JPH07159299A - 鋼材表面の異常原因判定分析方法 - Google Patents
鋼材表面の異常原因判定分析方法Info
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- JPH07159299A JPH07159299A JP5309975A JP30997593A JPH07159299A JP H07159299 A JPH07159299 A JP H07159299A JP 5309975 A JP5309975 A JP 5309975A JP 30997593 A JP30997593 A JP 30997593A JP H07159299 A JPH07159299 A JP H07159299A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 鋼材の表面異常の発生原因を判定するため、
異常部について線分析を適切な深さで行い異常部の成分
変動を確実に捉える。 【構成】 パルスレーザー光２を照射し微粒子を生成さ
せ、これを励起し分析するレーザー気化分析により線分
析を行うが、分析深さをパルスの幅、尖頭出力及び照射
点の移動速度で制御する。線幅は線方向及び幅方向に照
射点を移動させることにより任意に選ぶことができる。
照射点９の移動は反射鏡３の回転と集光レンズ５の平行
移動を制御することによって行う。 【効果】 異常部が酸化物など絶縁物で覆われていても
検出すべき成分を見落とすことがなく、又、深い所に存
在する原因成分も迅速的確に検出することができる。
異常部について線分析を適切な深さで行い異常部の成分
変動を確実に捉える。 【構成】 パルスレーザー光２を照射し微粒子を生成さ
せ、これを励起し分析するレーザー気化分析により線分
析を行うが、分析深さをパルスの幅、尖頭出力及び照射
点の移動速度で制御する。線幅は線方向及び幅方向に照
射点を移動させることにより任意に選ぶことができる。
照射点９の移動は反射鏡３の回転と集光レンズ５の平行
移動を制御することによって行う。 【効果】 異常部が酸化物など絶縁物で覆われていても
検出すべき成分を見落とすことがなく、又、深い所に存
在する原因成分も迅速的確に検出することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、鋼材の表面に生じた
異常部及びその周辺を迅速に表面分析することによって
異常の発生原因を速やかに突き止めるための分析技術に
関する。
異常部及びその周辺を迅速に表面分析することによって
異常の発生原因を速やかに突き止めるための分析技術に
関する。
【０００２】
【従来の技術】鋼材の表面には、機械的に付けられる疵
の他に鋼中の介在物や連続鋳造時のパウダーの付着、レ
ンガ屑の混入、或いはスケールの未脱離等の原因で異常
が発生する場合が多い。これらの原因を速やかに取り除
くために、異常の原因を迅速且つ的確に判定する必要が
ある。異常の原因を判定するひとつの方法として、異常
部とその周辺の成分の相違を検出し、それに基づいて原
因を判定することが行われていた。例えば、鋼材の圧延
方向に延びた疵を横切るように線分析を行い、その外側
に比べ疵部でＣａ、Ａｌのみが高濃度に検出されれば、
その疵はＡｌ2 Ｏ 3 ・ＣａＯ複合介在物に起因するもの
であると推定される。
の他に鋼中の介在物や連続鋳造時のパウダーの付着、レ
ンガ屑の混入、或いはスケールの未脱離等の原因で異常
が発生する場合が多い。これらの原因を速やかに取り除
くために、異常の原因を迅速且つ的確に判定する必要が
ある。異常の原因を判定するひとつの方法として、異常
部とその周辺の成分の相違を検出し、それに基づいて原
因を判定することが行われていた。例えば、鋼材の圧延
方向に延びた疵を横切るように線分析を行い、その外側
に比べ疵部でＣａ、Ａｌのみが高濃度に検出されれば、
その疵はＡｌ2 Ｏ 3 ・ＣａＯ複合介在物に起因するもの
であると推定される。
【０００３】かって、線分析の手段として、蛍光Ｘ線分
析や電子顕微鏡観察が用いられていた。しかし、これら
の手段では試料を装置に組み込むための切断加工や観察
のための表面調整等、前処理を必要とするため分析結果
が得られるまでに時間を要し、又、ミクロ観察となる顕
微鏡では見落としが避けられない等の欠点があった。
析や電子顕微鏡観察が用いられていた。しかし、これら
の手段では試料を装置に組み込むための切断加工や観察
のための表面調整等、前処理を必要とするため分析結果
が得られるまでに時間を要し、又、ミクロ観察となる顕
微鏡では見落としが避けられない等の欠点があった。
【０００４】従来、これらの欠点を補うために提案され
た方法に発光分光分析法がある。例えば、特開昭６２−
１６２９４７号公報には、鋼材表面上への放電を異常部
を横切って連続して走査し、得られる発光スペクトルの
強度を正常部と異常部とで対比する方法が開示されてい
る。
た方法に発光分光分析法がある。例えば、特開昭６２−
１６２９４７号公報には、鋼材表面上への放電を異常部
を横切って連続して走査し、得られる発光スペクトルの
強度を正常部と異常部とで対比する方法が開示されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６２−１６２９４７号公報に開示される方法には、鋼材
表面が絶縁されている場合、即ち油や錆或いはスケール
で覆われた場合やＡｌ2Ｏ3 やＳｉＯ2 等絶縁性の介在
物が極度に密集した表面では、放電が起こらないので検
出ができないという問題点がある。又、放電は極く表層
で起こるので、異常の原因となる数１０μｍ程度の深い
所に存在する介在物が検出できない。更に、鋼材表面が
形状異常の場合には、尖鋭部に選択的に放電してしまい
異常部の成分組成が分析値に忠実に反映しない等の問題
がある。
６２−１６２９４７号公報に開示される方法には、鋼材
表面が絶縁されている場合、即ち油や錆或いはスケール
で覆われた場合やＡｌ2Ｏ3 やＳｉＯ2 等絶縁性の介在
物が極度に密集した表面では、放電が起こらないので検
出ができないという問題点がある。又、放電は極く表層
で起こるので、異常の原因となる数１０μｍ程度の深い
所に存在する介在物が検出できない。更に、鋼材表面が
形状異常の場合には、尖鋭部に選択的に放電してしまい
異常部の成分組成が分析値に忠実に反映しない等の問題
がある。
【０００６】この発明はこれらの問題を解決するために
行われたもので、絶縁物で覆われている異常部であって
も異常の判定ができ、又、深い所に存在する介在物も検
出し、異常部の形状に左右されずに鋼材表面の異常原因
の判定を行うことができる方法を提供することを目的と
する。
行われたもので、絶縁物で覆われている異常部であって
も異常の判定ができ、又、深い所に存在する介在物も検
出し、異常部の形状に左右されずに鋼材表面の異常原因
の判定を行うことができる方法を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は、鋼材表面の
異常について線分析を行い、異常部部と正常部との成分
濃度の相違から異常部の原因を判定するに際して、パル
スレーザー光を照射することにより前記線分析の試料を
採取して成分濃度を把握する方法により解決される。
異常について線分析を行い、異常部部と正常部との成分
濃度の相違から異常部の原因を判定するに際して、パル
スレーザー光を照射することにより前記線分析の試料を
採取して成分濃度を把握する方法により解決される。
【０００８】上記方法において、線分析の試料を採取す
る際に、パルスレーザー光の照射点を反射鏡の回転、レ
ーザー光集光レンズの平行移動又はこれらの組み合わせ
により移動させることにより、２次元走査やジグザグ走
査が可能となり所定の線に沿って所定の幅で試料を採取
することができる。
る際に、パルスレーザー光の照射点を反射鏡の回転、レ
ーザー光集光レンズの平行移動又はこれらの組み合わせ
により移動させることにより、２次元走査やジグザグ走
査が可能となり所定の線に沿って所定の幅で試料を採取
することができる。
【０００９】また、パルスレーザー光の照射を、パルス
半値幅０．０２μsec 以上０．５μsec 以下、パルスの
尖頭出力２０kW以上５MW以下で行うことにより、異常の
原因成分が存在する深さが予め予想困難な場合でも見落
としがなく判定ができる。
半値幅０．０２μsec 以上０．５μsec 以下、パルスの
尖頭出力２０kW以上５MW以下で行うことにより、異常の
原因成分が存在する深さが予め予想困難な場合でも見落
としがなく判定ができる。
【００１０】
【作用】レーザーを集光して照射すると集光点のエネル
ギー密度が非常に大きくなるので、その近傍の試料は気
化して飛散する。飛散した試料は凝固して微粒子となっ
て捕捉されるが、この現象は鋼材に限らずセラミックス
のような沸点の高い物質でも同様に起こる。このため、
鋼材から分析用試料を切り出したり前処理を施したりす
る必要がなく、又、分析面にレーザー光を照射して１０
乃至３０秒間採取される微粒子を同時に検出器で分析す
ることができるので、迅速に分析結果が得られる。異常
発生の原因は、極く表層に存在するとは限らず、表面被
覆された鋼板の介在物のように表面から５０μｍ以上も
の深い所に存在する場合もある。
ギー密度が非常に大きくなるので、その近傍の試料は気
化して飛散する。飛散した試料は凝固して微粒子となっ
て捕捉されるが、この現象は鋼材に限らずセラミックス
のような沸点の高い物質でも同様に起こる。このため、
鋼材から分析用試料を切り出したり前処理を施したりす
る必要がなく、又、分析面にレーザー光を照射して１０
乃至３０秒間採取される微粒子を同時に検出器で分析す
ることができるので、迅速に分析結果が得られる。異常
発生の原因は、極く表層に存在するとは限らず、表面被
覆された鋼板の介在物のように表面から５０μｍ以上も
の深い所に存在する場合もある。
【００１１】図３は、レーザーの照射点を移動させなが
らパルスレーザーを発振周波数１００Ｈz で照射した場
合、微粒子が採取される深さ即ち分析深さを調べた結果
である。パルスの尖頭出力が２０kWから２００kWまで変
えて調べたものであるが、尖頭出力が大きいほど分析深
さは深くなり、又、当然のことながら線分析速度が小さ
いほど分析深さは深くなる。分析深さを１μm 程度から
２００μｍ以上にわたって調整することは容易である。
分析深さを保ちながら線分析速度を高めるには、発振周
波数は大きい方がよい。
らパルスレーザーを発振周波数１００Ｈz で照射した場
合、微粒子が採取される深さ即ち分析深さを調べた結果
である。パルスの尖頭出力が２０kWから２００kWまで変
えて調べたものであるが、尖頭出力が大きいほど分析深
さは深くなり、又、当然のことながら線分析速度が小さ
いほど分析深さは深くなる。分析深さを１μm 程度から
２００μｍ以上にわたって調整することは容易である。
分析深さを保ちながら線分析速度を高めるには、発振周
波数は大きい方がよい。
【００１２】このように、放電による励起では鋼材の深
さ２０μm にある元素を発光させることは困難である
が、パルスレーザーの照射では分析深さを調整できるの
で、広範囲にわたって成分組成を検出することができ、
異常の原因成分を見落すことがなくなる。
さ２０μm にある元素を発光させることは困難である
が、パルスレーザーの照射では分析深さを調整できるの
で、広範囲にわたって成分組成を検出することができ、
異常の原因成分を見落すことがなくなる。
【００１３】レーザーの照射点は、分析深さの調整だけ
でなく異常部とその周辺を走査するためにも移動させる
が、移動に際し反射鏡の回転とレンズの平行移動でこれ
を行うことが出来る。反射鏡で進行方向を調整されたレ
ーザー光は集光レンズの中心部にレンズに垂直に入射し
鋼材表面の照射点に焦点を結び集光する。反射鏡を傾け
ると、集光レンズへの入射角が変化し集光点の位置が移
動する。又、反射鏡を傾けなくても集光レンズを平行に
移動すると、レンズに垂直に入射するレーザー光は集光
レンズの焦点に集光する。この焦点は集光レンズの中心
を通りレンズに垂直な直線上にあるので、集光点即ち照
射点はレンズの移行距離と同じ方向に同じ距離だけ移動
する。
でなく異常部とその周辺を走査するためにも移動させる
が、移動に際し反射鏡の回転とレンズの平行移動でこれ
を行うことが出来る。反射鏡で進行方向を調整されたレ
ーザー光は集光レンズの中心部にレンズに垂直に入射し
鋼材表面の照射点に焦点を結び集光する。反射鏡を傾け
ると、集光レンズへの入射角が変化し集光点の位置が移
動する。又、反射鏡を傾けなくても集光レンズを平行に
移動すると、レンズに垂直に入射するレーザー光は集光
レンズの焦点に集光する。この焦点は集光レンズの中心
を通りレンズに垂直な直線上にあるので、集光点即ち照
射点はレンズの移行距離と同じ方向に同じ距離だけ移動
する。
【００１４】この原理を用いて、照射点を反射鏡の回
転、レーザー光集光レンズの平行移動又はこれらの組み
合わせにより移動させると、微粒子採取セルや大型の鋼
材を動かさなくても照射点を二次元的に速やかに移動さ
せることができる。特に、異常の原因成分を捉えるため
に、深さ方向だけでなく、線分析の線幅も確保したい場
合反射鏡の回転と集光レンズの平行移動とを組み合わせ
照射点をジグザグに移動させることができる。この方法
により、線分析のみならず二次元走査を行う面分析も可
能である。鋼材試料や微粒子採取装置が移動する場合
は、反射鏡の回転又は集光レンズの平行移動のどちらか
一方でも、照射点のジグザグ移動が可能なことは言をま
たない。
転、レーザー光集光レンズの平行移動又はこれらの組み
合わせにより移動させると、微粒子採取セルや大型の鋼
材を動かさなくても照射点を二次元的に速やかに移動さ
せることができる。特に、異常の原因成分を捉えるため
に、深さ方向だけでなく、線分析の線幅も確保したい場
合反射鏡の回転と集光レンズの平行移動とを組み合わせ
照射点をジグザグに移動させることができる。この方法
により、線分析のみならず二次元走査を行う面分析も可
能である。鋼材試料や微粒子採取装置が移動する場合
は、反射鏡の回転又は集光レンズの平行移動のどちらか
一方でも、照射点のジグザグ移動が可能なことは言をま
たない。
【００１５】分析深さに影響するもう一つの要因にパル
ス半値幅がある。図２に、照射点の移動速度を０．５mm
／sec とし、尖頭出力２００kWでパルス半値幅を変えて
分析深さを調べた結果を示す。分析深さを深くしたい場
合には、パルス半値幅を一定の範囲にするとよい。
ス半値幅がある。図２に、照射点の移動速度を０．５mm
／sec とし、尖頭出力２００kWでパルス半値幅を変えて
分析深さを調べた結果を示す。分析深さを深くしたい場
合には、パルス半値幅を一定の範囲にするとよい。
【００１６】異常の原因成分が存在する深さが予め予想
困難な場合、分析深さを５０μｍ以上とすることによっ
て見落としが防げる。この場合、パルス半値幅を０．０
２μsec から０．５μsec の範囲で選び、尖頭出力或い
は照射点の移動速度で所望の深さで分析することができ
る。但し、尖頭出力が２０kWに満たないと照射点の移動
速度を遅くしなければならなくなるので、実用上は尖頭
出力２０kW以上が望ましく、又、尖頭出力が大き過ぎる
と雰囲気気体がプラズマ化する現象が現れ、これにエネ
ルギーが消耗され微粒子生成が減ずるので、尖頭出力は
５MW以下に抑える必要がある。
困難な場合、分析深さを５０μｍ以上とすることによっ
て見落としが防げる。この場合、パルス半値幅を０．０
２μsec から０．５μsec の範囲で選び、尖頭出力或い
は照射点の移動速度で所望の深さで分析することができ
る。但し、尖頭出力が２０kWに満たないと照射点の移動
速度を遅くしなければならなくなるので、実用上は尖頭
出力２０kW以上が望ましく、又、尖頭出力が大き過ぎる
と雰囲気気体がプラズマ化する現象が現れ、これにエネ
ルギーが消耗され微粒子生成が減ずるので、尖頭出力は
５MW以下に抑える必要がある。
【００１７】
【実施例】図１に本発明の方法を実施するために必要な
装置の概念を示す。レーザー発振器１から発したレーザ
ー光２は反射鏡３で進路を決定されるが、反射鏡３には
回転制御機構４が具わり光路を制御する。反射されたレ
ーザー光２は集光レンズ５で集光されるが、集光レンズ
５にも平行移動制御機構６が具わり平行運動を制御す
る。集光されたレーザー光２は微粒子採取セル７を通過
して、鋼材試料８の表面で焦点を結びレーザー光照射点
９を形成する。微粒子採取セル７は、開口部を持ち試料
表面とシール材１０を介して接し、不活性ガス導入口１
１から不活性ガスを吹き込みセル内を不活性ガス雰囲気
にする。不活性ガスは微粒子採取セル内で発生した微粒
子を搬送管１２を通して検出器１３に送り、ここで微粒
子が分析される。
装置の概念を示す。レーザー発振器１から発したレーザ
ー光２は反射鏡３で進路を決定されるが、反射鏡３には
回転制御機構４が具わり光路を制御する。反射されたレ
ーザー光２は集光レンズ５で集光されるが、集光レンズ
５にも平行移動制御機構６が具わり平行運動を制御す
る。集光されたレーザー光２は微粒子採取セル７を通過
して、鋼材試料８の表面で焦点を結びレーザー光照射点
９を形成する。微粒子採取セル７は、開口部を持ち試料
表面とシール材１０を介して接し、不活性ガス導入口１
１から不活性ガスを吹き込みセル内を不活性ガス雰囲気
にする。不活性ガスは微粒子採取セル内で発生した微粒
子を搬送管１２を通して検出器１３に送り、ここで微粒
子が分析される。
【００１８】回転制御機構４と平行移動制御機構６と
は、演算器１４によって制御内容を指示される。演算器
１４は、分析線の深さと幅と長さ及び照射点の軌道、パ
ルスレーザーのパルス半値幅と尖頭出力について情報を
与えられ、これらの情報から反射鏡の回転速度と最大回
転角及び回転周数並びに集光レンズの平行移動量と移動
速度を演算し、回転制御機構４と平行移動制御機構６と
に各々制御を指示する。図１に示した装置を用いて、冷
延材と溶融亜鉛めっき鋼板（ＣＧＬ）の表面異常部につ
いて線分析を行い、その原因を判定した。
は、演算器１４によって制御内容を指示される。演算器
１４は、分析線の深さと幅と長さ及び照射点の軌道、パ
ルスレーザーのパルス半値幅と尖頭出力について情報を
与えられ、これらの情報から反射鏡の回転速度と最大回
転角及び回転周数並びに集光レンズの平行移動量と移動
速度を演算し、回転制御機構４と平行移動制御機構６と
に各々制御を指示する。図１に示した装置を用いて、冷
延材と溶融亜鉛めっき鋼板（ＣＧＬ）の表面異常部につ
いて線分析を行い、その原因を判定した。
【００１９】レーザー発振器にはＱスイッチパルスＹＡ
Ｇレーザを用い、周波数１００乃至５０００Ｈz で発振
した。検出器には高周波誘導結合プラズマ発光分光分析
計を用いた。微粒子採取セルのレーザーの入射面には石
英硝子で透過窓を作り、シール材にはゴム製の 'Ｏ’リ
ングを使用した。反射鏡の回転はステップモーターで行
い、指示された角度だけ正回転と逆回転を繰り返す機構
とした。集光レンズの平行移動はステップモーターの回
転を直線運動に変え、分析線の長さだけ往復できる機構
とした。
Ｇレーザを用い、周波数１００乃至５０００Ｈz で発振
した。検出器には高周波誘導結合プラズマ発光分光分析
計を用いた。微粒子採取セルのレーザーの入射面には石
英硝子で透過窓を作り、シール材にはゴム製の 'Ｏ’リ
ングを使用した。反射鏡の回転はステップモーターで行
い、指示された角度だけ正回転と逆回転を繰り返す機構
とした。集光レンズの平行移動はステップモーターの回
転を直線運動に変え、分析線の長さだけ往復できる機構
とした。
【００２０】照射点移動をジグザクに行わせる場合に
は、分析線の長手方向の移動と幅方向の移動とを同時に
行うＺ状の軌跡か、又は同時には長手方向か幅方向の何
れかの移動のみを行うコの字状の軌跡かを選択し演算器
に入力した。演算器には、分析線の長さから集光レンズ
の平行移動距離を決め、分析線の幅からこれを反射鏡と
集光レンズとの距離で除して反射鏡の最大回転角を決め
させた。更に、演算器に分析線の深さから、尖頭出力に
応じて、照射点の必要な移動速度を算出させ反射鏡の往
復回転数と回転速度を算出させた。
は、分析線の長手方向の移動と幅方向の移動とを同時に
行うＺ状の軌跡か、又は同時には長手方向か幅方向の何
れかの移動のみを行うコの字状の軌跡かを選択し演算器
に入力した。演算器には、分析線の長さから集光レンズ
の平行移動距離を決め、分析線の幅からこれを反射鏡と
集光レンズとの距離で除して反射鏡の最大回転角を決め
させた。更に、演算器に分析線の深さから、尖頭出力に
応じて、照射点の必要な移動速度を算出させ反射鏡の往
復回転数と回転速度を算出させた。
【００２１】成分濃度の比較はＩＣＰによる測定元素の
発光強度で行った。分析条件の詳細を表１に、分析結果
を図４乃至図８に、又分析結果とそれに基づく判定結果
を、従来の発光分光法と比較して、表２に示す。
発光強度で行った。分析条件の詳細を表１に、分析結果
を図４乃至図８に、又分析結果とそれに基づく判定結果
を、従来の発光分光法と比較して、表２に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】試料Ａ乃至Ｅについて分析結果を各々図４
乃至図８に示す。図で、縦軸は分析結果をＦｅ強度比で
表したもの、横軸は分析線上での分析点の移動距離であ
る。異常部の位置は矢印で示した。
乃至図８に示す。図で、縦軸は分析結果をＦｅ強度比で
表したもの、横軸は分析線上での分析点の移動距離であ
る。異常部の位置は矢印で示した。
【００２４】図４では、分析線が異常部にさしかかると
Ａｌ含有量が急に増加しＣａがやや増加している。同様
に、図５ではＣａ、Ａｌ、Ｎａ、Ｓｉが、図７ではＡｌ
が、図８ではＣａ、Ａｌが各々増加しているが、図６で
は成分の変動が見られない。
Ａｌ含有量が急に増加しＣａがやや増加している。同様
に、図５ではＣａ、Ａｌ、Ｎａ、Ｓｉが、図７ではＡｌ
が、図８ではＣａ、Ａｌが各々増加しているが、図６で
は成分の変動が見られない。
【００２５】
【表２】
【００２６】図４乃至図８の結果をまとめ、従来の発光
分光法と比較すると、試料Ａでは、この発明の実施例で
検出されたＣａが従来例では検出されない。試料Ｂでも
従来例ではＮａが検出されず、原因を誤って判定するこ
とになる。又、この発明の実施例では、深さ５０μm 及
び１００μm まで分析した試料Ｄ及びＥについて、めっ
き皮膜下の成分変動が検出され、異常の原因が各々アル
ミナ介在物及び酸化カルシウム・アルミナ複合介在物と
判定された。しかし、従来例では変動成分が検出されず
異常の原因はスケールと判定されている。
分光法と比較すると、試料Ａでは、この発明の実施例で
検出されたＣａが従来例では検出されない。試料Ｂでも
従来例ではＮａが検出されず、原因を誤って判定するこ
とになる。又、この発明の実施例では、深さ５０μm 及
び１００μm まで分析した試料Ｄ及びＥについて、めっ
き皮膜下の成分変動が検出され、異常の原因が各々アル
ミナ介在物及び酸化カルシウム・アルミナ複合介在物と
判定された。しかし、従来例では変動成分が検出されず
異常の原因はスケールと判定されている。
【００２７】
【発明の効果】以上述べてきたように、この発明によれ
ば鋼材の表面異常の原因を判定するための分析にレーザ
ー気化法を用いるので、異常部が絶縁物等で覆われてい
ても成分の検出が可能であり、又レーザーの照射条件を
制御することにより分析線の深さ及び幅を容易に変える
ことができるので、異常部の成分変動を見落とすことが
ない。
ば鋼材の表面異常の原因を判定するための分析にレーザ
ー気化法を用いるので、異常部が絶縁物等で覆われてい
ても成分の検出が可能であり、又レーザーの照射条件を
制御することにより分析線の深さ及び幅を容易に変える
ことができるので、異常部の成分変動を見落とすことが
ない。
【図１】発明の実施に使用するための鋼材表面異常の原
因判定分析装置の概念図である。
因判定分析装置の概念図である。
【図２】発明の原理を説明するためのパルスレーザー光
の半値幅と分析深さの関係を示す図である。
の半値幅と分析深さの関係を示す図である。
【図３】発明の原理を説明するためのパルスレーザー光
の尖頭出力及び照射点移動速度と分析深さの関係を示す
図である。
の尖頭出力及び照射点移動速度と分析深さの関係を示す
図である。
【図４】分析線上の分析点の移動距離と成分のＦｅ強度
比との関係を示す図である。
比との関係を示す図である。
【図５】分析線上の分析点の移動距離と成分のＦｅ強度
比との関係を示す図である。
比との関係を示す図である。
【図６】分析線上の分析点の移動距離と成分のＦｅ強度
比との関係を示す図である。
比との関係を示す図である。
【図７】分析線上の分析点の移動距離と成分のＦｅ強度
比との関係を示す図である。
比との関係を示す図である。
【図８】分析線上の分析点の移動距離と成分のＦｅ強度
比との関係を示す図である。
比との関係を示す図である。
１ レーザー発振器 ２ レーザー光 ３ 反射鏡 ４ 回転制御機構 ５ 集光レンズ ６ 平行移動制御機構 ７ 微粒子採取セル ８ 鋼材試料 ９ 照射点 １０ シール材 １１ 不活性ガス導入口 １２ 搬送管 １３ 検出器 １４ 演算器
フロントページの続き (72)発明者 坂下 明子 東京都千代田区丸の内一丁目１番２号 日 本鋼管株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 鋼材表面の異常について線分析を行い、
異常部部と正常部との成分濃度の相違から異常部の原因
を判定するに際して、パルスレーザー光を照射すること
により前記線分析の試料を採取して成分濃度を把握する
ことを特徴とする鋼材表面の異常原因判定分析方法。 - 【請求項２】 線分析の試料を採取する際に、パルスレ
ーザー光の照射点を反射鏡の回転、レーザー光集光レン
ズの平行移動又はこれらの組み合わせにより移動させ、
所定の線に沿って所定の幅で試料を採取する請求項１記
載の鋼材表面の異常原因判定分析方法。 - 【請求項３】 パルスレーザー光の照射を、パルス半値
幅０．０２μsec 以上０．５μsec 以下、パルスの尖頭
出力２０kW以上５MW以下で行う請求項１又は請求項２記
載の鋼材表面の異常原因判定分析方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5309975A JPH07159299A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 鋼材表面の異常原因判定分析方法 |
| US08/331,792 US5537206A (en) | 1993-11-02 | 1994-10-31 | Method for analyzing steel and apparatus therefor |
| KR1019940028544A KR0178558B1 (ko) | 1993-11-02 | 1994-11-01 | 강성분의 분석방법 및 그 장치 |
| CN94118324A CN1089164C (zh) | 1993-11-02 | 1994-11-02 | 钢成分的分析方法及其装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5309975A JPH07159299A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 鋼材表面の異常原因判定分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07159299A true JPH07159299A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=17999627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5309975A Pending JPH07159299A (ja) | 1993-11-02 | 1993-12-10 | 鋼材表面の異常原因判定分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07159299A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999005511A1 (fr) * | 1997-07-28 | 1999-02-04 | Nippon Steel Corporation | Procede et dispositif servant a determiner la cause d'une anomalie de surface d'un materiau |
| JP2001242144A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Hideaki Suito | 金属試料中の非金属介在物組成及び／又は粒径の分析法 |
| JP2007292749A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Fukui Prefecture | 多層薄膜の分析方法ならびに装置 |
| US7880138B2 (en) | 2006-12-22 | 2011-02-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for analyzing contaminants on wafer |
| JP2012132890A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 移動型成分採集分析装置 |
-
1993
- 1993-12-10 JP JP5309975A patent/JPH07159299A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999005511A1 (fr) * | 1997-07-28 | 1999-02-04 | Nippon Steel Corporation | Procede et dispositif servant a determiner la cause d'une anomalie de surface d'un materiau |
| JP2001242144A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Hideaki Suito | 金属試料中の非金属介在物組成及び／又は粒径の分析法 |
| JP2007292749A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Fukui Prefecture | 多層薄膜の分析方法ならびに装置 |
| US7880138B2 (en) | 2006-12-22 | 2011-02-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for analyzing contaminants on wafer |
| JP2012132890A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 移動型成分採集分析装置 |
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|---|---|---|---|
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