JPH07159993A - 放射線感応性組成物およびそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
放射線感応性組成物およびそれを用いたパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH07159993A JPH07159993A JP5302537A JP30253793A JPH07159993A JP H07159993 A JPH07159993 A JP H07159993A JP 5302537 A JP5302537 A JP 5302537A JP 30253793 A JP30253793 A JP 30253793A JP H07159993 A JPH07159993 A JP H07159993A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- radiation
- coating film
- sensitive composition
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】高感度，高解像度を有するアルカリ水溶液現像
可能なレジスト材料ならびにそれを用いたパターン形成
方法を提供する。 【構成】アルカリ可溶性樹脂，環鎖互変異性を有する化
合物ならびに酸前駆体からなるレジストおよび、それを
用いたパターン形成方法。 【効果】半導体デバイス，光ディスク，磁気ヘッド等の
製作に必要な微細パターン形成を効率よく、かつ低コス
トで行える。
可能なレジスト材料ならびにそれを用いたパターン形成
方法を提供する。 【構成】アルカリ可溶性樹脂，環鎖互変異性を有する化
合物ならびに酸前駆体からなるレジストおよび、それを
用いたパターン形成方法。 【効果】半導体デバイス，光ディスク，磁気ヘッド等の
製作に必要な微細パターン形成を効率よく、かつ低コス
トで行える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、紫外線，電子線，イオ
ンビームまたはＸ線などの放射線に感応する組成物およ
びそれを用いたパターン形成法に関する。
ンビームまたはＸ線などの放射線に感応する組成物およ
びそれを用いたパターン形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、耐プラズマエッチング性に優れた
放射線感応性組成物としてナフトキノンジアジドとノボ
ラック樹脂からなるポジ型レジストやアジド化合物とポ
リビニルフェノールからなるネガ型レジストが知られて
いる。
放射線感応性組成物としてナフトキノンジアジドとノボ
ラック樹脂からなるポジ型レジストやアジド化合物とポ
リビニルフェノールからなるネガ型レジストが知られて
いる。
【０００３】一方、微細加工性の優れたホトリソグラフ
ィとして短波長光(エキシマレーザ)を用いたリソグラフ
ィが注目されている。この露光波長においてナフトキノ
ンジアジドとノボラック樹脂からなるポジ型ホトレジス
トは、吸収が強く高解像度のパターン形成が困難であ
る。また、アジド化合物とポリビニルフェノールからな
るネガ型レジストにおいても、吸収が強く高解像度のパ
ターンを得るためには、実質的に使用できる膜厚が制限
される。
ィとして短波長光(エキシマレーザ)を用いたリソグラフ
ィが注目されている。この露光波長においてナフトキノ
ンジアジドとノボラック樹脂からなるポジ型ホトレジス
トは、吸収が強く高解像度のパターン形成が困難であ
る。また、アジド化合物とポリビニルフェノールからな
るネガ型レジストにおいても、吸収が強く高解像度のパ
ターンを得るためには、実質的に使用できる膜厚が制限
される。
【０００４】このような短波長リソグラフィに適したレ
ジストとして、アルカリ可溶性樹脂と、放射線照射によ
り酸を発生する化合物と、酸によりポリマと架橋反応す
る化合物（架橋剤）との混合系からなる放射線感応性組
成物が、特開昭62−164045号公報に記載されている。
ジストとして、アルカリ可溶性樹脂と、放射線照射によ
り酸を発生する化合物と、酸によりポリマと架橋反応す
る化合物（架橋剤）との混合系からなる放射線感応性組
成物が、特開昭62−164045号公報に記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、酸に
より架橋するアルカリ可溶性樹脂が含まれているため微
弱な酸の存在、例えば、弱酸性のポリマが存在しても架
橋が生じ、安定性に問題があった。
より架橋するアルカリ可溶性樹脂が含まれているため微
弱な酸の存在、例えば、弱酸性のポリマが存在しても架
橋が生じ、安定性に問題があった。
【０００６】本発明の目的は短波長紫外線，電子線等の
放射線に対して高解像性をもち、安定性に優れた新しい
放射線感応性組成物を提供することにある。
放射線に対して高解像性をもち、安定性に優れた新しい
放射線感応性組成物を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は（１）アルカ
リ可溶性樹脂，環鎖互変異性を有する化合物、及び放射
線照射により酸を発生する酸前駆体を有することを特徴
とする放射線感応性組成物、（２）基板上に（１）に記
載の放射線感応性組成物を塗布し、塗膜を形成する工
程、該塗膜に所望のパターンの放射線照射により形成さ
れた潜像の形成をさらに促進させるため前記塗膜を加熱
処理する工程、アルカリ性現像液を用いて現像しネガ型
パターンを得る工程を有することを特徴とするパターン
形成方法によって達成される。
リ可溶性樹脂，環鎖互変異性を有する化合物、及び放射
線照射により酸を発生する酸前駆体を有することを特徴
とする放射線感応性組成物、（２）基板上に（１）に記
載の放射線感応性組成物を塗布し、塗膜を形成する工
程、該塗膜に所望のパターンの放射線照射により形成さ
れた潜像の形成をさらに促進させるため前記塗膜を加熱
処理する工程、アルカリ性現像液を用いて現像しネガ型
パターンを得る工程を有することを特徴とするパターン
形成方法によって達成される。
【０００８】本発明で用いられる、環鎖互変異性を有す
る化合物は、化２に示す一般式で表される化合物を用い
ることができる。
る化合物は、化２に示す一般式で表される化合物を用い
ることができる。
【０００９】
【化２】
【００１０】（ただし、Ｒは水素もしくは炭素数３以下
のアルキル基，アリール基，トリル基を表し、Ｒ1，
Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は水素もしくは炭素数３以下のアルキル
基，アルコキシ基を表し、分子内で同じであっても、異
なってもいても良い。）上記一般式で表される化合物の
中でも、ｏ−アセチル安息香酸，ｏ−アルデヒド安息香
酸，ｏ−ベンゾイル安息香酸，ｏ−トルオイル安息香
酸，ｏ−アセトキシ安息香酸を用いることが望ましい。
のアルキル基，アリール基，トリル基を表し、Ｒ1，
Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は水素もしくは炭素数３以下のアルキル
基，アルコキシ基を表し、分子内で同じであっても、異
なってもいても良い。）上記一般式で表される化合物の
中でも、ｏ−アセチル安息香酸，ｏ−アルデヒド安息香
酸，ｏ−ベンゾイル安息香酸，ｏ−トルオイル安息香
酸，ｏ−アセトキシ安息香酸を用いることが望ましい。
【００１１】本発明における望ましいアルカリ可溶性樹
脂はノボラック樹脂，ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）
またはｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン共重合体、ポ
リメチルグルタルイミド等の高分子化合物が挙げられ
る。
脂はノボラック樹脂，ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）
またはｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン共重合体、ポ
リメチルグルタルイミド等の高分子化合物が挙げられ
る。
【００１２】本発明で用いられる酸前駆体としては、特
に短波長領域に吸収のある従来から知られている、トリ
アリールスルホニウム塩，ジアリールヨードニウム塩な
どのオニウム塩を用いることが望ましい。オニウム塩の
対アニオンとしてはトリフルオロメタンスルホン酸，ト
リフルオロ酢酸，トルエンスルホン酸，テトラフルオロ
ホウ酸，ヘキサフルオロアンチモン酸，ヘキサフルオロ
ヒ素酸などのようなルイス酸が用いられる。またこれ以
外にも酸前駆体として芳香族スルホン酸エステルや特開
昭62−16404 号公報記載のハロゲン化有機化合物等を用
いることができる。
に短波長領域に吸収のある従来から知られている、トリ
アリールスルホニウム塩，ジアリールヨードニウム塩な
どのオニウム塩を用いることが望ましい。オニウム塩の
対アニオンとしてはトリフルオロメタンスルホン酸，ト
リフルオロ酢酸，トルエンスルホン酸，テトラフルオロ
ホウ酸，ヘキサフルオロアンチモン酸，ヘキサフルオロ
ヒ素酸などのようなルイス酸が用いられる。またこれ以
外にも酸前駆体として芳香族スルホン酸エステルや特開
昭62−16404 号公報記載のハロゲン化有機化合物等を用
いることができる。
【００１３】本発明では酸前駆体，環鎖互変異性を有す
る化合物は、それぞれ一種類でも良く、二種以上用いて
も良い。
る化合物は、それぞれ一種類でも良く、二種以上用いて
も良い。
【００１４】本発明の放射線感応性組成物において、ア
ルカリ可溶性樹脂と環鎖互変異性を有する化合物との組
成比は重量比で１：１〜３０：１の範囲であることが好
ましい。環鎖互変異性を有する化合物の量がこの範囲よ
りも大きいと層分離が起こるために均一な塗膜が形成が
できず、小さいと塗膜の不溶化が十分進行しないためで
ある。
ルカリ可溶性樹脂と環鎖互変異性を有する化合物との組
成比は重量比で１：１〜３０：１の範囲であることが好
ましい。環鎖互変異性を有する化合物の量がこの範囲よ
りも大きいと層分離が起こるために均一な塗膜が形成が
できず、小さいと塗膜の不溶化が十分進行しないためで
ある。
【００１５】さらにまた、酸前駆体は含有量はアルカリ
可溶性樹脂に対し、０.１〜５０ 重量％の範囲の量を用
いることが好ましく、０.５〜２０ 重量％の範囲の量を
用いることがより好ましい。
可溶性樹脂に対し、０.１〜５０ 重量％の範囲の量を用
いることが好ましく、０.５〜２０ 重量％の範囲の量を
用いることがより好ましい。
【００１６】
【作用】本発明の作用について、環鎖互変異性を有する
化合物として、ｏ−アセチル安息香酸を用いたレジスト
を例にして、説明する。ｏ−アセチル安息香酸は化３の
反応式で示されるように、環状アルコール化合物と平衡
状態にあり、しかもこのアルコールは強酸の存在下で分
子内脱水反応を起こし撥水性の化合物を生成する。
化合物として、ｏ−アセチル安息香酸を用いたレジスト
を例にして、説明する。ｏ−アセチル安息香酸は化３の
反応式で示されるように、環状アルコール化合物と平衡
状態にあり、しかもこのアルコールは強酸の存在下で分
子内脱水反応を起こし撥水性の化合物を生成する。
【００１７】
【化３】
【００１８】上記反応系を全体として見ると、アルカリ
可溶性の高いカルボキシル基が消失し、疎水性のアルケ
ンが生成する反応となっていることが分かる。この反応
をアルカリ可溶性樹脂膜中で誘起することができれば、
ネガ型のレジストを実現できることになる。すなわち、
アルカリ可溶性樹脂，アセチル安息香酸，光酸発生剤か
らなる膜を形成し、この膜に放射線を照射し、加熱によ
って上記反応を誘起すれば、放射線照射領域は、アルカ
リ現像液に不溶性になる。すなわち、本発明の放射線感
応性組成物はネガ型感光性組成物として作用する。
可溶性の高いカルボキシル基が消失し、疎水性のアルケ
ンが生成する反応となっていることが分かる。この反応
をアルカリ可溶性樹脂膜中で誘起することができれば、
ネガ型のレジストを実現できることになる。すなわち、
アルカリ可溶性樹脂，アセチル安息香酸，光酸発生剤か
らなる膜を形成し、この膜に放射線を照射し、加熱によ
って上記反応を誘起すれば、放射線照射領域は、アルカ
リ現像液に不溶性になる。すなわち、本発明の放射線感
応性組成物はネガ型感光性組成物として作用する。
【００１９】アセチル安息香酸以外の安息香酸誘導体の
場合には、アルケンが生成する代わりに、疎水性のエー
テルが生成し、ｏ−アセチル安息香酸の場合と同様にネ
ガ型レジストとなる。
場合には、アルケンが生成する代わりに、疎水性のエー
テルが生成し、ｏ−アセチル安息香酸の場合と同様にネ
ガ型レジストとなる。
【００２０】また、本発明において、放射線照射によっ
て生じた酸は脱水反応の触媒として作用するので、潜像
形成のための放射線の照射量は僅かでよい。
て生じた酸は脱水反応の触媒として作用するので、潜像
形成のための放射線の照射量は僅かでよい。
【００２１】
（実施例１）ｍ，ｐ−クレゾールノボラック樹脂、ｏ−
アセチル安息香酸、ジフェニルヨードニウムトリフレー
トを１００：２０：２.５ の重量比で酢酸２−エトキシ
エチルに溶解させてフォトレジスト溶液を調製した。シ
リコンウェハ上にスピン塗布し、８０℃で５分間ベーク
して厚さ０.６５μｍ の塗布膜を形成した。この膜に、
６００ＷのＨｇ−Ｘｅランプからの光を干渉フィルタ
(λmax＝２４８ｎｍ，Δλ＝１９.５ｎｍ ，Ｔ＝２５
％）とテストパタン用マスクを介して露光した。露光後
８０℃で１０分間ベークした後、水酸化テトラメチルア
ンモニウム水溶液で塗布膜を現像した。この操作により
未露光部分の塗膜は除去され、露光により不溶化した塗
膜のみがウェハ上に残った。その結果２０ｍＪ／cm
2 で、残留膜厚０.６μｍ のテストパターンに忠実な、
ネガ型パタンを得ることができた。また、この塗膜の吸
光係数は０.６／μｍ であった。本実施例のレジストの
感光特性曲線を図１の曲線Iに示す。
アセチル安息香酸、ジフェニルヨードニウムトリフレー
トを１００：２０：２.５ の重量比で酢酸２−エトキシ
エチルに溶解させてフォトレジスト溶液を調製した。シ
リコンウェハ上にスピン塗布し、８０℃で５分間ベーク
して厚さ０.６５μｍ の塗布膜を形成した。この膜に、
６００ＷのＨｇ−Ｘｅランプからの光を干渉フィルタ
(λmax＝２４８ｎｍ，Δλ＝１９.５ｎｍ ，Ｔ＝２５
％）とテストパタン用マスクを介して露光した。露光後
８０℃で１０分間ベークした後、水酸化テトラメチルア
ンモニウム水溶液で塗布膜を現像した。この操作により
未露光部分の塗膜は除去され、露光により不溶化した塗
膜のみがウェハ上に残った。その結果２０ｍＪ／cm
2 で、残留膜厚０.６μｍ のテストパターンに忠実な、
ネガ型パタンを得ることができた。また、この塗膜の吸
光係数は０.６／μｍ であった。本実施例のレジストの
感光特性曲線を図１の曲線Iに示す。
【００２２】（実施例２）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂，ｏ−アセチル安息香酸，ジフェニルヨードニウ
ムトリフレートを１００：２０：２.５ の重量比で酢酸
２−エトキシエチルに溶解させてフォトレジスト溶液を
調製した。シリコンウェハ上にスピン塗布し、８０℃で
５分間ベークして厚さ０.６５μｍ の塗布膜を形成した
後、Ｈｇ−Ｘｅランプからの紫外線露光の代わりに、微
細パタンの電子線描画を行ったことを除いて、実施例１
の方法を繰り返した。その結果、電子線照射量２０μＣ
／cm2 で、残留膜厚０.６μｍで良好なネガ型パターン
を得ることができた。
ク樹脂，ｏ−アセチル安息香酸，ジフェニルヨードニウ
ムトリフレートを１００：２０：２.５ の重量比で酢酸
２−エトキシエチルに溶解させてフォトレジスト溶液を
調製した。シリコンウェハ上にスピン塗布し、８０℃で
５分間ベークして厚さ０.６５μｍ の塗布膜を形成した
後、Ｈｇ−Ｘｅランプからの紫外線露光の代わりに、微
細パタンの電子線描画を行ったことを除いて、実施例１
の方法を繰り返した。その結果、電子線照射量２０μＣ
／cm2 で、残留膜厚０.６μｍで良好なネガ型パターン
を得ることができた。
【００２３】（実施例３）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂，ｏ−アルデヒド安息香酸，ジフェニルヨードニ
ウムトリフレートを１００：２０：２.５ の重量比で酢
酸２−エトキシエチルに溶解させてフォトレジスト溶液
を調製した。シリコンウェハ上にスピン塗布し、８０℃
で５分間ベークして厚さ０.６５μｍ の塗布膜を形成し
た。実施例１と同様の方法でレジストの特性を評価した
ところ２０ｍＪ／cm2 で、残留膜厚０.６μｍ でテスト
パタンに忠実な、良好なネガ型パタンを得ることができ
た。本実施例のレジストの感光特性曲線を図１の曲線II
に示す。
ク樹脂，ｏ−アルデヒド安息香酸，ジフェニルヨードニ
ウムトリフレートを１００：２０：２.５ の重量比で酢
酸２−エトキシエチルに溶解させてフォトレジスト溶液
を調製した。シリコンウェハ上にスピン塗布し、８０℃
で５分間ベークして厚さ０.６５μｍ の塗布膜を形成し
た。実施例１と同様の方法でレジストの特性を評価した
ところ２０ｍＪ／cm2 で、残留膜厚０.６μｍ でテスト
パタンに忠実な、良好なネガ型パタンを得ることができ
た。本実施例のレジストの感光特性曲線を図１の曲線II
に示す。
【００２４】（実施例４）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂，ｏ−トルイル安息香酸，ジフェニルヨードニウ
ムトリフレートを１００：２０：２.５ の重量比で酢酸
２−エトキシエチルに溶解させてフォトレジスト溶液を
調製した。シリコンウェハ上にスピン塗布し、８０℃で
５分間ベークして厚さ０.６５μｍ の塗布膜を形成し
た。露光後のベークを１２０℃で２分間で行ったこと以
外は、実施例１と同様の方法でレジストの特性を評価し
たところ、２０ｍＪ／cm2 で残留膜厚０.６μｍ のテス
トパタンに忠実な、良好なネガ型パタンを得ることがで
きた。本実施例のレジストの感光特性曲線を図１の曲線
III に示す。
ク樹脂，ｏ−トルイル安息香酸，ジフェニルヨードニウ
ムトリフレートを１００：２０：２.５ の重量比で酢酸
２−エトキシエチルに溶解させてフォトレジスト溶液を
調製した。シリコンウェハ上にスピン塗布し、８０℃で
５分間ベークして厚さ０.６５μｍ の塗布膜を形成し
た。露光後のベークを１２０℃で２分間で行ったこと以
外は、実施例１と同様の方法でレジストの特性を評価し
たところ、２０ｍＪ／cm2 で残留膜厚０.６μｍ のテス
トパタンに忠実な、良好なネガ型パタンを得ることがで
きた。本実施例のレジストの感光特性曲線を図１の曲線
III に示す。
【００２５】（実施例５）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂，ｏ−ベンゾイル安息香酸，ジフェニルヨードニ
ウムトリフレートを１００：２０：２.５ の重量比で酢
酸２−エトキシエチルに溶解させてフォトレジスト溶液
を調製した。シリコンウェハ上にスピン塗布し、８０℃
で５分間ベークして厚さ０.６５μｍ の塗布膜を形成し
た。露光後のベークを１２０℃で２分間で行ったこと以
外は、実施例１と同様の方法でレジストの特性を評価し
たところ、２０ｍＪ／cm2 で残留膜厚０.６μｍ のテス
トパタンに忠実な、良好なネガ型パタンを得ることがで
きた。本実施例のレジストの感光特性曲線を図１の曲線
IVに示す。
ク樹脂，ｏ−ベンゾイル安息香酸，ジフェニルヨードニ
ウムトリフレートを１００：２０：２.５ の重量比で酢
酸２−エトキシエチルに溶解させてフォトレジスト溶液
を調製した。シリコンウェハ上にスピン塗布し、８０℃
で５分間ベークして厚さ０.６５μｍ の塗布膜を形成し
た。露光後のベークを１２０℃で２分間で行ったこと以
外は、実施例１と同様の方法でレジストの特性を評価し
たところ、２０ｍＪ／cm2 で残留膜厚０.６μｍ のテス
トパタンに忠実な、良好なネガ型パタンを得ることがで
きた。本実施例のレジストの感光特性曲線を図１の曲線
IVに示す。
【００２６】（実施例６）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂，ｏ−アセトキシ安息香酸，ジフェニルヨードニ
ウムトリフレートを１００：２０：２.５ の重量比で酢
酸２−エトキシエチルに溶解させてフォトレジスト溶液
を調製した。シリコンウェハ上にスピン塗布し、８０℃
で５分間ベークして厚さ０.６５μｍ の塗布膜を形成し
た。実施例１と同様の方法でレジストの特性を評価した
ところ１００ｍＪ／cm2 で、残留膜厚０.６μｍ のテス
トパタンに忠実な、良好なネガ型パタンを得ることがで
きた。本実施例のレジストの感光特性曲線を図１の曲線
Ｖに示す。
ク樹脂，ｏ−アセトキシ安息香酸，ジフェニルヨードニ
ウムトリフレートを１００：２０：２.５ の重量比で酢
酸２−エトキシエチルに溶解させてフォトレジスト溶液
を調製した。シリコンウェハ上にスピン塗布し、８０℃
で５分間ベークして厚さ０.６５μｍ の塗布膜を形成し
た。実施例１と同様の方法でレジストの特性を評価した
ところ１００ｍＪ／cm2 で、残留膜厚０.６μｍ のテス
トパタンに忠実な、良好なネガ型パタンを得ることがで
きた。本実施例のレジストの感光特性曲線を図１の曲線
Ｖに示す。
【００２７】
【発明の効果】本発明の放射線感応性組成物は、短波長
紫外線，電子線，Ｘ線その他活性放射線に対して優れた
感度を有し、且つ高解像性パタンを形成することができ
る。
紫外線，電子線，Ｘ線その他活性放射線に対して優れた
感度を有し、且つ高解像性パタンを形成することができ
る。
【図１】本発明の実施例のレジストの感光特性図。
Ｉ…実施例１のレジストの感光特性曲線、II…実施例３
のレジストの感光特性曲線、III …実施例４のレジスト
の感光特性曲線、IV…実施例５のレジストの感光特性曲
線、Ｖ…実施例６のレジストの感光特性曲線。
のレジストの感光特性曲線、III …実施例４のレジスト
の感光特性曲線、IV…実施例５のレジストの感光特性曲
線、Ｖ…実施例６のレジストの感光特性曲線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/38 ５１１ 7124−2Ｈ Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (4)
- 【請求項１】アルカリ可溶性高分子，環鎖互変異性を有
する化合物、及び放射線の照射により酸を発生する酸前
駆体を含むことを特徴とする放射線感応性組成物。 - 【請求項２】請求項１において、前記環鎖互変異性を有
する化合物が、化１の一般式で示される化合物である放
射線感応性組成物。 【化１】 （ただし、Ｒは水素もしくは炭素数３以下のアルキル
基，アリール基，トリル基を表し、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4
は水素もしくは炭素数３以下のアルキル基，アルコキシ
基を表し、分子内で同じであっても、異なってもいても
良い。） - 【請求項３】請求項１に記載の前記環鎖互変異性を有す
る化合物が、ｏ−アセチル安息香酸，ｏ−アルデヒド安
息香酸，ｏ−ベンゾイル安息香酸，ｏ−トルオイル安息
香酸，ｏ−アセトキシ安息香酸の中から選ばれる化合物
である放射線感応性組成物。 - 【請求項４】基板上に前記放射線感応性組成物を塗布
し、塗膜を形成する工程，前記塗膜に所望のパターンの
放射線照射により形成された潜像の形成をさらに促進さ
せるため前記塗膜を加熱処理する工程，アルカリ性現像
液を用いて現像し、ネガ型パターンを得る工程を有する
パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5302537A JPH07159993A (ja) | 1993-12-02 | 1993-12-02 | 放射線感応性組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5302537A JPH07159993A (ja) | 1993-12-02 | 1993-12-02 | 放射線感応性組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07159993A true JPH07159993A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=17910168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5302537A Pending JPH07159993A (ja) | 1993-12-02 | 1993-12-02 | 放射線感応性組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07159993A (ja) |
-
1993
- 1993-12-02 JP JP5302537A patent/JPH07159993A/ja active Pending
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