JPH0715021A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
- Publication number
- JPH0715021A JPH0715021A JP5147316A JP14731693A JPH0715021A JP H0715021 A JPH0715021 A JP H0715021A JP 5147316 A JP5147316 A JP 5147316A JP 14731693 A JP14731693 A JP 14731693A JP H0715021 A JPH0715021 A JP H0715021A
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- Japan
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- semiconductor
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- pellet
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体受光装置において、半導体ペレット３
と光ファイバとの結合調整を容易に行える技術を提供す
る。また、半導体受光装置の小型化を図る。 【構成】 ベース部材１のペレット塔載面２Ａ上に光電
変換を行う半導体ペレット３が塔載される半導体受光装
置において、前記半導体ペレット３の主面の素子形成領
域(受光面)３Ａに、無バイアスで光電変換を行う第１受
光素子(ＰＤ素子)４Ａ、増幅作用を持つ第２受光素子
(ＡＰＤ素子)４Ｂの夫々を形成する。また、前記半導体
ペレット３が塔載されるベース部材１のペレット塔載面
１Ａを、実装基板の実装面上に前記ベース部材１が実装
される時の該ベース部材１の実装面１Ｂに対して鋭角を
なす角度で構成する。
と光ファイバとの結合調整を容易に行える技術を提供す
る。また、半導体受光装置の小型化を図る。 【構成】 ベース部材１のペレット塔載面２Ａ上に光電
変換を行う半導体ペレット３が塔載される半導体受光装
置において、前記半導体ペレット３の主面の素子形成領
域(受光面)３Ａに、無バイアスで光電変換を行う第１受
光素子(ＰＤ素子)４Ａ、増幅作用を持つ第２受光素子
(ＡＰＤ素子)４Ｂの夫々を形成する。また、前記半導体
ペレット３が塔載されるベース部材１のペレット塔載面
１Ａを、実装基板の実装面上に前記ベース部材１が実装
される時の該ベース部材１の実装面１Ｂに対して鋭角を
なす角度で構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体受光装置に関
し、特に、ベース部材のペレット塔載面上に光電変換を
行う半導体ペレットが塔載される半導体受光装置に適用
して有効な技術に関するものである。
し、特に、ベース部材のペレット塔載面上に光電変換を
行う半導体ペレットが塔載される半導体受光装置に適用
して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本発明者が開発中の半導体受光装置は、
図４(斜視図)に示すように、ベース部材１のペレット塔
載面１Ａ上に電極２Ａを介在して半導体ペレット３が塔
載されている。この種の半導体受光装置は、光ファイバ
通信、計測機等の光電変換器として使用される。
図４(斜視図)に示すように、ベース部材１のペレット塔
載面１Ａ上に電極２Ａを介在して半導体ペレット３が塔
載されている。この種の半導体受光装置は、光ファイバ
通信、計測機等の光電変換器として使用される。
【０００３】前記半導体ペレット３は例えばＧａＡｓ基
板を主体にして構成される。この半導体ペレット３の主
面の素子形成領域(受光面)３Ａには、光電変換を行う半
導体受光素子としてＰＤ(Ｐhoto Ｄiode)素子若しくは
ＡＰＤ(Ａvalanche ＰＤ)素子が形成される。ＰＤ素子
は無バイアスで光電変換を行うことができる。ＡＰＤ素
子は増幅機能(アバランシェ増倍作用)を持っている。
板を主体にして構成される。この半導体ペレット３の主
面の素子形成領域(受光面)３Ａには、光電変換を行う半
導体受光素子としてＰＤ(Ｐhoto Ｄiode)素子若しくは
ＡＰＤ(Ａvalanche ＰＤ)素子が形成される。ＰＤ素子
は無バイアスで光電変換を行うことができる。ＡＰＤ素
子は増幅機能(アバランシェ増倍作用)を持っている。
【０００４】前記ベース部材１は例えば直方体形状で構
成される。このベース部材１の一立方面上には外部との
電気的な接続を行う一対の外部電極２Ｂが配置される。
一方の外部電極２Ｂはボンディングワイヤ５を介して半
導体ペレット３の主面上に形成されたアノード電極と電
気的に接続される。他方の外部電極２Ｂは、ペレット塔
載面１Ａ上に配置された電極２Ａと一体に形成され、半
導体ペレット３の主面と対向するその裏面に配置された
カソード電極と電気的に接続される。
成される。このベース部材１の一立方面上には外部との
電気的な接続を行う一対の外部電極２Ｂが配置される。
一方の外部電極２Ｂはボンディングワイヤ５を介して半
導体ペレット３の主面上に形成されたアノード電極と電
気的に接続される。他方の外部電極２Ｂは、ペレット塔
載面１Ａ上に配置された電極２Ａと一体に形成され、半
導体ペレット３の主面と対向するその裏面に配置された
カソード電極と電気的に接続される。
【０００５】このように構成される半導体受光装置は、
例えば外部電極２Ｂが配置されたベース部材１の一立方
面と対向する裏面を実装面１Ｂとして実装基板(図示せ
ず)の実装面上に実装され、半導体ペレット３の主面の
素子形成領域３Ａと光ファイバーとの光結合がなされ
る。
例えば外部電極２Ｂが配置されたベース部材１の一立方
面と対向する裏面を実装面１Ｂとして実装基板(図示せ
ず)の実装面上に実装され、半導体ペレット３の主面の
素子形成領域３Ａと光ファイバーとの光結合がなされ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述の半
導体受光装置について以下の問題点を見出した。
導体受光装置について以下の問題点を見出した。
【０００７】前記半導体ペレット３の素子形成領域３Ａ
に形成される半導体受光素子として、ＰＤ素子は無バイ
アスでも光電変換を行うことができるが、ＡＰＤ素子は
有る電圧以上にならないと光電変換を行うことができな
い。また、ＡＰＤ素子は光電変換を行う電圧も一定でな
い。このため、ＡＰＤ素子が形成された半導体ペレット
３を有する半導体受光装置において、半導体ペレット３
の素子形成領域３Ａと光ファイバーとを光結合させる結
合調整がしずらい。
に形成される半導体受光素子として、ＰＤ素子は無バイ
アスでも光電変換を行うことができるが、ＡＰＤ素子は
有る電圧以上にならないと光電変換を行うことができな
い。また、ＡＰＤ素子は光電変換を行う電圧も一定でな
い。このため、ＡＰＤ素子が形成された半導体ペレット
３を有する半導体受光装置において、半導体ペレット３
の素子形成領域３Ａと光ファイバーとを光結合させる結
合調整がしずらい。
【０００８】また、前記ベース部材１は直方体形状で構
成され、このベース部材１のペレット塔載面１Ａは例え
ば平面が長方形状で構成される。ベース部材１のペレッ
ト塔載面１Ａは、その短辺方向において、半導体ペレッ
ト３の占有面積に相当する塔載マージンで律則される。
このため、ペレット塔載面１Ａの短辺方向において、ベ
ース部材１の一方向の厚さは半導体ペレット３の占有面
積に律則されるので、半導体受光装置の小型化を図るこ
とができない。
成され、このベース部材１のペレット塔載面１Ａは例え
ば平面が長方形状で構成される。ベース部材１のペレッ
ト塔載面１Ａは、その短辺方向において、半導体ペレッ
ト３の占有面積に相当する塔載マージンで律則される。
このため、ペレット塔載面１Ａの短辺方向において、ベ
ース部材１の一方向の厚さは半導体ペレット３の占有面
積に律則されるので、半導体受光装置の小型化を図るこ
とができない。
【０００９】本発明の目的は、半導体受光装置の結合調
整を容易に行うことが可能な技術を提供することにあ
る。
整を容易に行うことが可能な技術を提供することにあ
る。
【００１０】また、本発明の他の目的は、半導体受光装
置の小型化を図ることが可能な技術を提供することにあ
る。
置の小型化を図ることが可能な技術を提供することにあ
る。
【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１３】（１）ベース部材のペレット塔載面上に光
電変換を行う半導体ペレットが塔載される半導体受光装
置において、前記半導体ペレットの主面の素子形成領域
（受光面）に、無バイアスで光電変換を行う第１受光素
子(ＰＤ素子)、増幅作用を持つ第２受光素子(ＡＰＤ素
子)の夫々を形成する。
電変換を行う半導体ペレットが塔載される半導体受光装
置において、前記半導体ペレットの主面の素子形成領域
（受光面）に、無バイアスで光電変換を行う第１受光素
子(ＰＤ素子)、増幅作用を持つ第２受光素子(ＡＰＤ素
子)の夫々を形成する。
【００１４】（２）前記半導体ペレットが塔載されるベ
ース部材のペレット塔載面を、実装基板の実装面上に前
記ベース部材が実装される時の該ベース部材の実装面に
対して鋭角をなす角度で構成する。
ース部材のペレット塔載面を、実装基板の実装面上に前
記ベース部材が実装される時の該ベース部材の実装面に
対して鋭角をなす角度で構成する。
【００１５】
【作用】上述した手段(１)によれば、無バイアス時の光
電変換を第１受光素子で受け持つことができるので、無
バイアスでの光電変換を行うことができると共に、光電
変換を行う電圧を一定にすることができる。この結果、
第２受光素子を有する半導体受光装置において、半導体
ペレットの主面の素子形成領域(受光面)と光ファイバー
との光結合を行う結合調整を容易に行うことができる。
電変換を第１受光素子で受け持つことができるので、無
バイアスでの光電変換を行うことができると共に、光電
変換を行う電圧を一定にすることができる。この結果、
第２受光素子を有する半導体受光装置において、半導体
ペレットの主面の素子形成領域(受光面)と光ファイバー
との光結合を行う結合調整を容易に行うことができる。
【００１６】上述した手段(２)によれば、ベース部材の
ペレット塔載面の占有面積が増加するので、この占有面
積に相当する分、ベース部材の一方向の厚さを低減でき
る。この結果、半導体受光装置の小型化を図ることがで
きる。
ペレット塔載面の占有面積が増加するので、この占有面
積に相当する分、ベース部材の一方向の厚さを低減でき
る。この結果、半導体受光装置の小型化を図ることがで
きる。
【００１７】以下、本発明の構成について、半導体受光
装置に本発明を適用した一実施例とともに説明する。
装置に本発明を適用した一実施例とともに説明する。
【００１８】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【００１９】
【実施例】本発明の一実施例である半導体受光装置の概
略構成を図１(斜視図)に示す。
略構成を図１(斜視図)に示す。
【００２０】図１に示すように、半導体受光装置は、ベ
ース部材１のペレット塔載面１Ａ上に電極２Ａを介在し
て半導体ペレット３が塔載されている。この半導体受光
装置は、光ファイバ通信、計測機等の光電変換器として
使用される。
ース部材１のペレット塔載面１Ａ上に電極２Ａを介在し
て半導体ペレット３が塔載されている。この半導体受光
装置は、光ファイバ通信、計測機等の光電変換器として
使用される。
【００２１】前記半導体ペレット３は例えばＧａＡｓ基
板を主体にして構成される。この半導体ペレット３の主
面の素子形成領域(受光面)３Ａには、図２(平面図)に示
すように、光電変換を行う半導体受光素子としてＰＤ素
子４Ａ及びＡＰＤ素子４Ｂが形成される。ＰＤ素子４Ａ
は無バイアスで光電変換を行うことができる。ＡＰＤ素
子４Ｂは増幅機能(アバランシェ増倍作用)を持ってい
る。このように構成される半導体ペレット３は、素子形
成領域３ＡにＰＤ素子４Ａ及びＡＰＤ素子４Ｂを形成す
ることにより、無バイアス時の光電変換をＰＤ受光素子
４Ａで受け持つことができるので、無バイアスでの光電
変換を行うことができると共に、光電変換を行う電圧を
一定にすることができる。
板を主体にして構成される。この半導体ペレット３の主
面の素子形成領域(受光面)３Ａには、図２(平面図)に示
すように、光電変換を行う半導体受光素子としてＰＤ素
子４Ａ及びＡＰＤ素子４Ｂが形成される。ＰＤ素子４Ａ
は無バイアスで光電変換を行うことができる。ＡＰＤ素
子４Ｂは増幅機能(アバランシェ増倍作用)を持ってい
る。このように構成される半導体ペレット３は、素子形
成領域３ＡにＰＤ素子４Ａ及びＡＰＤ素子４Ｂを形成す
ることにより、無バイアス時の光電変換をＰＤ受光素子
４Ａで受け持つことができるので、無バイアスでの光電
変換を行うことができると共に、光電変換を行う電圧を
一定にすることができる。
【００２２】前記ベース部材１は、図１に示すように、
立方体形状で構成され、例えばセラミックで形成され
る。このベース部材１の一立方面上には、外部との電気
的な接続を行う一対の外部電極２Ｂが配置される。一方
の外部電極２Ｂはボンディングワイヤ５を介して半導体
ペレット３の主面上に形成されたアノード電極と電気的
に接続される。他方の外部電極２Ｂは、ベース部材１の
ペレット塔載面１Ａ上に配置された電極２Ａと一体に形
成され、半導体ペレット３の主面と対向するその裏面に
配置されたカソード電極と電気的に接続される。
立方体形状で構成され、例えばセラミックで形成され
る。このベース部材１の一立方面上には、外部との電気
的な接続を行う一対の外部電極２Ｂが配置される。一方
の外部電極２Ｂはボンディングワイヤ５を介して半導体
ペレット３の主面上に形成されたアノード電極と電気的
に接続される。他方の外部電極２Ｂは、ベース部材１の
ペレット塔載面１Ａ上に配置された電極２Ａと一体に形
成され、半導体ペレット３の主面と対向するその裏面に
配置されたカソード電極と電気的に接続される。
【００２３】前記ベース部材１は、例えばその他の一立
方面１Ｂを実装面として、実装基板の実装面上に実装さ
れる。つまり、半導体受光装置は、実装基板の実装面上
にベース部材１の立方面１Ｂを下側(実装側)にして実装
され、半導体ペレット３の素子形成領域３Ａと光ファイ
バーとの光結合がなされる。
方面１Ｂを実装面として、実装基板の実装面上に実装さ
れる。つまり、半導体受光装置は、実装基板の実装面上
にベース部材１の立方面１Ｂを下側(実装側)にして実装
され、半導体ペレット３の素子形成領域３Ａと光ファイ
バーとの光結合がなされる。
【００２４】前記ベース部材１のペレット塔載面１Ａ
は、図１及び図３(側面図)に示すように、一立方面１Ｂ
に対して鋭角をなす角度で構成される。つまり、ベース
部材１は、ペレット塔載面１Ａが実装基板に実装される
時のベース部材１の実装面１Ｂに対して傾斜した構造で
構成される。このように構成されるベース部材１は、ペ
レット塔載面１Ａを実装面１Ｂに対して鋭角をなす角度
で構成することにより、ペレット塔載面１Ａの占有面積
が増加するので、この占有面積に相当する分、一方向の
厚さを低減できる。なお、図３において、一点鎖線で描
かれた図形は従来の半導体受光装置の側面図である。
は、図１及び図３(側面図)に示すように、一立方面１Ｂ
に対して鋭角をなす角度で構成される。つまり、ベース
部材１は、ペレット塔載面１Ａが実装基板に実装される
時のベース部材１の実装面１Ｂに対して傾斜した構造で
構成される。このように構成されるベース部材１は、ペ
レット塔載面１Ａを実装面１Ｂに対して鋭角をなす角度
で構成することにより、ペレット塔載面１Ａの占有面積
が増加するので、この占有面積に相当する分、一方向の
厚さを低減できる。なお、図３において、一点鎖線で描
かれた図形は従来の半導体受光装置の側面図である。
【００２５】このように、ベース部材１のペレット塔載
面１Ａ上に光電変換を行う半導体ペレット３が塔載され
る半導体受光装置において、前記半導体ペレット３の主
面の素子形成領域(受光面)３Ａに、無バイアスで光電変
換を行うＰＤ素子（第１受光素子）４Ａ、増幅作用を持
つＡＰＤ素子(第２受光素子)４Ｂの夫々を形成する。こ
の構成により、無バイアス時の光電変換をＰＤ素子４Ａ
で受け持つことができるので、無バイアスでの光電変換
を行うことができると共に、光電変換を行う電圧を一定
にすることができる。この結果、ＡＰＤ素子４Ｂを有す
る半導体受光装置において、半導体ペレット３の素子形
成領域３Ａと光ファイバーとの光結合を行う結合調整を
容易に行うことができる。
面１Ａ上に光電変換を行う半導体ペレット３が塔載され
る半導体受光装置において、前記半導体ペレット３の主
面の素子形成領域(受光面)３Ａに、無バイアスで光電変
換を行うＰＤ素子（第１受光素子）４Ａ、増幅作用を持
つＡＰＤ素子(第２受光素子)４Ｂの夫々を形成する。こ
の構成により、無バイアス時の光電変換をＰＤ素子４Ａ
で受け持つことができるので、無バイアスでの光電変換
を行うことができると共に、光電変換を行う電圧を一定
にすることができる。この結果、ＡＰＤ素子４Ｂを有す
る半導体受光装置において、半導体ペレット３の素子形
成領域３Ａと光ファイバーとの光結合を行う結合調整を
容易に行うことができる。
【００２６】また、前記半導体ペレット３が塔載される
ベース部材１のペレット塔載面１Ａを、実装基板の実装
面上に前記ベース部材１が実装される時の該ベース部材
１の実装面１Ｂに対して鋭角をなす角度で構成する。こ
の構成により、ベース部材１のペレット塔載面１Ａの占
有面積が増加するので、この占有面積に相当する分、ベ
ース部材１の一方向の厚さを低減できる。この結果、半
導体受光装置の小型化を図ることができる。
ベース部材１のペレット塔載面１Ａを、実装基板の実装
面上に前記ベース部材１が実装される時の該ベース部材
１の実装面１Ｂに対して鋭角をなす角度で構成する。こ
の構成により、ベース部材１のペレット塔載面１Ａの占
有面積が増加するので、この占有面積に相当する分、ベ
ース部材１の一方向の厚さを低減できる。この結果、半
導体受光装置の小型化を図ることができる。
【００２７】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【００２８】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００２９】半導体受光装置において、半導体ペレット
の素子形成領域と光ファイバとの光結合を行う結合調整
を容易に行うことができる。
の素子形成領域と光ファイバとの光結合を行う結合調整
を容易に行うことができる。
【００３０】また、前記半導体受光装置の小型化を図る
ことができる。
ことができる。
【図１】本発明の一実施例である半導体受光装置を示す
斜視図。
斜視図。
【図２】前記半導体受光装置に塔載される半導体ペレッ
トの平面図。
トの平面図。
【図３】前記半導体受光装置の側面図。
【図４】従来の半導体受光装置を示す斜視図。
１…ベース部材、１Ａ…ペレット塔載面、１Ｂ…実装
面、２Ａ…電極、２Ｂ…外部電極、３…半導体ペレッ
ト、３Ａ…素子形成領域(受光面)、４Ａ…ＰＤ素子、４
Ｂ…ＡＰＤ素子。
面、２Ａ…電極、２Ｂ…外部電極、３…半導体ペレッ
ト、３Ａ…素子形成領域(受光面)、４Ａ…ＰＤ素子、４
Ｂ…ＡＰＤ素子。
Claims (2)
- 【請求項１】 ベース部材のペレット塔載面上に光電変
換を行う半導体ペレットが塔載される半導体受光装置に
おいて、前記半導体ペレットの主面の素子形成領域に、
無バイアスで光電変換を行う第１受光素子、増幅作用を
持つ第２受光素子の夫々が形成されていることを特徴と
する半導体受光装置。 - 【請求項２】 前記半導体ペレットが塔載されるベース
部材のペレット塔載面は、実装基板の実装面上に前記ベ
ース部材が実装される時の該ベース部材の実装面に対し
て鋭角をなす角度で構成されていることを特徴とする請
求項１に記載の半導体受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5147316A JPH0715021A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5147316A JPH0715021A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 半導体受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0715021A true JPH0715021A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15427438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5147316A Pending JPH0715021A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 半導体受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715021A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1345274A3 (en) * | 2002-03-11 | 2004-07-21 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Photo-detecting device, photo-emitting device and optical wireless communication device |
| WO2007046045A2 (en) * | 2005-10-21 | 2007-04-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A component adapted for being mounted on a substrate and a method of mounting a surface mounted device |
-
1993
- 1993-06-18 JP JP5147316A patent/JPH0715021A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1345274A3 (en) * | 2002-03-11 | 2004-07-21 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Photo-detecting device, photo-emitting device and optical wireless communication device |
| WO2007046045A2 (en) * | 2005-10-21 | 2007-04-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A component adapted for being mounted on a substrate and a method of mounting a surface mounted device |
| WO2007046045A3 (en) * | 2005-10-21 | 2007-07-12 | Koninkl Philips Electronics Nv | A component adapted for being mounted on a substrate and a method of mounting a surface mounted device |
| JP2009512979A (ja) * | 2005-10-21 | 2009-03-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 基板に取り付けられるのに適しているコンポーネント、及び表面実装デバイスを取り付ける方法 |
| US8045334B2 (en) | 2005-10-21 | 2011-10-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Component adapted for being mounted on a substrate and a method of mounting a surface mounted device |
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