JPH07161914A - リードフレームへのフィルム貼り付け装置及びフィルム貼り付け方法 - Google Patents
リードフレームへのフィルム貼り付け装置及びフィルム貼り付け方法Info
- Publication number
- JPH07161914A JPH07161914A JP5339287A JP33928793A JPH07161914A JP H07161914 A JPH07161914 A JP H07161914A JP 5339287 A JP5339287 A JP 5339287A JP 33928793 A JP33928793 A JP 33928793A JP H07161914 A JPH07161914 A JP H07161914A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- clearance
- die
- punch
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
し、安定したフィルム打抜き技術を提供する。 【構成】 パンチ19とダイ20とのクリアランスを、
直線部を打ち抜く部分C1よりも、凸部を打ち抜く部分
C2において大とする。
Description
ィルム貼り付け装置及びフィルム貼り付け方法に関し、
特に、フィルム打抜き時に発生するバリを大幅に低減す
ることができるリードフレームへのフィルム貼り付け装
置及びフィルム貼り付け方法に関する。
p on Lead)、LOC(Lead on Ch
ip)構造の半導体パッケージは、予めリードフレーム
にチップ搭載用に高耐熱ポリイミドフィルムの片面又は
両面に接着材(熱可塑性又は熱硬化性接着剤等)を塗布
した接着剤付きフィルムが貼り付けられ、プレハブリー
ドフレームとして実用化されている。
が貼り付けられた状態が示されている。このフィルム7
の形状は、図3から明らかなように、リードフレームパ
ターンに合わせたシンプルな矩形形状のものである。
貼り付け方法を図4及び図5に基づいて説明する。ま
ず、図4に示されるように、金型の定位置まで搬送され
たリードフレーム9に、予め所定の温度に加熱されたヒ
ートブロック5をリードフレーム9の下面に接触させ
る。その状態で、フィルム7をパンチ1及びダイ2で打
ち抜く。そして、図5に示されるように、フィルム7を
直下のヒートブロック5にリードフレーム9を介して押
し付け、フィルム7をリードフレーム9に熱圧着する。
これにより、リードフレーム9へのフィルム7の貼り付
けが完了する。
抜きによるバリの発生を抑える必要がある。すなわち、
打抜きによるバリは、図6に示されるように、リード先
端のボンディング面やワイヤボンダの先端部16に付着
すると、ボンディング不良を起こす。したがって、フィ
ルム7の打抜き工程において、打抜きバリの発生は、絶
対に防止しなければならない必須条件である。
とダイ間のクリアランスが大きく関係する。そこで、図
7に、矩形形状のフィルムを打ち抜く際のパンチとダイ
間のクリアランスとバリ発生率の関係を示す。この図7
は、本発明の発明者らの実験結果を示したものであり、
バリ等の発生が最も少ない金型のパンチとダイのクリア
ランスは、100μmのフィルム厚に対し8〜12μm
であることが確認されている。
リイミドフィルムは、吸湿性が高いという特性を有して
いる。このため、チップ搭載用として用いるためには、
フィルムの体積を必要最小限に抑える必要がある。ま
た、図8に示されるように、矩形状のフィルムでは、ダ
イボンド時の加圧によって撓みが生じ、半導体チップ1
4とフィルム7間に隙間が生じることがある。この吸湿
性が高い点及び撓みが生じる点は、パッケージクラック
の原因となるため、図9に示されるように、リード間の
不要なフィルム7の部分を切り取り、チップ固定に必要
な部分のリード周囲にのみフィルムを貼り付けることが
できるような凹凸形状のフィルムが要求されている。
凸形状のフィルムにおいては、上記矩形形状のフィルム
のように、金型のパンチ及びダイのクリアランスを全周
均一にすると、直線部か凹凸部の何れかに打抜きバリが
発生する。すなわち、最適クリアランスの範囲が非常に
狭いため、バリが発生し易いという問題がある。
ンチ及びダイのクリアランスの調整は困難であるため、
調整に多大の時間を要するという問題がある。
基づいて説明する。フィルムを切断するときはせん断力
が作用する。また、微小な凸部を有するフィルムを打ち
抜く場合は、ダイ同士の間隔(切り刃間隔)が狭くなる
ため、フィルムにはせん断力と平面方向に圧縮応力が作
用する。つまり、せん断が進行するとフィルムの塑性変
形に応じて、フィルムの平面方向に圧縮応力が作用し、
フィルムを切断しにくくする。フィルムサイズが比較的
大きく矩形形状の場合、切り口に発生する圧縮等の応力
は、切断されるフィルム面内で緩和されるため、平面方
向への応力の影響は少ない。ところが、ダイとダイとの
間隔が狭いと、フィルムを構成するベースフィルムであ
るユーピレックス(宇部興産株式会社製)は表面の接着
層より脆い材料であるため、刃先に接着層が介在して切
断することによって、刃先による切断効果より接着層を
介して刃先による圧縮破壊作用(垂直方向)と平面方向
圧縮による切断抑制作用によってベースフィルムが圧縮
破壊されるため、バリが発生することになる。
打抜きバリの発生を大幅に低減し、安定したフィルム打
抜き技術を提供することができるリードフレームへのフ
ィルム貼り付け装置及びフィルム貼り付け方法を提供す
ることにある。
決するため、パンチとダイとのクリアランスを、直線部
を打ち抜く部分よりも、凸部を打ち抜く部分において大
としたことを特徴とするリードフレームへのフィルム貼
り付け装置を提供する。
mm以上の長さを有する直線部をフィルムに形成する場
合では、フィルムの厚さの10%とし、凸部を形成する
場合であって、パンチ・ダイの切り刃間隔が0.4mm
以下の部分では、1mm以上の直線部を形成する場合の
クリアランスの100〜130%とすることが望まし
い。
チ及びダイのクリアランスを、フィルムに1mm以上の
長さの直線部を形成するための部分では、フィルムの厚
さの10%となるようにし、かつ、フィルムに微小な凸
部を形成するための部分であって、パンチ・ダイの切り
刃間隔が0.4mm以下である場合は、直線部を形成す
るためのクリアランスの100〜130%となるように
し、予め片面又は両面に接着層が形成されたフィルムを
打抜きステージに載置し、打抜き金型でフィルムを打ち
抜き、所定の形状のフィルムを形成し、フィルムを、所
定の温度に昇温させたリードフレームの半導体チップ搭
載部に、接着層を介して貼り合わせる工程とを有するこ
とを特徴とするリードフレームへのフィルム貼り付け方
法を提供する。
に大きく関係し、クリアランスが狭い場合は、フィルム
基材が圧縮破壊されることによってバリが発生する。ま
た、直線上のフィルムを形成する場合では、切断の際の
圧縮等の応力がフィルム面内に吸収されるためバリは比
較的発生しにくい。一方、フィルムに凸部を形成する場
合であって、ダイ同士の間隔(切り刃間隔)が狭い場合
は、切断の際の圧力を吸収することができず、直線部と
同様のクリアランスではバリが発生する。そのため、本
発明においては、直線部を形成する部分のパンチとダイ
とのクリアランスに対し、凸部を形成する部分のパンチ
とダイとのクリアランスを広くとることにより、フィル
ム基材が圧縮破壊されることを防止することができる。
しつつ詳細に説明する。本実施例は、複数の微小凸部を
有するフィルムをリードフレームに貼り付けるためのフ
ィルム貼り付け装置であるが、装置自体の説明は、従来
技術の欄で図5及び図6に基づいて説明したためここで
は省略し、パンチとダイとのクリアランスについて説明
する。ここで、図1には、金型のパンチ及びダイの適性
クリアランスを示すグラフが示されており、図2には、
適性クリアランスを説明するためのパンチ形状19とダ
イ形状20が示されている。また、図2において、C1
〜C5は、パンチとダイとの各部のクリアランスを示し
ている。
部)を形成するためのパンチとダイとのクリアランス
は、従来技術の欄で説明したように、矩形形状のフィル
ムを打ち抜くためのクリアランスから既に明らかであ
る。すなわち、最適クリアランスは、100μmのフィ
ルムに対して8〜12μmである。この最適クリアラン
スは、フィルムの厚さによって異なるが、上記100μ
mのフィルム厚に対する最適クリアランスの比率を、異
なる厚さを有するフィルムにも適用することができるこ
とが確認されている。したがって、C1のクリアランス
は、フィルム厚さに対し10%とする。
するためのパンチとダイとのクリアランスについて説明
する。上記図1は、本発明の発明者らが、パンチとダイ
とのクリアランスを変化させて、C2のクリアランスと
バリの発生との関係を実験した結果に基づくものであ
る。この図1によれば、フィルム厚さ100μm(基
材:ユーピレックス50μm(宇部興産株式会社製)、
基材の両面に各25μmづつ熱硬化又は熱可塑性接着材
を塗布)の場合、ダイ同士の間隔(以下「切り刃間隔」
という。)によっても異なるが、バリの発生が少ないク
リアランスは6〜12μmであることが分かる。
生率が5/10000ショット以下であることを条件に
設定した。上述したように、最適なクリアランスは切り
刃間隔によって異なるため、図1に基づき、切り刃間隔
によってクリアランスを選択すれば良い。しかし、切り
刃間隔が0.4mm以下ではクリアランスを12μm、
切り刃間隔が0.4mm以上ではクリアランスを10μ
mと定めたとしても、実用上は問題が無いことが上記実
験で確認された。したがって、C2のクリアランスは、
C1のクリアランスの100〜130%程度とすること
が良いといえる。ただし、C2の部分のフィルムの長さ
が、1mm以上となる場合は、C1と同様のクリアラン
スとすれば良い。
部分のフィルムの長さが1mm以上となる場合は、C1
と同様にすれば良く、それ以下である場合は、C2と同
様にすれば良い。
複数の凸部を有するフィルムを打ち抜く場合は、1mm
以上の直線部のC1のクリアランスを最小とし、凸部の
C2のクリアランスを最大とすることがバリの発生を最
も抑えることができる。具体的には、C1のクリアラン
スをフィルムの厚さの10%、C2のクリアランスをC
1のクリアランスに対して100〜130%となるよう
に、パンチ及びダイを調節することが必要である。
びダイを有するフィルム貼り付け装置を用いてリードフ
レームにフィルムを貼り付ける方法を説明する。方法に
関しても従来技術の欄で説明したこととほぼ同様である
ため詳しい説明は省略するが、パンチとダイとのクリア
ランスを上記値に基づいて設定することが必要である。
へのフィルム貼り付け装置及びフィルム貼り付け方法に
よれば、フィルムの直線部のパンチとダイとのクリアラ
ンスを最小に、フィルム凸部のパンチとダイとのクリア
ランスを最大としたので、フィルムの打抜きバリの発生
を大幅に低減し、安定したフィルム打抜き技術を提供す
ることができる。
関する実験結果を示すグラフである。
リアランスの説明図である。
貼り付け状態を示す図である。
る。
る。
である。
貼り付け状態を示す図である。
示す説明図である。
孔 5 ヒートブロック 6 金型
マウント 7 フィルム 8 打ち
抜いたフィルム 9 リードフレーム 10 パイ
ロットホール 11 パイロットピン 12 ガイ
ドレール 13 フィルムの撓み 14 半導
体チップ 15 ボンディングワイヤ 16 ワイ
ヤボンダの先端部 17 ガイドポスト 18 フィ
ルム打抜きバリ 19 パンチ形状 20 ダイ
形状 21 基材 22 接着
層
Claims (3)
- 【請求項1】 フィルムを打ち抜いて、直線部及び前記
直線部に直交あるいは所定の角度を有して設けられた微
小な凸部を有するフィルムを形成し、リードフレームの
半導体チップ搭載部に前記フィルムを貼り付けるための
パンチ及びダイを有するフィルム貼り付け装置におい
て、 前記パンチと前記ダイとのクリアランスを、前記直線部
を打ち抜く部分よりも、前記凸部を打ち抜く部分におい
て大としたことを特徴とするリードフレームへのフィル
ム貼り付け装置。 - 【請求項2】 前記パンチ及び前記ダイのクリアランス
は、1mm以上の長さを有する前記直線部を前記フィル
ムに形成する場合では、前記フィルムの厚さの10%と
し、 前記凸部を形成する場合であって、前記パンチ・ダイの
切り刃間隔が0.4mm以下の部分では、前記1mm以
上の直線部を形成する場合の前記クリアランスの100
〜130%とした請求項1記載のリードフレームへのフ
ィルム貼り付け装置。 - 【請求項3】 打抜き金型のパンチ及びダイのクリアラ
ンスを、フィルムに1mm以上の長さの直線部を形成す
るための部分では、前記フィルムの厚さの10%となる
ようにし、かつ、前記フィルムに微小な凸部を形成する
ための部分であって、前記パンチ・ダイの切り刃間隔が
0.4mm以下である場合は、前記直線部を形成するた
めのクリアランスの100〜130%となるようにし、 予め片面又は両面に接着層が形成されたフィルムを打抜
きステージに載置し、 前記打抜き金型で前記フィルムを打ち抜き、所定の形状
のフィルムを形成し、 前記フィルムを、所定の温度に昇温させたリードフレー
ムの半導体チップ搭載部に、前記接着層を介して貼り合
わせる工程とを有することを特徴とするリードフレーム
へのフィルム貼り付け方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5339287A JP3003758B2 (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | リードフレームへのフィルム貼り付け装置及びフィルム貼り付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5339287A JP3003758B2 (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | リードフレームへのフィルム貼り付け装置及びフィルム貼り付け方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07161914A true JPH07161914A (ja) | 1995-06-23 |
JP3003758B2 JP3003758B2 (ja) | 2000-01-31 |
Family
ID=18326030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5339287A Expired - Fee Related JP3003758B2 (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | リードフレームへのフィルム貼り付け装置及びフィルム貼り付け方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3003758B2 (ja) |
-
1993
- 1993-12-03 JP JP5339287A patent/JP3003758B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3003758B2 (ja) | 2000-01-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4488733B2 (ja) | 回路基板の製造方法および混成集積回路装置の製造方法。 | |
JP2923170B2 (ja) | 打抜き性に優れたフィルム及びこれを用いたリードフレーム | |
KR100309962B1 (ko) | 테이프캐리어및그제조방법 | |
US20090026589A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP4413054B2 (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
JPH07161914A (ja) | リードフレームへのフィルム貼り付け装置及びフィルム貼り付け方法 | |
JP2000236060A (ja) | 半導体装置 | |
JPH08318328A (ja) | リード切断用金型 | |
JP3261987B2 (ja) | Loc用リードフレームおよびそれを利用した半導体装置 | |
CN100435297C (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
JP3243197B2 (ja) | 半導体装置用リードフレームの製造設備 | |
JP3379246B2 (ja) | 放熱板付きリードフレームおよびその製造方法 | |
JPH05144988A (ja) | 半導体装置の製造方法並びに半導体製造装置及びリードフレーム | |
JP3007720B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び該方法を実施する装置 | |
JP3289600B2 (ja) | フィルム打ち抜き貼り付け装置およびその組み立て方法 | |
JPH1131704A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3085356B2 (ja) | リードフレームのダイパット部への接着テープの貼付方法 | |
JP2000294710A (ja) | 接着テープ付き多ピンリードフレームの製造方法 | |
JPH10242359A (ja) | 半導体装置用リードフレームの製造設備 | |
JPH09312373A (ja) | リードフレームのインナーリード先端構造及びその加工方法 | |
KR100437894B1 (ko) | 씨에스피용 엘라스토머 접착필름의 가압착 장치 및 그 방법 | |
JP2001077286A (ja) | リードフレーム及びその製造方法並びにその製造に用いられる金型 | |
JPH0444255A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JPH11286662A (ja) | 半導体用接着フィルム及びこれを用いたリードフレーム | |
JP2020202405A (ja) | リードフレームおよびパワー系半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071119 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081119 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081119 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091119 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111119 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111119 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121119 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119 Year of fee payment: 14 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |