JPH0714741A - 卑金属積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
卑金属積層セラミックコンデンサ及びその製造方法Info
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- JPH0714741A JPH0714741A JP15365593A JP15365593A JPH0714741A JP H0714741 A JPH0714741 A JP H0714741A JP 15365593 A JP15365593 A JP 15365593A JP 15365593 A JP15365593 A JP 15365593A JP H0714741 A JPH0714741 A JP H0714741A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 中性あるいは還元性雰囲気中で焼結を行って
も、内部電極に使用する卑金属材料が酸化されることの
ない卑金属積層セラミックコンデンサを得る。 【構成】 卑金属電極を用いた卑金属積層セラミックコ
ンデンサのセラミック材料として酸素の吐き出しをしな
い材料を用いる。酸素の吐き出しをしない材料は、誘電
体セラミック原料を秤量、混合、仮成型した後に還元性
雰囲気において仮焼成をすることによって得る。還元性
雰囲気としては、Ｎ2−Ｈ2雰囲気、ＣＯ2雰囲気、Ｎ2雰
囲気あるいはＣＯ2−ＣＯ雰囲気が利用可能である。
も、内部電極に使用する卑金属材料が酸化されることの
ない卑金属積層セラミックコンデンサを得る。 【構成】 卑金属電極を用いた卑金属積層セラミックコ
ンデンサのセラミック材料として酸素の吐き出しをしな
い材料を用いる。酸素の吐き出しをしない材料は、誘電
体セラミック原料を秤量、混合、仮成型した後に還元性
雰囲気において仮焼成をすることによって得る。還元性
雰囲気としては、Ｎ2−Ｈ2雰囲気、ＣＯ2雰囲気、Ｎ2雰
囲気あるいはＣＯ2−ＣＯ雰囲気が利用可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願各発明は、積層セラミックコ
ンデンサ及びその製造方法に係るものである。
ンデンサ及びその製造方法に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサは、電極と誘
電体が交互に積層されて構成されているが、このセラミ
ックコンデンサの電極は、確実に並列に接続されるとと
もに十分な導電性を有している必要がある。
電体が交互に積層されて構成されているが、このセラミ
ックコンデンサの電極は、確実に並列に接続されるとと
もに十分な導電性を有している必要がある。
【０００３】図１に積層セラミックコンデンサの一部破
断斜視図を示すが、この積層セラミックコンデンサは最
近多用されている表面実装（ＳＭＴ）型の「チップコ
ン」と呼ばれているものである。この積層セラミックコ
ンデンサ１は、全体の形状が直方体であり、直方体であ
る積層セラミックコンデンサ本体２の１組の対向面に各
々端子電極３，４が設けられている。
断斜視図を示すが、この積層セラミックコンデンサは最
近多用されている表面実装（ＳＭＴ）型の「チップコ
ン」と呼ばれているものである。この積層セラミックコ
ンデンサ１は、全体の形状が直方体であり、直方体であ
る積層セラミックコンデンサ本体２の１組の対向面に各
々端子電極３，４が設けられている。
【０００４】積層セラミックコンデンサ本体２は、積層
されたＢａＴｉＯ3系誘電体層９，１０，１１の間にＮ
ｉ等の導電体層からなる４枚の内部電極５，６，７，８
が形成され、さらに内部電極の上面及び内部電極８の下
面には各々この誘電体材料からなる誘電体層１２及び１
３が積層されている。
されたＢａＴｉＯ3系誘電体層９，１０，１１の間にＮ
ｉ等の導電体層からなる４枚の内部電極５，６，７，８
が形成され、さらに内部電極の上面及び内部電極８の下
面には各々この誘電体材料からなる誘電体層１２及び１
３が積層されている。
【０００５】内部電極５，６，７，８は１つおきに引出
し電極に接続、すなわち内部電極６，８は端子電極４
に、内部電極５，７は他方の端子電極３に接続されてお
り、このことにより内部電極５と６の間、内部電極６と
７の間及び内部電極７と８の間に並列接続されたコンデ
ンサが形成されている。これらの端子電極３，４はガラ
スフリット含有導電ペーストを塗布又は印刷・焼き付け
された導電層にメッキ層の被覆あるいは金属キャップの
圧着によって構成されている。
し電極に接続、すなわち内部電極６，８は端子電極４
に、内部電極５，７は他方の端子電極３に接続されてお
り、このことにより内部電極５と６の間、内部電極６と
７の間及び内部電極７と８の間に並列接続されたコンデ
ンサが形成されている。これらの端子電極３，４はガラ
スフリット含有導電ペーストを塗布又は印刷・焼き付け
された導電層にメッキ層の被覆あるいは金属キャップの
圧着によって構成されている。
【０００６】図２に示すのは積層セラミックコンデンサ
の製造工程図であり、（ａ）はセラミック組成物を製造
する工程の説明図、（ｂ）は（ａ）で得られたセラミッ
ク組成物を用いて積層セラミックコンデンサを製造する
工程の説明図である。
の製造工程図であり、（ａ）はセラミック組成物を製造
する工程の説明図、（ｂ）は（ａ）で得られたセラミッ
ク組成物を用いて積層セラミックコンデンサを製造する
工程の説明図である。
【０００７】（１）誘電体組成物の原料（ＢａＣＯ3，
ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，ＣａＣＯ3等）を秤量する。 （２）秤量された原料を調合する。 （３）調合された粉末を分散剤とともに湿式で混合・粉
砕する。 （４）混合・粉砕された微粉末を、脱水・乾燥する。 （５）脱水・乾燥された微粉末をプレスし仮成形する。 （６）仮成形でえられたペレットを空気中で仮焼成す
る。 （７）仮焼成された原料ペレットを粉砕し粉末にする。
ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，ＣａＣＯ3等）を秤量する。 （２）秤量された原料を調合する。 （３）調合された粉末を分散剤とともに湿式で混合・粉
砕する。 （４）混合・粉砕された微粉末を、脱水・乾燥する。 （５）脱水・乾燥された微粉末をプレスし仮成形する。 （６）仮成形でえられたペレットを空気中で仮焼成す
る。 （７）仮焼成された原料ペレットを粉砕し粉末にする。
【０００８】（８）得られた粉末に有機バインダー等を
加えて混合しエナメル化する。 （９）エナメル化された原料スラリーをドクターブレー
ド法でフィルム状にシート成形し、誘電体シートを形成
する。 （１０）得られた誘電体シートに内部電極材料となるニ
ッケルペーストを印刷する。 （１１）ニッケルペーストが印刷された誘電体シートを
積み重ねて積層体を得る。
加えて混合しエナメル化する。 （９）エナメル化された原料スラリーをドクターブレー
ド法でフィルム状にシート成形し、誘電体シートを形成
する。 （１０）得られた誘電体シートに内部電極材料となるニ
ッケルペーストを印刷する。 （１１）ニッケルペーストが印刷された誘電体シートを
積み重ねて積層体を得る。
【０００９】（１２）得られた積層体を所定の形状に切
断して、積層セラミックコンデンサ素子を得る。 （１３）積層セラミックコンデンサ素子の脱バインダ処
理を行う。 （１４）脱バインダ処理された積層セラミックコンデン
サ素子を焼結する。 （１５）得られた焼結体の両端面に銅ペーストを塗布・
焼き付けすることにより端子電極を形成する。
断して、積層セラミックコンデンサ素子を得る。 （１３）積層セラミックコンデンサ素子の脱バインダ処
理を行う。 （１４）脱バインダ処理された積層セラミックコンデン
サ素子を焼結する。 （１５）得られた焼結体の両端面に銅ペーストを塗布・
焼き付けすることにより端子電極を形成する。
【００１０】この製造工程において、（ａ）に示す
（１）から（７）の工程はセラミック素材粉末の製造工
程であり、（ｂ）に示す（８）から（１５）の工程はセ
ラミック素材を用いて積層セラミックコンデンサを製造
する工程である。
（１）から（７）の工程はセラミック素材粉末の製造工
程であり、（ｂ）に示す（８）から（１５）の工程はセ
ラミック素材を用いて積層セラミックコンデンサを製造
する工程である。
【００１１】この工程において、工程（１４）における
セラミック積層体の焼結はニッケルが酸化されないよう
に焼成を中性あるいは還元性雰囲気中で行う。しかしな
がら、この中性あるいは還元性雰囲気中で行う焼成過程
において誘電体セラミック、例えばチタン酸バリウム系
固溶体が酸素を吐出すことにより、電極が酸化されてし
まうため電極切れをおこすことがある。
セラミック積層体の焼結はニッケルが酸化されないよう
に焼成を中性あるいは還元性雰囲気中で行う。しかしな
がら、この中性あるいは還元性雰囲気中で行う焼成過程
において誘電体セラミック、例えばチタン酸バリウム系
固溶体が酸素を吐出すことにより、電極が酸化されてし
まうため電極切れをおこすことがある。
【００１２】中性あるいは還元性雰囲気中で行う焼成過
程において酸素の吐出しを防ぐためには、セラミック素
材の加工時に余分な酸素が無いように加工すればよい
が、その確実な方法がなかった。
程において酸素の吐出しを防ぐためには、セラミック素
材の加工時に余分な酸素が無いように加工すればよい
が、その確実な方法がなかった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本願発明は上記従来の
問題点、すなわち、中性あるいは還元性雰囲気中で焼結
を行う際、セラミック組成物からの酸素の吐き出しによ
り、積層セラミックコンデンサの内部電極に使用する金
属材料が酸化され、誘電体セラミック組成物と反応する
ため電極切れをおこしコンデンサの機能を果たさなくな
るとの問題を解決することを課題とする。
問題点、すなわち、中性あるいは還元性雰囲気中で焼結
を行う際、セラミック組成物からの酸素の吐き出しによ
り、積層セラミックコンデンサの内部電極に使用する金
属材料が酸化され、誘電体セラミック組成物と反応する
ため電極切れをおこしコンデンサの機能を果たさなくな
るとの問題を解決することを課題とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本願においては卑金属電極を用いた積層セラミック
コンデンサのセラミック材料として酸素の吐き出しをし
ない材料を用いた積層セラミックコンデンサに関する。
すなわち「誘電体組成物と卑金属電極材料を交互に積層
して構成した積層セラミックコンデンサであって、誘電
体組成物が前記卑金属電極材料と結合する酸素が少ない
誘電体組成物であることを特徴とする積層セラミックコ
ンデンサ」であることを構成とする発明及び卑金属電極
を用いた積層セラミックコンデンサを製造するに際し
て、焼成時に前記の酸素の吐き出しをしないようにする
ためにセラミック材料を混合し仮成形してから仮焼成を
還元性雰囲気において仮焼成する積層セラミックコンデ
ンサの製造方法の発明、すなわち「誘電体組成物と卑金
属電極を交互に積層して構成する積層セラミックコンデ
ンサの製造方法であって、積層セラミックコンデンサの
製造方法は誘電体セラミック原料を秤量、混合、仮成形
した後に還元性雰囲気において仮焼成をした後に粉砕し
て誘電体組成物を得、誘電体組成物をエナメル化し卑金
属電極と交互に積層することを特徴とする積層セラミッ
クコンデンサの製造方法」であることを構成とする発明
を提供する。この仮焼成をするときの還元性雰囲気とし
ては、Ｎ2−Ｈ2雰囲気、ＣＯ2雰囲気、Ｎ2雰囲気あるい
はＣＯ2−ＣＯ雰囲気が利用可能である。
に、本願においては卑金属電極を用いた積層セラミック
コンデンサのセラミック材料として酸素の吐き出しをし
ない材料を用いた積層セラミックコンデンサに関する。
すなわち「誘電体組成物と卑金属電極材料を交互に積層
して構成した積層セラミックコンデンサであって、誘電
体組成物が前記卑金属電極材料と結合する酸素が少ない
誘電体組成物であることを特徴とする積層セラミックコ
ンデンサ」であることを構成とする発明及び卑金属電極
を用いた積層セラミックコンデンサを製造するに際し
て、焼成時に前記の酸素の吐き出しをしないようにする
ためにセラミック材料を混合し仮成形してから仮焼成を
還元性雰囲気において仮焼成する積層セラミックコンデ
ンサの製造方法の発明、すなわち「誘電体組成物と卑金
属電極を交互に積層して構成する積層セラミックコンデ
ンサの製造方法であって、積層セラミックコンデンサの
製造方法は誘電体セラミック原料を秤量、混合、仮成形
した後に還元性雰囲気において仮焼成をした後に粉砕し
て誘電体組成物を得、誘電体組成物をエナメル化し卑金
属電極と交互に積層することを特徴とする積層セラミッ
クコンデンサの製造方法」であることを構成とする発明
を提供する。この仮焼成をするときの還元性雰囲気とし
ては、Ｎ2−Ｈ2雰囲気、ＣＯ2雰囲気、Ｎ2雰囲気あるい
はＣＯ2−ＣＯ雰囲気が利用可能である。
【００１５】
【作用】本発明によるセラミック材料は、混合し仮成形
してから仮焼成をする工程の少なくても一部または全工
程を還元性雰囲気において仮焼成することにより、焼成
する際に吐き出される余分な酸素がない状態になってお
り、セラミック積層体を焼結する際に内部電極である卑
金属電極が酸化されることがない。なお、仮焼成前の仮
成形を省略し、粉末の状態のまま仮焼成を行うこともで
きる。
してから仮焼成をする工程の少なくても一部または全工
程を還元性雰囲気において仮焼成することにより、焼成
する際に吐き出される余分な酸素がない状態になってお
り、セラミック積層体を焼結する際に内部電極である卑
金属電極が酸化されることがない。なお、仮焼成前の仮
成形を省略し、粉末の状態のまま仮焼成を行うこともで
きる。
【００１６】
【実施例】以下この発明を実施例により説明する。図３
は本願発明のセラミック誘電体を製造する工程図であ
り、図２に示した従来の製造工程に対して（６）の仮焼
成工程を空気中ではなく、還元性雰囲気で行う点のみで
相違しており、その他の工程は共通である。
は本願発明のセラミック誘電体を製造する工程図であ
り、図２に示した従来の製造工程に対して（６）の仮焼
成工程を空気中ではなく、還元性雰囲気で行う点のみで
相違しており、その他の工程は共通である。
【００１７】（１）誘電体組成物の原料（ＢａＣＯ3，
ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，ＣａＣＯ3等）を秤量する。 （２）秤量された原料を調合する。 （３）調合された粉末を分散剤とともに湿式で混合・粉
砕する。 （４）混合・粉砕された微粉末を、脱水・乾燥する。 （５）脱水・乾燥された微粉末をプレスし仮成形する。 （６）仮成形でえられたペレットを還元性雰囲気中で仮
焼成する。 （７）仮焼成された原料ペレットを粉砕し粉末にする。 なお、これらの工程に続く工程は従来の工程の（８）か
ら（１５）の工程と共通であるから説明は省略する。
ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，ＣａＣＯ3等）を秤量する。 （２）秤量された原料を調合する。 （３）調合された粉末を分散剤とともに湿式で混合・粉
砕する。 （４）混合・粉砕された微粉末を、脱水・乾燥する。 （５）脱水・乾燥された微粉末をプレスし仮成形する。 （６）仮成形でえられたペレットを還元性雰囲気中で仮
焼成する。 （７）仮焼成された原料ペレットを粉砕し粉末にする。 なお、これらの工程に続く工程は従来の工程の（８）か
ら（１５）の工程と共通であるから説明は省略する。
【００１８】仮焼成工程における還元性雰囲気として
は、Ｎ2−Ｈ2雰囲気、ＣＯ2雰囲気、Ｎ2雰囲気あるいは
ＣＯ2−ＣＯ雰囲気等が典型的なものである。卑金属電
極の材料としては、Ｎｉ金属、Ｎｉ合金又はＣｕ金属が
利用可能である。
は、Ｎ2−Ｈ2雰囲気、ＣＯ2雰囲気、Ｎ2雰囲気あるいは
ＣＯ2−ＣＯ雰囲気等が典型的なものである。卑金属電
極の材料としては、Ｎｉ金属、Ｎｉ合金又はＣｕ金属が
利用可能である。
【００１９】仮焼成雰囲気及び仮焼成温度による酸素吐
き出し量について図４、図５及び図６のグラフを用いて
説明する。初めに、図４に空気中とＣＯ2雰囲気中にお
いて仮焼成した場合の酸素吐出し量を調べた結果を示
す。この図４によれば、空気中で仮焼成したセラミック
誘電体（Ａ）からの酸素吐出し量が１１５０℃において
１４ppmであるのに対して、ＣＯ2雰囲気において仮焼成
したセラミック誘電体（Ｂ）からの酸素吐き出し量は、
同じ温度において２ppmにとどまり、Ｎｉである卑金属
電極と結合する酸素は格段に少ない。
き出し量について図４、図５及び図６のグラフを用いて
説明する。初めに、図４に空気中とＣＯ2雰囲気中にお
いて仮焼成した場合の酸素吐出し量を調べた結果を示
す。この図４によれば、空気中で仮焼成したセラミック
誘電体（Ａ）からの酸素吐出し量が１１５０℃において
１４ppmであるのに対して、ＣＯ2雰囲気において仮焼成
したセラミック誘電体（Ｂ）からの酸素吐き出し量は、
同じ温度において２ppmにとどまり、Ｎｉである卑金属
電極と結合する酸素は格段に少ない。
【００２０】次に、Ｎ2−Ｈ2ガスのＨ2ガス濃度を５％
として仮焼成をしたときの酸素吐出しは図５に示す。こ
の図５によれば、Ｎ2−Ｈ2ガスのＨ2ガス濃度を５％と
して仮焼成をしたときにはさらに酸素吐出し量が少なく
なり、Ｎｉ卑金属電極と結合する酸素が少ない誘電体が
得られた。
として仮焼成をしたときの酸素吐出しは図５に示す。こ
の図５によれば、Ｎ2−Ｈ2ガスのＨ2ガス濃度を５％と
して仮焼成をしたときにはさらに酸素吐出し量が少なく
なり、Ｎｉ卑金属電極と結合する酸素が少ない誘電体が
得られた。
【００２１】最後に、Ｎ2ガスを使用して仮焼成をした
ときの酸素吐出し量を図６に示す。この図６によれば、
仮焼成温度によって酸素吐出し量がいちじるしくかわる
ことが認められる。また、この図６からは仮焼成温度は
Ｎ2ガスにおいては、１１８５℃以上であるならば酸素
吐出し量が許容範囲以下となるので、１１８５℃以上で
あることがのぞましいということができる。もちろん、
このことは他のガスによる還元雰囲気において焼成した
ときも、同じような傾向を示すものであり、ガスの種類
に特有の仮焼成温度がある。
ときの酸素吐出し量を図６に示す。この図６によれば、
仮焼成温度によって酸素吐出し量がいちじるしくかわる
ことが認められる。また、この図６からは仮焼成温度は
Ｎ2ガスにおいては、１１８５℃以上であるならば酸素
吐出し量が許容範囲以下となるので、１１８５℃以上で
あることがのぞましいということができる。もちろん、
このことは他のガスによる還元雰囲気において焼成した
ときも、同じような傾向を示すものであり、ガスの種類
に特有の仮焼成温度がある。
【００２２】以上、本発明に係る誘電体組成物の酸素吐
出し量について説明したが、従来の空気中において仮焼
成を行った卑金属積層セラミックコンデンサと本発明実
施例としてＣＯ2雰囲気中で仮焼成を行った卑金属積層
セラミックコンデンサについて、電極切れの有無及び得
られた靜電容量の比較例を表１に示す。測定は周波数
１,０００±１０％Hz，電圧１.０±０.２Ｖｒｍｓの交
流電圧を卑金属積層セラミックコンデンサの両端子に加
えることによって行った。
出し量について説明したが、従来の空気中において仮焼
成を行った卑金属積層セラミックコンデンサと本発明実
施例としてＣＯ2雰囲気中で仮焼成を行った卑金属積層
セラミックコンデンサについて、電極切れの有無及び得
られた靜電容量の比較例を表１に示す。測定は周波数
１,０００±１０％Hz，電圧１.０±０.２Ｖｒｍｓの交
流電圧を卑金属積層セラミックコンデンサの両端子に加
えることによって行った。
【表１】
【００２３】表１から明らかなように、本発明実施例の
ＣＯ2仮焼成雰囲気によって卑金属積層セラミックコン
デンサは電極切れを生ずることなく、また十分な静電容
量を確保することができる。
ＣＯ2仮焼成雰囲気によって卑金属積層セラミックコン
デンサは電極切れを生ずることなく、また十分な静電容
量を確保することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本願発
明の製造方法によれば、内部電極である卑金属電極が酸
化することなく電極切れが防止される。また静電容量が
損なわれることがなく所期の設計値を満足することがで
きる。そして、大量に焼成することが可能となり生産性
を向上することができるという効果を得ることができ
る。また、仮焼成を還元雰囲気中で行うことは、密閉タ
イプの焼成炉に還元雰囲気のガスを供給すれば足りるも
のであり、特に大きな設備を要することなく、他の手段
に比べて簡単である。
明の製造方法によれば、内部電極である卑金属電極が酸
化することなく電極切れが防止される。また静電容量が
損なわれることがなく所期の設計値を満足することがで
きる。そして、大量に焼成することが可能となり生産性
を向上することができるという効果を得ることができ
る。また、仮焼成を還元雰囲気中で行うことは、密閉タ
イプの焼成炉に還元雰囲気のガスを供給すれば足りるも
のであり、特に大きな設備を要することなく、他の手段
に比べて簡単である。
【図１】積層セラミックコンデンサの一部破断図。
【図２】従来の積層セラミックコンデンサの製造工程
図。
図。
【図３】本発明の卑金属積層セラミックコンデンサの製
造工程図。
造工程図。
【図４】仮焼成をＣＯ2ガスを用いた場合の温度−酸素
吐出し量の関係を示すグラフ。
吐出し量の関係を示すグラフ。
【図５】Ｎ2−Ｈ2ガスで用いた場合の温度−酸素吐出し
量の関係を示すグラフ。
量の関係を示すグラフ。
【図６】Ｎ2ガスを用いた場合の温度−酸素吐出し量の
関係を示すグラフ。
関係を示すグラフ。
１ 積層セラミックコンデンサ ２ 積層セラミックコンデンサ本体 ３，４ 端子電極 ５，６，７，８ 内部電極 ９，１０，１１，１２，１３ 誘電体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 朝岡 均 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 誘電体組成物と卑金属電極材料を交互に
積層して構成した積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体組成物が前記卑金属電極材料と結合する酸素
が少ない誘電体組成物であることを特徴とする卑金属積
層セラミックコンデンサ。 - 【請求項２】 卑金属電極が、Ｎｉ電極である請求項１
記載の卑金属積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項３】 卑金属電極が、Ｎｉ合金電極である請求
項１記載の卑金属積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項４】 卑金属電極が、Ｃｕ電極である請求項１
記載の卑金属積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項５】 誘電体組成物と卑金属電極を交互に積層
して構成する卑金属積層セラミックコンデンサの製造方
法であって、該卑金属積層セラミックコンデンサの製造
方法は誘電体セラミック原料を秤量、混合、仮成形した
後に還元性雰囲気において仮焼成をした後に粉砕して誘
電体組成物を得、該誘電体組成物をエナメル化し卑金属
電極と交互に積層することを特徴とする卑金属積層セラ
ミックコンデンサの製造方法。 - 【請求項６】 仮焼成工程における雰囲気ガスがＮ2−
Ｈ2ガスである請求項５記載の卑金属積層セラミックコ
ンデンサ製造方法。 - 【請求項７】 仮焼成工程における雰囲気ガスがＣＯ2
ガスである請求項５記載の卑金属積層セラミックコンデ
ンサ製造方法。 - 【請求項８】 仮焼成工程における雰囲気ガスがＮ2ガ
スである請求項５記載の卑金属積層セラミックコンデン
サ製造方法。 - 【請求項９】 仮焼成工程における雰囲気ガスがＣＯ2
−ＣＯガスである請求項５記載の卑金属積層セラミック
コンデンサ製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15365593A JPH0714741A (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 卑金属積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15365593A JPH0714741A (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 卑金属積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714741A true JPH0714741A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15567289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15365593A Pending JPH0714741A (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 卑金属積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714741A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020035443A (ko) * | 2000-11-06 | 2002-05-11 | 무라타 야스타카 | 세라믹 커패시터 및 그의 제조방법 |
| JP2005067909A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Tdk Corp | ペロブスカイト構造を有する酸化物粉末の製造方法 |
| JP2005213070A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Tdk Corp | ペロブスカイト構造を有する酸化物粉末の製造方法 |
| KR100516988B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2005-12-08 | 한국전력공사 | 소결지지대의 침식을 방지한 연료전지용 합금연료극 제조방법 |
-
1993
- 1993-06-24 JP JP15365593A patent/JPH0714741A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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