JPH0714772A - 窒素化合半導体の製造方法 - Google Patents
窒素化合半導体の製造方法Info
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- JPH0714772A JPH0714772A JP18070993A JP18070993A JPH0714772A JP H0714772 A JPH0714772 A JP H0714772A JP 18070993 A JP18070993 A JP 18070993A JP 18070993 A JP18070993 A JP 18070993A JP H0714772 A JPH0714772 A JP H0714772A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 少量の窒素含有原料の使用で窒素原子を効率
よく取り込ませることができ、かつキャリア濃度に優れ
た窒素化合のｐ型半導体を電子線照射等の後処理工程の
必要なく製造できる方法を得ること。 【構成】 窒素をＶ族成分とするIII−Ｖ族化合物半導
体をＣＶＤ方式で形成するにあたり、窒素含有原料とし
てアジドを用いる窒素化合半導体の製造方法。 【効果】 基板の高温加熱を要さず、良好な特性を発揮
する発光素子等のデバイスを形成できる窒素化合半導体
が効率的に得られる。
よく取り込ませることができ、かつキャリア濃度に優れ
た窒素化合のｐ型半導体を電子線照射等の後処理工程の
必要なく製造できる方法を得ること。 【構成】 窒素をＶ族成分とするIII−Ｖ族化合物半導
体をＣＶＤ方式で形成するにあたり、窒素含有原料とし
てアジドを用いる窒素化合半導体の製造方法。 【効果】 基板の高温加熱を要さず、良好な特性を発揮
する発光素子等のデバイスを形成できる窒素化合半導体
が効率的に得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光素子等として有用
な窒素をＶ族成分とするIII−Ｖ族化合物半導体のＣＶ
Ｄ方式による効率的な製造方法に関する。
な窒素をＶ族成分とするIII−Ｖ族化合物半導体のＣＶ
Ｄ方式による効率的な製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、窒素をＶ族成分とするIII−Ｖ族
化合物半導体のＣＶＤ方式による製造方法としては、窒
素含有原料としてアンモニアを用いる方法が知られてい
た。すなわちアンモニアとIII族金属含有の有機金属化
合物のガスを基板上で熱分解反応させる方法が知られて
いた。
化合物半導体のＣＶＤ方式による製造方法としては、窒
素含有原料としてアンモニアを用いる方法が知られてい
た。すなわちアンモニアとIII族金属含有の有機金属化
合物のガスを基板上で熱分解反応させる方法が知られて
いた。
【０００３】しかしながら、アンモニアでは窒素原子の
取り込みに乏しく、III族原料に対してＶ族原料として
のアンモニアを大過剰の状態で供給して結晶を成長させ
る必要があるうえに、結晶中の水素がｐ型半導体におけ
るアクセプターを中性化して得られる半導体がキャリア
濃度に乏しくて高抵抗化され、そのため結晶成長後に窒
素雰囲気でアニールするか、電子線照射する後処理工程
を必要とし製造効率に劣る問題点があった。
取り込みに乏しく、III族原料に対してＶ族原料として
のアンモニアを大過剰の状態で供給して結晶を成長させ
る必要があるうえに、結晶中の水素がｐ型半導体におけ
るアクセプターを中性化して得られる半導体がキャリア
濃度に乏しくて高抵抗化され、そのため結晶成長後に窒
素雰囲気でアニールするか、電子線照射する後処理工程
を必要とし製造効率に劣る問題点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、少量の窒素
含有原料の使用で効率よく窒素原子を取り込ませること
ができ、しかもｐ型ドーピングの際にアクセプターを中
性化しない状態で取り込ませることができて電子線照射
等の後処理工程の必要なく抵抗の低いｐ型等の窒素化合
半導体の製造方法を得ることを目的とする。
含有原料の使用で効率よく窒素原子を取り込ませること
ができ、しかもｐ型ドーピングの際にアクセプターを中
性化しない状態で取り込ませることができて電子線照射
等の後処理工程の必要なく抵抗の低いｐ型等の窒素化合
半導体の製造方法を得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、窒素をＶ族成
分とするIII−Ｖ族化合物半導体をＣＶＤ方式で形成す
るにあたり、窒素含有原料としてアジドを用いることを
特徴とする窒素化合半導体の製造方法を提供するもので
ある。
分とするIII−Ｖ族化合物半導体をＣＶＤ方式で形成す
るにあたり、窒素含有原料としてアジドを用いることを
特徴とする窒素化合半導体の製造方法を提供するもので
ある。
【０００６】
【作用】窒素含有原料としてアジドを用いることによ
り、ｐ型半導体中のアクセプターの中性化を抑制でき、
半導体組成に準じた少量のアジドの使用でキャリア濃度
の高い窒素化合のIII−Ｖ族化合物半導体を効率的に得
ることができる。
り、ｐ型半導体中のアクセプターの中性化を抑制でき、
半導体組成に準じた少量のアジドの使用でキャリア濃度
の高い窒素化合のIII−Ｖ族化合物半導体を効率的に得
ることができる。
【０００７】前記において、窒素含有原料としてアンモ
ニアを用いる従来方法にあっては半導体結晶内に水素が
多く取り込まれ、これがｐ型半導体のアクセプターとな
る亜鉛やマグネシウム等のドーピング成分を中性化して
キャリア濃度を低下させ高抵抗化を招くため窒素雰囲気
でのアニールや電子線照射の後処理で半導体中の水素原
子を除去する必要があったが、アジドにてもその有機基
に基づいて水素を含むことよりそのアジドの使用でキャ
リア濃度の高いｐ型の窒素化合半導体が得られたことは
予想外のことであった。考えるに、アクセプターを中性
化する形で取り込まれる水素は、アンモニアの分子構造
が示す如く、窒素に直結した水素が主であると思われ
る。
ニアを用いる従来方法にあっては半導体結晶内に水素が
多く取り込まれ、これがｐ型半導体のアクセプターとな
る亜鉛やマグネシウム等のドーピング成分を中性化して
キャリア濃度を低下させ高抵抗化を招くため窒素雰囲気
でのアニールや電子線照射の後処理で半導体中の水素原
子を除去する必要があったが、アジドにてもその有機基
に基づいて水素を含むことよりそのアジドの使用でキャ
リア濃度の高いｐ型の窒素化合半導体が得られたことは
予想外のことであった。考えるに、アクセプターを中性
化する形で取り込まれる水素は、アンモニアの分子構造
が示す如く、窒素に直結した水素が主であると思われ
る。
【０００８】
【実施例】本発明の製造方法は、窒素をＶ族成分とする
窒素化合のIII−Ｖ族化合物半導体をＣＶＤ方式で形成
するにあたり、窒素含有原料としてアジドを用いるもの
であり、このアジドを用いる以外は従来に準じることが
できる。
窒素化合のIII−Ｖ族化合物半導体をＣＶＤ方式で形成
するにあたり、窒素含有原料としてアジドを用いるもの
であり、このアジドを用いる以外は従来に準じることが
できる。
【０００９】従って、窒素をＶ族成分とする窒素化合の
III−Ｖ族化合物半導体を形成する例えばＩn、Ｇa、Ａl
等のIII族元素を含む有機化合物としては、アルキル基
等の有機基を有する公知の化合物を用いることができ
る。
III−Ｖ族化合物半導体を形成する例えばＩn、Ｇa、Ａl
等のIII族元素を含む有機化合物としては、アルキル基
等の有機基を有する公知の化合物を用いることができ
る。
【００１０】なお一般には、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基の如き低級のアルキル基等の有機基を
有する液状のものがガス化容易性などの点より用いられ
るが、例えばキレート化合物などの固体物も用いうる。
ピル基、ブチル基の如き低級のアルキル基等の有機基を
有する液状のものがガス化容易性などの点より用いられ
るが、例えばキレート化合物などの固体物も用いうる。
【００１１】窒素含有原料のアジドとしても、アルキル
基等の有機基を有する適宜なものを用いることができ、
一般にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基の
如き低級アルキル基等の有機基を有するものが好ましく
用いうる。
基等の有機基を有する適宜なものを用いることができ、
一般にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基の
如き低級アルキル基等の有機基を有するものが好ましく
用いうる。
【００１２】ＣＶＤ方式による窒素化合半導体の製造
は、窒素含有原料としてアジドを用いる以外は従来のＭ
ＯＣＶＤ方式等に準じることができる。図１に製造装置
を例示した。１が排気管１１装備の反応室、２が原料ガ
スの供給管、３が基板、４が支持台、５がヒータ、６が
熱電対である。なお１２，１３は、反応室の形成管が支
持台からの輻射熱で加熱されるのを冷却するための水等
の供給・流出口である。
は、窒素含有原料としてアジドを用いる以外は従来のＭ
ＯＣＶＤ方式等に準じることができる。図１に製造装置
を例示した。１が排気管１１装備の反応室、２が原料ガ
スの供給管、３が基板、４が支持台、５がヒータ、６が
熱電対である。なお１２，１３は、反応室の形成管が支
持台からの輻射熱で加熱されるのを冷却するための水等
の供給・流出口である。
【００１３】図例の装置によれば、目的の窒素化合半導
体を形成するIII族元素を含む有機化合物とアジドの混
合ガスを供給管２を介し、また必要量のキャリアガスを
介して、常圧ないし減圧状態の反応室１に配置した高温
の基板３の上に供給して熱分解反応させる方式により目
的の窒素化合半導体が基板３上に成長する。
体を形成するIII族元素を含む有機化合物とアジドの混
合ガスを供給管２を介し、また必要量のキャリアガスを
介して、常圧ないし減圧状態の反応室１に配置した高温
の基板３の上に供給して熱分解反応させる方式により目
的の窒素化合半導体が基板３上に成長する。
【００１４】混合ガスは、目的とする窒素化合半導体を
形成する元素に基づきその組成にほぼ準じた組成とされ
る。一般的なアジドガスの含有割合は、III族元素含有
の有機化合物１モルあたり、１０〜３０モルである。ア
ンモニアを用いる従来方法では、III族元素含有の有機
化合物１モルあたり５０モル以上、就中１００モル以上
用いる必要があったことより、アジドの場合にはその必
要量が特段に軽減される。
形成する元素に基づきその組成にほぼ準じた組成とされ
る。一般的なアジドガスの含有割合は、III族元素含有
の有機化合物１モルあたり、１０〜３０モルである。ア
ンモニアを用いる従来方法では、III族元素含有の有機
化合物１モルあたり５０モル以上、就中１００モル以上
用いる必要があったことより、アジドの場合にはその必
要量が特段に軽減される。
【００１５】反応温度は、目的の窒素化合半導体に応じ
て適宜に決定され、一般には３００〜８００℃程度であ
る。アンモニアを用いる従来方法では約１０００℃の高
温を要したことから、この点でも低温化が達成されて製
造効率の向上がはかられている。
て適宜に決定され、一般には３００〜８００℃程度であ
る。アンモニアを用いる従来方法では約１０００℃の高
温を要したことから、この点でも低温化が達成されて製
造効率の向上がはかられている。
【００１６】基板としては、反応温度に耐えるセラミッ
クや半導体などからなる適宜なものを用いることがで
き、好ましくは結晶成長等の点よりサファイア基板が用
いられる。なお目的の窒素化合半導体を形成するに際し
ては、基板に予め例えばＡlＮ層やＧaＮ層などからなる
バッファ層を設けてもよい。バッファ層の付設は、基板
と目的の窒素化合半導体との熱膨張差の緩和等に有効で
目的とする窒素化合半導体の安定形成などの点より好ま
しい。
クや半導体などからなる適宜なものを用いることがで
き、好ましくは結晶成長等の点よりサファイア基板が用
いられる。なお目的の窒素化合半導体を形成するに際し
ては、基板に予め例えばＡlＮ層やＧaＮ層などからなる
バッファ層を設けてもよい。バッファ層の付設は、基板
と目的の窒素化合半導体との熱膨張差の緩和等に有効で
目的とする窒素化合半導体の安定形成などの点より好ま
しい。
【００１７】反応室の圧力は、目的の窒素化合半導体に
応じて適宜に決定され、一般には常圧ないし７６０Ｔｏ
ｒｒ、又はそれ以下の適宜な減圧状態とされる。なお必
要に応じて用いられるキャリアガスとしては、通例の水
素ガスのほかに、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガ
スの如き不活性ガスなどが単体で、あるいは混合系とし
て一般に用いられる。不活性ガスの使用は、得られる半
導体中への水素の取り込み抑制に有利である。キャリア
ガスは、基板３上へ原料ガスを輸送する役割をなし、基
板上での半導体膜の成長を助長する。
応じて適宜に決定され、一般には常圧ないし７６０Ｔｏ
ｒｒ、又はそれ以下の適宜な減圧状態とされる。なお必
要に応じて用いられるキャリアガスとしては、通例の水
素ガスのほかに、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガ
スの如き不活性ガスなどが単体で、あるいは混合系とし
て一般に用いられる。不活性ガスの使用は、得られる半
導体中への水素の取り込み抑制に有利である。キャリア
ガスは、基板３上へ原料ガスを輸送する役割をなし、基
板上での半導体膜の成長を助長する。
【００１８】なお前記において、III族元素を含む有機
化合物として例えばＡl含有化合物とＧa含有化合物、あ
るいはＩn含有化合物とＧa含有化合物などを併用するこ
とによりＡlＧaＮあるいはＩnＧaＮなどの混晶を形成す
ることもできる。かかる混晶は例えばＡlＧaＮ／Ｇa
Ｎ、ＧaＮ／ＩnＧaＮなどからなるダブルヘテロ接合物
の形成に有用である。
化合物として例えばＡl含有化合物とＧa含有化合物、あ
るいはＩn含有化合物とＧa含有化合物などを併用するこ
とによりＡlＧaＮあるいはＩnＧaＮなどの混晶を形成す
ることもできる。かかる混晶は例えばＡlＧaＮ／Ｇa
Ｎ、ＧaＮ／ＩnＧaＮなどからなるダブルヘテロ接合物
の形成に有用である。
【００１９】また窒素化合半導体の形成に際して基板上
にドーピング原料を供給することにより、目的の窒素化
合半導体にドーピング元素を含有させることもできる。
ちなみにＧaＮ半導体にＭgをドープすることでＰ型とす
ることができ、ＳiのドープでＮ型とすることができ
る。従ってＳiドープのＧaＮ半導体層の上にＭgドープ
のＧaＮ半導体層を重畳形成することでＰ−Ｎ接合型の
ＧaＮ系半導体を得ることができる。なおドーピング原
料としては、ドーピング元素にアルキル基等の有機基が
化合したものなどを用いることができる。
にドーピング原料を供給することにより、目的の窒素化
合半導体にドーピング元素を含有させることもできる。
ちなみにＧaＮ半導体にＭgをドープすることでＰ型とす
ることができ、ＳiのドープでＮ型とすることができ
る。従ってＳiドープのＧaＮ半導体層の上にＭgドープ
のＧaＮ半導体層を重畳形成することでＰ−Ｎ接合型の
ＧaＮ系半導体を得ることができる。なおドーピング原
料としては、ドーピング元素にアルキル基等の有機基が
化合したものなどを用いることができる。
【００２０】上記に例示のように本発明によれば、例え
ばＩnＮ系、ＧaＮ系、ＡlＮ系、あるいはＡlＧaＮ混晶
系やＩnＧaＮ混晶などの窒素をＶ族成分とするIII−Ｖ
族化合物半導体を得ることができ、またＰ−Ｎ接合構造
やダブルヘテロ接合構造のデバイスなども得ることがで
き、かかる窒素化合半導体は例えば発光ダイオードやレ
ーザダイオードの如き発光素子の形成など種々の半導体
装置の形成に用いることができる。
ばＩnＮ系、ＧaＮ系、ＡlＮ系、あるいはＡlＧaＮ混晶
系やＩnＧaＮ混晶などの窒素をＶ族成分とするIII−Ｖ
族化合物半導体を得ることができ、またＰ−Ｎ接合構造
やダブルヘテロ接合構造のデバイスなども得ることがで
き、かかる窒素化合半導体は例えば発光ダイオードやレ
ーザダイオードの如き発光素子の形成など種々の半導体
装置の形成に用いることができる。
【００２１】実施例１ 充分に清浄化したサファイア基板を反応室の支持台上に
セットし、室内を高真空引きしたのち約７６０Ｔｏｒｒ
の水素雰囲気として約１１５０℃に高周波加熱し、その
温度に所定時間保持して表面のダメージを取り除いたの
ち約８００℃に降温させ、それにトリメチルアルミニウ
ム２．５マイクロモルとエチルアジド６０マイクロモル
の割合の混合ガスを約１分間供給し、ＡlＮからなる厚
さ約０．５μmのバッファ層を形成した。なお混合ガス
の調製は、各原料液をそれぞれキャリア（水素）ガスで
バブリングし、そのガスを混合することにより行った
（以下同じ）。
セットし、室内を高真空引きしたのち約７６０Ｔｏｒｒ
の水素雰囲気として約１１５０℃に高周波加熱し、その
温度に所定時間保持して表面のダメージを取り除いたの
ち約８００℃に降温させ、それにトリメチルアルミニウ
ム２．５マイクロモルとエチルアジド６０マイクロモル
の割合の混合ガスを約１分間供給し、ＡlＮからなる厚
さ約０．５μmのバッファ層を形成した。なお混合ガス
の調製は、各原料液をそれぞれキャリア（水素）ガスで
バブリングし、そのガスを混合することにより行った
（以下同じ）。
【００２２】ついで前記のバッファ層形成後、基板温度
を８５０℃に昇温させ、バッファ層の上にトリメチルガ
リウム２．５マイクロモルとエチルアジド７０マイクロ
モルの割合の混合ガスを約３０分間供給しのち、供給を
止めて基板を室温に冷却させ、ついで高真空に排気した
のち窒素雰囲気とし、その後室外に取出して、ＧaＮか
らなる厚さ約１．５μmの半導体層を形成した。
を８５０℃に昇温させ、バッファ層の上にトリメチルガ
リウム２．５マイクロモルとエチルアジド７０マイクロ
モルの割合の混合ガスを約３０分間供給しのち、供給を
止めて基板を室温に冷却させ、ついで高真空に排気した
のち窒素雰囲気とし、その後室外に取出して、ＧaＮか
らなる厚さ約１．５μmの半導体層を形成した。
【００２３】前記のアンドープＧaＮ半導体層のホール
測定（以下同じ）によるキャリア濃度は約３×１０16／
cm3であり、室温での移動度は５００cm2／Ｖ・ｓであっ
た。また最高移動度は２０００cm2／Ｖ・ｓ（７７Ｋ）
であった。
測定（以下同じ）によるキャリア濃度は約３×１０16／
cm3であり、室温での移動度は５００cm2／Ｖ・ｓであっ
た。また最高移動度は２０００cm2／Ｖ・ｓ（７７Ｋ）
であった。
【００２４】実施例２ バッファ層の上にトリメチルガリウム２．５マイクロモ
ルとエチルアジド７０マイクロモルとジエチル亜鉛２０
マイクロモルの割合の混合ガスを供給したほかは実施例
１に準じてサファイア基板上に厚さ約１．５μmに成長
したＺnドープのＧaＮ半導体層を得た。この層はｐ型の
伝導特性を示し、キャリア濃度は約５×１０17／cm3で
あり、低効率は約１０Ω・cmであった。
ルとエチルアジド７０マイクロモルとジエチル亜鉛２０
マイクロモルの割合の混合ガスを供給したほかは実施例
１に準じてサファイア基板上に厚さ約１．５μmに成長
したＺnドープのＧaＮ半導体層を得た。この層はｐ型の
伝導特性を示し、キャリア濃度は約５×１０17／cm3で
あり、低効率は約１０Ω・cmであった。
【００２５】比較例 実施例１に準じてダメージを取り除いたサファイア基板
を約１０００℃に降温させ、それにトリメチルアルミニ
ウム２．５マイクロモルとアンモニア４５０マイクロモ
ルの割合の混合ガスを約１分間供給し、ＡlＮからなる
厚さ約０．５μmのバッファ層を形成した後、その上に
基板温度１０００〜１０５０℃でトリメチルガリウム
２．５マイクロモルとアンモニア５００マイクロモルと
ジエチル亜鉛２０マイクロモルの割合の混合ガスを約６
０分間供給し、供給を止めて基板を室温に冷却させ、つ
いで高真空に排気したのち窒素雰囲気とし、その後室外
に取出して、ＧaＮからなる厚さ約１．５μmの半導体層
を形成した。
を約１０００℃に降温させ、それにトリメチルアルミニ
ウム２．５マイクロモルとアンモニア４５０マイクロモ
ルの割合の混合ガスを約１分間供給し、ＡlＮからなる
厚さ約０．５μmのバッファ層を形成した後、その上に
基板温度１０００〜１０５０℃でトリメチルガリウム
２．５マイクロモルとアンモニア５００マイクロモルと
ジエチル亜鉛２０マイクロモルの割合の混合ガスを約６
０分間供給し、供給を止めて基板を室温に冷却させ、つ
いで高真空に排気したのち窒素雰囲気とし、その後室外
に取出して、ＧaＮからなる厚さ約１．５μmの半導体層
を形成した。
【００２６】前記のｐ型ＧaＮ半導体層の熱処理等を行
う前のキャリア濃度は約１×１０15／cm3以下であり、
室温での移動度は９cm2／Ｖ・ｓであった。また熱処理
等を行った後のキャリア濃度は約１×１０17／cm3であ
り、低効率は約１５Ω・cmであった。
う前のキャリア濃度は約１×１０15／cm3以下であり、
室温での移動度は９cm2／Ｖ・ｓであった。また熱処理
等を行った後のキャリア濃度は約１×１０17／cm3であ
り、低効率は約１５Ω・cmであった。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、低い結晶成長温度によ
るＣＶＤ方式で、かつ少量の窒素含有原料の使用で効率
よく窒素原子を取り込ませることができ、しかもキャリ
ア濃度に優れたｐ型の、抵抗の低い窒素化合半導体を電
子線照射等の後処理の必要なく効率的に得ることがで
き、良好な特性を発揮する発光素子等のデバイスを得る
ことができる。
るＣＶＤ方式で、かつ少量の窒素含有原料の使用で効率
よく窒素原子を取り込ませることができ、しかもキャリ
ア濃度に優れたｐ型の、抵抗の低い窒素化合半導体を電
子線照射等の後処理の必要なく効率的に得ることがで
き、良好な特性を発揮する発光素子等のデバイスを得る
ことができる。
【図１】製造装置例の説明図。
１：反応室 ２：供給管 ３：基板 ４：支持台 ５：ヒータ ６：熱電対
Claims (1)
- 【請求項１】 窒素をＶ族成分とするIII−Ｖ族化合物
半導体をＣＶＤ方式で形成するにあたり、窒素含有原料
としてアジドを用いることを特徴とする窒素化合半導体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18070993A JPH0714772A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 窒素化合半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18070993A JPH0714772A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 窒素化合半導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714772A true JPH0714772A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=16087946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18070993A Pending JPH0714772A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 窒素化合半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714772A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8003334B2 (en) | 1999-06-14 | 2011-08-23 | Millennium Pharmaceuticals, Inc. | Methods for identifying compounds which bind to TANGO294 |
| EP2535669A2 (en) | 2011-06-17 | 2012-12-19 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Multi-split type air conditioning system |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP18070993A patent/JPH0714772A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8003334B2 (en) | 1999-06-14 | 2011-08-23 | Millennium Pharmaceuticals, Inc. | Methods for identifying compounds which bind to TANGO294 |
| EP2535669A2 (en) | 2011-06-17 | 2012-12-19 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Multi-split type air conditioning system |
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