことができる。
また、図２に示すように、第１実施例の３個のサンプル
ホールド容量８ａ，８ｂ，８ｃに、それぞれ共通配線９
を設けることもできる。このような構成によれば、それ
ぞれの共通配線について導通検査をすることにより、容
易にリーク電流の発生したサンプルホールド容量を特定
できる。
【００１５】次に第２実施例のアクティブマトリクスパ
ネルを説明する。第２実施例のアクティブマトリクスパ
ネルは、図５に示す従来のアクティブマトリクスパネル
のサンプルホールド容量８を、図３に示すサンプルホー
ルド容量８´に置き換えた構造とする。そして、第２実
施例の駆動方法は、図５に示す従来のアクティブマトリ
クスパネルと同じ動作になる。
ネルを説明する。第２実施例のアクティブマトリクスパ
ネルは、図５に示す従来のアクティブマトリクスパネル
のサンプルホールド容量８を、図３に示すサンプルホー
ルド容量８´に置き換えた構造とする。そして、第２実
施例の駆動方法は、図５に示す従来のアクティブマトリ
クスパネルと同じ動作になる。
【００１６】第２実施例のアクティブマトリクスパネル
によれば、サンプルホールド容量の一方側の電極を枝電
極に分けて櫛形状とする。この櫛形状であれば櫛の根元
部分を切断することにより、複数の領域に分割可能であ
る。そして、分割可能な形状とした理由を以下に示す。
通常、サンプルホールド容量にリーク電流が発生する場
合、図４に示される様に容量電極の一部に静電気破壊１
０が発生してリーク電流が発生する。このため、容量電
極を分割可能な形状にしておけば、容量電極中の破壊部
の属する部分だけを切り離すことにより、破壊によるリ
ーク電流を止めることができる。一方、分割後のサンプ
ルホールド容量は映像信号のサンプルデータを十分にホ
ールドし得る程度の容量値を確保するように形成されて
いる。従って、分割後のサンプルホールド容量に接続さ
れた液晶セルにおいても、正常な液晶セルと比べて視認
者が表示を見る場合に異常を感じない程度のコントラス
トになる。このため、サンプルホールド容量にリーク電
流が発生した場合でも、液晶セルの表示を良好に保つこ
とができる。
によれば、サンプルホールド容量の一方側の電極を枝電
極に分けて櫛形状とする。この櫛形状であれば櫛の根元
部分を切断することにより、複数の領域に分割可能であ
る。そして、分割可能な形状とした理由を以下に示す。
通常、サンプルホールド容量にリーク電流が発生する場
合、図４に示される様に容量電極の一部に静電気破壊１
０が発生してリーク電流が発生する。このため、容量電
極を分割可能な形状にしておけば、容量電極中の破壊部
の属する部分だけを切り離すことにより、破壊によるリ
ーク電流を止めることができる。一方、分割後のサンプ
ルホールド容量は映像信号のサンプルデータを十分にホ
ールドし得る程度の容量値を確保するように形成されて
いる。従って、分割後のサンプルホールド容量に接続さ
れた液晶セルにおいても、正常な液晶セルと比べて視認
者が表示を見る場合に異常を感じない程度のコントラス
トになる。このため、サンプルホールド容量にリーク電
流が発生した場合でも、液晶セルの表示を良好に保つこ
とができる。
【００１７】また、第２実施例において、サンプルホー
ルド容量電極の双方を櫛形状にしても良い。
ルド容量電極の双方を櫛形状にしても良い。
【００１８】上述した二つの実施例のサンプルホールド
容量の切断は、レーザー光線の照射によって切断するこ
とが望ましい。更に、サンプルホールド容量の切断予定
箇所を細い形状に加工しておけば、前記レーザー光線に
よる切断を確実に行うことができる。また、第２実施例
において、枝電極の結合部分と他方側の電極が重畳して
いなければ、該結合部分の切断が容易になる。
容量の切断は、レーザー光線の照射によって切断するこ
とが望ましい。更に、サンプルホールド容量の切断予定
箇所を細い形状に加工しておけば、前記レーザー光線に
よる切断を確実に行うことができる。また、第２実施例
において、枝電極の結合部分と他方側の電極が重畳して
いなければ、該結合部分の切断が容易になる。
【００１９】上述した二つの実施例の製造工程におい
て、前記レーザー光線による切断を行う時期は、サンプ
ルホールド容量の欠陥を電気的に検出する場合は、アク
ティブマトリクスパネルの完成した段階で行う。また、
サンプルホールド容量の欠陥を光学的に検出する場合
は、アクティブマトリクスパネルと対向基板の間に液晶
を注入して液晶表示素子を完成した段階で行う。
て、前記レーザー光線による切断を行う時期は、サンプ
ルホールド容量の欠陥を電気的に検出する場合は、アク
ティブマトリクスパネルの完成した段階で行う。また、
サンプルホールド容量の欠陥を光学的に検出する場合
は、アクティブマトリクスパネルと対向基板の間に液晶
を注入して液晶表示素子を完成した段階で行う。
【００２０】
【発明の効果】本発明のアクティブマトリクスパネルに
よれば、サンプルホールド容量を複数具備された構造又
はサンプルホールド容量の少なくとも一方側の電極を複
数に分割された枝電極の結合体としたため、サンプルホ
ールド容量に静電気による破壊が生じた場合に、その破
壊部の属するサンプルホールド容量又はそのサンプルホ
ールド容量の破壊部分周辺だけをレーザー光線等によっ
て切断可能である。このため、サンプルホールド容量に
静電気による破壊が生じた場合でも、表示コントラスト
に与える影響が少ないアクティブマトリクスパネルを得
ることができる。
よれば、サンプルホールド容量を複数具備された構造又
はサンプルホールド容量の少なくとも一方側の電極を複
数に分割された枝電極の結合体としたため、サンプルホ
ールド容量に静電気による破壊が生じた場合に、その破
壊部の属するサンプルホールド容量又はそのサンプルホ
ールド容量の破壊部分周辺だけをレーザー光線等によっ
て切断可能である。このため、サンプルホールド容量に
静電気による破壊が生じた場合でも、表示コントラスト
に与える影響が少ないアクティブマトリクスパネルを得
ることができる。
【図１】本発明に係るアクティブマトリクスパネルの第
１実施例に具備されたサンプルホールド容量周辺部分に
ついての説明図である。
１実施例に具備されたサンプルホールド容量周辺部分に
ついての説明図である。
【図２】本発明に係るアクティブマトリクスパネルの第
１実施例に具備されたサンプルホールド容量周辺部分に
ついて、共通配線を多数接続した場合の説明図である。
１実施例に具備されたサンプルホールド容量周辺部分に
ついて、共通配線を多数接続した場合の説明図である。
【図３】本発明に係るアクティブマトリクスパネルの第
２実施例に具備されたサンプルホールド容量周辺部分に
ついての説明図である。
２実施例に具備されたサンプルホールド容量周辺部分に
ついての説明図である。
【図４】サンプルホールド容量に静電気破壊が起こった
場合の説明図である。
場合の説明図である。
【図５】従来のアクティブマトリクスパネルの説明図で
ある。
ある。
１ ソース駆動回路 ２ シフトレジスタ ３ 映像信号線 ４ ゲート駆動回路 ５ ＴＦＴ ６ 液晶セル ７ 付加容量 ８ 従来のサンプルホールド容量 ８ａ，８ｂ，８ｃ 本発明第１実施例のサンプルホール
ド容量 ８´ 本発明第２実施例のサンプルホールド容量 ９ 共通配線 １０ 静電気破壊
ド容量 ８´ 本発明第２実施例のサンプルホールド容量 ９ 共通配線 １０ 静電気破壊
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁基板上に設けられたゲート線群、ソー
ス線群、該ゲート線群と該ソース線群を駆動する薄膜ド
ライバー回路、該ソース線群に接続されたサンプルホー
ルド容量及び該ゲート線群と該ソース線群の各交点に設
けられた薄膜トランジスタアレイによって液晶を駆動し
て成るアクティブマトリクスパネルにおいて、 前記サンプルホールド容量は、前記ソース線群の各ソー
ス線毎に並列に複数具備されて成ることを特徴とするア
クティブマトリクスパネル。 - 【請求項２】絶縁基板上に設けられたゲート線群、ソー
ス線群、該ゲート線群と該ソース線群を駆動する薄膜ド
ライバー回路、該ソース線群に接続されたサンプルホー
ルド容量及び該ゲート線群と該ソース線群の各交点に設
けられた薄膜トランジスタアレイによって液晶を駆動し
て成るアクティブマトリクスパネルにおいて、 前記サンプルホールド容量は上下一対の電極を有し、少
なくとも一方側の電極が複数に分割された枝電極の結合
体であることを特徴とするアクティブマトリクスパネ
ル。 - 【請求項３】絶縁基板上に設けられたゲート線群、ソー
ス線群、該ゲート線群と該ソース線群を駆動する薄膜ド
ライバー回路、該ソース線群に接続されたサンプルホー
ルド容量及び該ゲート線群と該ソース線群の各交点に設
けられた薄膜トランジスタアレイによって液晶を駆動し
て成るアクティブマトリクスパネルの製造方法におい
て、 前記サンプルホールド容量を、前記ソース線群の各ソー
ス線毎に並列に複数設け、レーザー光線を用いて、前記
サンプルホールド容量のうち欠陥が発生したものを、電
気的に切断することを特徴とするアクティブマトリクス
パネルの製造方法。 - 【請求項４】絶縁基板上に設けられたゲート線群、ソー
ス線群、該ゲート線群と該ソース線群を駆動する薄膜ド
ライバー回路、該ソース線群に接続されたサンプルホー
ルド容量及び該ゲート線群と該ソース線群の各交点に設
けられた薄膜トランジスタアレイによって液晶を駆動し
て成るアクティブマトリクスパネルの製造方法におい
て、 前記サンプルホールド容量を上下一対の電極に形成し、
少なくとも一方側の電極を複数に分割された枝電極の結
合体に形成し、レーザー光線を用いて、前記サンプルホ
ールド容量の欠陥が発生した枝電極部分を、電気的に切
断することを特徴とするアクティブマトリクスパネルの
製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31990293A JP3059872B2 (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | アクティブマトリクスパネル及びその製造方法 |
| TW083111025A TW255032B (ja) | 1993-12-20 | 1994-11-26 | |
| US08/358,012 US5798742A (en) | 1993-12-20 | 1994-12-16 | Active matrix panel and method for fabricating the same |
| CN94120770A CN1087435C (zh) | 1993-12-20 | 1994-12-20 | 有源矩阵面板及其制造方法 |
| DE4445431A DE4445431C2 (de) | 1993-12-20 | 1994-12-20 | Aktivmatrixtafel |
| KR1019940035806A KR0168478B1 (ko) | 1993-12-20 | 1994-12-20 | 액티브매트릭스 패널 및 그의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31990293A JP3059872B2 (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | アクティブマトリクスパネル及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07175082A true JPH07175082A (ja) | 1995-07-14 |
| JP3059872B2 JP3059872B2 (ja) | 2000-07-04 |
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ID=18115513
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31990293A Expired - Fee Related JP3059872B2 (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | アクティブマトリクスパネル及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3059872B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006267545A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置および電子機器 |
-
1993
- 1993-12-20 JP JP31990293A patent/JP3059872B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006267545A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置および電子機器 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3059872B2 (ja) | 2000-07-04 |
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