JPH07161331A

JPH07161331A - 集束イオンビーム装置における質量分析方法

Info

Publication number: JPH07161331A
Application number: JP5307906A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Kokubo; 靖小久保; Naoki Date; 直毅伊達
Original assignee: Jeol Ltd
Current assignee: Jeol Ltd
Priority date: 1993-12-08
Filing date: 1993-12-08
Publication date: 1995-06-23

Abstract

(57)【要約】【目的】簡単な構成により精度良く試料の特定部分の
質量分析を行うことができる集束イオンビーム装置にお
ける質量分析方法を実現する。【構成】イオンビームを試料２８に照射することによ
って２次電子と２次イオンが発生し、それらは検出器３
２，３３によって検出される。検出信号はＡＤ変換され
てそれぞれフレームメモリー３６，３９に供給される。
フレームメモリー３６，３９の映像信号は陰極線管４
１，４３に供給されて２次電子像と２次イオン像が表示
される。また、コンピュータ４５はフレームメモリーに
記憶された映像信号を読みだし、両映像信号に基づいて
２種の画像の中の注目部分の画素のずれを求め、この画
素のずれから注目部分の質量分析を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、試料に細く集束したイ
オンビームを照射すると共に、試料上でイオンビームの
走査を行う集束イオンビーム装置における質量分析方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子ビームのカラムとイオンビー
ムのカラムとを同一の試料室上に設けた複合荷電粒子ビ
ーム装置が開発されている。この装置では、イオンビー
ムのカラムにおいて発生したイオンビームを試料の特定
領域に照射して加工し、この加工した領域に電子ビーム
のカラムにおいて発生した電子ビームを走査し、電子ビ
ームの走査に応じて発生した２次電子などを検出するこ
とにより、走査像を得るようにしている。

【０００３】このような装置の概略を図１に示す。この
図で、試料室１内には観察すべき試料２が配置される。
試料室１上には、イオンビーム照射カラム３と電子ビー
ム照射カラム４とが設けられている。

【０００４】イオンビーム照射カラム３内には、イオン
銃５、イオン銃５からイオンを引き出すための引き出し
電極６、加速電極７、集束レンズ８、ビームブランキン
グ電極９、アパーチャ１０、ビーム偏向電極１１、対物
レンズ１２が含まれている。また、電子ビーム照射カラ
ム４内には、電子銃１３、電子銃１３からイオンを引き
出すための引き出し電極１４、アノード１５、集束レン
ズ１６、ビームブランキング電極１７、アパーチャ１
８、ビーム偏向電極１９、対物レンズ２０が含まれてい
る。さらに、試料室１には試料２から発生した２次電子
を検出するための２次電子検出器２１、２次イオンを検
出するための２次イオン検出器２２、Ｘ線を検出するた
めのＥＤＳ型Ｘ線検出器２３が設けられている。このよ
うな構成における動作を次に説明する。

【０００５】まず、通常のイオンビームによる試料の加
工と電子ビームによる像観察の動作を説明する。試料室
１内の試料２に対し、イオンビーム照射カラム３からイ
オンビームが照射される。すなわち、イオン銃５から引
き出し電極６によってイオンが引き出され、そのイオン
は加速電極７によって加速される。そして、加速された
イオンは集束レンズ８、対物レンズ１２によって試料２
上に細く集束される。試料２におけるイオンビームの照
射位置は、ビーム偏向電極１１に走査信号を供給するこ
とによって走査され、その結果、試料の所望部分がイオ
ンビームによって切削加工される。

【０００６】この加工によって試料の所望部分の断面が
現れることになり、次いでこの断面部分に電子ビーム照
射カラム４からの電子ビームが照射される。この電子ビ
ームが照射される際には、イオンビームはビームブラン
キング電極へのブランキング信号の供給により偏向さ
れ、アパーチャ１０に照射されることから試料２へのイ
オンビームの照射は停止される。

【０００７】電子ビーム照射カラム４においては、電子
銃１３から引き出し電極１４によって電子が引き出さ
れ、その電子は加速電極７によって加速される。そし
て、加速された電子は集束レンズ１６、対物レンズ２０
によって試料２上に細く集束される。試料２における電
子ビームの照射位置は、ビーム偏向電極１９に走査信号
を供給することによって走査され、その結果、イオンビ
ームによって削られ、露出された試料部分で２次元的に
走査される。

【０００８】電子ビームの走査に伴って試料から発生し
た２次電子は、２次電子検出器２１によって検出され
る。この検出器２１の検出信号は図示していないが、電
子ビームの走査信号が供給されている陰極線管に供給さ
れ、その陰極線管上に試料の断面の２次電子像が表示さ
れる。

【０００９】また、上記した２次電子の検出以外にも、
電子ビームの照射によって試料２から発生したＸ線をＥ
ＤＳ型Ｘ線検出器２３によって検出し、Ｘ線の情報によ
って切削された試料部分の分析を行うことができる。更
に、イオンビームを試料に照射することによって発生し
た２次イオンを検出器２２によって検出し、２次イオン
の像を得ることもできる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記した構成の装置に
更に２次イオン質量分析器（ＳＩＭＳ）を設け、試料２
の特定部分の元素分析を行うことも実行されている。し
かしながら、集束イオンビームによる加工（穴掘り）
は、そのエッチングレートが比較的遅いため、実際に加
工されるサイズは、１０μｍ×１０μｍ×１０μｍ程度
である。

【００１１】このような小さな穴に電子ビームやイオン
ビームを入射させ、ＥＤＳやＳＩＭＳ分析を行うと、穴
の内部での電子の散乱などによりバックグランドが高く
なり、必ずしも良い方法とは言えない。すなわち、穴の
特定の断面に対して電子ビームやイオンビームを照射し
た場合、その断面から発生した反射電子，２次電子など
が他の断面に照射され、その部分からＸ線や２次イオン
を発生させる。更に、試料近傍にＥＤＳ検出器やＳＩＭ
Ｓ検出器を配置するためのスペースを確保しなければな
らないが、通常、そのような余裕を試料室に設けること
は困難である。

【００１２】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、簡単な構成により精度良く試料の
特定部分の質量分析を行うことができる集束イオンビー
ム装置における質量分析方法を実現するにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明に基づく集束イオ
ンビーム装置における質量分析方法は、イオン銃と、イ
オン銃からのイオンビームを試料上に細く集束するため
のイオンビーム集束手段と、イオンビームを試料上で走
査するためのイオンビーム走査手段と、試料へのイオン
ビームの照射に基づいて発生した２次電子を検出する２
次電子検出器と、試料へのイオンビームの照射に基づい
て発生した２次イオンを検出する２次イオン検出器とを
備えた集束イオンビーム装置において、イオンビームに
よる試料の特定領域の走査に基づいて２次電子検出器か
ら得られた第１の映像信号と、２次イオン検出器から得
られた第２の映像信号とを比較し、試料の特定部分の像
のずれの量を求めることにより、試料の特定部分の質量
分析を行うようにしたことを特徴としている。

【００１４】また、本発明に基づく集束イオンビーム装
置における質量分析方法は、試料の特定領域に短時間イ
オンビームを照射し、このイオンビームの照射に基づい
て発生した２次イオンを検出し、イオンビームの照射時
点から２次イオンの検出までの時間に基づいて該試料の
特定部分の質量分析を行うようにしたことを特徴として
いる。

【００１５】更に、本発明に基づく集束イオンビーム装
置における質量分析方法は、試料の特定領域に短時間イ
オンビームを照射し、このイオンビームの照射に基づい
て発生した２次電子と２次イオンを検出し、この２次電
子の検出時と２次イオンの検出時との間の時間に基づい
て該試料の特定部分の質量分析を行うようにしたことを
特徴としている。

【００１６】

【作用】まず、本発明の原理について説明する。試料に
集束イオンビームを照射した結果、試料から発生する２
次電子は、一般的には２０ｅＶ程度の初速度を有し、２
次電子検出器によって検出される。この場合の飛行速度
ｖは、ｍ_eを電子の質量、ｅＶをエネルギとすると、次
にように表すことができる。

【００１７】（１／２）ｍ_eｖ²＝ｅＶ従って、

【００１８】

【数１】

【００１９】となる。すなわち、飛行速度は、およそ
２．６５×１０⁸cm/secとなる。この結果、試料と２次
電子検出器との間の距離を１０cmとすると、試料から発
生した２次電子の検出器までの到達時間Ｔｅは、次の値
となる。

【００２０】Ｔｅ＝１０cm÷２．６５×１０⁸cm/sec＝３７nsec 次に、試料にイオンビームを照射した結果、試料から発
生する２次イオンは、一般的には２０ｅＶ程度の初速度
を有し、２次イオン検出器によって検出される。この場
合の飛行速度ｖは、Ｍを電子の質量、ｅＶをエネルギ、
ＡＭｕを原子質量単位とすると、次にように表すことが
できる。

【００２１】（１／２）Ｍｖ²＝ｅＶ従って、

【００２２】

【数２】

【００２３】となる。この結果、試料と２次イオン検出
器との間の距離を１０cmとすると、試料から発生した２
次イオンの検出器までの到達時間Ｔｉは、１価のイオン
に対して図２に示す値となる。

【００２４】上記のように、試料から検出器までの到達
時間は、２次電子では３７nsec程度であるのに対して、
２次イオンの場合は、５μsec 〜１１μsec と大幅に遅
れる。本発明は、このような点に注目してなされたもの
で、第１の発明では、イオンビームによる試料の特定領
域の走査に基づいて２次電子検出器から得られた第１の
映像信号と、２次イオン検出器から得られた第２の映像
信号とを比較し、試料の特定部分の像のずれの量を求め
ることにより、試料の特定部分の質量分析を行う。

【００２５】また、本発明の第２の発明では、イオンビ
ームの照射に基づいて発生した２次イオンを検出し、イ
オンビームの照射時点から２次イオンの検出までの時間
に基づいて該試料の特定部分の質量分析を行う。更に、
本発明の第３の発明では、イオンビームの照射に基づい
て発生した２次電子と２次イオンを検出し、この２次電
子の検出時と２次イオンの検出時との間の時間に基づい
て該試料の特定部分の質量分析を行う。

【００２６】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図３は、本発明の一実施例を実施するため
の集束イオンビーム装置の一例を示しており、２５はイ
オン銃である。イオン銃２５からのイオンビームＩＢ
は、コンデンサレンズ２６、対物レンズ２７によって試
料２８上に細く集束される。イオンビームＩＢの光軸に
沿って、ブランキング電極２９、偏向電極３０、非点補
正電極３１が配置されている。試料２８へのイオンビー
ムの照射によって発生した２次電子は、正の電圧が印加
された２次電子検出器３２によって検出される。また、
試料２８へのイオンビームの照射によって発生した２次
イオンは、負の電圧が印加された２次イオン検出器３３
によって検出される。

【００２７】２次電子検出器３２の出力信号は増幅器３
４によって増幅され、ＡＤ変換器３５によってディジタ
ル信号に変換された後、第１のフレームメモリー３６に
供給されて記憶される。２次イオン検出器３３の出力信
号は増幅器３７によって増幅され、ＡＤ変換器３８によ
ってディジタル信号に変換された後、第２のフレームメ
モリー３９に供給されて記憶される。

【００２８】第１のフレームメモリー３６に記憶された
映像信号は、読み出され、ＤＡ変換器４０を介して２次
電子像表示用の陰極線管４１に供給される。また、第２
のフレームメモリー３９に記憶された映像信号は、読み
出され、ＤＡ変換器４２を介して２次イオン像表示用の
陰極線管４３に供給される。これらの陰極線管４１，４
３には、偏向電極３０に走査信号を供給する走査信号発
生回路４４からこの走査信号に同期した信号が供給され
る。更に、第１と第２のフレームメモリー３６，３９に
記憶されている映像信号は、読み出されてコンピュータ
４５に供給される。このような構成の動作を次に説明す
る。

【００２９】まず、通常のイオンビームの照射に基づく
２次電子像や２次イオン像の表示を行う場合、イオン銃
２５からのイオンビームがコンデンサレンズ２６、対物
レンズ２７によって試料２８上に細く集束されて照射さ
れる。また、イオンビームは走査信号発生回路３８から
偏向電極３０に供給される走査信号に応じて偏向され、
試料の所定領域はイオンビームによって走査されること
になる。試料２８へのイオンビームの照射によって発生
した２次電子は、正の電圧が印加された２次電子検出器
３２に引き寄せられ、この検出器３２によって検出され
る。

【００３０】２次電子検出器３２の検出信号は、第１の
フレームメモリー３６に供給されて記憶される。この第
１のフレームメモリー３６に記憶された信号は、読み出
されて陰極線管４１に供給される。陰極線管４１には走
査信号発生回路４４からの信号も供給されており、この
陰極線管４１にはイオンビームの照射に基づく２次電子
像が表示される。

【００３１】試料２８へのイオンビームの照射によって
２次電子以外にも２次イオンが発生する。この２次イオ
ンは負の電圧が印加された２次イオン検出器３３に引き
寄せられ、この検出器３３によって検出される。２次イ
オン検出器３３の検出信号は、第２のフレームメモリー
３９に供給されて記憶される。この第２のフレームメモ
リー３９に記憶された信号は、読み出されて陰極線管４
３に供給される。陰極線管４３には走査信号発生回路４
４からの信号も供給されており、この陰極線管４３には
イオンビームの照射に基づく２次イオン像が表示され
る。

【００３２】さて、走査信号発生回路４４から偏向電極
３０に供給される走査信号が通常のＴＶレートである場
合、図４に示すように、ＴＶレート画像の水平方向の画
素数が５１２とし、水平方向の走査速度を５１．２μse
c とすると、１画素当たりの走査時間は１００nsecとな
る。また、画像の垂直方向の画素数が２５５、垂直方向
の走査速度を１６．６msecとすると、垂直方向の１画素
当たりの走査時間は５４μsec となる。

【００３３】前記したように、２次電子の発生から検出
までの時間（２次電子の飛行時間）は、３７nsecである
ので、この２次電子の飛行時間による画像上の表示位置
のずれはほとんど無視することができる。一方、２次イ
オンの場合、２次イオンの発生から検出までの時間（２
次イオンの飛行時間）は、図２に示したように、５〜１
１μsec と長く、そのため、画像上の表示位置のずれが
生じることになる。

【００３４】ここで、試料中の一部にボロンの領域があ
り、そのボロン部分に注目すると、ボロンの場合は、図
２より５．２６μsec 遅れた位置に表示される。水平方
向の１画素当たりの走査速度が１００nsecであることか
ら、５．２６／１００＝５２．６となり、ボロンの部分は５２．６画素分走査方向にずれ
て表示される。また、試料中のアルミニウムの部分に注
目すると、アルミニウムの場合、図２より８．２６μse
c 遅れた位置に表示される。この結果、８．２６／１００＝８２．６となり、アルミニウムの場合は８２．６画素分走査方向
にずれて表示される。

【００３５】図５はボロンとアルミニウムの領域の表示
位置の関係を示した図であり、図５（ａ）が２次電子
像、図５（ｂ）が２次イオン像であり、図中Ｂがボロン
の領域、Ａｌがアルミニウムの領域を示している。な
お、図５（ｂ）中で、点線はボロンとアルミニウムの２
次電子像表示位置を便宜的に示したものである。

【００３６】図５（ａ）の映像信号は、第１のフレーム
メモリー３５に記憶されており、図５（ｂ）の映像信号
は第２のフレームメモリー３９に記憶されている。コン
ピュータ４５は、第１と第２のフレームメモリー３５，
３９に記憶された映像信号を読みだし、例えば、像中の
注目部分について、両映像信号からその部分の座標値を
読み取る。この２種の座標値から、映像信号のずれの量
を算出し、更に、ずれの量に基づいて当該注目部分の材
料の質量数の決定を行う。

【００３７】すなわち、図５（ａ）のボロンの場合、像
中の注目部分Ｐの座標がＸａ，Ｙａ、図５（ｂ）ではそ
の注目部分Ｐの座標がＸｂ，Ｙｂであると、この座標間
の画素数が求められる。この画素数と１画素当たりの走
査時間とから、注目部分からの２次イオンの飛行時間が
求められる。コンピュータ４５は、求めた飛行時間と図
２に示した各元素の飛行時間のデータとから、質量数、
すなわち注目部分の物質の元素の同定を行う。なお、２
種の画像信号から注目部分を対応させる際には、パター
ンマッチング技術などを用いることができる。

【００３８】図６は本発明の他の実施例を示しており、
図３の実施例と同一部分には同一番号を付してある。こ
の実施例では、走査信号発生回路４４は、試料の特定の
位置にイオンビームを照射するための偏向信号を発生す
るようなスポットモードに対応できるように構成されて
いる。そして、ブランキング電極２９に短時間イオンビ
ームを試料２８に照射するようなブランキング信号を供
給する。

【００３９】また、この実施例では、２次電子検出器３
２によって検出された信号は、ＡＤ変換器３５によって
ディジタル信号に変換された後、計数回路４６に供給さ
れる。更に、２次イオン検出器３３によって検出された
信号は、ＡＤ変換器３８によってディジタル信号に変換
された後、計数回路４６に供給される。この計数回路４
６には、走査信号発生回路４４からブランキング信号も
供給されている。計数回路４６によって計数された信号
は、コンピュータ４５に供給される。このような構成の
動作を次に説明する。

【００４０】まず、イオンビームＩＢは試料の所定領域
で２次元的に走査され、陰極線管４１上に２次電子の走
査像が表示される。オペレータは、この陰極線管４１上
の像を観察し、その像の中での質量分析すべき部分の特
定を行う。そして、その部分にイオンビームがスポット
モードで照射されるように走査信号発生回路４４を制御
する。この動作は、例えば、陰極線管４１に輝点を表示
させ、その輝点の位置を質量分析すべき部分に一致さ
せ、その後、コンピュータ４５によってその輝点の位置
に対応した試料部分にイオンビームが照射されるよう、
走査信号発生回路４４を制御するように構成することは
好ましい。

【００４１】このようにして試料の特定部分にイオンビ
ームが照射されるように制御した後、走査信号発生回路
４４からブランキング電極２９に図７（ａ）に示すブラ
ンキング信号が供給される。このブランキング信号によ
り、極めて短い時間のみイオンビームはブランキングさ
れず、試料２８に照射される。このイオンビームパルス
の試料２８への照射によって２次電子と２次イオンが試
料の特定部分から発生する。試料２８からの２次電子
は、２次電子検出器３２によって検出される。図７
（ｂ）はこの２次電子検出信号を示しており、この信号
は計数回路４６に供給される。試料２８からの２次イオ
ンは、２次イオン検出器３３によって検出される。図７
（ｃ）はこの２次イオン検出信号を示しており、この信
号は計数回路４６に供給される。

【００４２】計数回路４６には図７（ａ）に示したブラ
ンキング信号も供給されている。計数回路４６は、ブラ
ンキング信号のイオンビーム照射パルス信号Ｑ₁と２次
電子検出信号Ｑ₂をトリガーとして２次イオン検出信号
Ｑ₃までの時間の計測を行う。

【００４３】ここで、Ｔ_eの時間には、エミッターから
放出したイオンビームがブランキング電極を通り、試料
に入射し、２次電力が放出されそれが２次電子検出器に
入るまでの時間が含まれており（即ちイオンビームがブ
ランキング電極より試料に入射するまでのイオンの到達
時間が含まれており）、イオンの鏡筒が長い場合大きな
測定誤差となってしまう。

【００４４】従って、２次電子検出のＱ₂パルスをトリ
ガーとしてイオン検出Ｑ₃までの時間Ｔｉを測定するこ
とが重要である。もちろん入射イオンの種類，加速電
圧，ブランキング電極と試料の距離が決まっていれば計
算により対応が可能である。しかし先に述べたように２
次電子検出Ｑ₂でトリガーをかければ入射イオンの種
類，加速電圧，等を全く考慮しなくて良い。

【００４５】ここで、２次イオンの質量Ｍは、前記した
ように、次の関係がある。なお、Ｓは試料と２次イオン
検出器の距離である。（１／２）Ｍｖ²＝ｅＶＭ＝２ｅＶ／ｖ²＝２ｅＶ／（Ｓ／Ｔ_i）² コンピュータ４５は、上式に基づいて２次イオンの質量
を求め、元素の同定を行う。なお、この質量の演算にお
いては、試料の注目部分に複数回イオンビームをパルス
的に照射し、その都度、２次イオンの検出の遅れ時間を
計測し、その計測値を平均化することは望ましい。

【００４６】また、イオン照射の為の走査をディジタル
的に行いブランキングを使って１ｐｉｘｅｌ（１画素）
ごとに２次電子信号Ｑ₂を記録し、これをトリガーとし
てイオン発生を時間ズレより検出することにより、図８
に示すように、酸素イオン信号Ｑ₃Ｏ⁺，アルミイオン信
号Ｑ₃Ａｌ⁺，シリコンイオン信号Ｑ₃Ｓｉ⁺等の元素分析
が可能である。この際、計数回路で２次電子信号出力後
Ｔｉの遅れのみを検出するようにして、全面をディジタ
ル的に走査することにより酸素イオンＯ⁺のみのマッピ
ングが可能となる。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく集
束イオンビーム装置における質量分析方法は、イオンビ
ームによる試料の特定領域の走査に基づいて２次電子検
出器から得られた第１の映像信号と、２次イオン検出器
から得られた第２の映像信号とを比較し、試料の特定部
分の像のずれの量を求めることにより、試料の特定部分
の質量分析を行ったり、また、イオンビームの照射に基
づいて発生した２次イオンを検出し、イオンビームの照
射時点から２次イオンの検出までの時間に基づいて該試
料の特定部分の質量分析を行ったり、更に、イオンビー
ムの照射に基づいて発生した２次電子と２次イオンを検
出し、この２次電子の検出時と２次イオンの検出時との
間の時間に基づいて該試料の特定部分の質量分析を行う
ようにした。その結果、簡単な構成で精度良く質量分析
を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の複合荷電粒子ビーム装置を示す図であ
る。

【図２】各イオンの試料から２次イオン検出器までの到
達時間を示す図である。

【図３】本発明の一実施例を実施するためのイオンビー
ム装置の一例を示す図である。

【図４】ＴＶレート画像を示す図である。

【図５】２次電子像と２次イオン像中のボロンとアルミ
ニウムの領域の表示位置を示す図である。

【図６】本発明の他の実施例を実施するためのイオンビ
ーム装置の一例を示す図である。

【図７】本発明の他の実施例における信号波形図であ
る。

【図８】本発明の他の実施例における元素分析のための
信号波形図である。

【符号の説明】

２５イオン銃２６コンデンサレンズ２７ラリ２８試料２９ブランキング電極３０偏向電極３１非点補正電極３２２次電子検出器３３２次イオン検出器３４，３７増幅器３５，３８ＡＤ変換器３６，３９フレームメモリー４０，４２ＤＡ変換器４１，４３陰極線管４４走査信号発生回路４５コンピュータ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】イオン銃と、イオン銃からのイオンビー
ムを試料上に細く集束するためのイオンビーム集束手段
と、イオンビームを試料上で走査するためのイオンビー
ム走査手段と、試料へのイオンビームの照射に基づいて
発生した２次電子を検出する２次電子検出器と、試料へ
のイオンビームの照射に基づいて発生した２次イオンを
検出する２次イオン検出器とを備えた集束イオンビーム
装置において、イオンビームによる試料の特定領域の走
査に基づいて２次電子検出器から得られた第１の映像信
号と、２次イオン検出器から得られた第２の映像信号と
を比較し、試料の特定部分の像のずれの量を求めること
により、試料の特定部分の質量分析を行うようにした集
束イオンビーム装置における質量分析方法。
【請求項２】イオン銃と、イオン銃からのイオンビー
ムを試料上に細く集束するためのイオンビーム集束手段
と、イオンビームを試料上で走査するためのイオンビー
ム走査手段と、試料へのイオンビームの照射に基づいて
発生した２次イオンを検出する２次イオン検出器とを備
えた集束イオンビーム装置において、試料の特定領域に
短時間イオンビームを照射し、このイオンビームの照射
に基づいて発生した２次イオンを検出し、イオンビーム
の照射時点から２次イオンの検出までの時間に基づいて
該試料の特定部分の質量分析を行うようにした集束イオ
ンビーム装置における質量分析方法。
【請求項３】イオン銃と、イオン銃からのイオンビー
ムを試料上に細く集束するためのイオンビーム集束手段
と、イオンビームを試料上で走査するためのイオンビー
ム走査手段と、試料へのイオンビームの照射に基づいて
発生した２次電子を検出する２次電子検出器と、試料へ
のイオンビームの照射に基づいて発生した２次イオンを
検出する２次イオン検出器とを備えた集束イオンビーム
装置において、試料の特定領域に短時間イオンビームを
照射し、このイオンビームの照射に基づいて発生した２
次電子と２次イオンを検出し、この２次電子の検出時と
２次イオンの検出時との間の時間に基づいて該試料の特
定部分の質量分析を行うようにした集束イオンビーム装
置における質量分析方法。