JP3059872B2 - アクティブマトリクスパネル及びその製造方法 - Google Patents

アクティブマトリクスパネル及びその製造方法

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公秀 綿谷
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ(以
下、TFTと略記する。)より成るアクティブマトリク
スパネル、特にドライバー回路を一体化したアクティブ
マトリクスパネルに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のアクティブマトリクスパネルは、
特開昭62−178296号公報に示される様に、図5
に示す様な構造を持っていた。同図において、1はソー
ス駆動回路、S1〜Snは該ソース駆動回路1に具備され
たアナログスイッチ、2は前記ソース駆動回路1に具備
され前記アナログスイッチS1〜Snに線順次動作でON
/OFF信号を送るシフトレジスタ、3は映像信号線、
4はゲート駆動回路、X1〜Xnは該ゲート駆動回路4か
ら送られたゲート信号が印加されるゲート線、Y1〜Yn
は前記ソース駆動回路1から送られたソース信号が印加
されるソース線、5はゲート線X1〜Xnとソース線Y1
〜Ynの交点に形成されたTFT、6は該TFT5から
信号が書き込まれる液晶セル、7は前記液晶セルのそれ
ぞれに設けられた付加容量、8はサンプルホールド容
量、9はサンプルホールド容量に接続された共通配線を
示す。
【0003】次に、図5に示す従来のアクティブマトリ
クスパネル、特にサンプルホールド容量の動作を説明す
る。図5において、映像信号線3を通して映像信号が伝
送される。一方、ソース駆動回路1に具備されたシフト
レジスタ2は、線順次走査でアナログスイッチS1〜Sn
に信号を送ることにより、一つ毎に時分割で各アナログ
スイッチをオン状態にする。そして、該アナログスイッ
チがオン状態の間、該アナログスイッチを介して前記映
像信号線からの映像信号を各ソース線Y1〜Ynにサンプ
リングする。サンプリングされた信号は各ソース線、該
ソース線に接続された液晶セル及び付加容量によって、
電荷としてチャージされる。このような動作を各ソース
線で線順次に繰り返して、全てのソース線に電荷のチャ
ージが終了した時に、全ゲート線X1〜Xnの内から選択
された1本のゲート線がON状態となり、その選択され
たゲート線に接続された横1列の液晶セルに信号が送ら
れる。以降、ゲート線X1〜Xnについて1列毎に前記動
作が線順次で行われて1画面を完成する。しかし、この
ような動作を行う場合、それぞれのソース線にチャージ
される電荷は、少なくとも全ソース線に電荷がチャージ
される間に亙って、確実にホールドされている必要があ
る。このため、従来のアクティブマトリクスパネルに
は、各ソース線にチャージされた電荷のホールドを十分
に行うため、サンプルホールド容量8を設ける必要があ
った。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図5に
示す従来のアクティブマトリクスパネルによると、パネ
ル完成後の工程(例えば、液晶配向膜のラビング処理
等)において発生する静電気等により、前記サンプルホ
ールド容量が図4の10に示すような静電気破壊が起こ
り、リーク電流が発生することがあった。そして、前記
リーク電流の発生したサンプルホールド容量が接続され
たソース線では、チャージされた電荷のホールドが不可
能となる。このため、該ソース線に接続された液晶セル
は、正常な液晶セルに対してコントラストが著しく異な
る表示となり、結果として、液晶表示装置の表示品位を
低下させるという問題があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の問題
点を解決するために成されたものであり、本発明におい
ては、絶縁基板上に設けられたゲート線群、ソース線
群、該ゲート線群と該ソース線群を駆動する薄膜ドライ
バー回路、該ソース線群と共通配線とに接続されたサン
プルホールド容量及び該ゲート線群と該ソース線群
各交点に設けられた薄膜トランジスタアレイによって液
晶を駆動して成るアクティブマトリクスパネルにおい
て、前記ソース線群と共通配線とに接続されたサンプル
ホールド容量は、該ソース線群の各ソース線毎にチャー
ジされた電荷をホールドしてなり、該サンプルホールド
容量は、各ソース線毎に並列に複数具備されて成るこ
とを特徴とするアクティブマトリクスパネルを提供す
る。
【0006】また、本発明は、絶縁基板上に設けられた
ゲート線群、ソース線群、該ゲート線群と該ソース線群
を駆動する薄膜ドライバー回路、該ソース線群と共通配
線とに接続されたサンプルホールド容量及び該ゲート線
群と該ソース線群の各交点に設けられた薄膜トランジ
スタアレイによって液晶を駆動して成るアクティブマト
リクスパネルにおいて、前記ソース線群と共通配線とに
接続されたサンプルホールド容量は、該ソース線群の各
ソース線毎にチャージされた電荷をホールドしてなり、
該サンプルホールド容量は、該各ソース線毎に並列に複
数具備されて成るとともに、該共通配線は複数設けられ
て成り、該複数のサンプルホールド容量のそれぞれに
は、該複数の共通配線がそれぞれ個別に接続されて成る
ことを特徴とするアクティブマトリクスパネルを提供す
る。
【0007】また、本発明は、絶縁基板上に設けられた
ゲート線群、ソース線群、該ゲート線群と該ソース線群
を駆動する薄膜ドライバー回路、該ソース線群と共通配
線とに接続されたサンプルホールド容量及び該ゲート線
群と該ソース線群の各交点に設けられた薄膜トランジ
スタアレイによって液晶を駆動して成るアクティブマト
リクスパネルの製造方法において、前記ソース線群と共
通配線とに接続されたサンプルホールド容量を、該ソー
ス線群の各ソース線毎に並列に複数設ける工程と、前記
ソース線群と共通配線とに接続された複数のサンプルホ
ールド容量のうちの欠陥が発生したものを、レーザー光
線を用いて電気的に切断する工程と、を有することを特
徴とするアクティブマトリクスパネルの製造方法を提供
する。
【0008】また、本発明は、絶縁基板上に設けられた
ゲート線群、ソース線群、該ゲート線群と該ソース線群
を駆動する薄膜ドライバー回路、該ソース線群と共通配
線とに接続されたサンプルホールド容量及び該ゲート線
群と該ソース線群の各交点に設けられた薄膜トランジ
スタアレイによって液晶を駆動して成るアクティブマト
リクスパネルの製造方法において、前記ソース線群と共
通配線とに接続されるサンプルホールド容量を、該ソー
ス線群の各ソース線毎に並列に複数設ける工程と、前記
共通配線を複数設け、前記複数のサンプルホールド容量
のそれぞれに、該複数の共通配線をそれぞれ個別に接続
する工程と、前記複数の共通配線について導通検査を行
う工程と、前記導通検査に基づいて、前記ソース線群と
共通配線とに接続された複数のサンプルホールド容量の
うちの欠陥が発生したものを、レーザー光線を用いて電
気的に切断する工程と、を有することを特徴とするアク
ティブマトリクスパネルの製造方法を提供する。
【0009】
【作用】以上のようなアクティブマトリクスパネル及び
その製造方法によれば、各ソース線毎にチャージされた
電荷をホールドするサンプルホールド容量が、各ソース
線毎に並列に複数具備された構造又は該複数のサンプル
ホールド容量のそれぞれに、複数の共通配線をそれぞれ
個別に接続した構造を有することにより、サンプルホー
ルド容量に静電気破壊が生じた場合に、その破壊部の属
するサンプルホールド容量だけをレーザー光線等によっ
て切断可能とする。そして、上述した理由から、サンプ
ルホールド容量に静電気破壊が生じた場合でも、表示コ
ントラストに与える影響が少ないアクティブマトリクス
パネル及びその製造方法が得られる。なお、サンプルホ
ールド容量の少なくとも一方側の電極を複数に分割され
た枝電極の結合体とすることにより、サンプルホールド
容量に静電気破壊が生じた場合に、そのサンプルホール
ド容量電極の破壊部だけをレーザー光線等によって切断
可能とすることもできる。
【0010】
【実施例】以下本発明の一実施例について図面を参照し
て説明する。図1は本発明に係る第1実施例のアクティ
ブマトリクスパネルに具備されたサンプルホールド容量
周辺部分についての説明図である。
【0011】図において、8a,8b,8cはそれぞれ
サンプルホールド容量、9は各サンプルホールド容量に
接続される共通配線、Yはソース線、Sはアナログスイ
ッチ、3は映像信号線、2は前記アナログスイッチSに
ON/OFF信号を送るシフトレジスタである。
【0012】図3は本発明に係る第2実施例のアクティ
ブマトリクスパネルに具備されたサンプルホールド容量
周辺部分についての説明図である。
【0013】図において、8´はサンプルホールド容
量、9はサンプルホールド容量に接続される共通配線、
Yはソース線である。
【0014】まず、第1実施例のアクティブマトリクス
パネルから説明する。第1実施例のアクティブマトリク
スパネルは、図5に示す従来のアクティブマトリクスパ
ネルのサンプルホールド容量8を、図1に示すサンプル
ホールド容量8a,8b,8cに置き換えた構造であ
る。そして、第1実施例のアクティブマトリクスパネル
の駆動方法は、図5に示す従来のアクティブマトリクス
パネルと同じ動作になる。 第1実施例のアクティブマ
トリクスパネルによれば、1本のソース線Yに対して、
3個のサンプルホールド容量8a,8b,8cを備え
る。このような構造によれば、前記3個のサンプルホー
ルド容量の内、1個のサンプルホールド容量にリーク電
流が発生した場合、リーク電流の生じたサンプルホール
ド容量のソース側又はアース側の配線部を切断すること
によりリーク電流を止める。そして、残る2個のサンプ
ルホールド容量は正常であり、この2個のサンプルホー
ルド容量に映像信号に必要な電荷を溜めることができ
る。従って、前記サンプルホールド容量に接続された液
晶セルは、正常な液晶セルと比べて視認者が表示を見る
場合に異常を感じない程度のコントラストになる。この
ため、サンプルホールド容量にリーク電流が発生した場
合でも、液晶セルの表示を良好に保つことができる。
また、図2に示すように、第1実施例の3個のサンプル
ホールド容量8a,8b,8cに、それぞれ共通配線9
を設けることもできる。このような構成によれば、それ
ぞれの共通配線について導通検査をすることにより、容
易にリーク電流の発生したサンプルホールド容量を特定
できる。
【0015】次に第2実施例のアクティブマトリクスパ
ネルを説明する。第2実施例のアクティブマトリクスパ
ネルは、図5に示す従来のアクティブマトリクスパネル
のサンプルホールド容量8を、図3に示すサンプルホー
ルド容量8´に置き換えた構造とする。そして、第2実
施例の駆動方法は、図5に示す従来のアクティブマトリ
クスパネルと同じ動作になる。
【0016】第2実施例のアクティブマトリクスパネル
によれば、サンプルホールド容量の一方側の電極を枝電
極に分けて櫛形状とする。この櫛形状であれば櫛の根元
部分を切断することにより、複数の領域に分割可能であ
る。そして、分割可能な形状とした理由を以下に示す。
通常、サンプルホールド容量にリーク電流が発生する場
合、図4に示される様に容量電極の一部に静電気破壊1
0が発生してリーク電流が発生する。このため、容量電
極を分割可能な形状にしておけば、容量電極中の破壊部
の属する部分だけを切り離すことにより、破壊によるリ
ーク電流を止めることができる。一方、分割後のサンプ
ルホールド容量は映像信号のサンプルデータを十分にホ
ールドし得る程度の容量値を確保するように形成されて
いる。従って、分割後のサンプルホールド容量に接続さ
れた液晶セルにおいても、正常な液晶セルと比べて視認
者が表示を見る場合に異常を感じない程度のコントラス
トになる。このため、サンプルホールド容量にリーク電
流が発生した場合でも、液晶セルの表示を良好に保つこ
とができる。
【0017】また、第2実施例において、サンプルホー
ルド容量電極の双方を櫛形状にしても良い。
【0018】上述した二つの実施例のサンプルホールド
容量の切断は、レーザー光線の照射によって切断するこ
とが望ましい。更に、サンプルホールド容量の切断予定
箇所を細い形状に加工しておけば、前記レーザー光線に
よる切断を確実に行うことができる。また、第2実施例
において、枝電極の結合部分と他方側の電極が重畳して
いなければ、該結合部分の切断が容易になる。
【0019】上述した二つの実施例の製造工程におい
て、前記レーザー光線による切断を行う時期は、サンプ
ルホールド容量の欠陥を電気的に検出する場合は、アク
ティブマトリクスパネルの完成した段階で行う。また、
サンプルホールド容量の欠陥を光学的に検出する場合
は、アクティブマトリクスパネルと対向基板の間に液晶
を注入して液晶表示素子を完成した段階で行う。
【0020】
【発明の効果】本発明のアクティブマトリクスパネル
びその製造方法によれば、各ソース線毎にチャージされ
た電荷をホールドするサンプルホールド容量が、各ソー
ス線毎に並列に複数具備された構造又は該複数のサンプ
ルホールド容量のそれぞれに、複数の共通配線をそれぞ
れ個別に接続した構造としたため、サンプルホールド容
量に静電気による破壊が生じた場合に、その破壊部の属
するサンプルホールド容量だけをレーザー光線等によっ
て切断可能である。このため、サンプルホールド容量に
静電気による破壊が生じた場合でも、表示コントラスト
に与える影響が少ないアクティブマトリクスパネル及び
その製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るアクティブマトリクスパネルの第
1実施例に具備されたサンプルホールド容量周辺部分に
ついての説明図である。
【図2】本発明に係るアクティブマトリクスパネルの第
1実施例に具備されたサンプルホールド容量周辺部分に
ついて、共通配線を多数接続した場合の説明図である。
【図3】本発明に係るアクティブマトリクスパネルの第
2実施例に具備されたサンプルホールド容量周辺部分に
ついての説明図である。
【図4】サンプルホールド容量に静電気破壊が起こった
場合の説明図である。
【図5】従来のアクティブマトリクスパネルの説明図で
ある。
【符号の説明】
1 ソース駆動回路 2 シフトレジスタ 3 映像信号線 4 ゲート駆動回路 5 TFT 6 液晶セル 7 付加容量 8 従来のサンプルホールド容量 8a,8b,8c 本発明第1実施例のサンプルホール
ド容量 8´ 本発明第2実施例のサンプルホールド容量 9 共通配線 10 静電気破壊
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/136 G02F 1/1343

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁基板上に設けられたゲート線群、ソ
    ース線群、該ゲート線群と該ソース線群を駆動する薄膜
    ドライバー回路、該ソース線群と共通配線とに接続され
    たサンプルホールド容量及び該ゲート線群と該ソース線
    の各交点に設けられた薄膜トランジスタアレイによ
    って液晶を駆動して成るアクティブマトリクスパネルに
    おいて、 前記ソース線群と共通配線とに接続されたサンプルホー
    ルド容量は、該ソース線群の各ソース線毎にチャージさ
    れた電荷をホールドしてなり、該サンプルホールド容量
    は、各ソース線毎に並列に複数具備されて成ることを
    特徴とするアクティブマトリクスパネル。
  2. 【請求項2】 前記共通配線は複数設けられて成り、該
    複数のサンプルホールド容量のそれぞれには、該複数の
    共通配線がそれぞれ個別に接続されて成ることを特徴と
    する請求項1に記載のアクティブマトリクスパネル。
  3. 【請求項3】 絶縁基板上に設けられたゲート線群、ソ
    ース線群、該ゲート線群と該ソース線群を駆動する薄膜
    ドライバー回路、該ソース線群と共通配線とに接続され
    たサンプルホールド容量及び該ゲート線群と該ソース線
    の各交点に設けられた薄膜トランジスタアレイによ
    って液晶を駆動して成るアクティブマトリクスパネルの
    製造方法において、前記ソース線群と共通配線とに接続されるサンプルホー
    ルド容量を、該ソース線群の各ソース線毎に並列に複数
    設ける工程と、 前記ソース線群と共通配線とに接続された複数のサンプ
    ルホールド容量のうちの欠陥が発生したものを、レーザ
    ー光線を用いて電気的に切断する工程と、 を有する ことを特徴とするアクティブマトリクスパネル
    の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記共通配線は複数設けられてなり、 前記複数のサンプルホールド容量のそれぞれに、前記複
    数の共通配線をそれぞれ個別に接続する工程と、 前記複数の共通配線について導通検査を行う工程と、 前記導通検査に基づいて、前記複数のサンプルホールド
    容量のうちの欠陥が発生したものを、レーザー光線を用
    いて電気的に切断する工程と、 を有する ことを特徴とする請求項3に記載のアクティブ
    マトリクスパネルの製造方法。
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