JP6841716B2 - 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
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- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 53
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 6
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 24
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 3
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
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- H—ELECTRICITY
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
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- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
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- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/224—Housing; Encapsulation
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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Description
まず、積層セラミックコンデンサについて説明する。図1は、積層セラミックコンデンサ100の部分断面斜視図である。図2は、図1のA−A線断面図である。図3は、図1のB−B線断面図である。図1〜図3で例示するように、積層セラミックコンデンサ100は、直方体形状を有する積層チップ10と、積層チップ10のいずれかの対向する2端面に設けられた外部電極20a,20bとを備える。
まず、誘電体材料の作製を行う。対向領域14における誘電体層11の主成分であるセラミック材料の粉末(平均粒子径が0.30μm程度)に、目的に応じて所定の添加化合物を添加する。添加化合物としては、Mg,Mn,V,Cr,希土類元素(Y,Dy,Tm,Ho,Tb,Yb,Sm,Eu,GdおよびEr)の酸化物、並びに、Co,Ni,Li,B,Na,KおよびSiの酸化物もしくはガラスが挙げられる。例えば、まず、セラミック材料の粉末に添加化合物を含む化合物を混合して仮焼を行う。続いて、得られたセラミック材料の粒子を添加化合物とともに湿式混合し、乾燥および粉砕してセラミック材料の粉末を調製する。それにより、誘電体材料が作製される。
次に、得られた誘電体材料の粉末に、ポリビニルブチラール(PVB)樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、フタル酸ジオクチル(DOP)等の可塑剤とを加えて湿式混合する。得られたスラリーを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上に例えば厚み0.8μm以下の帯状の誘電体グリーンシートを塗工して乾燥させる。
このようにして得られたセラミック積層体を、250〜500℃のN2雰囲気中で脱バインダ処理した後に、還元雰囲気中で1100〜1300℃で10分〜2時間焼成することで、誘電体グリーンシートを構成する各化合物が焼結して粒成長する。このようにして、内部に焼結体からなる誘電体層11と内部電極層12とが交互に積層されてなる積層チップ10と、積層方向上下の最外層として形成されるカバー層13とを有する積層セラミックコンデンサ100が得られる。
その後、N2ガス雰囲気中で再酸化処理を行う。再酸化処理においては、二次相31が液体化し、当該液体化した二次相31を介して雰囲気中の酸素が拡散する。それにより、対向領域14における誘電体層11の再酸化を促進することができる。再酸化処理の温度が低すぎると、十分に酸素を拡散させることが困難である。そこで、本実施形態においては、再酸化処理の温度を600℃以上とする。一方、再酸化処理の温度が高すぎると、内部電極層12の酸化、収縮等によって対向領域14の非誘電率εが低下するおそれがある。そこで、本実施形態においては、再酸化処理の温度を1000℃以下とする。なお、再酸化処理の温度は、700℃以上800℃以下であることが好ましい。
チタン酸バリウム粉末(平均粒子径が0.30μm)100wt%、およびHo2O3(2wt%)、MgO(0.2wt%)、MnCO3(0.2wt%)、SiO2(0.3wt%)を秤量した。これに配合後のBa/Ti比が1.000となるようにBaCO3を秤量した。これらの材料を、ボールミルで充分に湿式混合粉砕して混合粉を得た。これを誘電体材料とした。
マージンペースト中のSiO2およびB2O3の含有量を変更した。比較例1〜3では、再酸化処理時の焼成温度を700℃とした。その他の条件は実施例1〜6と同様とした。
積層セラミックコンデンサを研磨した後、SEM観察を行った。サイドマージン領域16の反射電子像から、図4(b)で説明したようにサイドマージン領域16における二次相31の含有割合を算出した。対向領域14の静電容量をヒューレットパッカード社のインピーダンスアナライザ4284Aにて測定した。OSC=1V、周波数=1KHzとした。絶縁抵抗をヒューレットパッカード社の4339Aハイレジスタンスメータにて測定した。測定電圧は10V、保持時間は60秒とした。
11 誘電体層
12 内部電極層
20,30 外部電極
100 積層セラミックコンデンサ
Claims (4)
- セラミックを主成分とする誘電体層と、内部電極層と、が交互に積層され、略直方体形状を有し、積層された複数の前記内部電極層が交互に対向する2端面に露出するように形成された積層構造と、
前記積層構造において積層された複数の前記内部電極層が前記2端面以外の2側面に延びた端部を覆うように設けられ、前記内部電極層と前記誘電体層との積層方向において、SiO2、またはSiO2およびB2O3、の少なくともいずれかを主成分とする二次相の割合が多い第1セラミック層と前記二次相の割合が少ない第2セラミック層とが交互に積層されたサイドマージン領域と、を備え、
前記第1セラミック層における前記二次相の含有割合は、15%以上45%以下であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。 - 前記第1セラミック層において、前記二次相が前記積層構造に向かって所定の間隔を空けて配置されていることを特徴とする請求項1記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記誘電体層は、チタン酸バリウムを主成分とすることを特徴とする請求項1または2記載の積層セラミックコンデンサ。
- セラミック粒子を含むグリーンシート上に、金属導電ペーストを配置する第1工程と、
前記グリーンシート上において前記金属導電ペーストの周辺領域に、SiO2、またはSiO2およびB2O3、の少なくともいずれか一方を含みかつその合計量が1.5wt%〜5.0wt%であるセラミック粒子を配置する第2工程と、
前記第2工程によって得られた積層単位を複数積層して得られたセラミック積層体を焼成する第3工程と、
前記第3工程によって得られた焼成後の前記セラミック積層体に対して、600℃以上1000℃以下で再酸化処理を行う第4工程と、を含むことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017088328A JP6841716B2 (ja) | 2017-04-27 | 2017-04-27 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
US15/916,109 US10304626B2 (en) | 2017-04-27 | 2018-03-08 | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method of the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017088328A JP6841716B2 (ja) | 2017-04-27 | 2017-04-27 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018186224A JP2018186224A (ja) | 2018-11-22 |
JP6841716B2 true JP6841716B2 (ja) | 2021-03-10 |
Family
ID=63917497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017088328A Active JP6841716B2 (ja) | 2017-04-27 | 2017-04-27 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10304626B2 (ja) |
JP (1) | JP6841716B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6996945B2 (ja) * | 2017-11-07 | 2022-01-17 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
US11289272B2 (en) * | 2018-03-27 | 2022-03-29 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic electronic component |
JP7424740B2 (ja) * | 2018-05-18 | 2024-01-30 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
KR102543977B1 (ko) | 2018-08-09 | 2023-06-15 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법 |
JP7192741B2 (ja) * | 2019-10-30 | 2022-12-20 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品、及び、積層セラミック電子部品の製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3734662B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2006-01-11 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
JP2002043164A (ja) | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 |
JP4135443B2 (ja) * | 2002-09-03 | 2008-08-20 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品の製造方法 |
JP4893361B2 (ja) | 2007-02-23 | 2012-03-07 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
WO2011071143A1 (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品 |
JP5423977B2 (ja) | 2010-03-30 | 2014-02-19 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP2014146752A (ja) | 2013-01-30 | 2014-08-14 | Tdk Corp | 積層セラミックコンデンサ |
KR101514512B1 (ko) * | 2013-04-08 | 2015-04-22 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
KR101670137B1 (ko) * | 2014-11-05 | 2016-10-27 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품의 제조방법 |
JP2015029158A (ja) | 2014-11-14 | 2015-02-12 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
KR102145315B1 (ko) * | 2015-01-06 | 2020-08-18 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 적층 세라믹 커패시터의 실장 기판 |
JP6665438B2 (ja) * | 2015-07-17 | 2020-03-13 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
KR101762032B1 (ko) * | 2015-11-27 | 2017-07-26 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조 방법 |
-
2017
- 2017-04-27 JP JP2017088328A patent/JP6841716B2/ja active Active
-
2018
- 2018-03-08 US US15/916,109 patent/US10304626B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018186224A (ja) | 2018-11-22 |
US10304626B2 (en) | 2019-05-28 |
US20180315549A1 (en) | 2018-11-01 |
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A621 | Written request for application examination |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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