JPH07167932A - ホール素子の温度補償回路 - Google Patents

ホール素子の温度補償回路

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JPH07167932A
JPH07167932A JP6200212A JP20021294A JPH07167932A JP H07167932 A JPH07167932 A JP H07167932A JP 6200212 A JP6200212 A JP 6200212A JP 20021294 A JP20021294 A JP 20021294A JP H07167932 A JPH07167932 A JP H07167932A
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JP
Japan
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temperature
hall element
amplifier
tracing
terminal
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JP6200212A
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English (en)
Inventor
Deng Hong
ホン デン
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、温度の影響を最低程度に低下させ
ることができ、且つ、補償された素子の温度係数にした
がって精密に調整することができ、補償をもっともよい
状態にすることができるとともに、回路が簡単、便宜、
正確的に、信頼性も高く、検定、制御と測定分野に使用
されるホール素子の温度シフトに対して自動的に補償し
得ることを目的としている。 【構成】 このため、ホール素子を備えた回路の温度補
償を行うようになしたものにおいて、補償素子はゼナー
ダイオードDZ を使って、且つ、トレーシングアンプA
と一緒に温度補償回路を構成している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はホールエフェクト素子
に関し、詳しくはホール素子の温度補償回路に関する。
【0002】
【従来の技術】ホール素子は磁気センサーとして広範囲
に検定、制御と測定の分野に使われていて、特に磁界の
測定、電流の測定、変位の測定において、ホール電流測
定メーター・ホールエフェクト磁界測定メーターなどは
皆ホール素子をもとの部品にする。
【0003】この外、ホール素子は電磁界パワー、パワ
ファクター、回転数などを測定することに用いる。ま
た、リレー、発振器、DC−AC変換器、デジタル−ア
ナロク変換器に製作できる。しかし、ホール素子の温度
特性は割合に劣るし、温度計数も大きい。だからその応
用は一定の温度範囲に限られる。ホール素子の温度特性
を改良するために、温度安定性の良い材料、例えば珪
素、ゲルマン、ひそ化ガリウムを選ぶ方法を取っている
がこのほか適当の方法で補償することもできる。
【0004】従来、知られている常用温度補償方法は多
く、抵抗補償、特にサーミスタでホール素子の温度補償
を行っている。例えば、磁気抵抗素子の温度特性を改善
することが特開昭63−202978号に開示されてい
る。
【0005】磁気半導体温度補償回路において、抵抗と
ダイオードをホール素子の出力端子に接続されて、駆動
電流Id をホール素子感度の温度変化にしたがって変化
させ、感度と駆動電流Id の積を一定になるよう保持さ
せ、これによってホールの電圧を安定するよう補償でき
ることが特開昭62−203390号に開示されてい
る。
【0006】ホール温度補償回路において、同様に温度
補償抵抗R1 、ホール素子の出力端子に接続され、R1
を適当に選択すればホールの電圧は温度の変化によらな
い日的を達することが特開昭55−56677号に開示
されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】この結果、従来のホー
ル素子の温度補償回路において、上述の公報及び図3、
図4に開示する如く、抵抗素子から構成された回路は、
その補償精度があまり高くなく、補償効果も満足できな
いという不都合がある。
【0008】
【課題を解決するための手段】そこで、この発明は、上
述不都合を除去するために、ホール素子を備えた回路の
温度補償を行うようになしたものにおいて、補償素子は
ゼナーダイオードDZを使って、且つ、トレーシングア
ンプAと一緒に温度補償回路を構成したことを特徴とす
る。
【0009】
【作用】上述の如く発明したことにより、補償素子はゼ
ナーダイオードDZ を使って、且つ、トレーシングアン
プAと一緒に温度補償回路を構成し、簡単に、且つ有効
的に、ホール素子の温度安定性を解決し、温度の影響を
最低程度に制御できるホール素子の温度補償回路を提供
している。
【0010】
【実施例】以下図面に基づいてこの発明の実施例を詳細
に説明する。
【0011】図1はこの発明の実施例を示すものであ
る。図1において、ゼナーダイオードDZ 、ポテンショ
メーターWT 、トレーシングアンプA、抵抗RI 、ポテ
ンショメータW等で構成する。
【0012】図1中、ゼナーダイオードDZ は、ポテン
ショメーターWT を介してトレーシングアンプAのプラ
ス端子に接続され、トレーシングアンプAの出力端子が
ホール素子Hの電流制御端子に接続される。
【0013】ゼナーダイオードDZ から生じた温度補償
電流がトレーシングアンプAを通じて、ホール素子の電
流制御端子におくる。この電流の温度係数はホール素子
の生じた電流温度係数と反対するので、且つ温度補償ポ
テンショメータWT を調整することによって適当な補償
電流を得て、もっとも良い状態に達することができ、だ
からホール素子の出力電圧Vabの温度影響を最低程度に
することができる。もう一つポテンショメータWの作用
はRI の電圧を調整し、I(0)を選択することにあ
る。
【0014】また、前記ゼナーダイオードDZ は、ポテ
ンショメーターWT の片端子に接続され、ポテンショメ
ーターWT の可変端子はポテンショメーターWの端子に
接続され、ポテンショメーターWの可変端子はトレーシ
ングアンプAのプラス端子に接続され、トレーシングア
ンプAの出力端子はホール素子Hの電流制御器Cに接続
され、トレーシングアンプAのマイナス端子は抵抗RI
に接続された。
【0015】ゼナーダイオードDZ もポテンショメータ
ーWT の一端子及び可変端子を介して、トレーシングア
ンプAのプラス端子に接続され、トレーシングアンプA
の出力端子がホール素子電流制御部端子Cに接続され、
抵抗R1 がポテンショメーターと直列して、トレーシン
グアンプAのマイナス端子に接続された。
【0016】ホール素子は磁界Bにおいてある場合、電
流制御器で電流が流れる時、その電圧出力端子のホール
ポテンシャルは、以下の如き式となる。 EH =KIBcosα (1)
【0017】磁界Bの方向がホール素子平面法線と一致
すると、出力ポテンシャルは以下の如き式となる。 EH =KIB (2)
【0018】ここに、Kがホール感度を表し、Iが安定
電流を表し、作動温度範囲に、Kが温度Tの関数であっ
て、且つ近似的に以下の式で表す。 K=K@ 0@ (1−βH T) (3)
【0019】ここに、βH はホール素子の温度係数で、
その正負は使用される材料によって決められる。
【0020】一般的に、−10×10-4/℃≦βH ≦+
10×10-4/℃であり、(2)と(3)式から以下の
式が得られる。 EH =K(0)IB(1−βH T) (4)
【0021】これによって安定電流を使用する時に、ホ
ール素子の出力電圧は磁界Bと正比例になるばかりでな
く、作動温度Tとも関係があると見られる。如何に温度
TのEH に対する影響を低下することは、高く要求され
た技術分野で特に重要だ。もし、一種の制御電流I
(T)を設計すると、以下の如き式となる。 I(T)=I(0)(1+βI T) EH =K(0)I(0)B(1−βH T)・(1+βI T) (5)
【0022】もっともよい補償効果を納めるために、作
動温度中で点T0 でdEH /dT=0とすると、以下の
如き式となる。 βI =βH /1−2βH T=βH /1−2βH 0 (6)
【0023】この式(6)によって温度係数βI を計算
すると、作動温度区間の下半温度区域は欠補償区、上半
温度区域は過補償区になった時に、補償をもっとも良好
状態になる。ここに、補償元素にとってまずゼナーダイ
オードを選び、その温度係数は基本的に種々のホール素
子温度係数をカバーすることができる。
【0024】これにより、簡単に、且つ有効的にホース
素子の温度安定性問題を解決することができ、温度の影
響を最低程度に低下させることができ、且つ、補償され
た素子の温度係数にしたがって精密に調整することがで
き、補償をもっともよい状態にすることができる。
【0025】また、回路が簡単、便宜、正確的に、信頼
性も高いことにより、検定、制御と測定分野に使用され
るホール素子の温度シフトに対して自動的に補償するこ
とができる。
【0026】なお、この発明は上述実施例に限定される
ものではなく、種々の応用改変が可能である。
【0027】例えば、図2に示す如く、原理は図1と同
じであって、ただI(0)を調整するポテンショメータ
ーをトレーシングアンプのプラス相入力端子におき、そ
の効果は図1と同じである。
【0028】また、本発明の実施例中、一つの補償素子
は多数のホール素子を使用することもできる。
【0029】
【発明の効果】以上詳細に説明した如くこの発明によれ
ば、ホール素子を備えた回路の温度補償を行うようにな
したものにおいて、補償素子はゼナーダイオードDZ
使って、且つ、トレーシングアンプAと一緒に温度補償
回路を構成したので、以下の如き効果を奏するものであ
る。 1、本発明は、簡単に、且つ有効的にホース素子の温度
安定性問題を解決することができ、温度の影響を最低程
度に低下させることができ、且つ、補償された素子の温
度係数にしたがって精密に調整することができ、補償を
もっともよい状態にすることができる。 2、本発明は回路が簡単、便宜、正確的に、信頼性も高
い。検定、制御と測定分野に使用されるホール素子の温
度シフトに対して自動的に補償することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例を示すホール素子の温度補償
回路の原理図である。
【図2】この発明の他の実施例を示す接続方式の回路の
原理図である。
【図3】この発明の先行技術を示す温度補償回路の原理
図である。
【図4】この発明のもうひとつの先行技術を示す温度補
償回路の原理図である。
【符号の説明】
1 可変抵抗 2 オペアンプ 3 ホール素子 4〜7 抵抗 8 ダイオード C2 補償回路 RI 温度補償用の抵抗 DZ ゼナーダイオード A トレーシングアンプ WT ポテンショメーター W ポテンショメータ RI 抵抗

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ホール素子を備えた回路の温度補償を行
    うようになしたものにおいて、補償素子はゼナーダイオ
    ードDZ を使って、且つ、トレーシングアンプAと一緒
    に温度補償回路を構成したことを特徴とするホール素子
    の温度補償回路。
  2. 【請求項2】 ゼナーダイオードDZ は、ポテンショメ
    ーターWT の片端子に接続され、WT の可変端子はポテ
    ンショメーターWの端子に接続され、Wの可変端子はト
    レーシングアンプAのプラス端子に接続され、トレーシ
    ングアンプAの出力端子はホール素子Hの電流制御器C
    に接続され、トレーシングアンプAのマイナス端子は抵
    抗RI に接続された特許請求の範囲第1項に記載のホー
    ル素子の温度補償回路。
  3. 【請求項3】 ゼナーダイオードDZ もポテンショメー
    ターWT のひとつ端子及び可変端子を介して、トレーシ
    ングアンプAのプラス端子に接続され、トレーシングア
    ンプAの出力端子がホール素子電流制御端子Cに接続さ
    れ、抵抗RIがポテンショメータ直列して、トレーシン
    グアンプAのマイナス端子に接続された特許請求の範囲
    第1項に記載のホール素子の温度補償回路。
JP6200212A 1993-08-03 1994-08-02 ホール素子の温度補償回路 Pending JPH07167932A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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CN 93109166 CN1043689C (zh) 1993-08-03 1993-08-03 霍尔器件温度补偿电路
CN93109166.7 1993-08-03

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CN1043689C (zh) 1999-06-16
CN1084282A (zh) 1994-03-23

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