JPH07169844A - ロジックlsi - Google Patents

ロジックlsi

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JPH07169844A
JPH07169844A JP27202094A JP27202094A JPH07169844A JP H07169844 A JPH07169844 A JP H07169844A JP 27202094 A JP27202094 A JP 27202094A JP 27202094 A JP27202094 A JP 27202094A JP H07169844 A JPH07169844 A JP H07169844A
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wiring
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main
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JP27202094A
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Yoshiki Noguchi
孝樹 野口
Yoshimune Hagiwara
吉宗 萩原
Hideo Nakamura
英夫 中村
Haruo Koizumi
治男 小泉
Hiroyuki Masuda
弘之 増田
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的は、ロジックLSI内に形成さ
れるランダム論理ゲート部を、回路特性を劣化させるこ
となく、規則的に配置できるようなレイアウト方式を提
供することにある。 【構成】 ランダム論理ゲートを構成する各論理ゲート
内の電源配線および接地配線の配線長をあまり長く成ら
ないように論理ゲートを配置する。さらに、縦方向と横
方向で配線可能な本数がほぼ同数になるように構成す
る。 【効果】 上記構成により、電源電圧変動の影響を小さ
くし、レイアウト面積の縮小を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はロジックLSIのレイア
ウトに係り、特にマイクロ制御方式のロジックLSIに
好適なレイアウト方式に関し、さらには好適にレイアウ
トされたロジックLSIに関する。
【0002】
【従来の技術】マイクロプログラム制御で動作する従来
のロジックLSIは、マイクロプログラムをデコードし
演算部の制御信号を生成するコントロール部をマニュア
ルレイアウトし、ランダムな形で構成していた。
【0003】そのため、この部分のレイアウトには非常
に多くのマンパワーを要していた。しかし、計算機利用
技術およびプロセス技術の発展に伴ない、このような部
分にも自動レイアウトを適用できる情況にある。しか
し、従来のレイアウト法はこの自動レイアウトを配慮し
ていないため、新たにこれに適したコントロール部のレ
イアウト法を提案する必要が生じていた。
【0004】このコントロール部のレイアウトをレギュ
ラーなものとする手法としてPLA(プログラマブルロ
ジックアレイ)の利用がある。アイトリプルイー・ジャ
ーナル・オブ・ソリッドステート・サーキッツ,第16
巻,第5号,1981年10月発行、第537〜541
ページ(IE3 Journal of Solid-State circuits, VO
L. SG−16,No.5,October 1981 pp537
〜541)のCPUチップはこの手法を導入している。
しかし、PLAを利用した場合には動作速度の点に関
し、ランダムゲートに劣ってしまう。
【0005】コントロール部の動作速度を重視してラン
ダムゲートを用いてレイアウトしたものにアイトリプル
イー・マイクロ,1983年6月号,第24〜39ペー
シ(IE3 Micro June 1983 pp24〜39)に示す16
ビットマイコンMC68010 等がある。しかし、ランダム
ゲート部はマニュアルレイアウトをしているためレイア
ウト工数の点については配慮されていなかった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】自動レイアウト法は、
金属多層配線を用い、論理ゲート単位で論理構成してい
くレイアウト法である。このレイアウト法では電源配線
および接地配線を下層金属配線で単位論理ゲート内にレ
イアウトしてある。その配線幅は面積上の制約より極端
には太くない。そのため電源電圧変動を考慮すると、論
理ゲート列をあまり長くすることはできない。さらにレ
イアウト面積を小さくすることを考えた場合、下層金属
配線と上層金属配線の本数がほぼ同数の時に最小化され
る傾向にある。
【0007】マイクロプログラム制御で動作するロジッ
クLSIは、マイクロプログラムを格納する記憶部、デ
ータの処理を実行する演算部、演算部の制御信号をマイ
クロプログラムのビットパターンをデコードして生成す
るコントロール部より構成されている。このうち記憶部
と演算部はくり返し論理となっているため、レギュラー
な構造のレイアウトをすることができる。しかし、コン
トロール部の論理はくり返し性が少ないため、レイアウ
トをする上で障害となり易かった。
【0008】本発明の目的は、ロジックLSI内に形成
されるランダム論理ゲート部を、回路特性を劣化させる
ことなく、規則的に配置できるようなレイアウト方式を
提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の一実施例にかか
るロジックLSIは、上記課題を解決するために以下の
構成とされる。
【0010】第1の矩形部分と、第2の矩形部分と、前
記第1の矩形部分と前記第2の矩形部分との間に配置さ
れた第3の矩形部分と、上記第1の矩形部分の一辺と実
質的に平行に配置された主電源線および主接地線と、上
記第3の矩形部分に、上記主電源線と実質的に直交する
方向に配置された副電源線と、上記第3の矩形部分に、
上記主電源線と実質的に直交する方向に配置された副接
地線と、上記副電源線と上記副接地線との間に配置され
る複数の論理ゲートと、上記論理ゲートの内部を配線す
る第1の配線と、上記論理ゲートの間を配線する第2の
配線と、上記論理ゲートの間を配線する第3の配線とを
有し、上記主電源線および上記主接地線は、拡散層配線
又は金属2層配線のうちの上層金属配線を用いて配線さ
れ、上記副電源線および上記副接地線は金属2層配線の
うちの下層金属配線をもちいて配線され、上記第1の配
線は、上記主電源線と平行な方向および上記主電源線と
直交する方向に、金属2層配線のうちの下層金属配線を
もちいて配線され、上記第2の配線は、上記主電源線と
平行な方向に、金属2層配線のうちの上層金属配線を用
いて配線され、上記第3の配線は、上記主電源線と直交
する方向に、金属2層配線のうちの下層金属配線を用い
て配線されてなる。
【0011】
【作用】ランダム論理ゲート部は、NAND,NOR等の論
理ゲートを組合わせて構成される。本願発明の一実施例
によれば、各論理ゲート内には電源配線および接地配線
があらかじめレイアウトされている。この配線は面積上
の制約より余裕のある線幅ではないので、電源電圧変動
の影響を小さくするため、この配線長があまり長くなら
ないように制約する必要がある。さらに、レイアウト面
積の最小化を図るためには、縦方向、横方向で配線可能
な本数をほぼ同数にすることが有効である。この2つの
条件を同時に満たすレイアウト方式をが達成される。
【0012】また、本願発明の一実施例によれば、各論
理ゲート内にレイアウトされる電源配線および接地配線
の配線長があまり長く成らないよう構成されたロッジク
LSIが達成される。
【0013】また、本願発明の一実施例によれば、縦方
向、横方向で配線可能な本数をほぼ同数にすることがで
き、レイアウト面積の縮小がとなるように構成されたロ
ジックLSIを達成することができる。
【0014】
【実施例】図1にマイクロプログラム制御で動作するロ
ジックLSIの構成例を示す。ROM(Read Only Memo
ry)1はマイクロプログラムを格納しておく記憶素子部
である。演算回路2はデータの演算処理を実行する部分
である。コントロール部3はマイクロプログラム4をデ
コードし、演算回路の制御信号5を生成する部分で、論
理ゲート6の組合せ回路で構成される。以下の実施例で
はこの構成に本発明のレイアウト法を適用した場合を説
明する。
【0015】多層金属配線を有するC−MOSプロセス
で構成されるデバイスの縦構造例を図2に示す。pチャ
ネルトランジスタ6、nチャネルトランジスタ7の組合
せにより論理ゲートを構成する。図2では2層金属配線
を有するデバイスを示しているが、配線は下層金属配線
8および上層金属配線9を用いてレイアウトする。
【0016】図2で示したデバイス構造によって2入力
NANDゲートを構成した場合のレイアウト例を図3に
示す。2つの入力はゲート10および11に入力され
る。出力は下層金属配線12に出力される。電源配線1
3および接地配線14は下層金属配線でレイアウトされ
る。又、×印部がコンタクト部である。このように単位
となる論理ゲート内では上層金属配線を利用していない
ため、ゲート上に上層金属配線を通過させることができ
る。
【0017】前述の単位となる論理ゲートを組合わせて
論理構成した例を図4に示す。論理ゲート15,16,
17,18を並べるだけで電源配線19、接地配線20
は接続される。論理の入出力は、並べられた論理ゲート
上に、電源配線、接地配線と平行して下層金属配線21
を、直交して上層金属配線22をレイアウトすることで
配線する。このように論理ゲート列をつくり、金属配線
をレイアウトすることでランダムロジックは構成でき
る。
【0018】図5に本発明のレイアウト方法を適用した
コントロール部のレイアウト例を示す。マイクロプログ
ラムを格納したROM23と演算回路24の間に、コン
トロール部のランダムロジックをレイアウトする。コン
トロール部への電源供給は、ROM23と演算回路24
とに並行する方向に、主電源線25,27、主接地線2
6,28を拡散層配線又は上層配線でレイアウトする。
この配線は電源電圧変動の影響が問題にならない程度に
充分に線幅のあるものとする。この主電源線、主接地線
に直交する方向に論理ゲート列29,30を構成し、ゲ
ート列の電源線31,33、接地線32,34を下層配
線で構成し、それぞれ、主電源線、主接地線に接続させ
る。この構成により、ゲート列の電源線、接地線の長さ
は、主電源線、主接地線同志の間隔で規定可能となる。
コントロール部は、POM23、演算回路24に並行す
る横方向に長くなる。そのため、ゲート列間にレイアウ
トされる上層金属配線35等と、ゲート列上にレイアウ
トされる上層金属配線36等の配線可能な本数はほぼ等
しくなる。
【0019】
【発明の効果】本発明の一実施例によれば、ランダム論
理を論理ゲート列の形でレイアウト可能で、かつ論理ゲ
ート列内の電源線および接地線の長さを規定することが
できる。 また、本発明の一実施例によれば、ゲート列
上にレイアウトされる多層金属配線の縦方向および横方
向の配線本数をほぼ等しくすることができる。
【0020】また、本発明の一実施例によれば、そのた
め論理ゲート列の形でコントロール部をレイアウトする
場合に、本発明のレイアウト方法は電源電圧変動の影響
を受けにくく、かつレイアウト面積を小さくすることが
できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】マイクロプログラム制御のロジックLSIの構
成図。
【図2】適用デバイスの縦構造図。
【図3】基本となる論理ゲートのレイアウト例として2
入力NANDゲートのレイアウトを示す図。
【図4】論理ゲート列によってランダム論理をレイアウ
トした例を示す図。
【図5】本発明をコントロール部に適用したレイアウト
例を示す図。
【符号の説明】
1…マイクロプログラム格納用ROM、2…データ処理
を行なう演算回路、3…コントロール部、8…下層金属
配線、9…上層金属配線、29,30…論理ゲート列。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 27/04 A (72)発明者 中村 英夫 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 小泉 治男 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 増田 弘之 東京都小平市上水本町1479番地 日立マイ クロコンピュータエンジニアリング株式会 社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1の矩形部分と、第2の矩形部分と、前
    記第1の矩形部分と前記第2の矩形部分との間に配置さ
    れた第3の矩形部分と、 上記第1の矩形部分の一辺と実質的に平行に配置された
    主電源線および主接地線と、 上記第3の矩形部分に、上記主電源線と実質的に直交す
    る方向に配置された副電源線と、 上記第3の矩形部分に、上記主電源線と実質的に直交す
    る方向に配置された副接地線と、 上記副電源線と上記副接地線との間に配置される複数の
    論理ゲートと、 上記論理ゲートの内部を配線する第1の配線と、 上記論理ゲートの間を配線する第2の配線と、 上記論理ゲートの間を配線する第3の配線とを有し、 上記主電源線および上記主接地線は、拡散層配線又は金
    属2層配線のうちの上層金属配線を用いて配線され、 上記副電源線および上記副接地線は金属2層配線のうち
    の下層金属配線をもちいて配線され、 上記第1の配線は、上記主電源線と平行な方向および上
    記主電源線と直交する方向に、金属2層配線のうちの下
    層金属配線をもちいて配線され、 上記第2の配線は、上記主電源線と平行な方向に、金属
    2層配線のうちの上層金属配線を用いて配線され、 上記第3の配線は、上記主電源線と直交する方向に、金
    属2層配線のうちの下層金属配線を用いて配線されてな
    ることを特徴とするロジックLSI。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59165436A (ja) * 1983-03-11 1984-09-18 Toshiba Corp 半導体集積回路装置
JPS59207641A (ja) * 1983-05-11 1984-11-24 Hitachi Ltd 集積回路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59165436A (ja) * 1983-03-11 1984-09-18 Toshiba Corp 半導体集積回路装置
JPS59207641A (ja) * 1983-05-11 1984-11-24 Hitachi Ltd 集積回路

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