JPH07157326A - 光ファイバ用母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ用母材の製造方法Info
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- JPH07157326A JPH07157326A JP30264493A JP30264493A JPH07157326A JP H07157326 A JPH07157326 A JP H07157326A JP 30264493 A JP30264493 A JP 30264493A JP 30264493 A JP30264493 A JP 30264493A JP H07157326 A JPH07157326 A JP H07157326A
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- JP
- Japan
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- optical fiber
- preform
- chlorine
- powder
- refining
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/0128—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments starting from pulverulent glass
- C03B37/01282—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments starting from pulverulent glass by pressing or sintering, e.g. hot-pressing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、粉末成形法を利用した方法により作
製され、優れた強度を有する光ファイバを得ることがで
きる光ファイバ用母材を効率よく製造できる方法を提供
することを目的とする。 【構成】シリカ系粉末を粉末成形法で成形することによ
り多孔質母材を作製する工程と、前記多孔質母材に、塩
素混合量が１５〜８０容量％であるヘリウム雰囲気中に
おける精製処理を施す工程と、前記精製処理を施した前
記多孔質母材に透明ガラス化処理を施す工程と、を具備
することを特徴としている。
製され、優れた強度を有する光ファイバを得ることがで
きる光ファイバ用母材を効率よく製造できる方法を提供
することを目的とする。 【構成】シリカ系粉末を粉末成形法で成形することによ
り多孔質母材を作製する工程と、前記多孔質母材に、塩
素混合量が１５〜８０容量％であるヘリウム雰囲気中に
おける精製処理を施す工程と、前記精製処理を施した前
記多孔質母材に透明ガラス化処理を施す工程と、を具備
することを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバ用母材の製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ファイバ用母材の製造は、気相
合成法もしくは粉末成形法により多孔質母材を作製し、
これに精製処理および透明ガラス化処理を施すことによ
り行われる。
合成法もしくは粉末成形法により多孔質母材を作製し、
これに精製処理および透明ガラス化処理を施すことによ
り行われる。
【０００３】気相合成法で多孔質母材を作製する場合、
その作製工程においては金属不純物の混入がほとんどな
い。このため、精製処理では多孔質母材中に含まれる水
分を除去することが主目的となるので、精製処理は塩素
含有量が１容量％程度含む雰囲気において行われる。
その作製工程においては金属不純物の混入がほとんどな
い。このため、精製処理では多孔質母材中に含まれる水
分を除去することが主目的となるので、精製処理は塩素
含有量が１容量％程度含む雰囲気において行われる。
【０００４】一方、粉末成形法で多孔質母材を作製する
場合、その作製工程においては金属不純物が混入してし
まう。この多孔質母材を用いて光ファイバ用母材とし、
この光ファイバ用母材を線引きして作製された光ファイ
バは、金属不純物のために伝送特性や強度が低いものと
なる。したがって、粉末成形法で多孔質母材を作製する
場合には、精製処理において金属不純物を充分に除去し
ておく必要がある。
場合、その作製工程においては金属不純物が混入してし
まう。この多孔質母材を用いて光ファイバ用母材とし、
この光ファイバ用母材を線引きして作製された光ファイ
バは、金属不純物のために伝送特性や強度が低いものと
なる。したがって、粉末成形法で多孔質母材を作製する
場合には、精製処理において金属不純物を充分に除去し
ておく必要がある。
【０００５】R.Claisen は、Glastech Ber.Vol.60 No.4
pp.125-132(1987) において、多孔質母材に塩素混合量
１０％である酸素雰囲気中で精製処理することを開示し
ている。また、MacChesny らは、Mat.Res.Bull.Vol.22
pp.1209-1216(1987)において、多孔質母材に塩素混合量
１０％であるヘリウム雰囲気中で精製処理することを開
示している。
pp.125-132(1987) において、多孔質母材に塩素混合量
１０％である酸素雰囲気中で精製処理することを開示し
ている。また、MacChesny らは、Mat.Res.Bull.Vol.22
pp.1209-1216(1987)において、多孔質母材に塩素混合量
１０％であるヘリウム雰囲気中で精製処理することを開
示している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Claise
n やMacChesny らの方法で精製処理を施して得られる光
ファイバ用母材から作製された光ファイバは、不純物濃
度がppb レベルまで減少しているが、強度が充分ではな
い。
n やMacChesny らの方法で精製処理を施して得られる光
ファイバ用母材から作製された光ファイバは、不純物濃
度がppb レベルまで減少しているが、強度が充分ではな
い。
【０００７】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、粉末成形法を利用した方法により作製され、優れ
た強度を有する光ファイバを得ることができる光ファイ
バ用母材を効率よく製造できる方法を提供することを目
的とする。
あり、粉末成形法を利用した方法により作製され、優れ
た強度を有する光ファイバを得ることができる光ファイ
バ用母材を効率よく製造できる方法を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、Claisen
やMacChesny らの方法で精製処理を施して得られる光フ
ァイバ用母材から作製された光ファイバの強度低下は、
精製処理において除去しきれなかったＣｒ含む異物等の
金属不純物が破断の起点となることに起因することを見
出だした。したがって、本発明者らは、精製処理におい
て上記金属不純物を充分に除去して光ファイバの強度を
向上させるという技術的思想に基づいて本発明をするに
至った。
やMacChesny らの方法で精製処理を施して得られる光フ
ァイバ用母材から作製された光ファイバの強度低下は、
精製処理において除去しきれなかったＣｒ含む異物等の
金属不純物が破断の起点となることに起因することを見
出だした。したがって、本発明者らは、精製処理におい
て上記金属不純物を充分に除去して光ファイバの強度を
向上させるという技術的思想に基づいて本発明をするに
至った。
【０００９】すなわち、本発明は、シリカ系粉末を粉末
成形法で成形することにより多孔質母材を作製する工程
と、前記多孔質母材に、塩素混合量が１５〜８０容量％
であるヘリウム雰囲気中における精製処理を施す工程
と、前記精製処理を施した前記多孔質母材に透明ガラス
化処理を施す工程とを具備することを特徴とする光ファ
イバ用母材の製造方法を提供する。
成形法で成形することにより多孔質母材を作製する工程
と、前記多孔質母材に、塩素混合量が１５〜８０容量％
であるヘリウム雰囲気中における精製処理を施す工程
と、前記精製処理を施した前記多孔質母材に透明ガラス
化処理を施す工程とを具備することを特徴とする光ファ
イバ用母材の製造方法を提供する。
【００１０】ここで、本発明において使用するシリカ系
粉末としては、気相合成法により製造されたシリカ粉末
や、それと同等の高純度シリカ粉末、例えば、ゾル−ゲ
ル法で製造されたシリカ粉末等を用いることができる。
また、粉末成形法としては、加圧成形法、泥漿鋳込み成
形法、押出成形法等を用いることができる。
粉末としては、気相合成法により製造されたシリカ粉末
や、それと同等の高純度シリカ粉末、例えば、ゾル−ゲ
ル法で製造されたシリカ粉末等を用いることができる。
また、粉末成形法としては、加圧成形法、泥漿鋳込み成
形法、押出成形法等を用いることができる。
【００１１】精製処理のヘリウム雰囲気に加える塩素
は、４Ｎ以上の濃度を有することが好ましい。これは、
塩素濃度が４Ｎ未満であると、塩素ガス中に含まれる不
純物により精製効果が低減することがあるからである。
また、ヘリウム雰囲気中の塩素混合量は１５〜８０容量
％、より好ましくは２０〜５０容量％に設定する。これ
は、塩素混合量が２０容量％未満であると精製効果が低
く、Ｃｒを含む異物を充分に除去することができず、塩
素混合量が８０容量％を超えると得られる光ファイバ用
母材の組成が変動したり、光ファイバ用母材に気泡が発
生するからである。また、塩素混合量が２０〜５０容量
％の範囲内では、塩素混合量を増加するにしたがって精
製効果が向上する。塩素混合量が５０〜８０容量％の範
囲内では、精製効果はあるものの塩素混合量の増加に伴
って向上しない。塩素混合量は、処理に使用する電気炉
の条件や使用するシリカ粉末の種類により１５〜８０容
量％の範囲内で適宜選択する必要がある。
は、４Ｎ以上の濃度を有することが好ましい。これは、
塩素濃度が４Ｎ未満であると、塩素ガス中に含まれる不
純物により精製効果が低減することがあるからである。
また、ヘリウム雰囲気中の塩素混合量は１５〜８０容量
％、より好ましくは２０〜５０容量％に設定する。これ
は、塩素混合量が２０容量％未満であると精製効果が低
く、Ｃｒを含む異物を充分に除去することができず、塩
素混合量が８０容量％を超えると得られる光ファイバ用
母材の組成が変動したり、光ファイバ用母材に気泡が発
生するからである。また、塩素混合量が２０〜５０容量
％の範囲内では、塩素混合量を増加するにしたがって精
製効果が向上する。塩素混合量が５０〜８０容量％の範
囲内では、精製効果はあるものの塩素混合量の増加に伴
って向上しない。塩素混合量は、処理に使用する電気炉
の条件や使用するシリカ粉末の種類により１５〜８０容
量％の範囲内で適宜選択する必要がある。
【００１２】本発明において、精製処理の温度は１００
０〜１１００℃であることが好ましい。これは、精製処
理温度が１０００℃未満であるとＣｒを含む異物の除去
能力が小さく、精製処理温度が１１００℃を超えると塩
素が気泡となって光ファイバ用母材に残存し、光ファイ
バとしたときに破断する割合が高くなるからである。
０〜１１００℃であることが好ましい。これは、精製処
理温度が１０００℃未満であるとＣｒを含む異物の除去
能力が小さく、精製処理温度が１１００℃を超えると塩
素が気泡となって光ファイバ用母材に残存し、光ファイ
バとしたときに破断する割合が高くなるからである。
【００１３】
【作用】本発明は、シリカ系粉末を粉末成形法で成形し
てなる多孔質母材に、塩素混合量が１５〜８０容量％で
あるヘリウム雰囲気中における精製処理を施すことを特
徴としている。
てなる多孔質母材に、塩素混合量が１５〜８０容量％で
あるヘリウム雰囲気中における精製処理を施すことを特
徴としている。
【００１４】精製処理におけるヘリウム雰囲気中の塩素
混合量を１５〜８０容量％に規定することにより、Ｃｒ
を含む異物のような金属不純物を容易に除去することが
できる。したがって、得られた光ファイバ用母材を線引
きして光ファイバとした場合に、破断せず強度の高い光
ファイバとすることができる。
混合量を１５〜８０容量％に規定することにより、Ｃｒ
を含む異物のような金属不純物を容易に除去することが
できる。したがって、得られた光ファイバ用母材を線引
きして光ファイバとした場合に、破断せず強度の高い光
ファイバとすることができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について具体的に説明
する。 （実施例１）気相合成法により平均粒径８μｍのシリカ
粉末を製造し、このシリカ粉末１００重量部に対して６
６重量部の純水、１．６重量部のＰＶＡ（ポリビニルア
ルコール）、および１．２重量部のグリセリンを混合し
撹拌してスラリーを作製し、このスラリーをスプレード
ライヤー装置で造粒することにより、粒径１００μｍの
造粒粉末を得た。この造粒粉末を内径７０mmφ、長さ３
００mmであるシリコーンゴム製の成形用ゴム型に振動を
加えながら均一に充填した。
する。 （実施例１）気相合成法により平均粒径８μｍのシリカ
粉末を製造し、このシリカ粉末１００重量部に対して６
６重量部の純水、１．６重量部のＰＶＡ（ポリビニルア
ルコール）、および１．２重量部のグリセリンを混合し
撹拌してスラリーを作製し、このスラリーをスプレード
ライヤー装置で造粒することにより、粒径１００μｍの
造粒粉末を得た。この造粒粉末を内径７０mmφ、長さ３
００mmであるシリコーンゴム製の成形用ゴム型に振動を
加えながら均一に充填した。
【００１６】次いで、この成形用ゴム型を静水圧加圧装
置に設置して１０００kgf/cm2 の圧力で加圧した。加圧
成形した後、成形用ゴム型から外径５６mmφ、長さ２９
５mmの多孔質母材を取り出した。
置に設置して１０００kgf/cm2 の圧力で加圧した。加圧
成形した後、成形用ゴム型から外径５６mmφ、長さ２９
５mmの多孔質母材を取り出した。
【００１７】次いで、この多孔質母材に酸素を含む窒素
雰囲気中で５００℃、５時間の脱脂処理を施し、さら
に、昇降機構で多孔質母材を吊り上げて、内径９２mmφ
の精製炉内に２mm/minの降下速度で引き下げて多孔質母
材に１０００℃の精製処理を施した。なお、精製処理の
雰囲気は、ガス流量で塩素ガス１ l/min、ヘリウムガス
２．５ l/min（塩素混合量２９容量％）に調整した雰囲
気とした。
雰囲気中で５００℃、５時間の脱脂処理を施し、さら
に、昇降機構で多孔質母材を吊り上げて、内径９２mmφ
の精製炉内に２mm/minの降下速度で引き下げて多孔質母
材に１０００℃の精製処理を施した。なお、精製処理の
雰囲気は、ガス流量で塩素ガス１ l/min、ヘリウムガス
２．５ l/min（塩素混合量２９容量％）に調整した雰囲
気とした。
【００１８】次いで、多孔質母材を引き上げて、その
後、昇降機構で２mm/minの降下速度で透明ガラス化炉内
に引き下げて多孔質母材に１６００℃の透明ガラス化処
理を施して外径４６mmφ、長さ２９０mmの光ファイバ用
母材を作製した。
後、昇降機構で２mm/minの降下速度で透明ガラス化炉内
に引き下げて多孔質母材に１６００℃の透明ガラス化処
理を施して外径４６mmφ、長さ２９０mmの光ファイバ用
母材を作製した。
【００１９】この光ファイバ用母材を常法により線引き
して外径１２５μｍの光ファイバとした。得られた光フ
ァイバに歪み量０．７％で全長スクリーニング試験を行
ったところ破断は皆無であった。これは、Ｃｒを含む異
物が精製処理で充分に除去されたためであると考えられ
る。また、光ファイバ用母材を線引きして光ファイバに
する際の１km当りの破断回数を下記表１に示す。 （実施例２〜６）精製処理の際の雰囲気中の塩素混合量
を下記表１に示すように設定すること以外は実施例１と
同様にして光ファイバ用母材を作製した。この光ファイ
バ用母材を実施例１と同様にして光ファイバとし、歪み
量０．７％で全長スクリーニング試験を行ったところ破
断は皆無であった。また、光ファイバ用母材を線引きし
て光ファイバにする際の１km当りのそれぞれの破断回数
を下記表１に併記する。 （比較例１〜３）精製処理の際の雰囲気中の塩素混合量
を下記表１に示すように本発明の範囲外に設定すること
以外は実施例１と同様にして光ファイバ用母材を作製し
た。この光ファイバ用母材を実施例１と同様にして光フ
ァイバとし、歪み量０．７％で全長スクリーニング試験
を行ったところ破断が起った。また、光ファイバ用母材
を線引きして光ファイバにする際の１km当りのそれぞれ
の破断回数を下記表１に併記する。
して外径１２５μｍの光ファイバとした。得られた光フ
ァイバに歪み量０．７％で全長スクリーニング試験を行
ったところ破断は皆無であった。これは、Ｃｒを含む異
物が精製処理で充分に除去されたためであると考えられ
る。また、光ファイバ用母材を線引きして光ファイバに
する際の１km当りの破断回数を下記表１に示す。 （実施例２〜６）精製処理の際の雰囲気中の塩素混合量
を下記表１に示すように設定すること以外は実施例１と
同様にして光ファイバ用母材を作製した。この光ファイ
バ用母材を実施例１と同様にして光ファイバとし、歪み
量０．７％で全長スクリーニング試験を行ったところ破
断は皆無であった。また、光ファイバ用母材を線引きし
て光ファイバにする際の１km当りのそれぞれの破断回数
を下記表１に併記する。 （比較例１〜３）精製処理の際の雰囲気中の塩素混合量
を下記表１に示すように本発明の範囲外に設定すること
以外は実施例１と同様にして光ファイバ用母材を作製し
た。この光ファイバ用母材を実施例１と同様にして光フ
ァイバとし、歪み量０．７％で全長スクリーニング試験
を行ったところ破断が起った。また、光ファイバ用母材
を線引きして光ファイバにする際の１km当りのそれぞれ
の破断回数を下記表１に併記する。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１から分かるように、本発明の範囲内の
塩素混合量であるヘリウム雰囲気で精製処理を施したも
の（実施例１〜６）は、いずれも１km当りの破断回数が
非常に少なかった。これに対して本発明の範囲外の塩素
混合量であるヘリウム雰囲気で精製処理を施したもの
（比較例１〜３）は、いずれも１km当りの破断回数が実
施例の場合の３〜４倍と多かった。
塩素混合量であるヘリウム雰囲気で精製処理を施したも
の（実施例１〜６）は、いずれも１km当りの破断回数が
非常に少なかった。これに対して本発明の範囲外の塩素
混合量であるヘリウム雰囲気で精製処理を施したもの
（比較例１〜３）は、いずれも１km当りの破断回数が実
施例の場合の３〜４倍と多かった。
【００２２】
【発明の効果】以上説明した如く本発明の光ファイバ用
母材の製造方法は、シリカ系粉末を粉末成形法で成形し
てなる多孔質母材に、塩素混合量が２０〜８０容量％で
あるヘリウム雰囲気中における精製処理を施すので、精
製処理においてＣｒを含む異物を充分に除去することが
でき、粉末成形法を利用しても優れた強度を有する光フ
ァイバを得ることができる。したがって、粉末成形法が
利用できるので、光ファイバ用母材の製造コストが大幅
に低減できる。
母材の製造方法は、シリカ系粉末を粉末成形法で成形し
てなる多孔質母材に、塩素混合量が２０〜８０容量％で
あるヘリウム雰囲気中における精製処理を施すので、精
製処理においてＣｒを含む異物を充分に除去することが
でき、粉末成形法を利用しても優れた強度を有する光フ
ァイバを得ることができる。したがって、粉末成形法が
利用できるので、光ファイバ用母材の製造コストが大幅
に低減できる。
【手続補正書】
【提出日】平成６年１０月６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】精製処理のヘリウム雰囲気に加える塩素
は、４Ｎ以上の濃度を有することが好ましい。これは、
塩素濃度が４Ｎ未満であると、塩素ガス中に含まれる不
純物により精製効果が低減することがあるからである。
また、ヘリウム雰囲気中の塩素混合量は１５〜８０容量
％、より好ましくは２０〜５０容量％に設定する。これ
は、塩素混合量が２０容量％未満であると精製効果が低
く、Ｃｒを含む異物を充分に除去することができず、塩
素混合量が８０容量％を超えると得られる光ファイバ用
母材の組成が変動したり、光ファイバ用母材に気泡が発
生するからである。また、塩素混合量が１５〜５０容量
％の範囲内では、塩素混合量を増加するにしたがって精
製効果が向上する。塩素混合量が５０〜８０容量％の範
囲内では、精製効果はあるものの塩素混合量の増加に伴
って向上しない。塩素混合量は、処理に使用する電気炉
の条件や使用するシリカ粉末の種類により１５〜８０容
量％の範囲内で適宜選択する必要がある。
は、４Ｎ以上の濃度を有することが好ましい。これは、
塩素濃度が４Ｎ未満であると、塩素ガス中に含まれる不
純物により精製効果が低減することがあるからである。
また、ヘリウム雰囲気中の塩素混合量は１５〜８０容量
％、より好ましくは２０〜５０容量％に設定する。これ
は、塩素混合量が２０容量％未満であると精製効果が低
く、Ｃｒを含む異物を充分に除去することができず、塩
素混合量が８０容量％を超えると得られる光ファイバ用
母材の組成が変動したり、光ファイバ用母材に気泡が発
生するからである。また、塩素混合量が１５〜５０容量
％の範囲内では、塩素混合量を増加するにしたがって精
製効果が向上する。塩素混合量が５０〜８０容量％の範
囲内では、精製効果はあるものの塩素混合量の増加に伴
って向上しない。塩素混合量は、処理に使用する電気炉
の条件や使用するシリカ粉末の種類により１５〜８０容
量％の範囲内で適宜選択する必要がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】
【発明の効果】以上説明した如く本発明の光ファイバ用
母材の製造方法は、シリカ系粉末を粉末成形法で成形し
てなる多孔質母材に、塩素混合量が１５〜８０容量％で
あるヘリウム雰囲気中における精製処理を施すので、精
製処理においてＣｒを含む異物を充分に除去することが
でき、粉末成形法を利用しても優れた強度を有する光フ
ァイバを得ることができる。したがって、粉末成形法が
利用できるので、光ファイバ用母材の製造コストが大幅
に低減できる。
母材の製造方法は、シリカ系粉末を粉末成形法で成形し
てなる多孔質母材に、塩素混合量が１５〜８０容量％で
あるヘリウム雰囲気中における精製処理を施すので、精
製処理においてＣｒを含む異物を充分に除去することが
でき、粉末成形法を利用しても優れた強度を有する光フ
ァイバを得ることができる。したがって、粉末成形法が
利用できるので、光ファイバ用母材の製造コストが大幅
に低減できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 和昭 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】シリカ系粉末を粉末成形法で成形すること
により多孔質母材を作製する工程と、 前記多孔質母材に、塩素混合量が１５〜８０容量％であ
るヘリウム雰囲気中における精製処理を施す工程と、 前記精製処理を施した前記多孔質母材に透明ガラス化処
理を施す工程と、を具備することを特徴とする光ファイ
バ用母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30264493A JPH07157326A (ja) | 1993-12-02 | 1993-12-02 | 光ファイバ用母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30264493A JPH07157326A (ja) | 1993-12-02 | 1993-12-02 | 光ファイバ用母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07157326A true JPH07157326A (ja) | 1995-06-20 |
Family
ID=17911469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30264493A Pending JPH07157326A (ja) | 1993-12-02 | 1993-12-02 | 光ファイバ用母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07157326A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012021317A1 (en) * | 2010-08-12 | 2012-02-16 | Corning Incorporated | Treatment of silica based soot or an article made of silica based soot |
-
1993
- 1993-12-02 JP JP30264493A patent/JPH07157326A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012021317A1 (en) * | 2010-08-12 | 2012-02-16 | Corning Incorporated | Treatment of silica based soot or an article made of silica based soot |
| CN103068754A (zh) * | 2010-08-12 | 2013-04-24 | 康宁股份有限公司 | 氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的处理 |
| US10829403B2 (en) | 2010-08-12 | 2020-11-10 | Corning Incorporated | Treatment of silica based soot or an article made of silica based soot |
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