JPH07161747A - 半導体装置の製造方法及びこれを使用する樹脂封止装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及びこれを使用する樹脂封止装置Info
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- JPH07161747A JPH07161747A JP31084293A JP31084293A JPH07161747A JP H07161747 A JPH07161747 A JP H07161747A JP 31084293 A JP31084293 A JP 31084293A JP 31084293 A JP31084293 A JP 31084293A JP H07161747 A JPH07161747 A JP H07161747A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は樹脂モールドを行う半導体装置の製
造方法に関し、ワイヤ短絡防止を維持しつつコスト低減
及び歩留りの向上を図ることを目的とする。 【構成】 インナリード２８とステージ２７とが水平に
配置された無段差形状のリードフレーム２５を使用して
半導体チップ２９を搭載し、ワイヤ３０によりワイヤボ
ンディングを行う。これを上下金型２２，２３のキャビ
ティ２４内に位置させるときに、第１の突起部３１ａ，
３１ｂによりステージ２７をインナリード２８より下方
に位置させて樹脂モールドする構成とする。
造方法に関し、ワイヤ短絡防止を維持しつつコスト低減
及び歩留りの向上を図ることを目的とする。 【構成】 インナリード２８とステージ２７とが水平に
配置された無段差形状のリードフレーム２５を使用して
半導体チップ２９を搭載し、ワイヤ３０によりワイヤボ
ンディングを行う。これを上下金型２２，２３のキャビ
ティ２４内に位置させるときに、第１の突起部３１ａ，
３１ｂによりステージ２７をインナリード２８より下方
に位置させて樹脂モールドする構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂モールドを行う半
導体装置の製造方法に関する。
導体装置の製造方法に関する。
【０００２】近年、半導体装置の大容量化に伴い、半導
体チップが大型化し、半導体チップを搭載するリードフ
レームのステージも大型化している。一方、半導体装置
は信頼性の向上、及び低コスと化が要求されている。そ
のため、リードフレーム製造時のステージの反りや樹脂
モールド時のワイヤの短絡を防止する必要がある。
体チップが大型化し、半導体チップを搭載するリードフ
レームのステージも大型化している。一方、半導体装置
は信頼性の向上、及び低コスと化が要求されている。そ
のため、リードフレーム製造時のステージの反りや樹脂
モールド時のワイヤの短絡を防止する必要がある。
【０００３】
【従来の技術】図６に、従来の半導体装置におけるリー
ドフレームの形状の説明図を示す。図６（Ａ）はステー
ジ部分の平面図、図６（Ｂ）は図６（Ａ）の側部断面図
である。
ドフレームの形状の説明図を示す。図６（Ａ）はステー
ジ部分の平面図、図６（Ｂ）は図６（Ａ）の側部断面図
である。
【０００４】図６（Ａ），（Ｂ）に示す半導体装置にお
けるリードフレーム１１は、対向するクレドール（図示
せず）にステージ１２がサポートバー１３ａ，１３ｂを
介して一体的に形成されており、各クレドール間に所定
間隔で形成された対向するタイバー（図示せず）より所
定数のリードが延出されて一体的に形成される。
けるリードフレーム１１は、対向するクレドール（図示
せず）にステージ１２がサポートバー１３ａ，１３ｂを
介して一体的に形成されており、各クレドール間に所定
間隔で形成された対向するタイバー（図示せず）より所
定数のリードが延出されて一体的に形成される。
【０００５】リードは該パッケージングされたときにパ
ッケージ外に延出するアウタリードと、ステージ１２の
周囲に配置されるインナリード１４で構成される。この
ようなリードフレーム１１は、主に銅合金等でエッチン
グにより形成される。
ッケージ外に延出するアウタリードと、ステージ１２の
周囲に配置されるインナリード１４で構成される。この
ようなリードフレーム１１は、主に銅合金等でエッチン
グにより形成される。
【０００６】また、サポートバー１３ａ，１３ｂの所定
部分がプレス等で折曲加工されてステージ１２をインナ
リード１４より下方に位置させる。これは、樹脂モール
ド時に、後述するワイヤがステージ１２に接触して短絡
することを防止するためである。
部分がプレス等で折曲加工されてステージ１２をインナ
リード１４より下方に位置させる。これは、樹脂モール
ド時に、後述するワイヤがステージ１２に接触して短絡
することを防止するためである。
【０００７】ステージ１２上には接着剤により半導体チ
ップ１５が搭載され、半導体チップ１５上の電極パッド
（図示せず）とインナリード１４との間で金等のワイヤ
１６により電気的接続が行われる。この後、金型で樹脂
モールドによりパッケージングされるものである。
ップ１５が搭載され、半導体チップ１５上の電極パッド
（図示せず）とインナリード１４との間で金等のワイヤ
１６により電気的接続が行われる。この後、金型で樹脂
モールドによりパッケージングされるものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のように
樹脂モールド時のワイヤ１６による短絡を防止するため
にリードフレーム１１をインナリード１４とステージ１
２とを水平位置に配置することができないことから、リ
ードフレーム製造においてサポートバー１３ａ，１３ｂ
を折曲加工するためのプレス等の金型が必要となってコ
スト高になるという問題がある。
樹脂モールド時のワイヤ１６による短絡を防止するため
にリードフレーム１１をインナリード１４とステージ１
２とを水平位置に配置することができないことから、リ
ードフレーム製造においてサポートバー１３ａ，１３ｂ
を折曲加工するためのプレス等の金型が必要となってコ
スト高になるという問題がある。
【０００９】また、ステージ１２が大型化すると、折曲
加工等で反りを生じることとなり、ダイス付け性の悪化
やダイス付け強度が不足する事態を招き、歩留りの低下
を招くという問題がある。
加工等で反りを生じることとなり、ダイス付け性の悪化
やダイス付け強度が不足する事態を招き、歩留りの低下
を招くという問題がある。
【００１０】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、ワイヤ短絡防止を維持しつつコスト低減及び歩
留りの向上を図る半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とする。
もので、ワイヤ短絡防止を維持しつつコスト低減及び歩
留りの向上を図る半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】図１に、本発明の原理説
明図を示す。図１において、リードフレームのステージ
上に半導体チップが搭載され、該ステージの周辺に配置
されたインナリードとの間でワイヤボンディングされて
パッケージングされる半導体装置の製造方法であって、
第１の工程では、前記リードフレームを前記ステージと
前記インナリードとの間で無段差に形成し、該ステージ
上に前記半導体チップを搭載してダイス付けを行い、ワ
イヤボンディングする。第２の工程では、該リードフレ
ームを上下金型内に位置させる。第３の工程では、該上
下金型内で、該リードフレームの所定部分を押圧手段に
より押圧して該インナリードに対して該ステージを下方
に位置させる。そして、第４の工程では、該上下金型内
にモールド樹脂を充填してパッケージングを行う。
明図を示す。図１において、リードフレームのステージ
上に半導体チップが搭載され、該ステージの周辺に配置
されたインナリードとの間でワイヤボンディングされて
パッケージングされる半導体装置の製造方法であって、
第１の工程では、前記リードフレームを前記ステージと
前記インナリードとの間で無段差に形成し、該ステージ
上に前記半導体チップを搭載してダイス付けを行い、ワ
イヤボンディングする。第２の工程では、該リードフレ
ームを上下金型内に位置させる。第３の工程では、該上
下金型内で、該リードフレームの所定部分を押圧手段に
より押圧して該インナリードに対して該ステージを下方
に位置させる。そして、第４の工程では、該上下金型内
にモールド樹脂を充填してパッケージングを行う。
【００１２】
【作用】上述のように、インナリードとステージとが水
平に配置された無段差形状のリードフレームを使用して
半導体チップを搭載し、ワイヤボンディングを行う。こ
れを樹脂モールドするにあたって上下金型内に位置させ
るときに、押圧手段がリードフレームの所定部分、例え
ばステージを支持するサポートバーやインナリードを押
圧してインナリードに対してステージを下方に位置させ
る。
平に配置された無段差形状のリードフレームを使用して
半導体チップを搭載し、ワイヤボンディングを行う。こ
れを樹脂モールドするにあたって上下金型内に位置させ
るときに、押圧手段がリードフレームの所定部分、例え
ばステージを支持するサポートバーやインナリードを押
圧してインナリードに対してステージを下方に位置させ
る。
【００１３】すなわち、無段差のリードフレームであっ
ても樹脂モールド時に従来と同様に段差のある状態とす
ることからワイヤのステージへの短絡防止の維持が可能
であり、これによりリードフレーム形成におけるプレス
等の折曲加工が不要となる。
ても樹脂モールド時に従来と同様に段差のある状態とす
ることからワイヤのステージへの短絡防止の維持が可能
であり、これによりリードフレーム形成におけるプレス
等の折曲加工が不要となる。
【００１４】従って、加工のための金型等が不要となっ
てコスト低減を図ることが可能になると共に、この加工
によるステージの反りが回避されて歩留りを向上させる
ことが可能となるものである。
てコスト低減を図ることが可能になると共に、この加工
によるステージの反りが回避されて歩留りを向上させる
ことが可能となるものである。
【００１５】
【実施例】図２に、本発明の第１実施例の構成図を示
す。図２は樹脂封止装置の上下金型部分を示したもの
で、図２（Ａ）は上下金型内を観たときの平面図、図２
（Ｂ）は上下金型のキャビティ部分の断面図である。
す。図２は樹脂封止装置の上下金型部分を示したもの
で、図２（Ａ）は上下金型内を観たときの平面図、図２
（Ｂ）は上下金型のキャビティ部分の断面図である。
【００１６】まず、図２（Ａ），（Ｂ）において、樹脂
封止装置２１を構成する上金型２２と下金型２３で形成
されるキャビティ２４に位置されるリードフレーム２５
は、図２に表われない対向するクレドールよりサポート
バー２６ａ，２６ｂを介してステージ２７が一体的に形
成されると共に、クレドールに所定間隔で形成されたタ
イバーより所定数のリードが延出されて一体的に形成さ
れ、ステージ２７の周辺に当該リードのうちキャビティ
２４内に位置されるインナリード２８のそれぞれが配置
される。
封止装置２１を構成する上金型２２と下金型２３で形成
されるキャビティ２４に位置されるリードフレーム２５
は、図２に表われない対向するクレドールよりサポート
バー２６ａ，２６ｂを介してステージ２７が一体的に形
成されると共に、クレドールに所定間隔で形成されたタ
イバーより所定数のリードが延出されて一体的に形成さ
れ、ステージ２７の周辺に当該リードのうちキャビティ
２４内に位置されるインナリード２８のそれぞれが配置
される。
【００１７】すなわち、リードフレーム２５は、ステー
ジ２７とインナリード２８とは水平に配置された無段差
形状のものである。
ジ２７とインナリード２８とは水平に配置された無段差
形状のものである。
【００１８】ステージ２７上には接着剤を介して半導体
チップ２９が搭載され、半導体チップ２９上の電極パッ
ドとインナリード２８との間で、ワイヤ（例えば金）３
０によりワイヤボンディングされたものである。
チップ２９が搭載され、半導体チップ２９上の電極パッ
ドとインナリード２８との間で、ワイヤ（例えば金）３
０によりワイヤボンディングされたものである。
【００１９】一方、上金型２２には、サポートバー２６
ａ，２６ｂの所定部分に対応する位置に押圧手段である
２つの円柱状の第１の突起部３１ａ，３１ｂがネジ３０
により着脱自在に取り付けられている。この第１の突起
部３１ａ，３１ｂはキャビティ２４内に位置されたリー
ドフレーム２５のサポートバー２６ａ，２６ｂを下方に
押圧させるもので、その高さはスペーサ等を介在させる
ことにより、任意に調整させることができる。
ａ，２６ｂの所定部分に対応する位置に押圧手段である
２つの円柱状の第１の突起部３１ａ，３１ｂがネジ３０
により着脱自在に取り付けられている。この第１の突起
部３１ａ，３１ｂはキャビティ２４内に位置されたリー
ドフレーム２５のサポートバー２６ａ，２６ｂを下方に
押圧させるもので、その高さはスペーサ等を介在させる
ことにより、任意に調整させることができる。
【００２０】すなわち、ステージ２７に半導体チップ２
９が搭載されインナリード２８との間でワイヤ３０によ
りワイヤボンディングされたリードフレーム２５を、樹
脂封止装置２１の上金型２２及び下金型２３で形成され
るキャビティ２４内に位置させる。このとき、第１の突
起部３１ａ，３１ｂがサポートバー２６ａ，２６ｂを下
方に押圧し、ステージ２７をインナリード２８より下方
に位置させる。
９が搭載されインナリード２８との間でワイヤ３０によ
りワイヤボンディングされたリードフレーム２５を、樹
脂封止装置２１の上金型２２及び下金型２３で形成され
るキャビティ２４内に位置させる。このとき、第１の突
起部３１ａ，３１ｂがサポートバー２６ａ，２６ｂを下
方に押圧し、ステージ２７をインナリード２８より下方
に位置させる。
【００２１】そして、キャビティ２４内にモールド樹脂
を充填することにより、パッケージングを行うものであ
る。
を充填することにより、パッケージングを行うものであ
る。
【００２２】このように、樹脂モールド時には、第１の
突起部３１ａ，３１ｂによりステージ２７がインナリー
ド２８より下方に位置されることから、元のリードフレ
ーム２５が無段差形状であって、従来のように段差形状
のステージと同様にワイヤ３０がステージ２７に短絡さ
れることを回避させることができる。
突起部３１ａ，３１ｂによりステージ２７がインナリー
ド２８より下方に位置されることから、元のリードフレ
ーム２５が無段差形状であって、従来のように段差形状
のステージと同様にワイヤ３０がステージ２７に短絡さ
れることを回避させることができる。
【００２３】これにより、リードフレーム２５の形成に
おいて折曲加工して段差を形成するためのプレス金型を
不要とすることができ、コスト低減させることができ
る。また、折曲加工を行わないことは、ステージに反り
を招くことがなく、半導体装置の歩留りを向上させるこ
とができる。すなわち、ワイヤ短絡防止を維持すること
で半導体装置の信頼性を向上させることができ、コスト
低減及び歩留り向上を図ることができるものである。
おいて折曲加工して段差を形成するためのプレス金型を
不要とすることができ、コスト低減させることができ
る。また、折曲加工を行わないことは、ステージに反り
を招くことがなく、半導体装置の歩留りを向上させるこ
とができる。すなわち、ワイヤ短絡防止を維持すること
で半導体装置の信頼性を向上させることができ、コスト
低減及び歩留り向上を図ることができるものである。
【００２４】続いて、図３に、本発明の第２実施例の構
成図を示す。図３（Ａ）に示す樹脂封止装置２１は、第
１の突起３１ａ，３１ｂに換えて、下金型２３であっ
て、キャビティ２４内でインナリード２８（４つのリー
ド群）に対応する位置に押圧手段である板状の第２の突
起部３３ａ〜３３ｄがネジ３２により着脱自在に取り付
けられたものである。
成図を示す。図３（Ａ）に示す樹脂封止装置２１は、第
１の突起３１ａ，３１ｂに換えて、下金型２３であっ
て、キャビティ２４内でインナリード２８（４つのリー
ド群）に対応する位置に押圧手段である板状の第２の突
起部３３ａ〜３３ｄがネジ３２により着脱自在に取り付
けられたものである。
【００２５】この第２の突起部３３ａ〜３３ｄは、キャ
ビティ２４内に位置されたリードフレーム２５のインナ
リード２８を上方に押圧して、該インナリード２８に対
してステージ２７を下方に位置させるものであり、第１
実施例と同一の効果を有する。
ビティ２４内に位置されたリードフレーム２５のインナ
リード２８を上方に押圧して、該インナリード２８に対
してステージ２７を下方に位置させるものであり、第１
実施例と同一の効果を有する。
【００２６】なお、第２の突起部３３ａ〜３３ｄの高さ
は、第１の突起部３１ａ，３１ｂと同様にインナリード
２８を押し上げるに充分な高さのものであり、スペーサ
等でその高さを調整することができるものである。
は、第１の突起部３１ａ，３１ｂと同様にインナリード
２８を押し上げるに充分な高さのものであり、スペーサ
等でその高さを調整することができるものである。
【００２７】次に、図４に、本発明の第３実施例の構成
図を示す。図４（Ａ）〜（Ｃ）に示す樹脂封止装置２１
は、上金型２２にキャビティ２４内で上下動自在な円柱
状の２つの第１の押圧部４１ａ，４１ｂがサポートバー
２６ａ，２６ｂの所定部分に対応して設けられる。この
第１の押圧部４１ａ，４１ｂは、上金型２２の外部で支
持板４２に取り付けられ、支持板４２に油圧（エアでも
よい）で駆動する第１のシリンダ４３のロッド４３ａが
取り付けられたものである。この第１の押圧部４１ａ，
４１ｂ，シリンダ４３（ロッド４３ａ）により押圧手段
を構成する。
図を示す。図４（Ａ）〜（Ｃ）に示す樹脂封止装置２１
は、上金型２２にキャビティ２４内で上下動自在な円柱
状の２つの第１の押圧部４１ａ，４１ｂがサポートバー
２６ａ，２６ｂの所定部分に対応して設けられる。この
第１の押圧部４１ａ，４１ｂは、上金型２２の外部で支
持板４２に取り付けられ、支持板４２に油圧（エアでも
よい）で駆動する第１のシリンダ４３のロッド４３ａが
取り付けられたものである。この第１の押圧部４１ａ，
４１ｂ，シリンダ４３（ロッド４３ａ）により押圧手段
を構成する。
【００２８】図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、樹脂封
止装置２１の上金型２２及び下金型２３で形成されるキ
ャビティ２４内にリードフレーム２５が位置された状態
では、第１の押圧部４１ａ，４１ｂはサポートバー２６
ａ，２６ｂに当接状態となるようにシリンダ４３のロッ
ド４３ａが縮んだ状態に制御される。
止装置２１の上金型２２及び下金型２３で形成されるキ
ャビティ２４内にリードフレーム２５が位置された状態
では、第１の押圧部４１ａ，４１ｂはサポートバー２６
ａ，２６ｂに当接状態となるようにシリンダ４３のロッ
ド４３ａが縮んだ状態に制御される。
【００２９】そして、図４（Ｃ）に示すように、シリン
ダ４３を駆動してロッド４３ａを伸長させると第１の押
圧部４１ａ，４１ｂがサポートバー２６ａ，２６ｂを押
圧してステージ２７をインナリード２８より下方に位置
させて樹脂モールドするもので、第１実施例と同様の効
果を有するものである。
ダ４３を駆動してロッド４３ａを伸長させると第１の押
圧部４１ａ，４１ｂがサポートバー２６ａ，２６ｂを押
圧してステージ２７をインナリード２８より下方に位置
させて樹脂モールドするもので、第１実施例と同様の効
果を有するものである。
【００３０】なお、ステージ２７を下方に位置させる量
はシリンダ４３の油量の弁制御によりロッド４３ａのス
トローク量を調節することにより制御されるものであ
る。
はシリンダ４３の油量の弁制御によりロッド４３ａのス
トローク量を調節することにより制御されるものであ
る。
【００３１】続いて、図５に、本発明の第４実施例の構
成図を示す。図５（Ａ）〜（Ｃ）に示す樹脂封止装置２
１は、下金型２３にキャビティ２４内で上下動自在な板
状の４つの第２の押圧部４４ａ〜４４ｄがインナリード
２８の４つの群に対応して設けられる。この第２の押圧
部４４ａ〜４４ｄは、下金型２３の外部で支持板４５に
取り付けられ、支持板４２に油圧（エアでもよい）で駆
動する第２のシリンダ４６のロッド４６ａが取り付けら
れたものである。この第２の押圧部４４ａ〜４４ｄ，シ
リンダ４６（ロッド４６ａ）により押圧手段を構成す
る。
成図を示す。図５（Ａ）〜（Ｃ）に示す樹脂封止装置２
１は、下金型２３にキャビティ２４内で上下動自在な板
状の４つの第２の押圧部４４ａ〜４４ｄがインナリード
２８の４つの群に対応して設けられる。この第２の押圧
部４４ａ〜４４ｄは、下金型２３の外部で支持板４５に
取り付けられ、支持板４２に油圧（エアでもよい）で駆
動する第２のシリンダ４６のロッド４６ａが取り付けら
れたものである。この第２の押圧部４４ａ〜４４ｄ，シ
リンダ４６（ロッド４６ａ）により押圧手段を構成す
る。
【００３２】図５（Ａ），（Ｂ）に示すように、樹脂封
止装置２１の上金型２２及び下金型２３で形成されるキ
ャビティ２４内にリードフレーム２５が位置された状態
では、第２の押圧部４４ａ〜４４ｄは４つの群のインナ
リード２８に当接状態となるようにシリンダ４６のロッ
ド４６ａが縮んだ状態にさせられる。
止装置２１の上金型２２及び下金型２３で形成されるキ
ャビティ２４内にリードフレーム２５が位置された状態
では、第２の押圧部４４ａ〜４４ｄは４つの群のインナ
リード２８に当接状態となるようにシリンダ４６のロッ
ド４６ａが縮んだ状態にさせられる。
【００３３】そして、図５（Ｃ）に示すように、シリン
ダ４６を駆動してロッド４６ａを伸長させると第２の押
圧部４４ａ〜４４ｄがインナリード２８を押圧してイン
ナリード２８をステージ２７より上方に位置させて樹脂
モールドするもので、第１実施例と同様の効果を有する
ものである。
ダ４６を駆動してロッド４６ａを伸長させると第２の押
圧部４４ａ〜４４ｄがインナリード２８を押圧してイン
ナリード２８をステージ２７より上方に位置させて樹脂
モールドするもので、第１実施例と同様の効果を有する
ものである。
【００３４】なお、インナリード２８を上方に位置させ
る量はシリンダ４６の油量の弁制御によりロッド４６ａ
のストローク量を調節することにより制御されるもので
ある。
る量はシリンダ４６の油量の弁制御によりロッド４６ａ
のストローク量を調節することにより制御されるもので
ある。
【００３５】ところで、第３実施例（図４）と第４実施
例（図５）を組み合わせて、シリンダ４３，４６により
ステージ２７及びインナリード２８をそれぞれ押圧して
インナリード２８の下方にステージ２７を位置させた後
に樹脂モールドを行ってもよい。
例（図５）を組み合わせて、シリンダ４３，４６により
ステージ２７及びインナリード２８をそれぞれ押圧して
インナリード２８の下方にステージ２７を位置させた後
に樹脂モールドを行ってもよい。
【００３６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、インナリ
ードとステージとが水平に配置された無段差形状のリー
ドフレームを使用して半導体チップを搭載し、ワイヤボ
ンディングを行い、これを上下金型内に位置させるとき
に、押圧手段によりステージをインナリードより下方に
位置させて樹脂モールドすることにより、ワイヤ短絡防
止を維持して半導体装置の信頼性を向上させることがで
き、コスト低減及び歩留り向上を図ることができるもの
である。
ードとステージとが水平に配置された無段差形状のリー
ドフレームを使用して半導体チップを搭載し、ワイヤボ
ンディングを行い、これを上下金型内に位置させるとき
に、押圧手段によりステージをインナリードより下方に
位置させて樹脂モールドすることにより、ワイヤ短絡防
止を維持して半導体装置の信頼性を向上させることがで
き、コスト低減及び歩留り向上を図ることができるもの
である。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明の第１実施例の構成図である。
【図３】本発明の第２実施例の構成図である。
【図４】本発明の第３実施例の構成図である。
【図５】本発明の第４実施例の構成図である。
【図６】従来の半導体装置におけるリードフレーム形状
の説明図である。
の説明図である。
２１ 樹脂封止装置 ２２ 上金型 ２３ 下金型 ２４ キャビティ ２５ リードフレーム ２６ａ，２６ｂ サポートバー ２７ ステージ ２８ インナリード ２９ 半導体チップ ３０ ワイヤ ３１ａ，３１ｂ 第１の突起部 ３３ａ〜３３ｄ 第２の突起部 ４１ａ，４１ｂ 第１の押圧部 ４３，４６ シリンダ ４３ａ，４６ａ ロッド ４４ａ〜４４ｄ 第２の押圧部
Claims (9)
- 【請求項１】 リードフレーム（２５）のステージ（２
７）上に半導体チップ（２９）が搭載され、該ステージ
（２７）の周辺に配置されたインナリード（２８）との
間でワイヤボンディングされてパッケージングされる半
導体装置の製造方法において、 前記リードフレーム（２５）を前記ステージ（２７）と
前記インナリード（２８）との間で無段差に形成し、該
ステージ（２５）上に前記半導体チップ（２９）を搭載
してダイス付けを行い、ワイヤボンディングする工程
と、 該リードフレーム（２５）を上下金型（２２，２３）内
に位置させる工程と、 該上下金型（２２，２３）内で、該リードフレーム（２
５）の所定部分を押圧手段（３１ａ，３１ｂ，３３ａ〜
３３ｄ，４１ａ，４１ｂ，４４ａ〜４４ｄ，４３，４
６）により押圧して該インナリード（２８）に対して該
ステージ（２７）を下方に位置させる工程と、 該上下金型（２２，２３）内にモールド樹脂を充填して
パッケージングを行う工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記押圧手段（３３ａ，３３ｂ，４１
ａ，４１ｂ，４３）により、前記上金型（２２）方向か
ら前記ステージ（２７）を前記インナリード（２８）の
下方に押圧することを特徴とする請求項１記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記押圧手段（３１ａ〜３１ｄ，４４ａ
〜４４ｄ，４６）により、前記下金型（２３）方向から
前記インナリード（２８）を前記ステージ（２７）の上
方に押圧することを特徴とする請求項１又は２記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 ステージ（２７）上に半導体チップ（２
９）が搭載され、該ステージ（２７）の周辺に配置され
たインナリード（２８）との間でワイヤボンディングさ
れたリードフレーム（２５）を、上下金型（２２，２
３）内に配置して樹脂モールドを行う樹脂封止装置にお
いて、 前記上下金型（２２，２３）に、前記樹脂モールド時前
記インナリード（２８）に対して前記ステージ（２７）
を下方に位置させる押圧手段（３１ａ，３１ｂ，３３ａ
〜３３ｄ，４１ａ，４１ｂ，４４ａ〜４４ｄ，４３，４
６）を設けることを特徴とする樹脂封止装置。 - 【請求項５】 前記押圧手段は、前記上金型（２２）内
に前記ステージ（２７）を前記インナリード（２８）よ
り下方に押圧させる第１の突起部（３１ａ，３１ｂ）で
構成されることを特徴とする請求項４記載の樹脂封止装
置。 - 【請求項６】 前記押圧手段は、前記下金型（２３）内
に前記インナリード（２８）を前記ステージ（２７）よ
り上方に押圧させる第２の突起部（３３ａ〜３３ｄ）で
構成されることを特徴とする請求項４又は５記載の樹脂
封止装置。 - 【請求項７】 前記第１及び第２の突起部（３１ａ，３
１ｂ，３３ａ〜３３ｄ）は、それぞれ前記上金型（２
２）及び下金型（２３）に、高さ調整自在であって着脱
自在に固定されることを特徴とする請求項５又は６記載
の樹脂封止装置。 - 【請求項８】 前記押圧手段は、前記上金型（２２）内
で前記ステージ（２７）を前記インナリード（２８）よ
り下方に押圧させる第１の押圧部（４１ａ，４１ｂ）
と、該第１の押圧部（４１ａ，４１ｂ）を上下動させる
第１のシリンダ（４３）とにより構成されることを特徴
とする請求項４記載の樹脂封止装置。 - 【請求項９】 前記押圧手段は、前記下金型（２３）内
で前記インナリード（２８）を前記ステージ（２７）よ
り上方に押圧させる第２の押圧部（４４ａ〜４４ｄ）
と、該第２の押圧部（４４ａ〜４４ｄ）を上下動させる
第２のシリンダ（４６）とにより構成されることを特徴
とする請求項４又は８記載の樹脂封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31084293A JPH07161747A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 半導体装置の製造方法及びこれを使用する樹脂封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31084293A JPH07161747A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 半導体装置の製造方法及びこれを使用する樹脂封止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161747A true JPH07161747A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=18010051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31084293A Withdrawn JPH07161747A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 半導体装置の製造方法及びこれを使用する樹脂封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161747A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005150350A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR100566496B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2006-03-31 | 야마하 가부시키가이샤 | 반도체 장치 제조 장치 |
-
1993
- 1993-12-10 JP JP31084293A patent/JPH07161747A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100566496B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2006-03-31 | 야마하 가부시키가이샤 | 반도체 장치 제조 장치 |
| US7319042B2 (en) | 2001-12-07 | 2008-01-15 | Yamaha Corporation | Method and apparatus for manufacture and inspection of semiconductor device |
| JP2005150350A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
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