JPH07153662A - パターン描画装置 - Google Patents
パターン描画装置Info
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- JPH07153662A JPH07153662A JP29950693A JP29950693A JPH07153662A JP H07153662 A JPH07153662 A JP H07153662A JP 29950693 A JP29950693 A JP 29950693A JP 29950693 A JP29950693 A JP 29950693A JP H07153662 A JPH07153662 A JP H07153662A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジストの特性変動を防止して対象物に対す
るパターンの転写精度を向上させることが可能なパター
ン描画技術を提供する。 【構成】 電子光学系によって制御された電子線３ａの
照射により、高真空度の試料室７内でパターンの描画が
行われた試料９を、ロードロック室７Ａを介して試料室
７に接続されたベーク室１０に搬入して外気に曝すこと
なくＰＥＢ処理を行うようにしたパターン描画装置であ
る。
るパターンの転写精度を向上させることが可能なパター
ン描画技術を提供する。 【構成】 電子光学系によって制御された電子線３ａの
照射により、高真空度の試料室７内でパターンの描画が
行われた試料９を、ロードロック室７Ａを介して試料室
７に接続されたベーク室１０に搬入して外気に曝すこと
なくＰＥＢ処理を行うようにしたパターン描画装置であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パターン描画技術に関
し、特に、電子線描画装置を用いた、化学増幅系レジス
トによるパターン形成に適用して有効な技術に関する。
し、特に、電子線描画装置を用いた、化学増幅系レジス
トによるパターン形成に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の微細化に伴い、デバイ
スパターンの転写形成に用いるレジストには、高解像
度、及び高感度である化学増幅系のものが主流として用
いられている。化学増幅系レジストの主な特徴は、触媒
反応を利用したレジストであり、少ない露光量で触媒を
発生させ、触媒反応により多くの反応を起こすことで高
感度化を可能としたものである。
スパターンの転写形成に用いるレジストには、高解像
度、及び高感度である化学増幅系のものが主流として用
いられている。化学増幅系レジストの主な特徴は、触媒
反応を利用したレジストであり、少ない露光量で触媒を
発生させ、触媒反応により多くの反応を起こすことで高
感度化を可能としたものである。
【０００３】化学増幅系レジストに与えるエネルギー源
には、一般に電子線、又は光を用いる。
には、一般に電子線、又は光を用いる。
【０００４】以下に、電子線描画装置を用いた化学増幅
系レジストのプロセス処理工程について簡単に説明す
る。
系レジストのプロセス処理工程について簡単に説明す
る。
【０００５】まず、透明ガラス基板上に金属膜を蒸着し
たブランクスに、金属膜の表面に感光材（以下、レジス
トと称す。）を塗布する。
たブランクスに、金属膜の表面に感光材（以下、レジス
トと称す。）を塗布する。
【０００６】塗布方法としては、主に、回転機構を備え
た装置を用いており、前記ブランクス表面へ、レジスト
を滴下した後、ブランクス毎スピンヘッドを回転させる
ことにより、ブランクス表面上で、レジストの膜が均
一、及び任意の膜厚に形成される。その後は、レジスト
中の溶媒除去作用としてベーク（以下、プリベークと称
す。）処理を行う。
た装置を用いており、前記ブランクス表面へ、レジスト
を滴下した後、ブランクス毎スピンヘッドを回転させる
ことにより、ブランクス表面上で、レジストの膜が均
一、及び任意の膜厚に形成される。その後は、レジスト
中の溶媒除去作用としてベーク（以下、プリベークと称
す。）処理を行う。
【０００７】レジスト膜を塗布した前記試料は、露光装
置（電子線描画装置）に挿入し、電子線によってデバイ
スパターンをレジスト膜上へ描画する。
置（電子線描画装置）に挿入し、電子線によってデバイ
スパターンをレジスト膜上へ描画する。
【０００８】この後、主に、化学増幅系のレジストは、
露光後のベーク（以下、ＰＥＢ処理と称す。）処理が必
要である。ＰＥＢ処理後は、レジスト膜を現像し、現像
されたレジスト膜をカバーにして、金属膜をエッチング
し、遮光パターンを形成した後、不要となったレジスト
膜を剥離する。
露光後のベーク（以下、ＰＥＢ処理と称す。）処理が必
要である。ＰＥＢ処理後は、レジスト膜を現像し、現像
されたレジスト膜をカバーにして、金属膜をエッチング
し、遮光パターンを形成した後、不要となったレジスト
膜を剥離する。
【０００９】以上が、従来プロセス工程の簡単な概略で
あり、この方法を用いてホトマスク、及びウェーハを製
作している。
あり、この方法を用いてホトマスク、及びウェーハを製
作している。
【００１０】なお、電子線描画技術については、たとえ
ば株式会社工業調査会、昭和５６年１１月１０日発行、
「電子材料」１９８１年１１月号別刷Ｐ１１０〜Ｐ１１
６、等の文献に記載がある。
ば株式会社工業調査会、昭和５６年１１月１０日発行、
「電子材料」１９８１年１１月号別刷Ｐ１１０〜Ｐ１１
６、等の文献に記載がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述した
従来技術を検討した結果、以下の様な問題点を見出し
た。
従来技術を検討した結果、以下の様な問題点を見出し
た。
【００１２】すなわち、化学増幅系レジストの処理プロ
セスにおいて、ＰＥＢ処理前に大気中に放置（停滞時
間）すると、レジストの感度が低下し、パターンの転写
精度が劣化することが判明した。この問題についてさら
に検討したところ、大気中に浮遊している不純物が影響
しており、これを抑制するためには、真空内、又は窒素
ボックス内などで保管しなくてはならないが、描画後か
らＰＥＢまでの経過時間は、転写パターンの精度保証の
ために、各レジスト品種毎に経過時間が制限されてお
り、単なる保管では必ずしも有効な対策とはならない。
セスにおいて、ＰＥＢ処理前に大気中に放置（停滞時
間）すると、レジストの感度が低下し、パターンの転写
精度が劣化することが判明した。この問題についてさら
に検討したところ、大気中に浮遊している不純物が影響
しており、これを抑制するためには、真空内、又は窒素
ボックス内などで保管しなくてはならないが、描画後か
らＰＥＢまでの経過時間は、転写パターンの精度保証の
ために、各レジスト品種毎に経過時間が制限されてお
り、単なる保管では必ずしも有効な対策とはならない。
【００１３】更に、場合によっては、露光後、ＰＥＢ処
理前で短時間大気に曝しても感度低下が起こることもあ
る。
理前で短時間大気に曝しても感度低下が起こることもあ
る。
【００１４】従って、本発明の目的は、上述の問題点を
解決し、レジストの特性変動を防止して、対象物に対す
るパターンの転写精度を向上させることが可能なパター
ン描画技術を提供することにある。
解決し、レジストの特性変動を防止して、対象物に対す
るパターンの転写精度を向上させることが可能なパター
ン描画技術を提供することにある。
【００１５】また、パターン描画工程における対象物の
歩留りを向上させることが可能なパターン描画技術を提
供することにある。
歩留りを向上させることが可能なパターン描画技術を提
供することにある。
【００１６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１８】請求項１記載の発明は、対象物に塗布され
たレジストに対して、所望の真空下でエネルギビームを
照射することによって所望のパターンを描画するパター
ン描画部と、パターンが描画された対象物を、外気に曝
すことなく、所望の真空下で加熱処理する加熱処理部と
を備えたパターン描画装置である。
たレジストに対して、所望の真空下でエネルギビームを
照射することによって所望のパターンを描画するパター
ン描画部と、パターンが描画された対象物を、外気に曝
すことなく、所望の真空下で加熱処理する加熱処理部と
を備えたパターン描画装置である。
【００１９】請求項２記載の発明は、請求項１記載のパ
ターン描画装置において、加熱処理部は、載置される対
象物を加熱および冷却することが可能な温度制御ステー
ジを備えたものである。
ターン描画装置において、加熱処理部は、載置される対
象物を加熱および冷却することが可能な温度制御ステー
ジを備えたものである。
【００２０】請求項３記載の発明は、請求項１記載のパ
ターン描画装置において、パターン描画部と加熱処理部
との間に、断熱構造を配置したものである。
ターン描画装置において、パターン描画部と加熱処理部
との間に、断熱構造を配置したものである。
【００２１】請求項４記載の発明は、請求項１，２また
は３記載のパターン描画装置において、加熱処理部は、
載置される対象物を加熱するベークステージと、載置さ
れた対象物を冷却する冷却ステージと、ベークステージ
および冷却ステージと、パターン描画部との間における
対象物の授受動作を行う搬送ステージとを含む構成とし
たものである。
は３記載のパターン描画装置において、加熱処理部は、
載置される対象物を加熱するベークステージと、載置さ
れた対象物を冷却する冷却ステージと、ベークステージ
および冷却ステージと、パターン描画部との間における
対象物の授受動作を行う搬送ステージとを含む構成とし
たものである。
【００２２】請求項５記載の発明は、請求項１，２，３
または４記載のパターン描画装置において、加熱処理部
には、対象物の加熱処理中に発生するアウトガスを捕捉
して分析するガス計測部を備えるようにしたものであ
る。
または４記載のパターン描画装置において、加熱処理部
には、対象物の加熱処理中に発生するアウトガスを捕捉
して分析するガス計測部を備えるようにしたものであ
る。
【００２３】請求項６記載の発明は、対象物に塗布され
たレジストに対して、所望の真空下でエネルギビームを
照射することによって所望のパターンを描画するパター
ン描画部と、パターンが描画された対象物のレジストの
表面に対して保護薄膜を形成する操作または反応防止物
質を塗着する操作を行う表面処理部とを備えたものであ
る。
たレジストに対して、所望の真空下でエネルギビームを
照射することによって所望のパターンを描画するパター
ン描画部と、パターンが描画された対象物のレジストの
表面に対して保護薄膜を形成する操作または反応防止物
質を塗着する操作を行う表面処理部とを備えたものであ
る。
【００２４】請求項７記載の発明は、請求項１，２，
３，４，５または６記載のパターン描画装置において、
レジストは、エネルギビームの照射によって発生する触
媒によって感光反応が促進される化学増幅系レジストか
らなることを特徴とするものである。
３，４，５または６記載のパターン描画装置において、
レジストは、エネルギビームの照射によって発生する触
媒によって感光反応が促進される化学増幅系レジストか
らなることを特徴とするものである。
【００２５】
【作用】前述した手段によれば、たとえば電子線等のエ
ネルギビームによる描画後、対象物を大気に曝すことな
くパターン描画装置内において、加熱処理部によるＰＥ
Ｂ、あるいは、表面処理部による化学増幅系レジストか
らなるレジストに対する保護膜の形成が行われるので、
パターン描画装置より取り出した描画後の対象物は、現
像処理するまでの間、大気に曝してもパターンが描画さ
れたレジストの感度の低下は起こらず、化学増幅系レジ
ストの本来の高感度、及び高解像度が得られる。
ネルギビームによる描画後、対象物を大気に曝すことな
くパターン描画装置内において、加熱処理部によるＰＥ
Ｂ、あるいは、表面処理部による化学増幅系レジストか
らなるレジストに対する保護膜の形成が行われるので、
パターン描画装置より取り出した描画後の対象物は、現
像処理するまでの間、大気に曝してもパターンが描画さ
れたレジストの感度の低下は起こらず、化学増幅系レジ
ストの本来の高感度、及び高解像度が得られる。
【００２６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００２７】（実施例１）図１は、本発明の一実施例で
あるパターン描画装置の構成の一例を示す概念図であ
り、図２は、その制御系の構成の一例を示す概念図であ
る。
あるパターン描画装置の構成の一例を示す概念図であ
り、図２は、その制御系の構成の一例を示す概念図であ
る。
【００２８】なお、以下の説明では、パターン描画装置
の一例として電子線描画装置の場合を例にとって説明す
る。
の一例として電子線描画装置の場合を例にとって説明す
る。
【００２９】図１に示すように、本実施例の電子線描画
装置１は、電子線３ａを放射するＬａＢ6 電子銃３と、
整形偏向系４、縮小レンズ５、投射レンズ６等からな
り、電子線３ａを制御する電子光学系および試料室７を
備えている。前記試料室７内には、Ｘ−Ｙ駆動ステージ
８が設けられ、処理の対象物である試料９が載置され
る。試料９は、たとえば、透明ガラス基板上に金属膜を
蒸着したブランクスの前記金属膜の表面に、化学増幅系
レジストからなる感電子線レジストを塗布したものであ
り、前記Ｘ−Ｙ駆動ステージ８上に載置される。試料室
７の内部は、排気管２３ａを介して真空ポンプ等からな
る真空排気系２３によって所望の真空度に排気される。
装置１は、電子線３ａを放射するＬａＢ6 電子銃３と、
整形偏向系４、縮小レンズ５、投射レンズ６等からな
り、電子線３ａを制御する電子光学系および試料室７を
備えている。前記試料室７内には、Ｘ−Ｙ駆動ステージ
８が設けられ、処理の対象物である試料９が載置され
る。試料９は、たとえば、透明ガラス基板上に金属膜を
蒸着したブランクスの前記金属膜の表面に、化学増幅系
レジストからなる感電子線レジストを塗布したものであ
り、前記Ｘ−Ｙ駆動ステージ８上に載置される。試料室
７の内部は、排気管２３ａを介して真空ポンプ等からな
る真空排気系２３によって所望の真空度に排気される。
【００３０】更に、本実施例の場合、前記試料室７に
は、ロードロック室７Ａを介して、ベーク室１０が接続
されており、ロードロック室７Ａおよびベーク室１０
は、排気管２３ｂ，排気管２３ｃを介して真空排気系２
３により高真空に保たれる構造になっている。
は、ロードロック室７Ａを介して、ベーク室１０が接続
されており、ロードロック室７Ａおよびベーク室１０
は、排気管２３ｂ，排気管２３ｃを介して真空排気系２
３により高真空に保たれる構造になっている。
【００３１】ベーク室１０は、たとえば、図３に例示さ
れるように、載置される試料９の加熱および冷却操作を
行う温度制御機構を内蔵した温度制御ステージ１０ａを
備えている。また、ロードロック室７Ａに対する接続面
には、試料９をやり取りするためのゲートバルブ１０ｂ
が設けられている。さらに、ロードロック室７Ａとベー
ク室１０との間には、断熱材１０ｃが介設されており、
ベーク室１０における試料９の加熱冷却操作に際して温
度変化や熱変形なとが、ロードロック室７Ａの側に影響
することを防止している。
れるように、載置される試料９の加熱および冷却操作を
行う温度制御機構を内蔵した温度制御ステージ１０ａを
備えている。また、ロードロック室７Ａに対する接続面
には、試料９をやり取りするためのゲートバルブ１０ｂ
が設けられている。さらに、ロードロック室７Ａとベー
ク室１０との間には、断熱材１０ｃが介設されており、
ベーク室１０における試料９の加熱冷却操作に際して温
度変化や熱変形なとが、ロードロック室７Ａの側に影響
することを防止している。
【００３２】次に、前記電子線描画装置１の制御系２の
構成を図２を用いて説明する。
構成を図２を用いて説明する。
【００３３】図２で示すように、制御系２は、制御用計
算機１２、バッファメモリ１３、ショット分解１４、シ
ョット制御１５、シーケンス制御補正演算１６、ＳＥＭ
モニタ１７、レンズ制御１８、高圧電源１９、偏向制御
系２０、レンズ電源２１、ステージ・ローダ制御系２
２、真空排気系２３、を備えている。
算機１２、バッファメモリ１３、ショット分解１４、シ
ョット制御１５、シーケンス制御補正演算１６、ＳＥＭ
モニタ１７、レンズ制御１８、高圧電源１９、偏向制御
系２０、レンズ電源２１、ステージ・ローダ制御系２
２、真空排気系２３、を備えている。
【００３４】更に、本実施例の場合、ベーク室１０の制
御用として、ベーク温度制御２４が設けられている。
御用として、ベーク温度制御２４が設けられている。
【００３５】前記制御系２により、電子線描画装置１は
制御される。
制御される。
【００３６】次に、本実施例の作用の一例を説明する。
【００３７】試料９を、前記電子線描画装置１の試料室
７内のＸ−Ｙ駆動ステージ８上に載置する。この後、制
御用計算機１２からの指示により、前記図示しないレジ
スト膜に、第１のパターンである遮光パターンを描画す
る。これと同時、もしくは事前に、ベーク温度制御２４
からＰＥＢ処理条件の内容がベーク室１０に転送され、
温度制御ステージ１０ａは指定のベーク温度に設定され
る。
７内のＸ−Ｙ駆動ステージ８上に載置する。この後、制
御用計算機１２からの指示により、前記図示しないレジ
スト膜に、第１のパターンである遮光パターンを描画す
る。これと同時、もしくは事前に、ベーク温度制御２４
からＰＥＢ処理条件の内容がベーク室１０に転送され、
温度制御ステージ１０ａは指定のベーク温度に設定され
る。
【００３８】パターン描画が完了した試料９は、ステー
ジ・ローダ制御系２２からの命令により、ロードロック
室７Ａを介してベーク室１０へと搬送される。
ジ・ローダ制御系２２からの命令により、ロードロック
室７Ａを介してベーク室１０へと搬送される。
【００３９】ベーク室１０に搬送された試料９は、パタ
ーンが描画済みの感電子線レジストに対し、当該感電子
線レジストの品種等に応じた加熱温度および加熱時間等
の所定の条件でＰＥＢ処理作業を実行する。
ーンが描画済みの感電子線レジストに対し、当該感電子
線レジストの品種等に応じた加熱温度および加熱時間等
の所定の条件でＰＥＢ処理作業を実行する。
【００４０】このＰＥＢ処理作業が行われた試料９は、
電子線描画装置１の外部に搬出され、次のたとえば現像
工程に送られる。
電子線描画装置１の外部に搬出され、次のたとえば現像
工程に送られる。
【００４１】このように、本実施例の構成によれば、描
画後の試料９に対して、電子線描画装置１の内部で、外
気に曝すことなくＰＥＢ処理作業を行うので、たとえば
化学増幅系レジスト等からなり、外気への暴露に敏感な
感電子線レジストの現像特性等の経時変化を抑制できる
ので、レジストの品質維持が可能となり、パターンの転
写精度および試料９の歩留りが向上する。
画後の試料９に対して、電子線描画装置１の内部で、外
気に曝すことなくＰＥＢ処理作業を行うので、たとえば
化学増幅系レジスト等からなり、外気への暴露に敏感な
感電子線レジストの現像特性等の経時変化を抑制できる
ので、レジストの品質維持が可能となり、パターンの転
写精度および試料９の歩留りが向上する。
【００４２】（実施例２）図４は、本発明の他の実施例
である電子線描画装置の一部を取り出して示す略断面図
である。
である電子線描画装置の一部を取り出して示す略断面図
である。
【００４３】この実施例２の場合には、ベーク室１０
に、載置される試料９を加熱するベークステージ１０ｄ
と、載置された試料９を冷却する冷却ステージ１０ｅ
と、ベークステージ１０ｄおよび冷却ステージ１０ｅ
と、ロードロック室７Ａとの間における試料９の授受動
作を行う搬送ステージ１０ｆとを含む構成としたところ
が、前記実施例１の場合と異なっている。
に、載置される試料９を加熱するベークステージ１０ｄ
と、載置された試料９を冷却する冷却ステージ１０ｅ
と、ベークステージ１０ｄおよび冷却ステージ１０ｅ
と、ロードロック室７Ａとの間における試料９の授受動
作を行う搬送ステージ１０ｆとを含む構成としたところ
が、前記実施例１の場合と異なっている。
【００４４】また、ベーク室１０には、アウトガス計測
部１０ｇが接続されており、ベークステージ１０ｄにお
けるＰＥＢ処理において試料９の感電子線レジストから
発生するガスを分析することにより、ＰＥＢ処理の進行
状態を把握して、たとえば、ベークステージ１０ｄにお
けるＰＥＢ処理の条件の較正等を行うことが可能になっ
ている。
部１０ｇが接続されており、ベークステージ１０ｄにお
けるＰＥＢ処理において試料９の感電子線レジストから
発生するガスを分析することにより、ＰＥＢ処理の進行
状態を把握して、たとえば、ベークステージ１０ｄにお
けるＰＥＢ処理の条件の較正等を行うことが可能になっ
ている。
【００４５】これにより、この実施例２の場合には、ベ
ークステージ１０ｄにおける試料９の加熱によるＰＥＢ
処理と、この加熱処理後の試料９の冷却処理とを並行し
て進行させることができ、ＰＥＢ処理を含めた電子線描
画工程での処理能力を向上させることができる。
ークステージ１０ｄにおける試料９の加熱によるＰＥＢ
処理と、この加熱処理後の試料９の冷却処理とを並行し
て進行させることができ、ＰＥＢ処理を含めた電子線描
画工程での処理能力を向上させることができる。
【００４６】（実施例３）図５は、本発明のさらに他の
実施例である電子線描画装置の構成の一例を示す概念図
であり、図６は、その一部を取り出して示す略断面図で
ある。
実施例である電子線描画装置の構成の一例を示す概念図
であり、図６は、その一部を取り出して示す略断面図で
ある。
【００４７】この実施例３の場合には、ベーク室１０の
代わりに表面処理室１１を設けたところが、前記実施例
１の場合と異なっている。このため、制御系には、前記
実施例１における図２に例示した制御系２に処理ガス制
御２５が付加されている。
代わりに表面処理室１１を設けたところが、前記実施例
１の場合と異なっている。このため、制御系には、前記
実施例１における図２に例示した制御系２に処理ガス制
御２５が付加されている。
【００４８】この表面処理室１１は、たとえば図６に例
示されるように、電極を兼ねるステージ１１ａ、このス
テージ１１ａに対向して配置され、ステージ１１ａとの
間に高周波電力が印加される電極１１ｂと、所望の処理
ガスｇを供給する処理ガス管１１ｃと、真空排気系２３
に接続された排気管２３ｃとを備えている。
示されるように、電極を兼ねるステージ１１ａ、このス
テージ１１ａに対向して配置され、ステージ１１ａとの
間に高周波電力が印加される電極１１ｂと、所望の処理
ガスｇを供給する処理ガス管１１ｃと、真空排気系２３
に接続された排気管２３ｃとを備えている。
【００４９】また、ロードロック室７Ａとの間には、試
料９の出し入れが行われるゲートバルブ１１ｄと、断熱
材１１ｅが設けられている。
料９の出し入れが行われるゲートバルブ１１ｄと、断熱
材１１ｅが設けられている。
【００５０】そして、ロードロック室７Ａから到来する
描画済みの試料９は、ステージ１１ａに載置され、処理
ガス制御２５により、試料９の感電子線レジストの現像
特性等の経時変化を抑止する条件の処理ガスｇを選択、
及び制御することによって、レジスト膜表面に保護膜を
形成する。
描画済みの試料９は、ステージ１１ａに載置され、処理
ガス制御２５により、試料９の感電子線レジストの現像
特性等の経時変化を抑止する条件の処理ガスｇを選択、
及び制御することによって、レジスト膜表面に保護膜を
形成する。
【００５１】たとえば、図６に例示した表面処理室１１
の構成の場合には、電極１１ｂとステージ１１ａとの間
に形成される処理ガスｇのプラズマによって、たとえ
ば、数十オングストローム程度の厚さのアルミニウムな
どからなる保護膜が試料９の感電子線レジストの表面に
形成される。
の構成の場合には、電極１１ｂとステージ１１ａとの間
に形成される処理ガスｇのプラズマによって、たとえ
ば、数十オングストローム程度の厚さのアルミニウムな
どからなる保護膜が試料９の感電子線レジストの表面に
形成される。
【００５２】これにより、後に、試料９が電子線描画装
置１から外部の大気中に搬出されても、試料９に形成さ
れた感電子線レジストが直接に大気に触れることがな
く、化学増幅系レジストからなる感電子線レジストの現
像特性の変動が確実に防止される。なお、感電子線レジ
ストの表面に上述のようにして形成されたアルミニウム
等からなる薄膜は、感電子線レジストのアルカリ現像工
程において容易に溶解除去されるので、プロセスの支障
となることはない。
置１から外部の大気中に搬出されても、試料９に形成さ
れた感電子線レジストが直接に大気に触れることがな
く、化学増幅系レジストからなる感電子線レジストの現
像特性の変動が確実に防止される。なお、感電子線レジ
ストの表面に上述のようにして形成されたアルミニウム
等からなる薄膜は、感電子線レジストのアルカリ現像工
程において容易に溶解除去されるので、プロセスの支障
となることはない。
【００５３】なお、表面処理室１１の構成としては、図
６に例示したものに限らず、たとえば、試料９の感電子
線レジストと外気中の物質との反応を防止する反応防止
物質の蒸着や塗布等を行う構成としてもよい。
６に例示したものに限らず、たとえば、試料９の感電子
線レジストと外気中の物質との反応を防止する反応防止
物質の蒸着や塗布等を行う構成としてもよい。
【００５４】この実施例３によれば、表面処理室１１に
搬送された試料９は、使用した感電子線レジストの種別
に応じた最適の保護膜をパターン描画後の感電子線レジ
ストの表面に形成するので、電子線描画装置１の外部に
搬出され、大気に曝されても、感電子線レジストの現像
特性等の経時変化が発生することが抑止され、レジスト
の品質維持が可能となり、パターン転写精度および試料
９の歩留りが向上する。
搬送された試料９は、使用した感電子線レジストの種別
に応じた最適の保護膜をパターン描画後の感電子線レジ
ストの表面に形成するので、電子線描画装置１の外部に
搬出され、大気に曝されても、感電子線レジストの現像
特性等の経時変化が発生することが抑止され、レジスト
の品質維持が可能となり、パターン転写精度および試料
９の歩留りが向上する。
【００５５】（実施例４）図７は、本発明のさらに他の
実施例である電子線描画装置の構成の一例を示す概念図
である。
実施例である電子線描画装置の構成の一例を示す概念図
である。
【００５６】この実施例４の場合には、ベーク室１０お
よび表面処理室１１の両方をロードロック室７Ａに接続
する構成としたものである。
よび表面処理室１１の両方をロードロック室７Ａに接続
する構成としたものである。
【００５７】この場合には、ＰＥＢ処理と保護膜形成処
理の両方を、試料９のパターン描画済みの感電子線レジ
ストに施すことができ、電子線描画装置の外部に試料９
を搬出した後の感電子線レジストの特性変動をより確実
に抑止でき、レジストの品質維持が可能となり、歩留り
が向上する。
理の両方を、試料９のパターン描画済みの感電子線レジ
ストに施すことができ、電子線描画装置の外部に試料９
を搬出した後の感電子線レジストの特性変動をより確実
に抑止でき、レジストの品質維持が可能となり、歩留り
が向上する。
【００５８】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５９】例えば、前記実施例では、一例としてエネ
ルギビームとして電子線を用いた電子線描画装置を示し
たが、本発明は、レーザ、Ｘ線などのエネルギビームを
用いたパターン描画装置にも適用することが可能であ
る。また、レジストは化学増幅系以外のレジストであっ
ても本発明のパターン描画装置による効果が望めるもの
に適用することができる。
ルギビームとして電子線を用いた電子線描画装置を示し
たが、本発明は、レーザ、Ｘ線などのエネルギビームを
用いたパターン描画装置にも適用することが可能であ
る。また、レジストは化学増幅系以外のレジストであっ
ても本発明のパターン描画装置による効果が望めるもの
に適用することができる。
【００６０】また、試料としては、ホトマスク、または
ウェハなど、高いパターン転写精度が必要とされる数多
くの製造プロセスに適用可能である。
ウェハなど、高いパターン転写精度が必要とされる数多
くの製造プロセスに適用可能である。
【００６１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以
下の通りである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以
下の通りである。
【００６２】本発明のパターン描画装置によれば、レジ
ストの特性変動を防止して、対象物に対するパターンの
転写精度を向上させることができる、という効果が得ら
れる。また、パターン描画工程における対象物の歩留り
を向上させることができる、という効果が得られる。
ストの特性変動を防止して、対象物に対するパターンの
転写精度を向上させることができる、という効果が得ら
れる。また、パターン描画工程における対象物の歩留り
を向上させることができる、という効果が得られる。
【図１】本発明の一実施例であるパターン描画装置の構
成の一例を示す概念図である。
成の一例を示す概念図である。
【図２】その制御系の構成の一例を示す概念図である。
【図３】その一部を取り出して示す略断面図である。
【図４】その一部を取り出して示す略断面図である。
【図５】本発明のさらに他の実施例である電子線描画装
置の構成の一例を示す概念図である。
置の構成の一例を示す概念図である。
【図６】その一部を取り出して示す略断面図である。
【図７】本発明のさらに他の実施例である電子線描画装
置の構成の一例を示す概念図である。
置の構成の一例を示す概念図である。
１ 電子線描画装置 ２ 制御系 ３ ＬａＢ6 電子銃 ３ａ 電子線 ４ 整形偏向系 ５ 縮小レンズ ６ 投射レンズ ７ 試料室 ７Ａ ロードロック室 ８ Ｘ−Ｙ駆動ステージ ９ 試料 １０ ベーク室 １０ａ 温度制御ステージ １０ｂ ゲートバルブ １０ｃ 断熱材 １０ｄ ベークステージ １０ｅ 冷却ステージ １０ｆ 搬送ステージ １０ｇ アウトガス計測部 １１ 表面処理室 １１ａ ステージ １１ｂ 電極 １１ｃ 処理ガス管 １１ｄ ゲートバルブ １１ｅ 断熱材 １２ 制御用計算機 １３ バッファメモリ １４ ショット分解 １５ ショット制御 １６ シーケンス制御補正演算 １７ ＳＥＭモニタ １８ レンズ制御 １９ 高圧電源 ２０ 偏向制御系 ２１ レンズ電源 ２２ ステージ・ローダ制御系 ２３ 真空排気系 ２３ａ 排気管 ２３ｂ 排気管 ２３ｃ 排気管 ２４ ベーク温度制御 ２５ 処理ガス制御 ｇ 処理ガス
Claims (7)
- 【請求項１】 対象物に塗布されたレジストに対して、
所望の真空下でエネルギビームを照射することによって
所望のパターンを描画するパターン描画部と、前記パタ
ーンが描画された前記対象物を、外気に曝すことなく、
所望の真空下で加熱処理する加熱処理部とを備えたこと
を特徴とするパターン描画装置。 - 【請求項２】 前記加熱処理部は、載置される前記対象
物を加熱および冷却することが可能な温度制御ステージ
を備えたことを特徴とする請求項１記載のパターン描画
装置。 - 【請求項３】 パターン描画部と前記加熱処理部との間
に、断熱構造を配置したことを特徴とする請求項１記載
のパターン描画装置。 - 【請求項４】 前記加熱処理部は、載置される前記対象
物を加熱するベークステージと、載置された前記対象物
を冷却する冷却ステージと、前記ベークステージおよび
前記冷却ステージと、前記パターン描画部との間におけ
る前記対象物の授受動作を行う搬送ステージとを含むこ
とを特徴とする請求項１，２または３記載のパターン描
画装置。 - 【請求項５】 前記加熱処理部には、前記対象物の加熱
処理中に発生するアウトガスを捕捉して分析するガス計
測部を備えたことを特徴とする請求項１，２，３または
４記載のパターン描画装置。 - 【請求項６】 対象物に塗布されたレジストに対して、
所望の真空下でエネルギビームを照射することによって
所望のパターンを描画するパターン描画部と、前記パタ
ーンが描画された前記対象物の前記レジストの表面に対
して保護薄膜を形成する操作または反応防止物質を塗着
する操作を行う表面処理部とを備えたことを特徴とする
パターン描画装置。 - 【請求項７】 前記レジストは、前記エネルギビームの
照射によって発生する触媒によって感光反応が促進され
る化学増幅系レジストであることを特徴とする請求項
１，２，３，４，５または６記載のパターン描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29950693A JP3490753B2 (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | パターン描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29950693A JP3490753B2 (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | パターン描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07153662A true JPH07153662A (ja) | 1995-06-16 |
| JP3490753B2 JP3490753B2 (ja) | 2004-01-26 |
Family
ID=17873470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29950693A Expired - Fee Related JP3490753B2 (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | パターン描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3490753B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6716730B2 (en) | 2002-01-16 | 2004-04-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern formation method |
| JP2005191494A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光装置、デバイスの製造方法 |
| JP2006228776A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Advantest Corp | 荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒子ビーム露光方法 |
-
1993
- 1993-11-30 JP JP29950693A patent/JP3490753B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6716730B2 (en) | 2002-01-16 | 2004-04-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern formation method |
| JP2005191494A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光装置、デバイスの製造方法 |
| JP2006228776A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Advantest Corp | 荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒子ビーム露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3490753B2 (ja) | 2004-01-26 |
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