JPH07133197A - 高配向チタン酸ビスマスの製造方法 - Google Patents
高配向チタン酸ビスマスの製造方法Info
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- JPH07133197A JPH07133197A JP27839093A JP27839093A JPH07133197A JP H07133197 A JPH07133197 A JP H07133197A JP 27839093 A JP27839093 A JP 27839093A JP 27839093 A JP27839093 A JP 27839093A JP H07133197 A JPH07133197 A JP H07133197A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高配向チタン酸ビスマスの平易な製造方法を
提供する。 【構成】 ビスマスアルコキシドとチタンアルコキシド
を同時に、エーテル性の酸素を２つ以上有するアルコー
ルに混入させ又はエーテル性の酸素を有するアルコール
に混入させアセチルアセトンもしくはアミノアルコール
を添加し、得られた溶液を加水分解し、次いで焼成する
ことを特徴とする、高配向チタン酸ビスマスの製造方
法。
提供する。 【構成】 ビスマスアルコキシドとチタンアルコキシド
を同時に、エーテル性の酸素を２つ以上有するアルコー
ルに混入させ又はエーテル性の酸素を有するアルコール
に混入させアセチルアセトンもしくはアミノアルコール
を添加し、得られた溶液を加水分解し、次いで焼成する
ことを特徴とする、高配向チタン酸ビスマスの製造方
法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高配向チタン酸ビスマ
スの製造方法に関し、更に詳細に述べるならば、本発明
は、強誘電体薄膜等のエレクトロセラミックスとして有
用なチタン酸ビスマスの製造方法に関する。
スの製造方法に関し、更に詳細に述べるならば、本発明
は、強誘電体薄膜等のエレクトロセラミックスとして有
用なチタン酸ビスマスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子回路は高集積化されており、
ＩＣ以外の構成部品も小型化、高性能化が要求されてい
る。しかしながら、従来開発された誘電性を有するセラ
ミックス材料は、焼結温度が1300℃以上であるため、内
部電極として白金やパラジウム等の融点が高い貴金属を
用いねばならなかった。他の金属を内部電極として使用
可能であるならばその経済的効果は高いが、その金属の
融点以上の温度で焼結させた場合、内部電極としての機
能は失われてしまう。そこで低温で焼結可能な誘電性を
有するセラミックス材料の開発が行われた。
ＩＣ以外の構成部品も小型化、高性能化が要求されてい
る。しかしながら、従来開発された誘電性を有するセラ
ミックス材料は、焼結温度が1300℃以上であるため、内
部電極として白金やパラジウム等の融点が高い貴金属を
用いねばならなかった。他の金属を内部電極として使用
可能であるならばその経済的効果は高いが、その金属の
融点以上の温度で焼結させた場合、内部電極としての機
能は失われてしまう。そこで低温で焼結可能な誘電性を
有するセラミックス材料の開発が行われた。
【０００３】低温で焼結可能なセラミックス材料とし
て、現在ビスマスを含む化合物が知られている。電子部
品材料として適する、組成が均一でかつ高純度なビスマ
ス複酸化物の製造方法が開示されている（特開昭61−86
423)。この方法は、ビスマスアルコキシドを含む２種以
上のアルコキシドを混合し反応させ、この反応生成物を
加水分解し、次いで仮焼する工程からなっている。
て、現在ビスマスを含む化合物が知られている。電子部
品材料として適する、組成が均一でかつ高純度なビスマ
ス複酸化物の製造方法が開示されている（特開昭61−86
423)。この方法は、ビスマスアルコキシドを含む２種以
上のアルコキシドを混合し反応させ、この反応生成物を
加水分解し、次いで仮焼する工程からなっている。
【０００４】上記のように、電子回路の集積化に伴い、
構成部品の小型化が望まれており、このための手段とし
て薄膜化が有効である。しかしながら、上記の方法では
チタン酸ビスマスは粉末としか得られず、機能性膜とし
て使用することができず、また高配向性の薄膜を得るこ
ともできなかった。
構成部品の小型化が望まれており、このための手段とし
て薄膜化が有効である。しかしながら、上記の方法では
チタン酸ビスマスは粉末としか得られず、機能性膜とし
て使用することができず、また高配向性の薄膜を得るこ
ともできなかった。
【０００５】さらに、従来の方法ではチタン酸ビスマス
におけるＢｉ成分とＴｉ成分の組成制御が困難であり、
また薄膜を形成させる基板材料として限られた材料しか
使用できなかった。
におけるＢｉ成分とＴｉ成分の組成制御が困難であり、
また薄膜を形成させる基板材料として限られた材料しか
使用できなかった。
【０００６】このような問題を解決するため、ＰＶＤ(P
hysical Vapor Deposition) 法及びＣＶＤ(Chemical Va
por Deposition) 法により高配向性チタン酸ビスマスの
薄膜を製造することが提案された（特開昭63−17186
9）。この方法によって、任意の基板上にチタン酸ビス
マスの１軸配向膜を形成することができる。しかしなが
ら、この方法にも問題があり、例えばＰＶＤやＣＶＤに
用いる装置は高価であり成膜にコストがかかり、またＢ
ｉ及びＴｉを別々に用いるためＢｉ成分とＴｉ成分の組
成制御が必ずしも容易ではなく、極めて限られた条件に
おいてしか組成制御ができない。
hysical Vapor Deposition) 法及びＣＶＤ(Chemical Va
por Deposition) 法により高配向性チタン酸ビスマスの
薄膜を製造することが提案された（特開昭63−17186
9）。この方法によって、任意の基板上にチタン酸ビス
マスの１軸配向膜を形成することができる。しかしなが
ら、この方法にも問題があり、例えばＰＶＤやＣＶＤに
用いる装置は高価であり成膜にコストがかかり、またＢ
ｉ及びＴｉを別々に用いるためＢｉ成分とＴｉ成分の組
成制御が必ずしも容易ではなく、極めて限られた条件に
おいてしか組成制御ができない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来のチタ
ン酸ビスマスの製造方法の有する前記の如き欠点を解消
し、Ｂｉ成分とＴｉ成分の組成制御が容易であり、高配
向性のチタン酸ビスマスの単結晶薄膜を与えることがで
きる方法を提供しようとするものである。
ン酸ビスマスの製造方法の有する前記の如き欠点を解消
し、Ｂｉ成分とＴｉ成分の組成制御が容易であり、高配
向性のチタン酸ビスマスの単結晶薄膜を与えることがで
きる方法を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記のチ
タン酸ビスマスの製造方法の上記問題点を解決すべく鋭
意研究を重ねた結果、原料としてチタンのアルコキシド
とビスマスのアルコキシドを用い、これらの配位用溶媒
として、エーテル性の酸素を２個以上有するアルコー
ル、又はエーテル性の酸素を有するアルコールにアセチ
ルアセトンもしくはアミノアルコールを添加したものを
用いることによりビスマスとチタンの均質溶液が得ら
れ、これを加水分解・焼成することにより85〜100%の高
い配向度のチタン酸ビスマスの薄膜が得られることを見
出し、本発明を完成した。
タン酸ビスマスの製造方法の上記問題点を解決すべく鋭
意研究を重ねた結果、原料としてチタンのアルコキシド
とビスマスのアルコキシドを用い、これらの配位用溶媒
として、エーテル性の酸素を２個以上有するアルコー
ル、又はエーテル性の酸素を有するアルコールにアセチ
ルアセトンもしくはアミノアルコールを添加したものを
用いることによりビスマスとチタンの均質溶液が得ら
れ、これを加水分解・焼成することにより85〜100%の高
い配向度のチタン酸ビスマスの薄膜が得られることを見
出し、本発明を完成した。
【０００９】すなわち、本発明の高配向チタン酸ビスマ
スの製造方法の一態様は、ビスマスアルコキシドとチタ
ンアルコキシドを同時にエーテル性の酸素を２つ以上有
するアルコールに混入させ、得られた溶液を加水分解
し、次いで焼成することを特徴とするものである。ま
た、本発明の他の態様は、ビスマスアルコキシドとチタ
ンアルコキシドを同時にエーテル性の酸素を有するアル
コールに混入させ、得られた溶液を加水分解し、次いで
焼成することを含み、前記エーテル性の酸素を有するア
ルコールにアセチルアセトン又はアミノアルコールを添
加することを特徴とするものである。
スの製造方法の一態様は、ビスマスアルコキシドとチタ
ンアルコキシドを同時にエーテル性の酸素を２つ以上有
するアルコールに混入させ、得られた溶液を加水分解
し、次いで焼成することを特徴とするものである。ま
た、本発明の他の態様は、ビスマスアルコキシドとチタ
ンアルコキシドを同時にエーテル性の酸素を有するアル
コールに混入させ、得られた溶液を加水分解し、次いで
焼成することを含み、前記エーテル性の酸素を有するア
ルコールにアセチルアセトン又はアミノアルコールを添
加することを特徴とするものである。
【００１０】本発明において、出発原料として用いられ
るチタンアルコキシド及びビスマスアルコキシドは、そ
れぞれ下式により表される。 Ｂｉ（Ｏ−Ｒ)3 Ｔｉ（Ｏ−Ｒ)4 上式において、Ｒはアルキルを表し、特に制限はない。
るチタンアルコキシド及びビスマスアルコキシドは、そ
れぞれ下式により表される。 Ｂｉ（Ｏ−Ｒ)3 Ｔｉ（Ｏ−Ｒ)4 上式において、Ｒはアルキルを表し、特に制限はない。
【００１１】これらのアルコキシドを所定の比で、エー
テル性の酸素を有するアルコールに同時に混入する。エ
ーテル性の酸素を有するアルコールとは、例えば、エー
テル性の酸素を２個以上有するものとしてメトキシエト
キシエタノール(CH3OC2H4OC2H4OH) 、メトキシエトキシ
エトキシエタノール(CH3OC2H4OC2H4OC2H4OH)、等が例示
され、エーテル性の酸素を１個有するものとして２−メ
トキシエタノール(CH3OC2H4OH)、２−エトキシエタノー
ル(C2H5OC2H4OH) 、２−エトキシプロパノール(C2H5OC3
H6OH) 等が例示される。
テル性の酸素を有するアルコールに同時に混入する。エ
ーテル性の酸素を有するアルコールとは、例えば、エー
テル性の酸素を２個以上有するものとしてメトキシエト
キシエタノール(CH3OC2H4OC2H4OH) 、メトキシエトキシ
エトキシエタノール(CH3OC2H4OC2H4OC2H4OH)、等が例示
され、エーテル性の酸素を１個有するものとして２−メ
トキシエタノール(CH3OC2H4OH)、２−エトキシエタノー
ル(C2H5OC2H4OH) 、２−エトキシプロパノール(C2H5OC3
H6OH) 等が例示される。
【００１２】本発明の方法において、チタンアルコキシ
ド及びビスマスアルコキシドを同時にエーテル性の酸素
を有するアルコールに混入することが必要である。同時
に混入しないと、ビスマスアルコキシドは溶解せず、同
時に混入した場合にのみ溶解し、均一な溶液が得られ
る。
ド及びビスマスアルコキシドを同時にエーテル性の酸素
を有するアルコールに混入することが必要である。同時
に混入しないと、ビスマスアルコキシドは溶解せず、同
時に混入した場合にのみ溶解し、均一な溶液が得られ
る。
【００１３】ビスマスアルコキシド及びチタンアルコキ
シドの混合比は、所望のチタン酸ビスマス（Ｂｉ4 Ｔｉ
3 Ｏ）を与える比、すなわち４：３であることが好まし
い。この比で混入させることにより、加えたアルコキシ
ドのチタン及びビスマスはすべてチタン酸ビスマスに転
化し、効率がよい。エーテル性の酸素を有するアルコー
ルは、ビスマスアルコキシド４モル及びチタンアルコキ
シド３モルに対し、40〜420 モルの割合にすることが好
ましい。40モル以下ではアルコキシドの溶解速度が遅く
なり、420 モル以上では固形分が溶解しないことがある
からである。
シドの混合比は、所望のチタン酸ビスマス（Ｂｉ4 Ｔｉ
3 Ｏ）を与える比、すなわち４：３であることが好まし
い。この比で混入させることにより、加えたアルコキシ
ドのチタン及びビスマスはすべてチタン酸ビスマスに転
化し、効率がよい。エーテル性の酸素を有するアルコー
ルは、ビスマスアルコキシド４モル及びチタンアルコキ
シド３モルに対し、40〜420 モルの割合にすることが好
ましい。40モル以下ではアルコキシドの溶解速度が遅く
なり、420 モル以上では固形分が溶解しないことがある
からである。
【００１４】また、アルコキシドを加える際にアセチル
アセトン又はアミノアルコールを加える。溶媒がエーテ
ル性の酸素を２個以上有するアルコールである場合は、
必ずしもこのアセチルアセトン又はアミノアルコールを
加えなくてもよいが、加えることがより好ましい。一
方、溶媒がエーテル性の酸素を１個のみ有するアルコー
ルである場合は、所望の高い配向度を得るためにこのア
セチルアセトン又はアミノアルコールを加えねばならな
い。その添加量は、ビスマスアルコキシドとチタンアル
コキシドの合計モル数に対し１／５〜等モル比であるこ
とが好ましく、等モル比であることが最も好ましい。ま
た、アセチルアセトン又はアミノアルコールをあらかじ
めエーテル性の酸素を有するアルコールに添加してもよ
い。
アセトン又はアミノアルコールを加える。溶媒がエーテ
ル性の酸素を２個以上有するアルコールである場合は、
必ずしもこのアセチルアセトン又はアミノアルコールを
加えなくてもよいが、加えることがより好ましい。一
方、溶媒がエーテル性の酸素を１個のみ有するアルコー
ルである場合は、所望の高い配向度を得るためにこのア
セチルアセトン又はアミノアルコールを加えねばならな
い。その添加量は、ビスマスアルコキシドとチタンアル
コキシドの合計モル数に対し１／５〜等モル比であるこ
とが好ましく、等モル比であることが最も好ましい。ま
た、アセチルアセトン又はアミノアルコールをあらかじ
めエーテル性の酸素を有するアルコールに添加してもよ
い。
【００１５】次いで、アルコキシドを加えたアルコール
を攪拌し、アルコキシドを完全に溶解する。この際、加
熱し、アルコールを還流してもよいが、80℃以下である
ことが好ましい。80℃以上では沈澱が生ずることがある
からである。
を攪拌し、アルコキシドを完全に溶解する。この際、加
熱し、アルコールを還流してもよいが、80℃以下である
ことが好ましい。80℃以上では沈澱が生ずることがある
からである。
【００１６】アルコキシドを溶解させた後、イオン交換
水を加え加水分解を行う。加水分解法は特に制限はな
く、常法によって行ってよい。例えば、上記の透明溶液
に水を直接加えることにより、又は加圧容器から吹き出
す水蒸気に上記透明溶液を接触させることにより行う。
水を加え加水分解を行う。加水分解法は特に制限はな
く、常法によって行ってよい。例えば、上記の透明溶液
に水を直接加えることにより、又は加圧容器から吹き出
す水蒸気に上記透明溶液を接触させることにより行う。
【００１７】次いで常法、例えばスピンキャスティング
法により薄膜を形成し、これを焼成することにより、チ
タン酸ビスマスの薄膜を形成する。この薄膜を焼成する
ことにより配向度の高いチタン酸ビスマスの薄膜が得ら
れる。この焼成温度は、チタン酸ビスマスの分解開始温
度未満であればよい。
法により薄膜を形成し、これを焼成することにより、チ
タン酸ビスマスの薄膜を形成する。この薄膜を焼成する
ことにより配向度の高いチタン酸ビスマスの薄膜が得ら
れる。この焼成温度は、チタン酸ビスマスの分解開始温
度未満であればよい。
【００１８】この薄膜を形成する際に特定の基板を用い
ることによりエピタキシャル膜が得られる。基板として
切り出し面が（１００）面であるＳｉ基板もしくはＡ
（１１２０）面であるサファイア基板を用いることによ
りｃ軸のエピタキシャル膜が得られ、Ｒ（１１０２）面
であるサファイア基板を用いることによりａ軸のエピタ
キシャル膜が得られる。
ることによりエピタキシャル膜が得られる。基板として
切り出し面が（１００）面であるＳｉ基板もしくはＡ
（１１２０）面であるサファイア基板を用いることによ
りｃ軸のエピタキシャル膜が得られ、Ｒ（１１０２）面
であるサファイア基板を用いることによりａ軸のエピタ
キシャル膜が得られる。
【００１９】
【作用】本発明の方法において、チタンアルコキシドと
ビスマスアルコキシドをゾルゲル法により加水分解しチ
タン酸ビスマスを製造するものであり、アルコキシドを
溶解する溶媒として配位能力を有するエーテル性の酸素
を有するアルコールを用いることを特徴とするものであ
る。このエーテル性の酸素を有するアルコールはアルコ
キシドに配位し、アルコキシドのゾル状態において構造
規制が働き、そのため焼成することにより85〜100%の高
い配向度の薄膜が得られるのである。高い配向度を得る
ためにはアルコール中にエーテル性の酸素を２個以上有
することが必要である。さらに、アルコールにアセチル
アセトン又はアミノアルコールを加えることにより、さ
らに配向度が高められる。これはアセチルアセトン又は
アミノアルコールもアルコキシドに配位し、構造規制に
関与するためであると考えられる。アセチルアセトン又
はアミノアルコールを用いる場合は、エーテル性の酸素
を１個しか有さないアルコールを用いても高い配向度が
得られる。
ビスマスアルコキシドをゾルゲル法により加水分解しチ
タン酸ビスマスを製造するものであり、アルコキシドを
溶解する溶媒として配位能力を有するエーテル性の酸素
を有するアルコールを用いることを特徴とするものであ
る。このエーテル性の酸素を有するアルコールはアルコ
キシドに配位し、アルコキシドのゾル状態において構造
規制が働き、そのため焼成することにより85〜100%の高
い配向度の薄膜が得られるのである。高い配向度を得る
ためにはアルコール中にエーテル性の酸素を２個以上有
することが必要である。さらに、アルコールにアセチル
アセトン又はアミノアルコールを加えることにより、さ
らに配向度が高められる。これはアセチルアセトン又は
アミノアルコールもアルコキシドに配位し、構造規制に
関与するためであると考えられる。アセチルアセトン又
はアミノアルコールを用いる場合は、エーテル性の酸素
を１個しか有さないアルコールを用いても高い配向度が
得られる。
【００２０】
【実施例】本発明を下記実施例により更に詳細に説明す
るが、本発明はこれらに制限されるものではない。
るが、本発明はこれらに制限されるものではない。
【００２１】実施例１ 出発原料として、ビスマスイソプロポキシド及びチタン
イソプロポキシドを、そして溶媒としてメトキシエトキ
シメタノールを用い、目的とする焼成体Ｂｉ4Ｔｉ2 Ｏ
12を得るように、４：３：70の比で混合した。この混合
物をロータリーエバポレーター内で60℃において１時間
還流した。得られた溶液にビスマスイソプロポキシドと
等モルのイオン交換水を加え加水分解を行い、次いでス
ピンコートによりシリコン基板上に成膜した。この成膜
を 700℃において２時間焼成することによりチタン酸ビ
スマスの焼成薄膜を得た。
イソプロポキシドを、そして溶媒としてメトキシエトキ
シメタノールを用い、目的とする焼成体Ｂｉ4Ｔｉ2 Ｏ
12を得るように、４：３：70の比で混合した。この混合
物をロータリーエバポレーター内で60℃において１時間
還流した。得られた溶液にビスマスイソプロポキシドと
等モルのイオン交換水を加え加水分解を行い、次いでス
ピンコートによりシリコン基板上に成膜した。この成膜
を 700℃において２時間焼成することによりチタン酸ビ
スマスの焼成薄膜を得た。
【００２２】得られた焼成薄膜について、Ｘ線回折測定
を行うことによりｃ軸配向を調べた。その結果、この薄
膜はほとんど（００ｌ）面のみの回折線しか認められ
ず、ｃ軸高配向であることが確認された。
を行うことによりｃ軸配向を調べた。その結果、この薄
膜はほとんど（００ｌ）面のみの回折線しか認められ
ず、ｃ軸高配向であることが確認された。
【００２３】実施例２ 溶媒としてメトキシエトキシメタノールの代わりにメト
キシエトキシエトキシエタノールを用いることを除き、
実施例１と同様にして焼成薄膜を製造し、そのｃ軸配向
を調べた。ここで得られた薄膜もほとんど（００ｌ）面
のみの回折線しか認められず、ｃ軸高配向であることが
確認された。
キシエトキシエトキシエタノールを用いることを除き、
実施例１と同様にして焼成薄膜を製造し、そのｃ軸配向
を調べた。ここで得られた薄膜もほとんど（００ｌ）面
のみの回折線しか認められず、ｃ軸高配向であることが
確認された。
【００２４】比較例１ 溶媒としてメトキシエトキシメタノールの代わりに２−
メトキシメタノールを用いることを除き、実施例１と同
様にして焼成薄膜を製造し、そのｃ軸配向を調べた。こ
こで得られた薄膜は配向のない粉末とほぼ同等のＸ線回
折ピーク強度を有し、ｃ軸配向は認められなかった。
メトキシメタノールを用いることを除き、実施例１と同
様にして焼成薄膜を製造し、そのｃ軸配向を調べた。こ
こで得られた薄膜は配向のない粉末とほぼ同等のＸ線回
折ピーク強度を有し、ｃ軸配向は認められなかった。
【００２５】比較例２ 溶媒としてメトキシエトキシメタノールの代わりに２−
エトキシメタノールを用いることを除き、実施例１と同
様にして焼成薄膜を製造し、そのｃ軸配向を調べた。こ
こで得られた薄膜も比較例２と同様に配向のない粉末と
ほぼ同等のＸ線回折ピーク強度を有し、ｃ軸配向は認め
られなかった。
エトキシメタノールを用いることを除き、実施例１と同
様にして焼成薄膜を製造し、そのｃ軸配向を調べた。こ
こで得られた薄膜も比較例２と同様に配向のない粉末と
ほぼ同等のＸ線回折ピーク強度を有し、ｃ軸配向は認め
られなかった。
【００２６】実施例３ 出発原料として、実施例１で用いたビスマスイソプロポ
キシド及びチタンイソプロポキシドを、そして溶媒とし
て比較例１で用いたメトキシエトキシメタノールを、
３：４：70の比で用い、さらに添加用溶媒としてアセチ
ルアセトンをビスマスイソプロポキシドとチタンイソプ
ロポキシドの合計モル数と等モル加え混合した。次いで
実施例１と同様にして攪拌、加水分解を行い、スピンコ
ートによってシリコン基板上に成膜した。そして実施例
１と同様にして焼成し、得られた薄膜についてＸ線回折
測定を行った。その結果、ほとんど（００ｌ）面のみの
回折強度しか認められなく、ｃ軸高配向であることが確
認された。
キシド及びチタンイソプロポキシドを、そして溶媒とし
て比較例１で用いたメトキシエトキシメタノールを、
３：４：70の比で用い、さらに添加用溶媒としてアセチ
ルアセトンをビスマスイソプロポキシドとチタンイソプ
ロポキシドの合計モル数と等モル加え混合した。次いで
実施例１と同様にして攪拌、加水分解を行い、スピンコ
ートによってシリコン基板上に成膜した。そして実施例
１と同様にして焼成し、得られた薄膜についてＸ線回折
測定を行った。その結果、ほとんど（００ｌ）面のみの
回折強度しか認められなく、ｃ軸高配向であることが確
認された。
【００２７】実施例４ 添加溶媒として、アセチルアセトンの代わりにジエタノ
ールアミン及びトリエタノールアミンを用いることを除
き、実施例３と同様にして焼成薄膜を製造し、得られた
薄膜についてＸ線回折測定を行った。その結果、ジエタ
ノールアミン及びトリエタノールアミンのいずれを用い
た場合もほとんど（００ｌ）面のみの回折強度しか認め
られなく、ｃ軸高配向であることが確認された。
ールアミン及びトリエタノールアミンを用いることを除
き、実施例３と同様にして焼成薄膜を製造し、得られた
薄膜についてＸ線回折測定を行った。その結果、ジエタ
ノールアミン及びトリエタノールアミンのいずれを用い
た場合もほとんど（００ｌ）面のみの回折強度しか認め
られなく、ｃ軸高配向であることが確認された。
【００２８】実施例５ シリコン基板の代わりに切り出し面が（１００）面であ
るＳｉ基板、Ａ（１１２０）面であるサファイア基板及
びＲ（１１０２）面であるサファイア基板を用い、実施
例１と同様にしてチタン酸ビスマス焼成薄膜を得た。こ
の薄膜についてエピタキシーを調べた。この結果、基板
にＳｉ（１００）及びサファイアＡ面（１１２０）を用
いた薄膜は、ｃ軸が基板上に垂直に立ったほぼ単結晶膜
（エピタキシャル膜）であった。また基板にサファイア
Ｒ面（１１０２）を用いた薄膜はａ軸が基板上に垂直に
立ったほぼ単結晶膜（エピタキシャル膜）であった。
るＳｉ基板、Ａ（１１２０）面であるサファイア基板及
びＲ（１１０２）面であるサファイア基板を用い、実施
例１と同様にしてチタン酸ビスマス焼成薄膜を得た。こ
の薄膜についてエピタキシーを調べた。この結果、基板
にＳｉ（１００）及びサファイアＡ面（１１２０）を用
いた薄膜は、ｃ軸が基板上に垂直に立ったほぼ単結晶膜
（エピタキシャル膜）であった。また基板にサファイア
Ｒ面（１１０２）を用いた薄膜はａ軸が基板上に垂直に
立ったほぼ単結晶膜（エピタキシャル膜）であった。
【００２９】
【発明の効果】本発明の方法は、溶液法を用いるため従
来のＣＶＤ法等に比べ平易であり、面積の大きな配向度
の高い成膜を行うことができる。本発明の方法により得
られるｃ軸配向度の高いチタン酸ビスマスは高精度で高
出力の表面波センサとして利用することができる。
来のＣＶＤ法等に比べ平易であり、面積の大きな配向度
の高い成膜を行うことができる。本発明の方法により得
られるｃ軸配向度の高いチタン酸ビスマスは高精度で高
出力の表面波センサとして利用することができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 ビスマスアルコキシドとチタンアルコキ
シドを同時にエーテル性の酸素を２つ以上有するアルコ
ールに混入させ、得られた溶液を加水分解し、次いで焼
成することを特徴とする、高配向チタン酸ビスマスの製
造方法。 - 【請求項２】 ビスマスアルコキシドとチタンアルコキ
シドを同時にエーテル性の酸素を有するアルコールに混
入させ、得られた溶液を加水分解し、次いで焼成するこ
とを含み、前記エーテル性の酸素を有するアルコールに
アセチルアセトンを添加することを特徴とする、高配向
チタン酸ビスマスの製造方法。 - 【請求項３】 ビスマスアルコキシドとチタンアルコキ
シドを同時にエーテル性の酸素を有するアルコールに混
入させ、得られた溶液を加水分解し、次いで焼成するこ
とを含み、前記エーテル性の酸素を有するアルコールに
アミノアルコールを添加することを特徴とする、高配向
チタン酸ビスマスの製造方法。 - 【請求項４】 チタン酸ビスマスを、切り出し面が（１
００）面であるＳｉ基板又はＡ（１１２０）面もしくは
Ｒ（１１０２）面であるサファイア基板の表面上で形成
することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか記載の
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27839093A JPH07133197A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | 高配向チタン酸ビスマスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27839093A JPH07133197A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | 高配向チタン酸ビスマスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07133197A true JPH07133197A (ja) | 1995-05-23 |
Family
ID=17596680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27839093A Pending JPH07133197A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | 高配向チタン酸ビスマスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07133197A (ja) |
-
1993
- 1993-11-08 JP JP27839093A patent/JPH07133197A/ja active Pending
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