DE102015203847B4 - Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung - Google Patents

Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102015203847B4
DE102015203847B4 DE102015203847.5A DE102015203847A DE102015203847B4 DE 102015203847 B4 DE102015203847 B4 DE 102015203847B4 DE 102015203847 A DE102015203847 A DE 102015203847A DE 102015203847 B4 DE102015203847 B4 DE 102015203847B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
mass spectrometer
sample
laser light
laser
drive system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102015203847.5A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102015203847A1 (de
Inventor
c/o IP Div. Toshiba Corp. Yorisaki Toma
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Publication of DE102015203847A1 publication Critical patent/DE102015203847A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102015203847B4 publication Critical patent/DE102015203847B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/02Details
    • H01J49/10Ion sources; Ion guns
    • H01J49/16Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field-, thermionic- or photo-emission
    • H01J49/161Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field-, thermionic- or photo-emission using photoionisation, e.g. by laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/02Details
    • H01J49/04Arrangements for introducing or extracting samples to be analysed, e.g. vacuum locks; Arrangements for external adjustment of electron- or ion-optical components
    • H01J49/0459Arrangements for introducing or extracting samples to be analysed, e.g. vacuum locks; Arrangements for external adjustment of electron- or ion-optical components for solid samples
    • H01J49/0463Desorption by laser or particle beam, followed by ionisation as a separate step
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/02Details
    • H01J49/04Arrangements for introducing or extracting samples to be analysed, e.g. vacuum locks; Arrangements for external adjustment of electron- or ion-optical components
    • H01J49/0409Sample holders or containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/02Details
    • H01J49/04Arrangements for introducing or extracting samples to be analysed, e.g. vacuum locks; Arrangements for external adjustment of electron- or ion-optical components
    • H01J49/0468Arrangements for introducing or extracting samples to be analysed, e.g. vacuum locks; Arrangements for external adjustment of electron- or ion-optical components with means for heating or cooling the sample
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/02Details
    • H01J49/04Arrangements for introducing or extracting samples to be analysed, e.g. vacuum locks; Arrangements for external adjustment of electron- or ion-optical components
    • H01J49/0468Arrangements for introducing or extracting samples to be analysed, e.g. vacuum locks; Arrangements for external adjustment of electron- or ion-optical components with means for heating or cooling the sample
    • H01J49/0486Arrangements for introducing or extracting samples to be analysed, e.g. vacuum locks; Arrangements for external adjustment of electron- or ion-optical components with means for heating or cooling the sample with means for monitoring the sample temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/02Details
    • H01J49/06Electron- or ion-optical arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/02Details
    • H01J49/10Ion sources; Ion guns
    • H01J49/16Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field-, thermionic- or photo-emission
    • H01J49/161Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field-, thermionic- or photo-emission using photoionisation, e.g. by laser
    • H01J49/162Direct photo-ionisation, e.g. single photon or multi-photon ionisation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Abstract

Eine Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung (10), umfassend: einen Probentisch (20), welcher eine Probe (W), welche ein Massenspektrometer-Ziel ist, hält und eine Temperatursteuereinrichtung (21) für die Probe (W) umfasst; eine Ionenstrahl-Bestrahlungsvorrichtung (30), welche einen Ionenstrahl (P) auf die durch den Probentisch gehaltene Probe (W) zum Erzeugen von neutralen Teilchen strahlt; eine Laserbestrahlungsvorrichtung (40), welche die neutralen Teilchen mit Laserlicht (G) zum Erhalten von photo-erregten Ionen bestrahlt; eine Zugelektrode (51), welche die photo-erregten Ionen herauszieht; ein Massenspektrometer (50), welches die herausgezogenen photo-erregten Ionen einzieht und eine Massenanalyse ausführt; einen Antriebssystem-Spiegel (62), welcher so vorgesehen ist, dass er in einen Laserlichtpfad zwischen der Laserbestrahlungsvorrichtung (40) und dem Probentisch (20) hinein oder aus diesem heraus bewegt werden kann, und das Laserlicht (G) reflektiert, wenn der Antriebssystem-Spiegel (62) in dem Laserlichtpfad positioniert ist; und einen Profiler (60), welcher in einer reflektierenden Richtung des Antriebssystem-Spiegels (62) angeordnet ist und ein Merkmal des Laserlichts (G) erkennt.

Description

  • GEBIET
  • Die Ausführungsform der vorliegenden Erfindung betrifft eine Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung.
  • HINTERGRUND
  • In den vergangenen Jahren wurde eine Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung entwickelt, welche eine Vorrichtung für einen fokussierten Ionenstrahl und eine Vorrichtung für eine Laseroszillation verwendet. In dieser Vorrichtung wird ein in einer Spalte innerhalb einer Ionenstrahl-Vorrichtung erzeugter Ionenstrahl auf einen bestimmten Bereich einer Probe zum Durchführen von Sputtern gestrahlt. Ein Laser wird auf neutrale Teilchen, welche in der obigen Weise gesputtert wurden, gestrahlt und gemäß einer Ionenstrahlabtastung erzeugte neutrale Teilchen werden durch ein Massenspektrometer zum Erhalten eines Abtastbilds gemäß einer Masse getrennt/erkannt (siehe zum Beispiel Patentdokumente 1 und 2).
    • Patentdokument 1: Japanische Patentanmeldung, Veröffentlichungsnummer 07-161331 ( JPH07161331 A )
    • Patentdokument 2: Japanische Patentanmeldung, Veröffentlichungsnummer 10-132789 ( JPH10132789 A )
  • In von einer Vorrichtung für einen fokussierten Ionenstrahl bereitgestellten Laser-SNMS-Messungen ist ein Strahldurchmesser eines primären Ionenstrahls wenige 10 Nanometer (nm) klein, und ist daher anfällig für eine Verunreinigung durch Wasser, Sauerstoff, Kohlenwasserstoff, etc., welche auf der Oberfläche einer Messprobe verteilt sind, wenn dies mit einer sekundären Ionen-Massenspektrometer-Vorrichtung verglichen wird. Daher würden sich selbst innerhalb ein und derselben Probe die Quantifizierungsergebnisse eines erkannten Elements in Abhängigkeit davon unterscheiden, worauf der primäre Ionenstrahl gestrahlt wird. Daher wäre es schwierig, eine Reproduzierbarkeit mit einer hohen Genauigkeit aufrecht zu erhalten.
  • Da der primäre Ionenstrahldurchmesser in den oben genannten Laser-SNMS-Messungen klein ist, wird die Ionisierungsrate der neutralen Teilchen in einer Postionisierung leicht dadurch beeinflusst, worauf der Laser gestrahlt wird. Da sich der Ionisierungsquerschnitt in Abhängigkeit von dem Element unterscheiden würde, ist es notwendig, die Position des Laser-Kondensierungspunkts genau festzustellen und zu steuern, wenn eine Messung ausgeführt wird. Allerdings war es, da die Position des Laser-Kondensierungspunkts durch den Signalbetrag der durch das Massenspektrometer erkannten Ionen gesteuert wird, unmöglich, Faktoren wie beispielsweise eine Primärionenstrahlbestrahlung, Laserbestrahlung und Einzugstiming-Bedingungen eines sekundären Ions zu trennen und Laserbestrahlung-Bedingungen zwischen den Messproben zu vereinheitlichen. Daher war es schwierig, die Quantitativität von Messungen aufrecht zu erhalten.
  • In den vergangenen Jahren wurde bei Messungen mittels eines Flugzeit-Sekundärionen-Massenspektrometers (Time to Fly Secondary Ion Mass Spectrometer-TOF-SIMS), bei welchem fokussierte Ionenstrahlen (Focused Ion Beams-FIB) die primären Ionenstrahlen sind, und einer Laser-SNMS-Vorrichtung, eine Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung, welche eine Quantitativität von Messungen durch Vereinheitlichen von Laserbestrahlung-Bedingungen zwischen Messproben aufrecht erhält, was in einer hohen Sensitivität und einer hohen Reproduzierbarkeit resultiert, benötigt.
  • KURZBESCHREIBUNG DER FIGUREN
  • 1 ist ein schematisches Diagramm, welches eine Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform zeigt.
  • 2 ist ein Diagramm, welches Vorbereitungsvorgänge vor einer Messung an der Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung zeigt.
  • 3 ist ein Diagramm, welches das Ergebnis eines Ausführens einer Laser-SNMS-Messung an einem Si-Trägermaterial in der Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung zeigt.
  • DETAILBESCHREIBUNG
  • Eine Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform umfasst einen Probentisch, welcher eine Probe, welche ein Massenspektrometer-Ziel ist, hält und eine Temperatursteuereinrichtung für die Probe umfasst, einen Ionenstrahl, welcher auf die durch den Probentisch gehaltene Probe zum Erzeugen von neutralen Teilchen gestrahlt wird, eine Laserbestrahlungsvorrichtung, welche die neutralen Teilchen mit einem Laser zum Erhalten von photo-erregten Ionen bestrahlt, eine Zugelektrode, welche die photo-erregten Ionen herauszieht, ein Massenspektrometer, welches die herausgezogenen photo-erregten Ionen einzieht und eine Massenanalyse ausführt, einen Antriebssystem-Spiegel, welcher einziehbar in einem Laserlichtpfad zwischen der Laserbestrahlungsvorrichtung und dem Probentisch vorgesehen ist und den Laser reflektiert, wenn dieser in dem Laserlichtpfad positioniert ist, und einen Profiler, welcher in einer reflektierenden Richtung des Antriebssystem-Spiegels angeordnet ist und ein Merkmal des Lasers erkennt.
  • 1 ist ein schematisches Diagramm, welches eine Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung 10 gemäß einer ersten Ausführungsform zeigt, 2 ist ein Diagramm, welches Vorbereitungsabläufe vor einer Messung an der Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung 10 zeigt, und 3 ist ein Diagramm, welches das Ergebnis eines Ausführens einer Laser-SNMS-Messung an einem Silizium-Trägermaterial in der Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung 10 zeigt.
  • Die Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung 10 umfasst einen Probentisch 20, welcher innerhalb einer Vakuumkammer etc. untergebracht ist und eine Probe W, welche ein Analyseobjekt ist, hält, eine Ionenstrahl-Bestrahlungsvorrichtung 30, welche oberhalb des Probentisches 20 angeordnet ist und einen Ionenstrahl P auf die Probe W zum Erzeugen von neutralen Teilchen strahlt, eine Laserbestrahlungsvorrichtung 40, welche einen Laser G in einen Raum Q, direkt oberhalb des Probentischs 20, strahlt, eine Massenspektrometer-Vorrichtung 50, welche in der Nähe des Raums Q angeordnet ist und die neutralen Teilchen zum Ausführen einer Massenanalyse einzieht, und eine Profilvorrichtung 60, welche oberhalb des Probentisches 20 vorgesehen ist.
  • Eine Temperatursteuereinrichtung 21 ist an dem Probentisch 20 zum Einstellen der Temperatur der Probe W angebracht. Die Temperatursteuereinrichtung 21 ist mit einem erhitzenden Heizelement 22 und einem kühlenden Reservoir 23 verbunden. Die Temperatur wird gesteuert durch Zuführen von Energie zu dem erhitzenden Heizelement 22, wenn geheizt wird, und Zuführen einer Kühlflüssigkeit (zum Beispiel flüssiger Stickstoff) zu dem Kühlreservoir 23, wenn gekühlt wird.
  • Die Ionenstrahl-Bestrahlungsvorrichtung 30 umfasst eine Ionenstrahl-Erzeugungsvorrichtung 31, welche primäre Ionenstrahlen P erzeugt, und eine elektrostatische Linse 32, welche die primären Ionenstrahlen P zusammenführt.
  • Die Laserbestrahlungsvorrichtung 40 umfasst eine Pulslaser-Erzeugungseinheit 41 und eine Linse 42, welche einen von dieser Pulslaser-Erzeugungseinheit 41 erzeugten Laser G kondensiert. Die neutralen Teilchen, welche mit dem Laser G bestrahlt werden, werden ionisiert und werden photo-erregte Ionen.
  • Die Massenspektrometer-Vorrichtung 50 umfasst eine Auszugselektrode 51, an welche eine Spannung angelegt wird und welche die photo-erregten Ionen heraus zieht, eine Massentrenneinheit 52, welche ein magnetisches Feld oder ein elektrisches Feld zum Ausführen einer Massentrennung an den herausgezogenen photo-erregten Ionen verwendet, eine Ionenerkennungseinheit 53, welche die Masse von getrennten photo-erregten Ionen erkennt und diese elektrisch pulsiert, und eine Pulszähleinheit 54, welche elektrische Pulse zählt.
  • Die Profilvorrichtung 60 umfasst eine Haltevorrichtung 61, welche entfernbar in einem Laserlichtpfad zwischen der Linse 42 und dem Probentisch 20 vorgesehen ist, einen Antriebssystem-Spiegel 62, welcher an dieser Haltevorrichtung 61 vorgesehen ist und den von der Linsen 42-Seite erhaltenen Laser G reflektiert, wenn dieser in dem Laserlichtpfad positioniert ist, und einen Profiler 63, welcher ein CCD etc. umfasst, welches das reflektierte Licht des Lasers G von dem Antriebssystem-Spiegel 62 misst. Der Abstand zwischen dem Antriebssystem-Spiegel 62 und dem Profiler 63 ist gleich dem Abstand zwischen dem Antriebssystem-Spiegel 62 zu dem Zentrum des Probentisches 20 eingestellt.
  • Die in der obigen Weise konfigurierte Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung 10 führt eine Einstelloperation und eine Massenanalyse aus. Wie in 2 gezeigt, umfasst die Einstelloperation ein Einstellen der primären Ionenstrahlen P vor einer Messung (ST1) und Einstellen der Messposition (ST2). Nachfolgend wird das erhitzende Heizelement 22 des Probentisches 20 zum Feststellen des Zustands der Oberfläche der Probe W und zum Ausführen einer Reinigung betrieben. Das durch Aufheizen des Messbereichs durch das Heizelement 22 abgelöste Probenoberflächen-Haftmolekül wird durch den Laser G ionisiert, dann dessen Masse analysiert, um den Zustand der Proben W-Oberfläche festzustellen. 3 ist ein Diagramm, welches das Ergebnis eines Ausführens einer Laser-SNMS-Messung an einem Silizium-Trägermaterial in der Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung 10 zeigt. Das Messergebnis mittels eines normalen Messverfahrens wird als Si dargestellt und die durch Stoppen der Ionenstrahlen in diesem Messverfahren ausgeführte Messung wird als Ionenstrahl-Aus dargestellt. In dem Zustand Ionenstrahl-Aus wurden H2O, C, CO N2 etc. erkannt, was Restgase innerhalb der Vakuumkammer sind. Nachfolgend wird durch Steuern der Temperatur der Probe W die Messbedingung vereinheitlicht (ST3). Die Probe W wird mittels eines erhitzenden Heizelements 22 in der oben genannten Weise erhitzt. Allerdings wird, um die Temperatur zu erniedrigen, eine Kühlflüssigkeit in das kühlende Reservoir 23 eingeleitet.
  • Nachfolgend wird der Antriebssystem-Spiegel 62 mittels der Haltevorrichtung 61 eingestellt, der Laser G wird reflektiert und der Profiler 63 wird zum Feststellen der Position eines Kondensierungspunkts des Lasers G und der Intensitätsverteilung des Lasers dreidimensional in einer Koordinate installiert. Dies wird es erlauben den Kondensierungspunkt des Lasers G mit Bezug zu der Bestrahlungsposition der primären Ionenstrahlen P mit hoher Genauigkeit einzustellen (ST4). Die obige Operation wird die Genauigkeit einer Massenanalyse und eine Reproduzierbarkeit verbessern. Wenn die Einstelloperation abgeschlossen ist, wird eine Messung ausgeführt (ST5).
  • Mit anderen Worten werden die primären Ionenstrahlen P von der Ionenstrahl-Erzeugungsvorrichtung 31 erzeugt. Nachdem die primären Ionenstrahlen P mittels der elektrostatischen Linse 32 zusammengeführt sind, kollidieren diese mit der Oberfläche der Probe W. Diese Kollision wird veranlassen, dass die neutralen Teilchen von der Oberfläche der Probe W abgesondert werden und in dem Raum direkt oberhalb des Probentisches 20 schweben. Unterdessen wird der von der Pulslaser-Erzeugungseinheit 41 erzeugte Laser G durch die Linse 42 kondensiert und auf die neutralen Teilchen gestrahlt. Die neutralen Teilchen werden in der Nähe des Brennpunkts des Lasers G ionisiert und werden photo-erregte Ionen. Die photo-erregten Ionen werden durch die Auszugselektrode 51, an welche Spannung angelegt wird, herausgezogen und werden durch die Massentrenneinheit 52 der Masse nach getrennt. Weiter werden die photo-erregten Ionen durch die Ionenerkennungseinheit 53 erkannt und elektrisch pulsiert. Dieser elektrische Puls wird durch die Pulszähleinheit 54 zum Analysieren der Probe W gezählt.
  • Nachdem die Analyse von einer bis zu einer Vielzahl von Proben W abgeschlossen ist, wird, um eine Quantifizierung der Messung aufrecht zu erhalten, wodurch eine hohe Sensitivität und Reproduzierbarkeit gesteigert wird, der oben erwähnte Ablauf aus ST4 ausgeführt und die Laserbestrahlungsvorrichtung 40 wird eingestellt.
  • In der in der obigen Weise konfigurierten Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird die Profilvorrichtung 60 zum Einstellen des Kondensierungspunkts des Lasers G mit hoher Genauigkeit zum Aufrechterhalten einer Quantitativität der Messung verwendet, wodurch eine hohe Sensitivität und eine hohe Reproduzierbarkeit ermöglicht werden.

Claims (3)

  1. Eine Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung (10), umfassend: einen Probentisch (20), welcher eine Probe (W), welche ein Massenspektrometer-Ziel ist, hält und eine Temperatursteuereinrichtung (21) für die Probe (W) umfasst; eine Ionenstrahl-Bestrahlungsvorrichtung (30), welche einen Ionenstrahl (P) auf die durch den Probentisch gehaltene Probe (W) zum Erzeugen von neutralen Teilchen strahlt; eine Laserbestrahlungsvorrichtung (40), welche die neutralen Teilchen mit Laserlicht (G) zum Erhalten von photo-erregten Ionen bestrahlt; eine Zugelektrode (51), welche die photo-erregten Ionen herauszieht; ein Massenspektrometer (50), welches die herausgezogenen photo-erregten Ionen einzieht und eine Massenanalyse ausführt; einen Antriebssystem-Spiegel (62), welcher so vorgesehen ist, dass er in einen Laserlichtpfad zwischen der Laserbestrahlungsvorrichtung (40) und dem Probentisch (20) hinein oder aus diesem heraus bewegt werden kann, und das Laserlicht (G) reflektiert, wenn der Antriebssystem-Spiegel (62) in dem Laserlichtpfad positioniert ist; und einen Profiler (60), welcher in einer reflektierenden Richtung des Antriebssystem-Spiegels (62) angeordnet ist und ein Merkmal des Laserlichts (G) erkennt.
  2. Die Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung (10) gemäß Anspruch 1, wobei die Temperatursteuereinrichtung (21) ein erhitzendes Heizelement (22) und ein kühlendes Reservoir (23) umfasst und die Temperatur durch Zuführen von Energie an das erhitzende Heizelement (22) oder durch Zuführen einer Kühlflüssigkeit zu dem kühlenden Reservoir (23) steuert.
  3. Die Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der Abstand zwischen dem Antriebssystem-Spiegel (62) und dem Profiler (60) gleich dem Abstand zwischen dem Antriebssystem-Spiegel (62) und dem Zentrum des Probentischs (20) ist.
DE102015203847.5A 2014-03-18 2015-03-04 Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung Active DE102015203847B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-054601 2014-03-18
JP2014054601A JP6180974B2 (ja) 2014-03-18 2014-03-18 スパッタ中性粒子質量分析装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102015203847A1 DE102015203847A1 (de) 2015-09-24
DE102015203847B4 true DE102015203847B4 (de) 2017-08-31

Family

ID=54053828

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102015203847.5A Active DE102015203847B4 (de) 2014-03-18 2015-03-04 Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9299552B2 (de)
JP (1) JP6180974B2 (de)
DE (1) DE102015203847B4 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6523890B2 (ja) 2015-09-11 2019-06-05 東芝メモリ株式会社 質量分析装置
JP6815961B2 (ja) 2017-09-19 2021-01-20 キオクシア株式会社 質量分析装置および質量分析方法
CN109243966B (zh) * 2018-09-11 2023-09-15 南京信息工程大学 探测电子、离子和中性自由基的三极速度成像仪
WO2021229772A1 (ja) * 2020-05-14 2021-11-18 株式会社島津製作所 質量分析方法及び質量分析装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD294345A5 (de) * 1990-05-10 1991-09-26 Zentralinstitut Fuer Kernforschung,De Verfahren zur ionisation der neutralteilchen in der sekundaerneutralteilchen-massenspektroskopie
JPH05251035A (ja) * 1991-11-13 1993-09-28 Sanyo Electric Co Ltd スパッタ中性粒子質量分析装置
JPH07161331A (ja) * 1993-12-08 1995-06-23 Jeol Ltd 集束イオンビーム装置における質量分析方法
JPH10132789A (ja) * 1996-10-29 1998-05-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> レ−ザ−イオン化中性粒子質量分析法
DE69127989T2 (de) * 1990-04-09 1998-06-18 Nippon Telegraph & Telephone Massenspektrometer für neutrale gesputterte Atome, die mit Laser ionisiert sind

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05307906A (ja) 1992-04-28 1993-11-19 Hitachi Lighting Ltd 環形蛍光灯器具
JPH07130327A (ja) * 1993-10-29 1995-05-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> レーザイオン化中性粒子質量分析装置およびレーザイオン化中性粒子質量分析方法
JPH1114571A (ja) * 1997-06-24 1999-01-22 Hitachi Ltd 光イオン化質量分析装置
US8003934B2 (en) * 2004-02-23 2011-08-23 Andreas Hieke Methods and apparatus for ion sources, ion control and ion measurement for macromolecules
US10202684B2 (en) * 2010-08-23 2019-02-12 Exogenesis Corporation Method for neutral beam processing based on gas cluster ion beam technology and articles produced thereby
JP5854781B2 (ja) * 2011-01-14 2016-02-09 キヤノン株式会社 質量分析方法および装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69127989T2 (de) * 1990-04-09 1998-06-18 Nippon Telegraph & Telephone Massenspektrometer für neutrale gesputterte Atome, die mit Laser ionisiert sind
DD294345A5 (de) * 1990-05-10 1991-09-26 Zentralinstitut Fuer Kernforschung,De Verfahren zur ionisation der neutralteilchen in der sekundaerneutralteilchen-massenspektroskopie
JPH05251035A (ja) * 1991-11-13 1993-09-28 Sanyo Electric Co Ltd スパッタ中性粒子質量分析装置
JPH07161331A (ja) * 1993-12-08 1995-06-23 Jeol Ltd 集束イオンビーム装置における質量分析方法
JPH10132789A (ja) * 1996-10-29 1998-05-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> レ−ザ−イオン化中性粒子質量分析法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6180974B2 (ja) 2017-08-16
US20150270112A1 (en) 2015-09-24
DE102015203847A1 (de) 2015-09-24
US9299552B2 (en) 2016-03-29
JP2015176848A (ja) 2015-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102015203847B4 (de) Neutral-Teilchen-Sputter-Massenspektrometer-Vorrichtung
DE60036376T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur sekundärionenausbeuteerhöhung
EP2446246B1 (de) Vorrichtung und verfahren zur selektion von partikeln
EP1299897B1 (de) Detektor für variierende druckbereiche und elektronenmikroskop mit einem entsprechenden detektor
DE1198465B (de) Ionenquelle fuer feste Substanzen
DE102011112649B4 (de) Laserspotsteuerung in MALDI-Massenspektrometern
DE112015002966T5 (de) Vorbereitung des inspektionsortes
DE112014004151B4 (de) Verfahren zur Korrektur der Neigung eines Strahls geladener Teilchen und mit einem Strahl geladener Teilchen arbeitende Vorrichtung
DE102014220122B9 (de) Verfahren zum Messen eines Abstands eines Bauteils zu einem Objekt sowie zum Einstellen einer Position eines Bauteils in einem Teilchenstrahlgerät, Computerprogrammprodukt, Teilchenstrahlgerät sowie Gaszuführungseinrichtung
WO2018069308A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur bestimmung und zur regelung einer fokusposition eines bearbeitungsstrahls
DE2141387A1 (de) Verfahren zur auf mikrobereiche beschraenkten verdampfung, zerstoerung, anregung und/oder ionisierung von probenmaterial sowie anordnung zur durchfuehrung des verfahrens
DE102008001812A1 (de) Positioniereinrichtung für ein Teilchenstrahlgerät
DE102015104066A1 (de) Röntgenstrahlanalysator
DE102014001653A1 (de) Laserionenquelle und Schwerteilchenstrahl-Therapiegerät
DE102008032532B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum präparierenden Lasermaterialabtrag
DE102013010200A1 (de) Verfahren zum Auffinden der optimalen Fokuslage zum Laser-Abtragen und -Schneiden mit minimaler Schnittbreite und guter Kantenqualität
DE102019217080B4 (de) Elektronenstrahlvorrichtung
DE102018131609B3 (de) Partikelstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben eines Partikelstrahlsystems
DE102017004504A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Erfassen von elektrisch geladenen Teilchen eines Teilchenstroms sowie System zur Analyse von ionisierten Komponenten eines Analyten
DE102016112328B3 (de) Ionenmikroskopievorrichtung
DE102010012580A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur zeitaufgelösten Durchflusszytometrie
WO2001055700A1 (de) Vorrichtung zur analyse von in tröpfchenförmigen flüssigkeitsproben enthaltenen elementen
DE112018000062T5 (de) Energiestrahl-eingang zu atomsonden-proben aus verschiedenen winkeln
DE102019125170B4 (de) Detektorsystem für geladene Aerosole, entsprechendes Verfahren und Verwendung
DE102009026883A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur ortsaufgelösten Aufklärung von Korrosionsmechanismen an Werkstücken

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final