JPH0717091B2 - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
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- JPH0717091B2 JPH0717091B2 JP58138823A JP13882383A JPH0717091B2 JP H0717091 B2 JPH0717091 B2 JP H0717091B2 JP 58138823 A JP58138823 A JP 58138823A JP 13882383 A JP13882383 A JP 13882383A JP H0717091 B2 JPH0717091 B2 JP H0717091B2
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- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ この発明は、レーザビームのような光ビームにより情報
の記録、再生、消去を行なう光学的情報記録媒体に関す
る。
の記録、再生、消去を行なう光学的情報記録媒体に関す
る。
［発明の技術的背景とその問題点］ 近時、高密度、大容量の情報記録再生装置として、いわ
ゆる光ディスク装置が注目されている。これは光ビー
ム、例えばレーザビームを直径１μｍ程度に絞り込んで
光ディスクと呼ばれる記録媒体に照射することにより、
幅0.6〜１μm,長さ0.6〜２μｍ程度のピットを記録媒体
上に形成して情報の記録を行ない、これを同様なレーザ
ビームを用いて読み取り再生するものである。
ゆる光ディスク装置が注目されている。これは光ビー
ム、例えばレーザビームを直径１μｍ程度に絞り込んで
光ディスクと呼ばれる記録媒体に照射することにより、
幅0.6〜１μm,長さ0.6〜２μｍ程度のピットを記録媒体
上に形成して情報の記録を行ない、これを同様なレーザ
ビームを用いて読み取り再生するものである。
このような光ディスク装置に用いられる記録可能な光学
的情報記録媒体としては、情報の記録が複数回可能な消
去可能型と、消去、再記録が不可能な追記録型とが知ら
れているが、実用上は当然、前者の消去可能型のものが
好ましい。
的情報記録媒体としては、情報の記録が複数回可能な消
去可能型と、消去、再記録が不可能な追記録型とが知ら
れているが、実用上は当然、前者の消去可能型のものが
好ましい。
消去可能型の情報記録媒体の記録膜は、ほぼ３つの型に
分けられる。第１は垂直磁化軸の方向で情報を記録する
磁気光学型膜であり、第２は膜の相変化、濃度変化、屈
折率変化を利用する光学濃度変化型膜であり、第３は膜
の位置的変位を利用する変位型膜である。各々利点をも
つが３者に共通した欠点は記録膜が複雑であり、大きな
面積に均一な膜が作れないことにある。例えば第１の磁
気光学型は、希土類金属と遷移金属の組み合わせであ
り、通常３成分必要とし、しかも多層膜である。第２の
光学濃度変化型は、カルコゲナイト系金属の３成分また
は４成分を必要とする。第３の変位型でも変位を起こす
物質膜とその変位を戻す物質膜とが必要であり、３成分
膜の多層膜が必要である。
分けられる。第１は垂直磁化軸の方向で情報を記録する
磁気光学型膜であり、第２は膜の相変化、濃度変化、屈
折率変化を利用する光学濃度変化型膜であり、第３は膜
の位置的変位を利用する変位型膜である。各々利点をも
つが３者に共通した欠点は記録膜が複雑であり、大きな
面積に均一な膜が作れないことにある。例えば第１の磁
気光学型は、希土類金属と遷移金属の組み合わせであ
り、通常３成分必要とし、しかも多層膜である。第２の
光学濃度変化型は、カルコゲナイト系金属の３成分また
は４成分を必要とする。第３の変位型でも変位を起こす
物質膜とその変位を戻す物質膜とが必要であり、３成分
膜の多層膜が必要である。
この発明に関係する第３の変位型に属する公知技術とし
て、USP4,371,954がある。これは第１図に示す如く基板
１上に熱膨脹率の高いポリマーか金属の膜２とマルテン
サイト構造をもつ形状記憶合金膜３とを積層した構造を
基本とし、レーザビームの照射による加熱で膜２が局部
的に膨脹して膜３をも変形させ、変位４を生じさせる。
この変位４のため、ここに弱いレーザビームを照射する
と光の散乱、干渉が起き、これによって再生信号出力を
得ることができる。消去する場合にはよりパワーの強い
レーザビームを照射して膜2,3を融解させ、変位４を消
滅せしめる。但し、膜を蒸発させる程に加熱してはなら
ない。USP4,371,954の明細書の記載によれば、再度情報
を記録する場合には、レーザビームを照射して膜2,3を
再び変位させれば良いとされている。また、膜２として
Cd,Zn,Tl,Mg,Al,Mn,Ag等の膨脹率の高い物質が例示さ
れ、膜３としてFe−Ni,Fe−Pt,Ti−Ni,Ni−Al,Au−Cd,C
u−Zn,ステンレス,Cu−Zn−Al（特にCu75Zn18Al7,Cu79Z
n13Al8）等のマルテンサイト相をもった金属膜が例示さ
れている。
て、USP4,371,954がある。これは第１図に示す如く基板
１上に熱膨脹率の高いポリマーか金属の膜２とマルテン
サイト構造をもつ形状記憶合金膜３とを積層した構造を
基本とし、レーザビームの照射による加熱で膜２が局部
的に膨脹して膜３をも変形させ、変位４を生じさせる。
この変位４のため、ここに弱いレーザビームを照射する
と光の散乱、干渉が起き、これによって再生信号出力を
得ることができる。消去する場合にはよりパワーの強い
レーザビームを照射して膜2,3を融解させ、変位４を消
滅せしめる。但し、膜を蒸発させる程に加熱してはなら
ない。USP4,371,954の明細書の記載によれば、再度情報
を記録する場合には、レーザビームを照射して膜2,3を
再び変位させれば良いとされている。また、膜２として
Cd,Zn,Tl,Mg,Al,Mn,Ag等の膨脹率の高い物質が例示さ
れ、膜３としてFe−Ni,Fe−Pt,Ti−Ni,Ni−Al,Au−Cd,C
u−Zn,ステンレス,Cu−Zn−Al（特にCu75Zn18Al7,Cu79Z
n13Al8）等のマルテンサイト相をもった金属膜が例示さ
れている。
この方式の最大の欠点は膜2,3の成分が複雑であると共
に、これらの膜2,3が積層されて記録膜が形成されてい
るため、記録用レーザビームの照射により変位として記
録はできても、消去用レーザビームで膜2,3を融解させ
た時に、これらの膜2,3が互いに混ざり合い、新たな組
成をもった膜に変化してしまうことである。そのため、
記録を消去した後の膜は初期にもっていたマルテンサイ
ト相とは別の相となってしまい、実際上は再度情報を記
録することが極めて困難であるという欠点をもってい
る。
に、これらの膜2,3が積層されて記録膜が形成されてい
るため、記録用レーザビームの照射により変位として記
録はできても、消去用レーザビームで膜2,3を融解させ
た時に、これらの膜2,3が互いに混ざり合い、新たな組
成をもった膜に変化してしまうことである。そのため、
記録を消去した後の膜は初期にもっていたマルテンサイ
ト相とは別の相となってしまい、実際上は再度情報を記
録することが極めて困難であるという欠点をもってい
る。
［発明の目的］ この発明の目的は、単純な構成の記録膜で情報の記録、
再生および消去が可能な光学的情報記録媒体を提供する
ことにある。
再生および消去が可能な光学的情報記録媒体を提供する
ことにある。
［発明の概要］ この発明は、光ビームの照射により情報の記録、再生お
よび消去が可能な記録膜として、光ビームの照射により
形状記憶合金となる金属成分と炭素および水素を含む非
晶質膜、すなわちNi−Ti,Fe−Pt,In−Tl,Ni−Al,Au−C
d,Cu−Al−Ni,Cu−Zn−Siから選択した少なくとも一種
の合金に炭素と水素とを各々５〜40原子量％含有させた
非晶質膜を用いることを特徴としている。
よび消去が可能な記録膜として、光ビームの照射により
形状記憶合金となる金属成分と炭素および水素を含む非
晶質膜、すなわちNi−Ti,Fe−Pt,In−Tl,Ni−Al,Au−C
d,Cu−Al−Ni,Cu−Zn−Siから選択した少なくとも一種
の合金に炭素と水素とを各々５〜40原子量％含有させた
非晶質膜を用いることを特徴としている。
この発明における記録膜は、記録用光ビームの照射によ
り、その照射領域において炭素および水素を含むガス成
分が光ビームの照射による熱で蒸発して、膜の状態が非
晶質膜から形状記憶合金成分のみのマルテンサイト相を
もつ結晶質膜に変化するとともに、ガス成分の蒸発圧力
でこの結晶膜部が膨脹し凸部、すなわち変位を生じ、記
録が行なわれる。従って、再生時には従来と同様に再生
用光ビームを照射し、その反射光量が凸部により散乱、
干渉されて減少することを利用して再生信号出力を得る
ことができる。
り、その照射領域において炭素および水素を含むガス成
分が光ビームの照射による熱で蒸発して、膜の状態が非
晶質膜から形状記憶合金成分のみのマルテンサイト相を
もつ結晶質膜に変化するとともに、ガス成分の蒸発圧力
でこの結晶膜部が膨脹し凸部、すなわち変位を生じ、記
録が行なわれる。従って、再生時には従来と同様に再生
用光ビームを照射し、その反射光量が凸部により散乱、
干渉されて減少することを利用して再生信号出力を得る
ことができる。
一方、記録された情報の消去は、記録用光ビームよりパ
ワーの強い消去用光ビームの照射による熱で、凸部が形
成されている結晶質膜部が融解されて凸部が消滅するこ
とによって達成される。
ワーの強い消去用光ビームの照射による熱で、凸部が形
成されている結晶質膜部が融解されて凸部が消滅するこ
とによって達成される。
さらにこの消去後の再記録時には、当初の記録用光ビー
ムと同等のパワーの再記録用光ビームの照射による熱で
結晶質膜部が記憶していた凸部形状を想い起こすことに
よって凸部を形成する。勿論、１回目の記録時にレーザ
ビームが照射されず非晶質膜のままの部分は、再記録時
でも光ビームが照射されると１回目の記録と同様な作用
で凸部を形成して、記録が行なわれることになる。
ムと同等のパワーの再記録用光ビームの照射による熱で
結晶質膜部が記憶していた凸部形状を想い起こすことに
よって凸部を形成する。勿論、１回目の記録時にレーザ
ビームが照射されず非晶質膜のままの部分は、再記録時
でも光ビームが照射されると１回目の記録と同様な作用
で凸部を形成して、記録が行なわれることになる。
［発明の効果］ この発明による光学的情報記録媒体は、情報の記録、再
生、消去が可能であるとともに、記録膜が単層構造であ
るため、消去後においても記録時に形状記憶合金となっ
た結晶質膜部が組成変化を生じることがなく、従って形
状記憶合金の性質を利用した再記録をも問題なく行なう
ことが可能となる。すなわち、記録、消去、再記録が自
由に何万回と可能となり、しかも記録膜が単純な構造で
あって形状記憶を利用することから、記録の長期保存も
可能となるという利点がある。
生、消去が可能であるとともに、記録膜が単層構造であ
るため、消去後においても記録時に形状記憶合金となっ
た結晶質膜部が組成変化を生じることがなく、従って形
状記憶合金の性質を利用した再記録をも問題なく行なう
ことが可能となる。すなわち、記録、消去、再記録が自
由に何万回と可能となり、しかも記録膜が単純な構造で
あって形状記憶を利用することから、記録の長期保存も
可能となるという利点がある。
［発明の実施例］ この発明による光学的情報記録媒体の一実施例を第２図
を用いて詳細に説明する。第２図（ａ）はこの発明によ
る光学的情報記録媒体の断面図で、基板11上に記録膜12
が形成されている。基板11の材質、形状は特に限定され
ないが、ディスクメモリとしての応用を考えた場合は、
ガラス板、アクリル板、エステルシート等からなる円形
ディスクの基板が用いられる。
を用いて詳細に説明する。第２図（ａ）はこの発明によ
る光学的情報記録媒体の断面図で、基板11上に記録膜12
が形成されている。基板11の材質、形状は特に限定され
ないが、ディスクメモリとしての応用を考えた場合は、
ガラス板、アクリル板、エステルシート等からなる円形
ディスクの基板が用いられる。
記録膜12は前述したように形状記憶合金となるべき金属
成分、例えばNi−Ti,Fe−Pt,In−Tl,Ni−Al,Au−Cd,Cu
−Al−Ni,Cu−Zu−Siから選択して少なくとも一種の合
金膜に、炭素（Ｃ）および水素（Ｈ）を好ましくは各々
５〜40原子量％含有させた非晶質膜からなっている。こ
のような構成の記録膜12の形成方法の一例を説明する
と、まず、形状記憶合金つまりマルテンサイトとなるべ
き組成の金属板を用意する。この状態ではマルテンサイ
ト相となっている必要はなく、例えば原子量で49〜51％
のNiをもったNi−Ti合金板でよい。この合金板を陰極と
し基板11を陽極として両極間に13.56MHzのRF電源、また
はDC電源を接続し、CH4ガス中またはCH4とArの混合ガス
中で放電を起させる。これにより基板11上に記録膜12が
形成される。これはいわゆるCH4ガス中の反応性スパッ
タリングによる膜形成プロセスである。
成分、例えばNi−Ti,Fe−Pt,In−Tl,Ni−Al,Au−Cd,Cu
−Al−Ni,Cu−Zu−Siから選択して少なくとも一種の合
金膜に、炭素（Ｃ）および水素（Ｈ）を好ましくは各々
５〜40原子量％含有させた非晶質膜からなっている。こ
のような構成の記録膜12の形成方法の一例を説明する
と、まず、形状記憶合金つまりマルテンサイトとなるべ
き組成の金属板を用意する。この状態ではマルテンサイ
ト相となっている必要はなく、例えば原子量で49〜51％
のNiをもったNi−Ti合金板でよい。この合金板を陰極と
し基板11を陽極として両極間に13.56MHzのRF電源、また
はDC電源を接続し、CH4ガス中またはCH4とArの混合ガス
中で放電を起させる。これにより基板11上に記録膜12が
形成される。これはいわゆるCH4ガス中の反応性スパッ
タリングによる膜形成プロセスである。
次に、この情報記録媒体における記録、再生、消去動作
を説明する前に、消去は不可能であるが情報の１回書き
込み、追加書き込み、再生が可能であり、情報の長期保
存に最適な変位型の光学的情報記録媒体の公知例につい
て説明する。このような記録媒体として、Te（テルル）
ターゲットを用いたCH4ガス中のスパッタリング膜を記
録膜としたものを我々は特開昭57−165292号として既に
提案している。CH4ガス中のスパッタリングにより形成
された膜（以下Te−Ｃ膜という）の膜内構造は、我々の
分析結果を総合すると約30Å径をもった金属微結晶群の
集合体であり、その群と群の中間はメチル基を代表とし
それらの基が連なったアルキル分子基で埋っており、全
体でみれば混合物様の非晶質膜になっている。この構造
の故に光学的情報記録媒体として記録感度が高く、記録
保存状態も極めて長いという特徴を持つ。一方、この構
造の膜は140℃近辺に加熱するとアルキル分子が蒸発
し、残った金属膜は結晶質になるという特徴ももってい
る。
を説明する前に、消去は不可能であるが情報の１回書き
込み、追加書き込み、再生が可能であり、情報の長期保
存に最適な変位型の光学的情報記録媒体の公知例につい
て説明する。このような記録媒体として、Te（テルル）
ターゲットを用いたCH4ガス中のスパッタリング膜を記
録膜としたものを我々は特開昭57−165292号として既に
提案している。CH4ガス中のスパッタリングにより形成
された膜（以下Te−Ｃ膜という）の膜内構造は、我々の
分析結果を総合すると約30Å径をもった金属微結晶群の
集合体であり、その群と群の中間はメチル基を代表とし
それらの基が連なったアルキル分子基で埋っており、全
体でみれば混合物様の非晶質膜になっている。この構造
の故に光学的情報記録媒体として記録感度が高く、記録
保存状態も極めて長いという特徴を持つ。一方、この構
造の膜は140℃近辺に加熱するとアルキル分子が蒸発
し、残った金属膜は結晶質になるという特徴ももってい
る。
Te−Ｃ膜は室温では非晶質膜であるが、レーザビームの
照射により加熱され140℃以上になると、Teの結晶質膜
に変化し、450℃以上で融解して穴（ピット）が形成さ
れる。Teのかわりにもう少し融解温度の高い、例えば95
6℃に融点をもつAgを選び同じ手法で膜を作成したAg−
Ｃ膜では、レーザビームを照射すると140℃以上で非晶
質膜からAgの結晶質膜に変化し、融解する迄に膜が膨脹
し融解して穴があく。この穴があく前の膜の膨脹、いわ
ゆる膜の変形、変位も情報の記録に活用できる。しかし
ながら、Te−Ｃ膜やAg−Ｃ膜では上述の如くに膜を膨脹
させ、穴をあけることは出来るが、元の状態である平坦
な膜に戻す、つまり記録を消去することはできない。
照射により加熱され140℃以上になると、Teの結晶質膜
に変化し、450℃以上で融解して穴（ピット）が形成さ
れる。Teのかわりにもう少し融解温度の高い、例えば95
6℃に融点をもつAgを選び同じ手法で膜を作成したAg−
Ｃ膜では、レーザビームを照射すると140℃以上で非晶
質膜からAgの結晶質膜に変化し、融解する迄に膜が膨脹
し融解して穴があく。この穴があく前の膜の膨脹、いわ
ゆる膜の変形、変位も情報の記録に活用できる。しかし
ながら、Te−Ｃ膜やAg−Ｃ膜では上述の如くに膜を膨脹
させ、穴をあけることは出来るが、元の状態である平坦
な膜に戻す、つまり記録を消去することはできない。
そこで、この発明ではTeやAgに代えて形状記憶合金とな
る金属、例えばNi−Tiを用い、これをTe−Ｃ膜やAg−Ｃ
膜と同様な手法により、Ni−TiターゲットをCH4ガス中
でスパッタリングして記録膜（Ni−Ti−Ｃ膜）を形成
し、第２図（ａ）に示した光学的情報記録媒体を作成す
る。第２図（ａ）の状態では記録膜12は非晶質膜であ
る。
る金属、例えばNi−Tiを用い、これをTe−Ｃ膜やAg−Ｃ
膜と同様な手法により、Ni−TiターゲットをCH4ガス中
でスパッタリングして記録膜（Ni−Ti−Ｃ膜）を形成
し、第２図（ａ）に示した光学的情報記録媒体を作成す
る。第２図（ａ）の状態では記録膜12は非晶質膜であ
る。
今、この記録膜12に第２図（ｂ）に示すように光ビーム
13、例えばレーザビームを照射すると、Ag−Ｃ膜と同じ
くC,Hのガス成分の蒸発圧力で膜が膨脹して凸部14を形
成し、この凸部14の部分のみ結晶質膜に変化し、あらか
じめ持っていた組成に従った相、つまりマルテンサイト
相に変化する。従って、この凸部14の形状はこの部分の
み結晶質膜となった合金膜の形状記憶作用で記憶され
る。次に、よりパワーを強めたレーザビームを消去用光
ビームとして凸部14に照射し融点近辺迄加熱すれば、マ
ルテンサイト相が消え、記録膜12は第２図（ｃ）のよう
に一様に平坦な形状に変化する。ただしこの状態では、
記録膜12は元の非晶質膜部15と結晶質膜16とに別れてい
る。この状態が記録の消去状態である。
13、例えばレーザビームを照射すると、Ag−Ｃ膜と同じ
くC,Hのガス成分の蒸発圧力で膜が膨脹して凸部14を形
成し、この凸部14の部分のみ結晶質膜に変化し、あらか
じめ持っていた組成に従った相、つまりマルテンサイト
相に変化する。従って、この凸部14の形状はこの部分の
み結晶質膜となった合金膜の形状記憶作用で記憶され
る。次に、よりパワーを強めたレーザビームを消去用光
ビームとして凸部14に照射し融点近辺迄加熱すれば、マ
ルテンサイト相が消え、記録膜12は第２図（ｃ）のよう
に一様に平坦な形状に変化する。ただしこの状態では、
記録膜12は元の非晶質膜部15と結晶質膜16とに別れてい
る。この状態が記録の消去状態である。
再記録を行なう場合には、当初に照射した記録用光ビー
ムとして用いたレーザビームと同程度のパワーのレーザ
ビームを再記録用光ビームとして照射すればよい。この
ビーム照射による加熱で結晶質膜部16は昇温し、マルテ
ンサイト相に変化して記憶していた形状に変化する。す
なわち、第２図（ｂ）のように再び凸部14を形成し、記
録された状態となる。
ムとして用いたレーザビームと同程度のパワーのレーザ
ビームを再記録用光ビームとして照射すればよい。この
ビーム照射による加熱で結晶質膜部16は昇温し、マルテ
ンサイト相に変化して記憶していた形状に変化する。す
なわち、第２図（ｂ）のように再び凸部14を形成し、記
録された状態となる。
この記録、消去のくり返しは単なる合金の相の変化のみ
であるために、百万回以上可能である。また、凸部14の
有無、すなわち記録膜12の変位を検出して再生信号出力
として取出すことが、できるので、S/Nも40dB以上と大
きくとることが可能である。変位の大きさにより異なる
が、熱膨脹の大きい膜質の方がS/Nも大きい。
であるために、百万回以上可能である。また、凸部14の
有無、すなわち記録膜12の変位を検出して再生信号出力
として取出すことが、できるので、S/Nも40dB以上と大
きくとることが可能である。変位の大きさにより異なる
が、熱膨脹の大きい膜質の方がS/Nも大きい。
次に、より具体的な実施例を説明する。
実施例１ 300mmΦ、1.5tのアクリル樹脂製ディスク基板上に、Ni
50Ti50の合金をターゲットとしてCH4ガス中の反応スパ
ッタリングによりNi−Ti−Ｃ膜を500Å厚形成した。こ
のディスク状の光学的情報記録媒体を毎分600回転さ
せ、パルス幅50ns、パワー3mWの半導体レーザビーム
（λ＝0.8μｍ）の照射で情報を記録した。これをパワ
ーを下げた同様のレーザビームを用いて再生したところ
信号再生出力のS/Nは40dB以上得られた。次に同一半導
体レーザを用いてパワーを9mWに上げたレーザビームを
照射すると記録した情報は消えた。その後、3mWのレー
ザビームの照射で情報を再び記録させることができた。
この記録、再生、消去を10万回くり返しても何らの劣化
も見い出されなかった。
50Ti50の合金をターゲットとしてCH4ガス中の反応スパ
ッタリングによりNi−Ti−Ｃ膜を500Å厚形成した。こ
のディスク状の光学的情報記録媒体を毎分600回転さ
せ、パルス幅50ns、パワー3mWの半導体レーザビーム
（λ＝0.8μｍ）の照射で情報を記録した。これをパワ
ーを下げた同様のレーザビームを用いて再生したところ
信号再生出力のS/Nは40dB以上得られた。次に同一半導
体レーザを用いてパワーを9mWに上げたレーザビームを
照射すると記録した情報は消えた。その後、3mWのレー
ザビームの照射で情報を再び記録させることができた。
この記録、再生、消去を10万回くり返しても何らの劣化
も見い出されなかった。
実施例２ 形状記憶合金材料として知られるAu50Cd50合金をターゲ
ットとしてCH4ガス中でスパッタリングして記録膜を同
様に形成し、光学的情報記録媒体を得た。この記録媒体
を用いて実施例１と同様に記録、再生、消去、再記録を
行なったところ、同様な結果が得られた。但し再生信号
出力のS/Nは45dBに上昇した。このS/N向上の原因は記録
膜の熱膨脹の違いによる膨脹度合すなわち凸部の大きさ
の違いによるものであると推察される。
ットとしてCH4ガス中でスパッタリングして記録膜を同
様に形成し、光学的情報記録媒体を得た。この記録媒体
を用いて実施例１と同様に記録、再生、消去、再記録を
行なったところ、同様な結果が得られた。但し再生信号
出力のS/Nは45dBに上昇した。このS/N向上の原因は記録
膜の熱膨脹の違いによる膨脹度合すなわち凸部の大きさ
の違いによるものであると推察される。
なお、上記実施例ではCH4ガス中でスパッタリングして
形成した記録膜について述べたが、CH4ガス以外の例え
ば、エタン、プロパン、エチレン、アセチレン等のC,H
を含むガスを用いても同様な記録膜が得られる。この発
明はその他種々変形して実施が可能である。
形成した記録膜について述べたが、CH4ガス以外の例え
ば、エタン、プロパン、エチレン、アセチレン等のC,H
を含むガスを用いても同様な記録膜が得られる。この発
明はその他種々変形して実施が可能である。
第１図は公知の光学的情報記録媒体の構造を示す断面
図、第２図はこの発明の一実施例を説明するための図
で、（ａ）は情報記録媒体の断面図、（ｂ）は光ビーム
の照射により情報を記録した状態を示す断面図、（ｃ）
はその記録を消去した状態を示す断面図である。 11……基板、12……記録膜、13……光ビーム、14……凸
部、15……非晶質膜部、16……結晶質膜部。
図、第２図はこの発明の一実施例を説明するための図
で、（ａ）は情報記録媒体の断面図、（ｂ）は光ビーム
の照射により情報を記録した状態を示す断面図、（ｃ）
はその記録を消去した状態を示す断面図である。 11……基板、12……記録膜、13……光ビーム、14……凸
部、15……非晶質膜部、16……結晶質膜部。
Claims (4)
- 【請求項１】基板上に光ビームの照射により情報の記
録、再生および消去の可能な記録膜を設けた光学的情報
記録媒体において、 前記記録膜はNi−Ti,Fe−Pt,In−Tl,Ni−Al,Au−Cd,Cu
−Al−Ni,Cu−Zn−Siから選択した少なくとも一種の合
金に炭素と水素とを各々５〜40原子量％含有させた非晶
質膜により構成されていることを特徴とする光学的情報
記録媒体。 - 【請求項２】記録膜は記録用光ビームが照射された領域
において炭素および水素を含むガス成分が光ビームの照
射による熱で蒸発して非晶質膜から形状記憶合金成分の
みのマルテンサイト相をもつ結晶質膜に変化するととも
に、該ガス成分の蒸発による圧力でこの結晶質膜部が膨
脹して凸部を形成するものであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項３】記録膜は記録用光ビームよりパワーの強い
消去用光ビームの照射による熱で記録時に凸部が形成さ
れている結晶質膜部が融解して凸部が消滅するものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の光学的
情報記録媒体。 - 【請求項４】記録膜は記録用光ビームとほぼ等しいパワ
ーの再記録用光ビームの照射による熱で結晶質膜が記憶
していた凸部形状を想い起こすことによって凸部を形成
するものであることを特徴とする特許請求の範囲第３項
記載の光学的情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58138823A JPH0717091B2 (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58138823A JPH0717091B2 (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6029949A JPS6029949A (ja) | 1985-02-15 |
| JPH0717091B2 true JPH0717091B2 (ja) | 1995-03-01 |
Family
ID=15231056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58138823A Expired - Lifetime JPH0717091B2 (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0717091B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4949329A (en) * | 1985-05-21 | 1990-08-14 | Hoechst Celanese Corp. | Method of effecting erasure of optical information media including varying duty cycle, laser power and focus offset |
| DE3679233D1 (de) * | 1985-05-21 | 1991-06-20 | Celanese Corp | Verfahren zum loeschen von optischen informationsmedien. |
| JPS6253884A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-09 | Kao Corp | 光学記録媒体 |
| JPS63200331A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-18 | Toshiba Corp | 記録媒体及び記録再生方法 |
| JP2987223B2 (ja) * | 1991-02-20 | 1999-12-06 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
| US6084849A (en) * | 1996-05-20 | 2000-07-04 | International Business Machines Corporation | Shape memory alloy recording medium, storage devices based thereon, and method for using these storage devices |
-
1983
- 1983-07-29 JP JP58138823A patent/JPH0717091B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6029949A (ja) | 1985-02-15 |
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