JPH07161323A - イオン源 - Google Patents
イオン源Info
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- JPH07161323A JPH07161323A JP5306816A JP30681693A JPH07161323A JP H07161323 A JPH07161323 A JP H07161323A JP 5306816 A JP5306816 A JP 5306816A JP 30681693 A JP30681693 A JP 30681693A JP H07161323 A JPH07161323 A JP H07161323A
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Abstract
されたプラズマの電子を、第2放電室8での電離に利用
する。このとき、第1放電室7で得られたプラズマ電子
は、磁極5・5による磁界とアノード12による電界と
の作用を受けて旋回しながら中間電極6とリペラー電極
16との間を往復飛行して閉じ込められる。これによ
り、電離効率が高まり、イオンの収率が向上して多価イ
オンもより多く得られる。また、磁極5・5を真空チャ
ンバ1内に貫通させて磁極5・5の間隔を短くすること
により、磁極5・5を含む磁場発生器を大型化すること
なく強磁場を発生させる。強磁場の環境が与えられるこ
とで、高アーク放電を維持して多価イオンの発生を促
す。 【効果】 コンパクトでかつ多価イオンの収率を高めた
イオン源を提供することができる。
Description
ン注入装置に用いられ、多価イオンをより多く生成する
ようにしたイオン源に関するものである。
ン注入対象物の浅い位置のみならずかなり深い位置に不
純物を注入する要求も高まっており、これに応じて高エ
ネルギーイオン注入装置の開発が進められている。高エ
ネルギーイオン注入装置における加速器としては、高周
波型や静電型などがある。
った高電圧の印加が必要となるため、加速電源などが大
型にならざるを得ず、加速器の大型化、ひいてはイオン
注入装置の大型化や高価格化を招くという問題点を有し
ている。このため、電源等の装置を大型化せずに、高エ
ネルギーイオン注入装置を構成することが望まれてい
る。
ンを利用することが考えられる。イオン価数が多くなれ
ば、それに応じて加速エネルギーが小さくてすむ。例え
ば、加速エネルギーは、2価のイオンであれば1価イオ
ンの1/2でよく、3価のイオンであれば1価イオンの
1/3でよい。換言すれば、多価イオンを静電加速する
ことにより、1価イオンに対し、その価数倍のエネルギ
ーを有するイオンビームを得ることができる。
は、イオン源で発生する多価イオンを利用することが考
えられる。例えば、フリーマンイオン源では、P++やA
s++をP+ やAs+ に対して比較的高率(〜10%)で
発生させることができる。しかしながら、P+++ やB++
は、P+ やB+ に対して1〜2%の収率でしか得ること
ができない。
のであって、多価イオンを高収率で得ることができる小
型のイオン源を提供することを目的としている。
記の課題を解決するために、気体放電を生じさせてプラ
ズマを生成する第1放電室および第2放電室と、上記第
1放電室内に設けられて電子を放出するフィラメント
(陰極)と、上記第1放電室と上記第2放電室との間に
設けられ、上記両放電室を連通させる開口部を有すると
ともに、上記フィラメントより高電位に保たれる中間電
極と、上記第2放電室に設けられて上記フィラメントお
よび中間電極より高電位に保たれる陽極と、上記第2放
電室において上記陰極および中間電極の開口部と対向し
て設けられ、上記中間電極と同電位に保たれる反射電極
と、上記両放電室を収容して内部が真空に保たれる真空
容器と、上記真空容器を貫通するとともに上記両放電室
に対し上記陰極および反射電極を通過する方向に沿って
磁場を与える1対の磁極とを備えていることを特徴とし
ている。
電位差により気体放電(アーク放電)が生じ、第1放電
室内のガスがプラズマ状態に変化する。このプラズマ中
の電子は、中間電極の開口部から第2放電室に導かれ
る。第2放電室では、中間電極と陽極との電位差により
プラズマ電子にエネルギーが与えられ、このプラズマ電
子が電離に利用される。
設けられているので、電子は、中間電極と同電位に保た
れている反射電極と中間電極との間で往復移動しながら
磁極により与えられた磁場により旋回運動する。このよ
うな運動により、第2放電室における電子の実効飛行距
離が長くなり、電子の閉じ込めが強められる。それゆ
え、この電子が電離に利用されると、電離が促されて多
くの多価イオンが発生する。
には、放電電圧を高めることが必要になる。しかしなが
ら、第1および第2放電室に与える磁場を強めなけれ
ば、放電電圧を高電圧に維持することが困難になる。こ
れに対し、上記の構成では、磁極が真空容器内に貫通し
て設けられているので、磁極同士の距離を真空容器に制
限されずに短くすることができ、磁極を含めた大きな磁
場発生器を用いることなく強磁場の発生が容易になる。
基づいて説明すれば、以下の通りである。
4に示すように、真空容器としての真空チャンバ1を備
えている。この真空チャンバ1内には、アークチャンバ
2と、引出電極や接地電極等からなる引出電極系3と、
磁極5・5とが設けられている。アークチャンバ2は、
図示しないが、真空チャンバ1に対し絶縁して支持され
ている。また、アークチャンバ2と引出電極系3との間
には、引出電圧が印加されている。
引出電極系3が取り付けられている。そしてこの引出電
極系3よりやや奥にアークチャンバ2が配されている。
アークチャンバ2は、引出電極系3側の側面に引出スリ
ット4を有している。この引出スリット4は、イオンを
引き出すための開口であり、長方形状をなして内側から
外側にかけて広がるように形成されている。したがっ
て、この引出スリット4から引き出されたイオンは、引
出電極系3により図中の矢印I方向に引き出される。
出して形成された隔壁を貫通し、かつ、その先端が真空
チャンバ1内においてアークチャンバ2に近接するよう
に固定されている。磁極5・5は、図示しないコイルが
巻回されており、アークチャンバ2内の磁界強度が30
0〜1500Gとなるように、図中の矢印B方向の磁界
をアークチャンバ2に印加するようになっている。
ンバ2は、中間電極6により隔てられる第1放電室7と
第2放電室8とを有している。中間電極6は、中央部が
第2放電室8側に迫り出してノズル状に形成されたノズ
ル口6aを有している。また、この中間電極6は、duoP
IGatron 構成における中間電極のような磁極にはなって
おらず、非磁性材料により構成されている。これは、ア
ークチャンバ2内の温度が1000℃以上になることか
ら、磁場コイルをアークチャンバ2に巻き付けることが
困難であるし、中間電極6を磁性材料で構成するとキュ
リー点以上に熱せられて磁性を失うので磁極としての機
能が損なわれるからである。
られている。陰極としてのフィラメント9は、アークチ
ャンバ2の両側壁を貫通して取り付けられているブッシ
ング10・10により第1放電室7内に引き入れられて
おり、中央部で一重または数重に巻かれている。また、
ブッシング10・10が設けられた側壁に隣接する側壁
の一方には、第1放電室7へガスを導入するガス導入口
11が貫通して設けられている。
極)12により構成されており、このアノード12に前
記の引出スリット4が設けられている。アノード12と
中間電極6との間には、絶縁部材13が介装されてい
る。また、第2放電室8において、中間電極6に対向す
る位置にある絶縁材料からなる側壁14には、同じく絶
縁材料からなる取付部材15により、リペラー電極(反
射電極)16が取り付けられている。リペラー電極16
は、中間電極6と対向する面が大きく平坦に形成されて
いる。
ラメント9の中央部および中間電極6のノズル口6a
は、磁界の方向と平行な一直線上に並ぶように配されて
いる。また、フィラメント9およびノズル口6aは、引
出スリット4寄りに設けられている。
源17に接続されており、このフィラメント電源17に
より加熱電流が供給されるようになっている。また、フ
ィラメント9におけるフィラメント電源17の正極が接
続される一端とアノード12との間にはアーク電源18
が接続されており、アノード12がフィラメント9より
高い電位となるように設定されている。さらに、アーク
電源18の正極側が、抵抗19を介して中間電極6およ
びリペラー電極16に接続されている。これにより、中
間電極6とリペラー電極16とが同電位となるととも
に、両電極6・16がフィラメント9より高電位かつア
ノード12より低電位となるように設定されている。
は、ガス導入口11からアークチャンバ2内にガスが導
入されて、第1放電室7にガスが満たされる。この状態
で、フィラメント9は、フィラメント電源17から加熱
電流が供給されることによって発熱して熱電子を第1放
電室7に放出する。これにより、アーク放電が起こり、
第1放電室7において、ガスのガス粒子と熱電子とが衝
突して不純物イオンや電子からなるプラズマが形成され
る。そして、このプラズマ中の電子は、中間電極6に引
き寄せられ、中間電極6のノズル口6aで絞られて第2
放電室8に導かれる。上記の放電が生じると、フィラメ
ント9と中間電極6との間には、アーク電源18の電圧
から抵抗19の両端に生じる電圧を差し引いた電圧が第
1次放電電圧として印加され、通常この第1次放電電圧
は20V〜150Vである。
12との間に、アーク電源18により第2次放電電圧と
して通常100V〜500Vの電圧が印加され、この電
圧は上記の抵抗19の両端に生じた電圧である。この状
態においては、第1放電室7からのプラズマ電子により
電離が促されてプラズマが生成される。このとき、プラ
ズマ電子は、プラズマ軸方向に印加されている磁極5・
5による磁界と、これと直交するアノード12による電
界との作用を受けて、旋回しながら中間電極6とリペラ
ー電極16との間を往復飛行する。
ズマ電子を磁界と電界とによって閉じ込めることで、電
離効率が高まり、イオンの収率が向上する。また、磁極
5・5を真空チャンバ1内に貫通させて磁極5・5の間
隔(ポールギャップ)を短くすることにより、磁極5・
5を含む磁場発生器を大型化することなく強磁場を発生
することができる。
とで、第2次放電電圧を高めてもアーク放電を維持する
ことができる。このようにして高アーク電圧で放電を行
なえば、多価イオンの発生が促される。本実施例によれ
ば、P+++ やB++は、P+ やB+ に対して最大数10%
までの高率で得られる。
放電が行なわれるが、第1放電室7では低アーク電圧に
より放電が行なわれるので、フィラメント9が電子によ
りスパッタされるエネルギーが低く抑えられる。それゆ
え、放電室が1つの構成であるvernas型のイオン源など
に比べてフィラメント9の長寿命化を図ることができ
る。
ズル口6aが引出スリット4寄りに設けられているの
で、第2放電室8で生成されるプラズマ中の多価イオン
を容易に引き出すことができる。
を抵抗19の両端に生じる電位差によって分配して第1
次放電電圧と第2次放電電圧とを得る構成を示したが、
この構成の代わりに独立した2つの電源を用いて両放電
電圧を個別に得る構成であってもよい。
体放電を生じさせてプラズマを生成する第1放電室およ
び第2放電室と、上記第1放電室内に設けられて電子を
放出する陰極と、上記第1放電室と上記第2放電室との
間に設けられ、上記両放電室を連通させる開口部を有す
るとともに、上記陰極より高電位に保たれる中間電極
と、上記第2放電室に設けられて上記陰極および中間電
極より高電位に保たれる陽極と、上記第2放電室におい
て上記陰極および中間電極の開口部と対向して設けら
れ、上記中間電極と同電位に保たれる反射電極と、上記
両放電室を収容して内部が真空に保たれる真空容器と、
上記真空容器を貫通するとともに上記両放電室に対し上
記陰極および反射電極を通過する方向に沿って磁場を与
える1対の磁極とを備えている構成である。
成されたプラズマ中の電子を第2放電室での電離に利用
してプラズマの生成が行なわれる。また、第2放電室で
は、プラズマ電子が、中間電極と反射電極との間の往復
移動と磁極の磁場による旋回運動とによって閉じ込めら
れる。このため、第2放電室におけるプラズマ電子の実
効飛行距離が長くなって、イオンの生成が促進される。
電電圧を高める必要があるが、これには強磁場の環境が
必要となる。上記の構成によれば、磁極が真空容器を貫
通して設けられるので、磁極間の間隔を短くすることが
でき、磁極を含む磁場発生器を大型化することなく強磁
場が得られる。それゆえ、一般的なフリーマンイオン源
と同程度の大きさでイオン源を構成することができる。
クトでかつ多価イオンの収率を高めたイオン源を提供す
ることができ、ひいては高エネルギー注入イオン装置の
小型化に寄与することができるという効果を奏する。
クチャンバの構成を示す正面から見た縦断面図である。
縦断面図である。
図である。
図である。
Claims (1)
- 【請求項1】気体放電を生じさせてプラズマを生成する
第1放電室および第2放電室と、 上記第1放電室内に設けられて電子を放出する陰極と、 上記第1放電室と上記第2放電室との間に設けられ、上
記両放電室を連通させる開口部を有するとともに、上記
陰極より高電位に保たれる中間電極と、 上記第2放電室に設けられて上記陰極および中間電極よ
り高電位に保たれる陽極と、 上記第2放電室において上記陰極および中間電極の開口
部と対向して設けられ、上記中間電極と同電位に保たれ
る反射電極と、 上記両放電室を収容して内部が真空に保たれる真空容器
と、 上記真空容器を貫通するとともに上記両放電室に対し上
記陰極および反射電極を通過する方向に沿って磁場を与
える1対の磁極とを備えていることを特徴とするイオン
源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05306816A JP3079869B2 (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05306816A JP3079869B2 (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | イオン源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07161323A true JPH07161323A (ja) | 1995-06-23 |
JP3079869B2 JP3079869B2 (ja) | 2000-08-21 |
Family
ID=17961614
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05306816A Expired - Fee Related JP3079869B2 (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | イオン源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3079869B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1993
- 1993-12-07 JP JP05306816A patent/JP3079869B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JP3079869B2 (ja) | 2000-08-21 |
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