JPH07165490A - 単結晶製造装置 - Google Patents
単結晶製造装置Info
- Publication number
- JPH07165490A JPH07165490A JP31354393A JP31354393A JPH07165490A JP H07165490 A JPH07165490 A JP H07165490A JP 31354393 A JP31354393 A JP 31354393A JP 31354393 A JP31354393 A JP 31354393A JP H07165490 A JPH07165490 A JP H07165490A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 育成結晶の低転位化を実現できるとともに、
コスト低減及び作業効率の改善を実現できる単結晶製造
装置を提供する。 【構成】 回転及び昇降可能に支持されたるつぼ１４内
に原料融液２３及び液体封止剤２４を収容し、回転及び
昇降可能な結晶引き上げ軸１７に取り付けられた種結晶
１８を原料融液２３に接触させてこれを回転させながら
上昇させて液体封止剤２４で完全に覆った状態で単結晶
２５を引上げる単結晶製造装置において、結晶引き上げ
軸１７とは別に設けられた回転及び昇降可能な軸１９に
取り付けられ液体封止剤２４に浸漬されてその液面を上
昇させる円筒状治具２２と、単結晶２５の引き上げに応
じて円筒状治具２２の昇降を制御する制御機構とを有す
る。
コスト低減及び作業効率の改善を実現できる単結晶製造
装置を提供する。 【構成】 回転及び昇降可能に支持されたるつぼ１４内
に原料融液２３及び液体封止剤２４を収容し、回転及び
昇降可能な結晶引き上げ軸１７に取り付けられた種結晶
１８を原料融液２３に接触させてこれを回転させながら
上昇させて液体封止剤２４で完全に覆った状態で単結晶
２５を引上げる単結晶製造装置において、結晶引き上げ
軸１７とは別に設けられた回転及び昇降可能な軸１９に
取り付けられ液体封止剤２４に浸漬されてその液面を上
昇させる円筒状治具２２と、単結晶２５の引き上げに応
じて円筒状治具２２の昇降を制御する制御機構とを有す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液体封止剤を用いて引き
上げ結晶を完全に覆った状態で単結晶を製造する単結晶
製造装置に関する。
上げ結晶を完全に覆った状態で単結晶を製造する単結晶
製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ホールセンサや高周波ＦＥＴなどの電子
素子基板として用いられる半絶縁性のガリウムヒ素（Ｇ
ａＡｓ）単結晶を製造するには、液体封止剤（Ｂ2 Ｏ
3 ）により原料融液を封止した状態で単結晶を引上げる
液体封止引上げ法（ＬＥＣ法）が盛んに用いられてい
る。これらの電子素子は、基板結晶の転位密度によって
その特性が大きく影響を受ける。そこで従来より、結晶
の低転位化を目的として、炉内保温構造などを改良して
炉内の温度勾配を小さくするなどの対策が採用されてい
る。しかし、ＬＥＣ法において炉内の温度勾配を小さく
すると、育成中の単結晶が液体封止剤であるＢ2 Ｏ3 の
液面より上昇した後に長時間にわたって高温にさらされ
る。この結果、揮発性の高いヒ素が結晶表面から多量に
抜け出し、結晶中で応力集中が起こって転位の発生を引
き起こすため、低転位化を実現することは非常に困難で
ある。
素子基板として用いられる半絶縁性のガリウムヒ素（Ｇ
ａＡｓ）単結晶を製造するには、液体封止剤（Ｂ2 Ｏ
3 ）により原料融液を封止した状態で単結晶を引上げる
液体封止引上げ法（ＬＥＣ法）が盛んに用いられてい
る。これらの電子素子は、基板結晶の転位密度によって
その特性が大きく影響を受ける。そこで従来より、結晶
の低転位化を目的として、炉内保温構造などを改良して
炉内の温度勾配を小さくするなどの対策が採用されてい
る。しかし、ＬＥＣ法において炉内の温度勾配を小さく
すると、育成中の単結晶が液体封止剤であるＢ2 Ｏ3 の
液面より上昇した後に長時間にわたって高温にさらされ
る。この結果、揮発性の高いヒ素が結晶表面から多量に
抜け出し、結晶中で応力集中が起こって転位の発生を引
き起こすため、低転位化を実現することは非常に困難で
ある。
【０００３】これに対して揮発性の高いヒ素が結晶表面
から多量に抜け出すことを防止して低転位化を実現する
方法として、Ｂ2 Ｏ3 を増量して育成中の結晶を完全に
覆った状態で成長させるＬＥＣ法の改良法（ＦＥＣ法）
が知られている。しかし、この方法ではＢ2 Ｏ3 を増量
する必要があるため、必然的にコストアップを招く。ま
た、Ｂ2 Ｏ3 の量が多いと、るつぼに収容された原料融
液中の温度勾配が非常に小さくなるため、結晶育成初期
に結晶の多結晶化が多発し、生産性が低下する。さら
に、結晶育成後にるつぼに残った原料やＢ2 Ｏ3 の残留
物は、メチルアルコールなどの溶剤をるつぼに入れてる
つぼ壁面に付着したＢ2 Ｏ3 を徐々に溶解することによ
り取り出す。この際、Ｂ2 Ｏ3 の増量に伴ってるつぼと
Ｂ2 Ｏ3 との接触面積が大きくなっているため溶剤がな
かなか浸透せず、取り出しに非常に時間がかかって作業
効率が大幅に低下するという問題があった。
から多量に抜け出すことを防止して低転位化を実現する
方法として、Ｂ2 Ｏ3 を増量して育成中の結晶を完全に
覆った状態で成長させるＬＥＣ法の改良法（ＦＥＣ法）
が知られている。しかし、この方法ではＢ2 Ｏ3 を増量
する必要があるため、必然的にコストアップを招く。ま
た、Ｂ2 Ｏ3 の量が多いと、るつぼに収容された原料融
液中の温度勾配が非常に小さくなるため、結晶育成初期
に結晶の多結晶化が多発し、生産性が低下する。さら
に、結晶育成後にるつぼに残った原料やＢ2 Ｏ3 の残留
物は、メチルアルコールなどの溶剤をるつぼに入れてる
つぼ壁面に付着したＢ2 Ｏ3 を徐々に溶解することによ
り取り出す。この際、Ｂ2 Ｏ3 の増量に伴ってるつぼと
Ｂ2 Ｏ3 との接触面積が大きくなっているため溶剤がな
かなか浸透せず、取り出しに非常に時間がかかって作業
効率が大幅に低下するという問題があった。
【０００４】以上のような問題は、ＧａＡｓ以外にも液
体封止剤を用いる単結晶の製造例えばＡｌＡｓ，ＩｎＡ
ｓ，ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｌＡｓ，ＧａＰ，ＧａＳ
ｂ，ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＺｎＴｅ，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，
ＣｄＴｅなどにおいても同様に生じる。
体封止剤を用いる単結晶の製造例えばＡｌＡｓ，ＩｎＡ
ｓ，ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｌＡｓ，ＧａＰ，ＧａＳ
ｂ，ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＺｎＴｅ，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，
ＣｄＴｅなどにおいても同様に生じる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように従来
のＦＥＣ法では育成結晶の低転位化を実現できるが、コ
ストアップを招いたり、育成後にるつぼの内容物を取り
出す際の作業効率が低下するなどの新たな問題が発生す
るため、ＦＥＣ法においてコスト低減及び作業効率の改
善を実現できる実用的な対策を講じることが急務であっ
た。
のＦＥＣ法では育成結晶の低転位化を実現できるが、コ
ストアップを招いたり、育成後にるつぼの内容物を取り
出す際の作業効率が低下するなどの新たな問題が発生す
るため、ＦＥＣ法においてコスト低減及び作業効率の改
善を実現できる実用的な対策を講じることが急務であっ
た。
【０００６】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たもので、Ｂ2 Ｏ3 を増量することなく単結晶をＢ2 Ｏ
3 で完全に覆った状態で引上げることができ、育成結晶
の低転位化を実現できるとともに、コスト低減及び作業
効率の改善を実現できる単結晶製造装置を提供すること
を目的とする。
たもので、Ｂ2 Ｏ3 を増量することなく単結晶をＢ2 Ｏ
3 で完全に覆った状態で引上げることができ、育成結晶
の低転位化を実現できるとともに、コスト低減及び作業
効率の改善を実現できる単結晶製造装置を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の単結晶製造装置
は、回転及び昇降可能に支持されたるつぼ内に原料融液
及び液体封止剤を収容し、回転及び昇降可能な結晶引き
上げ軸に取り付けられた種結晶を前記原料融液に接触さ
せてこれを回転させながら上昇させて前記液体封止剤で
完全に覆った状態で単結晶を引上げる単結晶製造装置に
おいて、前記結晶引き上げ軸とは別に設けられた回転及
び昇降可能な軸に取り付けられ前記液体封止剤に浸漬さ
れてその液面を上昇させる円筒状治具と、単結晶の引き
上げに応じて該円筒状治具の昇降を制御する制御機構と
を具備したことを特徴とするものである。
は、回転及び昇降可能に支持されたるつぼ内に原料融液
及び液体封止剤を収容し、回転及び昇降可能な結晶引き
上げ軸に取り付けられた種結晶を前記原料融液に接触さ
せてこれを回転させながら上昇させて前記液体封止剤で
完全に覆った状態で単結晶を引上げる単結晶製造装置に
おいて、前記結晶引き上げ軸とは別に設けられた回転及
び昇降可能な軸に取り付けられ前記液体封止剤に浸漬さ
れてその液面を上昇させる円筒状治具と、単結晶の引き
上げに応じて該円筒状治具の昇降を制御する制御機構と
を具備したことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】本発明の単結晶製造装置を用いて単結晶を育成
すれば、円筒状治具をるつぼ内の液体封止剤に浸漬して
その液面を上昇させることにより、液体封止剤の見掛け
上の厚みを厚くして単結晶を常に液体封止剤で完全に覆
った状態で引上げることができる。この際、円筒状治具
は回転されているので、結晶の育成を阻害することはな
い。したがって、液体封止剤の使用量を増加させること
なくＦＥＣ法による低転位密度の結晶育成を実現でき
る。また、結晶の育成が終了した後に円筒状治具を液体
封止剤から抜き出すことにより、液体封止剤の厚みを円
筒状治具を浸漬する以前の薄い状態に戻すことができる
ので、育成後のるつぼから原料や液体封止剤の残留物を
取り出すのに要する作業時間を短縮できる。
すれば、円筒状治具をるつぼ内の液体封止剤に浸漬して
その液面を上昇させることにより、液体封止剤の見掛け
上の厚みを厚くして単結晶を常に液体封止剤で完全に覆
った状態で引上げることができる。この際、円筒状治具
は回転されているので、結晶の育成を阻害することはな
い。したがって、液体封止剤の使用量を増加させること
なくＦＥＣ法による低転位密度の結晶育成を実現でき
る。また、結晶の育成が終了した後に円筒状治具を液体
封止剤から抜き出すことにより、液体封止剤の厚みを円
筒状治具を浸漬する以前の薄い状態に戻すことができる
ので、育成後のるつぼから原料や液体封止剤の残留物を
取り出すのに要する作業時間を短縮できる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１に本発明に係る単結晶製造装置の概略構成図
を示す。図１において、成長炉１１内には回転及び昇降
可能なるつぼ回転軸１２が挿入され、この回転軸１２上
にはるつぼ支持部材１３が固定されており、この内部に
るつぼ１４が支持されている。るつぼ支持部材１３の外
周には、下部加熱ヒータ１５及び上部加熱ヒータ１６が
設けられている。るつぼ１４の中央部の上方には、結晶
引上げ軸１７が回転及び昇降可能に保持されており、そ
の先端に種結晶１８が取付けられている。結晶引上げ軸
１７の周囲には結晶引上げ軸１７と同心に、中空の治具
取付け軸１９が回転及び昇降可能に保持されており、そ
の下端に治具固定部材２０が取付けられている。この治
具固定部材２０に支持棒２１を介して円筒状治具２２が
固定されている。すなわち図３（ａ）に示すように、円
筒状治具２２の上端には支持棒２１が挿入される穴が設
けられている。また図３（ｂ）に示すように、、治具固
定部材２０の中心には治具取付け軸１９に固定するため
のねじ山が設けられ、その外周には支持棒２１を固定す
るためのねじ山が設けられている。そして図３（ｃ）に
示すようにこれらを取付けたものが治具取付け軸１９に
固定される。
する。図１に本発明に係る単結晶製造装置の概略構成図
を示す。図１において、成長炉１１内には回転及び昇降
可能なるつぼ回転軸１２が挿入され、この回転軸１２上
にはるつぼ支持部材１３が固定されており、この内部に
るつぼ１４が支持されている。るつぼ支持部材１３の外
周には、下部加熱ヒータ１５及び上部加熱ヒータ１６が
設けられている。るつぼ１４の中央部の上方には、結晶
引上げ軸１７が回転及び昇降可能に保持されており、そ
の先端に種結晶１８が取付けられている。結晶引上げ軸
１７の周囲には結晶引上げ軸１７と同心に、中空の治具
取付け軸１９が回転及び昇降可能に保持されており、そ
の下端に治具固定部材２０が取付けられている。この治
具固定部材２０に支持棒２１を介して円筒状治具２２が
固定されている。すなわち図３（ａ）に示すように、円
筒状治具２２の上端には支持棒２１が挿入される穴が設
けられている。また図３（ｂ）に示すように、、治具固
定部材２０の中心には治具取付け軸１９に固定するため
のねじ山が設けられ、その外周には支持棒２１を固定す
るためのねじ山が設けられている。そして図３（ｃ）に
示すようにこれらを取付けたものが治具取付け軸１９に
固定される。
【００１０】以上のような構成の単結晶製造装置を用い
たＦＥＣ法によるＧａＡｓ単結晶の製造について図１及
び図２を参照して説明する。内径９５ｍｍのるつぼ１４
内に原料であるＡｓ及びＧａを順次チャージし、さらに
液体封止剤であるＢ2 Ｏ3 をチャージした。使用したＢ
2 Ｏ3 の重量は２５０ｇであり、従来のＬＥＣ法で用い
る重量とほぼ同量である。成長炉１１を閉じて真空ポン
プで１×１０-2Ｔｏｒｒまで真空引きした。成長炉１１
内にＡｒガスを導入して４０ｋｇ／ｃｍ2 に加圧した
後、加熱ヒータ１５、１６に通電することにより原料を
加熱融解した。この結果、るつぼ１４内では原料から直
接合成されたＧａＡｓ融液２３の表面がＢ2 Ｏ3 融液２
４で封止された状態となる。この後、種結晶１８を降下
させてＧａＡｓ融液２３に接触させ、るつぼ１４と種結
晶１８とを互いに逆方向に回転させながら、７ｍｍ／ｈ
の引き上げ速度で種結晶１８を引上げて結晶育成を開始
した。結晶の育成に応じて、円筒状治具２２をＢ2Ｏ3
融液２４に浸漬してその液面を上昇させ、単結晶が常に
Ｂ2 Ｏ3 融液２４に完全に覆われるようにした。また、
結晶育成中、円筒状治具２２をるつぼ１４と同方向・同
回転で回転させた。
たＦＥＣ法によるＧａＡｓ単結晶の製造について図１及
び図２を参照して説明する。内径９５ｍｍのるつぼ１４
内に原料であるＡｓ及びＧａを順次チャージし、さらに
液体封止剤であるＢ2 Ｏ3 をチャージした。使用したＢ
2 Ｏ3 の重量は２５０ｇであり、従来のＬＥＣ法で用い
る重量とほぼ同量である。成長炉１１を閉じて真空ポン
プで１×１０-2Ｔｏｒｒまで真空引きした。成長炉１１
内にＡｒガスを導入して４０ｋｇ／ｃｍ2 に加圧した
後、加熱ヒータ１５、１６に通電することにより原料を
加熱融解した。この結果、るつぼ１４内では原料から直
接合成されたＧａＡｓ融液２３の表面がＢ2 Ｏ3 融液２
４で封止された状態となる。この後、種結晶１８を降下
させてＧａＡｓ融液２３に接触させ、るつぼ１４と種結
晶１８とを互いに逆方向に回転させながら、７ｍｍ／ｈ
の引き上げ速度で種結晶１８を引上げて結晶育成を開始
した。結晶の育成に応じて、円筒状治具２２をＢ2Ｏ3
融液２４に浸漬してその液面を上昇させ、単結晶が常に
Ｂ2 Ｏ3 融液２４に完全に覆われるようにした。また、
結晶育成中、円筒状治具２２をるつぼ１４と同方向・同
回転で回転させた。
【００１１】この際、育成中に測定した単結晶の重量変
化と直径から単結晶の体積の変化量を演算し、その演算
結果に基づいて円筒状治具２２によって上昇させるべき
Ｂ2Ｏ3 融液２４の液面高さを演算して、円筒状治具２
２の下降量を制御する。この制御は図示しない制御機構
により行われる。このように円筒状治具２２の下降量を
制御しているので、図２に示すように単結晶２５は常に
Ｂ2 Ｏ3 融液２４に完全に覆われている。この状態は育
成中の目視観察によって確認された。
化と直径から単結晶の体積の変化量を演算し、その演算
結果に基づいて円筒状治具２２によって上昇させるべき
Ｂ2Ｏ3 融液２４の液面高さを演算して、円筒状治具２
２の下降量を制御する。この制御は図示しない制御機構
により行われる。このように円筒状治具２２の下降量を
制御しているので、図２に示すように単結晶２５は常に
Ｂ2 Ｏ3 融液２４に完全に覆われている。この状態は育
成中の目視観察によって確認された。
【００１２】直径２インチ、重量１ｋｇのＧａＡｓ単結
晶２５を育成させた後、ＧａＡｓ融液２３から単結晶を
切り離した。加熱ヒータの出力を調整することによって
徐々に温度を低下させ、Ｂ2 Ｏ3 の温度が硬化点付近に
なった時点で、円筒状治具２２及びＧａＡｓ単結晶２５
を徐々に上昇させてＢ2 Ｏ3 融液２４から抜き出した。
この結果、Ｂ2 Ｏ3 融液２４の厚みは円筒状治具２２を
浸漬する以前の薄い状態になる。その後、成長炉１１の
温度を室温まで徐々に低下させた。
晶２５を育成させた後、ＧａＡｓ融液２３から単結晶を
切り離した。加熱ヒータの出力を調整することによって
徐々に温度を低下させ、Ｂ2 Ｏ3 の温度が硬化点付近に
なった時点で、円筒状治具２２及びＧａＡｓ単結晶２５
を徐々に上昇させてＢ2 Ｏ3 融液２４から抜き出した。
この結果、Ｂ2 Ｏ3 融液２４の厚みは円筒状治具２２を
浸漬する以前の薄い状態になる。その後、成長炉１１の
温度を室温まで徐々に低下させた。
【００１３】こうして得られたＧａＡｓ単結晶は結晶頭
部から尾部まで転位密度の低いものであった。また、結
晶育成後のるつぼ１４から原料やＢ2 Ｏ3 の残留物を取
り出す作業は極めて容易に実施できた。
部から尾部まで転位密度の低いものであった。また、結
晶育成後のるつぼ１４から原料やＢ2 Ｏ3 の残留物を取
り出す作業は極めて容易に実施できた。
【００１４】比較のため、円筒状治具を用いない装置で
ＦＥＣ法による単結晶の製造を行った。この場合、低転
位密度の結晶を得ることはできるが、Ｂ2 Ｏ3 の使用量
が９００ｇと非常に多くなってしまい、コストアップを
招く。また、育成後のるつぼから原料やＢ2 Ｏ3 の残留
物を取り出す作業は上記実施例の場合と比較して非常に
時間がかかり作業効率が大幅に低下した。
ＦＥＣ法による単結晶の製造を行った。この場合、低転
位密度の結晶を得ることはできるが、Ｂ2 Ｏ3 の使用量
が９００ｇと非常に多くなってしまい、コストアップを
招く。また、育成後のるつぼから原料やＢ2 Ｏ3 の残留
物を取り出す作業は上記実施例の場合と比較して非常に
時間がかかり作業効率が大幅に低下した。
【００１５】なお、以上の実施例では、ＧａＡｓ単結晶
の製造について説明したが、本発明は他の単結晶の製造
にも適用できることはもちろんである。例えば、液体封
止引上げ法により製造されるＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ、Ｉｎ
ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、Ｚｎ
Ｓ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ
などの他の化合物半導体単結晶の製造にも適用すること
ができる。
の製造について説明したが、本発明は他の単結晶の製造
にも適用できることはもちろんである。例えば、液体封
止引上げ法により製造されるＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ、Ｉｎ
ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、Ｚｎ
Ｓ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ
などの他の化合物半導体単結晶の製造にも適用すること
ができる。
【００１６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の単結晶製造
装置を用いれば、液体封止剤の使用量を増加させること
なく低転位密度の結晶育成を実現でき、しかもコストを
低減できるとともに育成後のるつぼから原料や液体封止
剤の残留物を取り出すのに要する作業時間を短縮でき
る。
装置を用いれば、液体封止剤の使用量を増加させること
なく低転位密度の結晶育成を実現でき、しかもコストを
低減できるとともに育成後のるつぼから原料や液体封止
剤の残留物を取り出すのに要する作業時間を短縮でき
る。
【図１】本発明の単結晶製造装置の断面図。
【図２】本発明の単結晶製造装置の使用状態を示す断面
図。
図。
【図３】本発明の単結晶製造装置に用いられる円筒状治
具の取付け状態を示す斜視図。
具の取付け状態を示す斜視図。
１１…成長炉、１２…るつぼ回転軸、１３…るつぼ支持
部材、１４…るつぼ、１５…下部加熱ヒータ、１６…上
部加熱ヒータ、１７…結晶引上げ軸、１８…種結晶、１
９…治具取付け軸、２０…治具固定部材、２１…支持
棒、２２…円筒状治具、２３…ＧａＡｓ融液、２４…Ｂ
2 Ｏ3 融液、２５…ＧａＡｓ単結晶。
部材、１４…るつぼ、１５…下部加熱ヒータ、１６…上
部加熱ヒータ、１７…結晶引上げ軸、１８…種結晶、１
９…治具取付け軸、２０…治具固定部材、２１…支持
棒、２２…円筒状治具、２３…ＧａＡｓ融液、２４…Ｂ
2 Ｏ3 融液、２５…ＧａＡｓ単結晶。
Claims (1)
- 【請求項１】 回転及び昇降可能に支持されたるつぼ内
に原料融液及び液体封止剤を収容し、回転及び昇降可能
な結晶引き上げ軸に取り付けられた種結晶を前記原料融
液に接触させてこれを回転させながら上昇させて前記液
体封止剤で完全に覆った状態で単結晶を引上げる単結晶
製造装置において、前記結晶引き上げ軸とは別に設けら
れた回転及び昇降可能な軸に取り付けられ前記液体封止
剤に浸漬されてその液面を上昇させる円筒状治具と、単
結晶の引き上げに応じて該円筒状治具の昇降を制御する
制御機構とを具備したことを特徴とする単結晶製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31354393A JPH07165490A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 単結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31354393A JPH07165490A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 単結晶製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07165490A true JPH07165490A (ja) | 1995-06-27 |
Family
ID=18042592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31354393A Pending JPH07165490A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 単結晶製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07165490A (ja) |
-
1993
- 1993-12-14 JP JP31354393A patent/JPH07165490A/ja active Pending
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