JPH0713167A

JPH0713167A - 液晶素子

Info

Publication number: JPH0713167A
Application number: JP6091131A
Authority: JP
Inventors: Yasuhito Kodera; 泰人小寺; Tadashi Mihara; 正三原; Yukio Haniyu; 由紀夫羽生; Shigehisa Hotta; 薫央堀田; Sunao Mori; 直森
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1993-04-28
Filing date: 1994-04-28
Publication date: 1995-01-17
Anticipated expiration: 2015-04-04
Also published as: JP3029179B2

Abstract

(57)【要約】【目的】基板間隔（セル厚）の変動を防ぐ。【構成】互いに対向する一対の電極を有する基板１１
ａ、１１ｂと、該一対の電極間に配したカイラルスメク
チック液晶（１５）とを具え、有効光学変調領域とその
外側の周辺領域とを含む液晶素子において、該周辺領域
の液晶分子のプレチルト角（α２）が該有効光学変調領
域のプレチルト角（α１）より大きいことを特徴とす
る。【作用】高プレチルトの周辺領域が液晶分子の高密度
化を妨げる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、テレビ受像機、ビデオ
カメラのビューファインダー、コンピュータの端末用モ
ニターなどに用いられる表示素子あるいは液晶プリンタ
ーやプロジェクターなどに用いられる光バルブ（光シャ
ッター）に採用され得る液晶素子に関する。

【０００２】

【背景技術の説明】比較的低コストで製造できるものと
してＴＮ液晶を用いたパッシブマトリクス駆動方式の液
晶表示素子が知られている。この素子は、クロストーク
やコントラストの点で限界があり、ＴＮ液晶を用いたパ
ッシブマトリクス駆動方式の液晶表示素子は、高密度配
線数の表示素子、例えば液晶テレビジョンパネルなどに
適したものとは言い難い。

【０００３】この様な従来のＴＮ液晶が持つ根本的な問
題を解決するものとして、クラークとラガヴァルに付与
された米国特許第４，３６７，９２４号の明細書に記載
されている様な、双安定性を有する強誘電性液晶素子が
知られている。この強誘電性液晶素子は使用状態におい
てカイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ^* ）またはＨ相
（ＳｍＨ）などのカイラルスメクチック相を呈するスメ
クチック液晶が用いられている。この液晶は理想的には
２つの双安定状態のいずれかに安定しようとして、中間
的な分子位置を取りにくい。

【０００４】また、この型の液晶は加えられた電界に応
答して、極めて速やかに上記２つの安定状態^)* のいず
れかをとり、且つ電界の印加のないときはその状態を維
持する特質を有するこのような性質を有する強誘電性液
晶を利用して液晶素子を構成すれば、従来のＴＮ型素子
が視野角特性が悪いというような多くの問題点に対し
て、かなり本質的な改善がなされてきた。

【０００５】そして、後述するようにこの液晶素子は、
印加電界の下で分子が基板の面方向に移動することがあ
る。このような移動により液晶素子のセル厚（液晶材料
を挟む基板間隔）が変動し、画面内が黄色に着色付いて
みえる「黄変」という現象が生じる。このような現象
は、表示に限らず、光学変調を行う素子すべてにおいて
は光学特性の劣化として信頼性を落とす原因になる。

【０００６】これに対して、液晶分子の移動を防止すべ
く基板内面を粗面化する技術が、１９９２年１２月１０
日に出願番号９８８，８３０号として米国に特許出願さ
れた明細書に記載されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする技術課題】しかしながら、上
述した粗面化する技術によっても液晶分子の移動を防ぐ
には不十分であった。なぜなら、粗面化は力学的に液晶
分子の移動を止めようとする思想の技術であるために、
汎用性の点で改善すべき点があった。例えば、それは、
液晶によっては粗面化しない方が良質の配向状態となり
易いものもあるということである。

【０００８】また、文字の編集に用いる様な通常の表示
パターンでは問題がないが、ある特殊なグラフィック表
示パターンの場合には黄変が生じ易くなることもあっ
た。

【０００９】

【技術課題を解決する手段】本発明は、上記技術課題に
鑑みなされたものであり、簡単な構成でセル厚の変動の
生じにくい液晶素子及びそれを用いた装置を提供するこ
とを目的とする。

【００１０】本発明の別の目的は、液晶分子の移動現象
が生じても、実質的にセル厚の変動が生じにくい液晶素
子及びそれを用いた装置を提供することにある。

【００１１】本発明の更に別の目的は、いかなる液晶材
料やいかなる駆動方法が採用されても、セル厚の変動が
生じにくい汎用性に優れた液晶素子及びそれを用いた装
置を提供することにある。

【００１２】更に、本発明の他の目的は、光学特性劣化
のない信頼性の高い液晶素子及びそれを用いた装置を提
供することにある。

【００１３】上述した技術課題を解決し上記目的を達成
する手段は、互いに対向する一対の電極を有する基板
と、該一対の電極間に配したカイラルスメクチック液晶
とを具え、有効光学変調領域とその外側の周辺領域とを
含む液晶素子において、該周辺領域の液晶分子のプレチ
ルト角が該有効光学変調領域のプレチルト角より大きい
ことを特徴とする液晶素子である。

【００１４】そして、以下の付加的手段を加味すること
で、よりその効果が高まるのである。その１つは、一対
の基板のうち少なくとも一方の内面が粗面化されている
ことである。

【００１５】また、前記有効光学変調領域の液晶分子の
プレチルト角を１０度以上と高プレチルトとするか、５
度以下と低プレチルトとすることが好ましい。

【００１６】そして、周辺領域のうち第１領域の液晶分
子のプレチルト角は該有効光学変調領域のプレチルト角
とほぼ同じとして、第１領域より外側の第２領域の液晶
分子のプレチルト角を該有効光学変調領域のプレチルト
角より大きくすることが好ましい。

【００１７】更には、前記基板間に複数の接着剤とスペ
ーサとを介在させることが好ましい。

【００１８】また、前記電極に、基準電位に対して双極
性のパルスを含む駆動信号を印加して駆動することが好
ましい。

【００１９】そして該周辺領域には遮光部材を設けられ
ていることも好ましいものである。

【００２０】

【作用】本発明者らは、有効光学変調領域の外側の周辺
領域を高プレチルト状態に配向させることで、該周辺領
域の液晶分子が移動しやすいようにして、有効光学変調
領域での液晶分子の高密度化を緩衝できることを見出し
た。また同様にして液晶分子の低密度部分に周辺領域か
ら液晶を移動させ得ることも見出した。

【００２１】こうして、今までの液晶分子の移動を妨げ
るだけの技術とは逆に、本発明では液晶分子の移動を積
極的に利用してセル厚の変動を防止し黄変を防止でき
る。

【００２２】つまり、本発明によれば、従来ではセル厚
の変化を生じていたような液晶材料や駆動方法を採用し
ても黄変が生じ難くなり、従来ではセル厚の変化を生じ
てしまっていたような表示パターンを表示しても黄変が
生じ難くなる。

【００２３】

【実施例】

（好適な実施態様の説明）本発明の液晶素子は、あらゆ
る光変調型のものに用いられるが、好ましくは、各画素
の光の透過率を２値あるいは多値に制御出来る光シャッ
タ、光バルブと云った光変調型に好ましく用いられる。
また、画素のアドレスの方法も、マトリクス電極による
マルチプレクス方式あるいは光導電膜を用いた光アドレ
ス方式のいずれにも採用出来る。

【００２４】図１は、本発明の好適な実施態様による液
晶素子の模式図であり、（ａ）はその上面を、（ｂ）は
そのＡＡ′線による断面を示し、夫々本発明を理解し易
いように模式的に描いている。

【００２５】１１ａ、１１ｂは液晶パネルとなる液晶セ
ル１を構成するための上下基板であり不図示の電極を備
えている。

【００２６】３ａ、３ｂは周辺領域に設けられ、高プレ
チルト角を得るための配向制御領域、４ａ、４ｂは上下
の配向制御領域であり、有効光学変調領域内の液晶のプ
レチルト角α１を周辺領域３ａ、３ｂの液晶プレチルト
角α２より低いプレチルト角（α１＜α２）を持つよう
に配向させるためのものである。

【００２７】１５はカイラルスメクチック相を呈しうる
液晶材料層であり従来の液晶セルに用いられ電界を印加
されて駆動されると、液晶分子が移動する性質を持つ。

【００２８】ここで、有効光学変調領域とは、表示素子
でいえば、多数の画素を含み駆動信号の印加によって該
画素の透過率を制御し表示を行う表示領域であり、非表
示素子でいえば、駆動信号に応じて光学変調を行う領域
である。

【００２９】本発明者らの研究によれば、上述したセル
厚の増加は駆動により液晶自身が液晶パネル内の特定の
方向へ移動することによって、特にパネル端部での圧力
が増加し、その結果セル厚が増加していることが判明し
た。液晶分子が液晶パネル内を移動する力の発生原因は
不明だが、おそらく駆動パルスによる交流的な電界で、
液晶分子の双極子モーメントが揺らぐことにより発生す
る電気力学的効果であろうと推定される。

【００３０】本発明者らの実験によれば、図２の（Ａ）
に示すように、液晶の移動の方向２２はラビング方向２
０と液晶分子の平均分子軸方向２１、２１′によりほぼ
決まっているようである。液晶分子の移動方向がこのよ
うにラビングの方向に依存することから、その現象は基
板界面のプレチルトの状態に依存していることが推定さ
れる。平均分子軸方向２１、２１′は強誘電性液晶分子
の双安定状態における平均的な分子位置を示している。
ここで、例えば平均分子軸方向が２１で示した状態で液
晶がスイッチングしない程度の適当な交流電界を印加す
ると、矢印２２方向に液晶分子が移動する。但し、ここ
では自発分極の向きが負である液晶材料を用いた場合に
ついて述べている。さらに、この液晶移動現像は次に説
明するようなパネルの配向状態に依存している。

【００３１】前述した液晶分子の移動は、実際の液晶パ
ネルでは、図２の（Ａ）に示すように例えばパネル全体
で液晶分子位置が矢印２１で示した状態にあったとする
と、パネル内部で図の紙面の右から左へ液晶の移動が生
じる。その結果、図２の（Ｂ）に示すように領域２３の
セル厚が経時的に厚くなり、色付きを生じてくることに
なる。液晶分子が矢印２１′で示した状態にあるときに
は、交流電界下での移動方向は逆になるが、いずれにせ
よラビング方向２０に対して垂直な方向、即ちスメクチ
ック層内において液晶の移動が生じる。さらにまた、ス
メクチック液晶の層方向以外に、層法線方向にもセル厚
増加が見られた。

【００３２】本発明者らの実験によれば、図３の（Ｉ）
に示すような表示パネルに白黒のストライプ状のパター
ンを表示し駆動し続けると、黒（暗）を表示して平均分
子軸２１の状態にしたエリアの液晶分子は、ａ方向に移
動しその結果、パネル端部のＡの領域のセル厚が、他の
領域に比べて増加する。逆に白（明）を表示して平均分
子軸を２１′の状態にしたエリアの液晶分子は、ｂ方向
に移動し、その結果Ｂの領域セル厚が増加する。

【００３３】これに対し、図３（ＩＩ）に示すように有
効光学変調領域としての表示領域の外周を取り囲むよう
に周辺領域を設け、高プレチルトの配向状態にすること
により、黒表示状態の際に、ａ方向に移動した液晶は、
周辺領域に移動可能となり周辺領域に集まった液晶はさ
らにｃ、ｄ方向にも移動可能であることが分かった。ま
た逆に周辺領域から表示領域にもｅ方向に液晶分子の移
動が可能である。

【００３４】また、白表示の際にも、ｂ方向に液晶が移
動した場合、周辺領域に集まった液晶は、さらにｃ′、
ｄ′方向に、またはｅ′方向にも移動可能である。

【００３５】これは、プレチルト角が大きく、垂直配向
に近づくにつれ、スメクチック層の形成方向が、パネル
面内で等方的な層に近づき、さらにその結果、外部から
の印加電界に対して、液晶分子が等方的な移動をするよ
うになるためであると考えられる。

【００３６】これにより、本発明の構成パネルでは、図
３の（Ｉ）に示すような液晶分子の移動によるパネル内
での圧力分布を生じても周辺領域で液晶分子の等方的な
移動が可能なため圧力分布を緩和することができ、パネ
ル端部のセル厚の増加が抑制される。

【００３７】この例では、最も好ましい構成として外周
全域に周辺領域を設けたが、図３の上下端にのみ周辺領
域を設けてもよい。

【００３８】更に、本発明は以下の改良を必要に応じて
施すことで、効果がより向上する。

【００３９】本発明に用いられる基板の少なくとも一方
は内面が粗面化されたものが好ましい。特に、粗面化に
より有効光学変調領域内の液晶の移動がある程度抑えら
れていると、周辺領域からの液晶の注入、周辺領域への
液晶の逃げが最適化されるためである。このような粗面
は、不規則なものであっても、規則的なものであっても
よく、好ましくは周期の大きな規制的な凹凸の中に、不
規則且つ該凹凸よりも小さな高低差をもつ凹凸が形成さ
れた面が望ましい。

【００４０】本発明の有効光学変調領域におけるプレチ
ルト角の有効な設計思想は２つ有り、一つは、プレチル
ト角が１０°以上２５°以下の範囲となるように、配向
処理することである。もう一つはプレチルト角を５°以
下とすることである。

【００４１】前者の場合は、スメクチック層がセル内で
屈曲するシェブロン構造をもたせやすい。そして、高プ
レチルトのシェブロン構造は粗面化されても配向状態が
乱れにくい点で有利である。後者の場合は、スメクチッ
ク層がセル内で屈曲しないブックシェルフ構造を持たせ
易い。そして、低プレチルトのブックシェルフ構造は、
粗面化されていなくても液晶の移動速度が比較的小さく
周辺領域の移動速度とバランスがとりやすい。もちろん
光学的特性の観点からの配向状態も優れている。

【００４２】また、本発明の周辺領域は、有効光学変調
領域全体を囲うように設けられていなくてもよい。少な
くとも画面の両端または上下端部に高プレチルトの領域
が存在すればよいが好ましくは、スメクチック層の層平
面方向の両端に設ける。周辺領域の大きさは一画素の幅
より大きな幅を持つことがより好ましい。更には、周辺
領域を遮光部材で遮光して実質的に光学変調を行わしめ
ないようにする。周辺領域のプレチルト角は有効光学変
調領域より少しでも大きければ、周辺領域での液晶が有
効光学変調領域の液晶より移動しやすくなるので、理論
的には十分なものであるが、実際には、１０°以上のプ
レチルト角の差があったほうがよい。更にセルの製造を
容易にするには垂直配向させることが望ましい。

【００４３】そして、有効光学変調領域におけるプレチ
ルト角とほぼ同じプレチルト角をもつ領域を部分的に含
んでいてもよい。そして、その位置は有効光学変調領域
と隣接していることが好ましい。

【００４４】また、本発明の周辺領域には、有効光学変
調領域と同じように電極をもうけて電界を選択的にかけ
て液晶の移動を促進させてもよい。その駆動信号は、画
素を走査選択する走査信号及び／または情報信号と同じ
ものを用いることが好ましいものである。

【００４５】更に、セルの組み立ての際に、スペーサー
ビーズと接着ビーズとを分散させて有効光学変調領域内
での液晶の移動を抑制することが望ましい。

【００４６】次に、本発明に用いられるスメクチック液
晶の構造について述べる。

【００４７】スメクチック層のシェブロン構造を含む配
向はＣ１およびＣ２の２種類の配向モデルで説明するこ
とができる。図４で、３１はスメクチック相、３２はＣ
１配向の領域、３３はＣ２の配向の領域を表す。スメク
チック液晶は一般に層構造をもつが、ＳｍＡ相からＳｍ
Ｃ相またはＳｎＣ^* 相に転移すると層間隔が縮むので図
４のように層が上下基板１１ａ、１１ｂの中央で折れ曲
がった構造（シェブロン構造）をとる。折れ曲がる方向
は図に示すようにＣ１とＣ２の２つ有り得るが、よく知
られているようにラビングによって基板界面の液晶分子
は基板に対して角度をなし（プレチルト）、その方向は
ラビング方向Ａに向かって液晶分子が頭をもたげる（先
端が浮いた格好になる）向きである。このプレチルトの
ためにＣ１配向とＣ２の配向は男性エネルギー的に等価
ではなく、ある温度で転移が起こる。また機械的な歪み
で転移が起こることもある。図４の層構造を平面的にみ
ると、ラビング方向Ａに向かってＣ１配向からＣ２配向
に移るときの境界３４はジグザグの稲妻状でライトニン
グ欠陥と呼ばれ、Ｃ２からＣ１に移るときの境界３５は
幅広い、ゆるやかな曲線状でヘアピン欠陥と呼ばれてい
る。

【００４８】ラビングのような強誘電性液晶を配向させ
るための相互にほぼ平行で同一方向の一軸性配向処理が
施された一対の基板を備え、強誘電性液晶が、強誘電性
液晶のプレチルト角をα、チルト角（コーン角１／２）
をΘ、ＳｍＣ^* 相の傾斜角をδとすれば、数１式で表さ
れる配向状態を有するようにすると、Ｃ１配向状態にお
いてさらにシェブロン構造を有する４つの状態が存在す
る。

【００４９】Θ＜α＋δ…〔数１〕この４つのＣ１配向状態は、従来Ｃ１状態とは異なって
おり、なかでも４つのＣ１配向状態のうちの２つの状態
は、双安定状態（ユニフォーム状態）を形成している。
ここで、無電界時のみかけのチルト角θａとすれば、Ｃ
１配向状態における４つの状態のうち、数２式の関係を
示す状態をユニフォーム状態という。

【００５０】Θ＞θａ＞Θ／２…〔数２〕ユニフォーム状態においては、その光学的性質からみて
ダイレクタが上下基板間でねじれていないと考えられ
る。図５は（Ａ）はＣ１配向の各状態における基板間の
各位置でのダイレクタの配置を示す模式図である。図中
５１−５４は各状態においてダイレクタをコーンの底面
に投影し、これを底面方向から見た様子を示しており、
５１および５２がスプレイ状態、５３および５４がユニ
フォーム状態と考えられるダイレクタの配置である。同
図から分けるとユニフォームの２状態５３と５４におい
ては、上下いずれかの基板界面の液晶分子の位置がスプ
レイ状態の位置を入れ替わっている。

【００５１】図５の（Ｂ）はＣ２配向を示しており、界
面のスイッチングはなく内部のスイッチングで２状態５
５と５６がある。このＣ１配向のユニフォーム状態５
３、５４は、従来用いていたＣ２配向における双安定状
態よりも大きなチルト角θａを生じ、輝度が大きくしか
もコントラストが高い。

【００５２】これに対して、図６は、ブックシェルフ構
造を示す模式図であり、（Ａ）は低プレチルトの斜めブ
ックシェルフ構造、（Ｂ）は高プレチルトの斜めブック
シェルフ構造である。

【００５３】本発明においては、前述したプレチルト角
をもつＣ１ユニフォーム配向の高プレチルトシェブロン
構造または低プレチルトのブックシェルフ構造が望まし
い。

【００５４】（セル構成）本発明に用いられる液晶セル
を構成する基板としては、少なくとも一方が透明な材料
であればよい。具体的には、ガラス、石英、プラスティ
ックシートなどである。一方が光透過性を要求されない
場合には、金属、半導体、絶縁体などのあらゆる基板が
用いられる。

【００５５】本発明に用いられる液晶セルを構成する一
対の電極としては、少なくとも一方が透明導電体で形成
されることが望ましく、そのような材料としては、酸化
錫、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等が
好適に用いられる。また必要に応じて透明導電体により
低抵抗の金属層を付与した構成であってもよい。その厚
みは４０〜２００ｎｍに設定することが望ましい。

【００５６】液晶分子の配向制御のための配向膜は、ポ
リイミド、ポリピロール、ポリビニルアルコール、ポリ
イミドアミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシレ
ン、ポリエステル、ポリカーボネイド、ポリビニルアセ
タール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、
ポリアニリン、セルロース樹脂、アクリル樹脂、メラミ
ン樹脂などの有機膜、あるいはＳｉＯの斜方蒸着膜など
のような無機膜が適宜選択されて用いられる。その厚み
は５〜１００ｎｍに設定することが望ましい。所望のプ
レチルトを得るためには、液晶材料と配向膜との組み合
わせの中から好ましいものを選べばよいが、材料の選択
の自由度を小さくしない簡単な方法としては、ラビング
処理の度合い（強さ、回数など）を選択して所望の配向
状態を得ることが望ましい。

【００５７】本発明においては配向膜の下に絶縁膜を設
けてもよく、そのためにはＴｉＳｉ、ＳｉＯ₂ 、Ｔｉ
Ｏ、Ｔａ₂ Ｏ₃ などの無機膜が好ましい。この中には、
必要に応じて、粗面化処理のために平均粒径４０ｎｍの
微粒子を分散させるとよい。

【００５８】粗面化用の絶縁膜としては、ＴｉとＳｉと
の比が１：１の成分の溶液中に微粒子を分散させて塗布
し、その後焼成することで行える。粗面化処理の度合い
は微粒子の分散密度、平均粒径、その上に設けられる層
の厚みなどを適宜設計することで所望の粗面が得られ
る。粗面を形成するための微粒子の平均粒径としては１
乃至１００ｎｍであることが望ましい。また微粒子を保
持する絶縁膜の膜厚は２０〜３００ｎｍとすることが望
ましい。

【００５９】周辺領域の配向状態を高プレチルト好まし
くは垂直配向とするためには、該領域上に、絶縁膜また
は配向膜のいずれか一方を形成はするが、ラビングはし
ないようにする。

【００６０】また、ラビング方向は、その方向と交差す
る方向の両端に周辺領域が存在するように処理する。こ
うすればスメクチック層平面方向の両端に高プレチルト
領域が配されるのでスメクチック層内で分子が移動すれ
ば必ず高プレチルト領域に達するようになる。

【００６１】（液晶セルの製造方法）ガラスなどの透明
基板を用意し、そのうえＣＶＤ法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法などの蒸着方法により透明導電
膜を形成し、これをストライプ上にパターニングする。
その後、必要に応じて絶縁膜を上述した蒸着法により形
成する。また粗面化する場合には、続いて微粒子を分散
させた溶液を印刷して仮焼成及び硬化処理を行い粗面を
形成する。配向膜はポリアミド酸のような溶液をスピナ
ーコートし焼成して形成する。この膜にラビング処理を
行う。こうして得られた基板の一つの上にスペーサとし
てのビーズを分散させ基板の周囲シール剤を設けてもう
一つ基板を張り合せた。この時、必要に応じて接着用の
ビーズをスペーサービーズと共に分散する。その後、注
入口から液晶材料を注入し徐々に冷却してカイラルスメ
クチック相に転移させる。

【００６２】表示領域と周辺領域の配向処理のために
は、垂直配向膜を全面に設け、周辺領域をマスクして表
示領域のみ選択的にラビングする方法や、低プレチルト
を生ぜしめる低プレチルト配向膜を表示領域に高プレチ
ルトを生ぜしめる高プレチルト配向膜を周辺領域にそれ
ぞれ設ける方法がある。

【００６３】本発明に好ましく用いられる粗面化の方法
としては、前述した米国特許出願９８８，８３０号の明
細書に記載の方法が適している。

【００６４】次に、ラビング方法について説明する。

【００６５】図７は、ラビング処理を説明する模式図
で、ラビングローラ１２０は、円柱状のローラ１２１に
ナイロン布等のラビング布１２２を貼りつけた構造を有
している。このラビングローラ１２０を、Ｃの方向に回
転させながらガラス基板１１ａ（１１ｂ）上の配向制御
膜１４ａ、１４ｂに所定圧で当接させ、そしてガラス基
板１１ａ（１１ｂ）（またはラビングローラ）を矢印Ｂ
方向に移動させて配向制御膜１４ａ、１４ｂを摺接する
ことにより配向規制力が付与される。なお、この配向規
制力はラビングローラ１２０をガラス基板１１ａ（１１
ｂ）に当接させる際の当接力により決定され、通常はラ
ビングローラ１２０を上下させることにより（押込み量
εを変える）、ラビング布１２２と配向制御膜１４ａ、
１４ｂとの接触量で制御されている。この方法では、押
込み量ε、ローラ回転数、ローラ送り速度、ラビングの
回数を変えることで、プレチルト角の設定等の液晶の配
向状態を変えられる。

【００６６】次に液晶セルの各配向特性のパラメータの
測定について述べる。

【００６７】〔真のチルト角の測定〕液晶装置の閾値電
圧より十分に大きな双極性パルス（例えば単発パルスで
の閾値電圧が５０μｓｅｃ、１０Ｖの場合、１０Ｈｚ、
１０Ｖの交流パルスを用いる）を印加し、クロスニコル
下、その間に配置された液晶装置を偏向板と水平に回転
させ第１の消光位をさがし、次に上記の単発パルスと逆
極性のパルスを印加した後、無電界下、第２の消光位を
さがす。このときの第１の消光位までの角１／２を真の
チルト角θを求めた。

【００６８】〔みかけのチルト角の測定〕液晶装置の閾
値電圧以上の単発パルスを印加した後、無電界下、且つ
クロスニコル下、その間に配置された液晶装置を偏向板
と水平に回転させ第１の消光位をさがし、次に蒸気の単
発パルスと逆極性のパルスを印加した後、無電界下、第
２の消光位をさがす、このときの第１の消光位までの角
度１／２をみかけのチルト角θａとした。

【００６９】〔プレチルト角αの測定〕プレチルト角α
の測定は、クリスタルローテーション法により求めた。
測定法は、液晶装置をガラス基板面で回転させながら、
回転軸と４５°の角度をなす偏向面を持つヘリウム・ネ
オンレーザ光を回転軸に垂直な方向から照射して、その
反対側で入射偏向面と平行な透過軸を持つ偏向板を通し
てフォトダイオードで透過光強度を測定した。そして、
干渉によってできた透過光強度の双曲線群の中心となる
角と液晶装置に垂直な線とのなす角度をΦｘとし、下式
に代入してプレチルト角αを求めた。

【００７０】

【外１】ここで、ｎ₀ は常光屈折率、ｎ_e は異常光屈折率であ
る。なお詳細は、Ｊ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏ
ｌ．１１９（１９８０）Ｎｏ．１０，ＳｈｏｒｔＮｏ
ｔｅｓ２０１３に記載されている。

【００７１】次に、本発明の液晶素子を用いた画像表示
装置について説明する。

【００７２】図８はその画像表示装置の制御系のブロッ
ク図である。２００は表示手段であり前述した液晶素子
に偏向板が組み合わされたものであり、必要に応じて背
面光源を有するものである。２０１はデコーダ及びスイ
ッチを含む走査線駆動回路、２０２はラッチ回路、シフ
トレジスタ、スイッチなどを含む情報線駆動回路、２０
３は両駆動回路２０１、２０２に供給する多数の基準電
圧を発生する基準電圧発生回路、２０４はＣＰＵや画像
情報保持のためのＲＡＭを含む制御回路、２１０は画像
入力用のイメージセンサやアプリケーションプログラム
が実行されているコンピュータなどの画像信号源であ
る。

【００７３】次に、本発明の液晶素子を用いた画像形成
装置について説明する。

【００７４】図９はその画像表示装置の制御系のブロッ
ク図である。２１０は、炭素を含む水素化アモルファス
シリコン等の感光体２１３に静電画像を形成するための
もので、上述した液晶素子を光バルブとして含み光源２
１５を具備する露光手段である。２１１は感光体２１３
上の静電画像をトナー像に現像する現像手段、２１２は
感光体２１３上の残留トナーを取り除くクリーニング手
段である。感光体上の現像されたトナー像は記録媒体２
１４に転写される。

【００７５】図１０は、図８の表示装置の駆動回路より
出力される駆動信号波形（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｉ）と液
晶の画素に印加される合成波形（Ｉ−Ｓ１、Ｉ−Ｓ２、
Ｉ−Ｓ３）を示すチャートである。

【００７６】Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は走査信号、Ｉは情報信
号であり、それぞれ回路２０１、２０２より出力され
る。

【００７７】図１０は３×１画素に白、黒、白を表示さ
せる時の例である。

【００７８】以下、図面を用いて本発明のいくつかの実
施例を説明する。

【００７９】（実施例１）図１１は、本発明の一実施例
に係わる液晶パネルを模式的に示す平面図であり、図１
２は、そのＢ−Ｂ線断面図である。図１２に示すよう
に、この液晶パネルは、一対の平行に配置した上基板１
１ａおよび下基板１１ｂと、それぞれの基板に配置した
例えば厚さが約４００〜２０００Åの透明電極１２ａと
１２ｂを備えている。本実施例では、表示領域のプレチ
ルト角よりも周辺領域のプレチルト角を大きくするた
め、または周辺領域を垂直配向にするために表示領域を
取り囲む周辺領域に相当する上下基板位置に約１００Å
〜１０００Åのシリカビーズを有する塗布型絶縁膜１３
ａ、１３ｂを備えている。さらに表示、周辺領域上に配
向膜１４ａ、１４ｂを備えており、それらを介して強誘
電性液晶１５が配置されている。配向膜１４ａ、１４ｂ
には強誘電性液晶１５を配向させるための配向処理が施
してある。ここで強誘電性液晶の配向状態は、配向処理
条件だけでなく配向膜の下地の表面状態にも左右され
る。本実施例の場合、表示領域を前述のユニフォーム配
向にする条件で配向処理を施すと周辺領域は配向膜の下
地がシリカビーズの存在により凹凸のある表面状態であ
るため表示領域よりもプレチルト角が大きくなるか、ま
たは垂直配向となることが我々の実験から明らかになっ
ている。また周辺領域をこのような配向状態にすること
は、この方法に限らない。

【００８０】また、配向膜１４ａ、１４ｂと透明電極１
２ａ、１２ｂとの間に、例えば厚さが２００〜３０００
Åの絶縁膜（ＳｉＯ₂ 膜、ＴｉＯ₂ 膜、Ｔａ₂ Ｏ₅ 膜
等）を配置してもよい。基板間隔は液晶層１５内に散布
された平均粒径約１．５μｍのシリカビーズ１６に保持
され、かつ上下基板１１ａ、１１ｂはシール接着剤１７
により接着される。

【００８１】（実施例２）図１３は前述の実施例１を変
形したものであり、走査信号の印加される電極１２ａと
情報信号の印加される電極１２ｂとがそれぞれ左右、上
下四方の周辺領域にまで延長され、周辺領域全体に双極
性パルスが印加される構成になっている。

【００８２】本実施例によれば、周辺領域の液晶が一方
の安定状態をとり易くなる焼きつきを生じにくくなり液
晶の移動がスムースになり黄変防止の効果が更に向上す
る。

【００８３】（実施例３）図１４に示す本例は、実施例
２の更なる変形例であり、周辺領域が内枠３２ｂと外枠
３２ａとの２つの領域からなる。ここで、内枠３２ｂは
表示領域と同じ配向処理がなされている為プレチルト角
は表示領域のそれと等しい。

【００８４】一方、外枠３２ａは、高プレチルト処理が
なされている為に２０°以上の高プレチルト角をもつ。

【００８５】更には、内枠３２ｂと外枠３２ａの液晶に
より光学的変化がみえないように、これらの領域を遮光
する。

【００８６】遮光の方法は、基板１１ａ、１１ｂのいず
れかの面に遮光膜を設けるか、表示パネルを取り付ける
ハウジングに周辺領域がかくれるようにするとよい。

【００８７】（実施例４）本例は、実施例３の更なる変
形例であり、図１５に示すように、周辺領域の四辺全て
に一対の電極からなるダミー画素が設けられている。

【００８８】但し、４つ角３２ｃには、シール接着剤が
設けられており、上下、左右の周辺領域は分断されてい
る。

【００８９】そして全電極には、図１０に示したある基
準電位に対して正・負の電圧をもつ双極性パルスを印加
して表示を行う。

【００９０】以上のように、周辺領域は必ずしも表示領
域の四方を囲う必要はなく、少なくとも表示領域の一画
素以上の巾をもっていれば、充分に黄変を防止できる。
但し、ストライプパターンや全黒または全白表示等リフ
レッシュ駆動により特定の表示を長期間くり返し行う場
合には、図１１乃至図１４のように外周全てを高プレチ
ルトの周辺領域にしたほうがよい。また表示領域端部で
低プレチルト配向領域と高プレチルト配向領域との界面
の配向の不連続性が生じ、それが表示領域内に及ぶこと
による、表示特性への影響を避けるのであれば、図１４
の例のように低プレチルトの内枠を設ければよい。更に
は、内枠にも、外枠と同様に一画素以上の巾をもたせる
とよい。例えば、図１５の例のダミー画素部分は、表示
領域と同じ、低プレチルト領域とする。

【００９１】実験例１３００ｍｍ×３２０ｍｍ、１．１ｍｍ厚のガラス基板に
透明電極としてＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉ
ｄｅ）をスパッタ法で約１５００Å成膜しホトリソグラ
フ法でストライプ状の電極とした。

【００９２】その上にショート防止用の絶縁膜としてＴ
ａ₂ Ｏ₅ 膜をスパッタ法により約９００Å成膜した。次
に図１３に示すように表示領域を取り囲む周辺領域にシ
リカビーズ入り塗布型絶縁膜としてＰＡＭ６０６ＥＰ
（シリカビーズ径約４５０Å触媒化成社製）をフレキソ
印刷法により塗膜しその後３００℃約１時間で焼成し約
２００Åの厚の膜を形成した。その後表示領域と周辺領
域を含めた領域に配向膜としてＬＱ１８００（日立化成
社製）をフレキソ法により塗膜しその後約２７０℃約１
時間で焼成イミド化し約２００Åのポリイミド膜を形成
した。その後、上下基板をそれぞれナイロンパイルを有
するラビング布でラビング処理を施した。そして、一方
の基板に粒径約１．５μｍのシリカビーズを散布し、他
方の基板にエポキシ樹脂の接着剤を図１３に示すような
形状でフレキソ印刷法で形成し、上下の基板をラビング
方向が上下でほぼ平行になるように貼り合わせた。また
ラビング方向は上下で交差させてもよい。この液晶パネ
ルの表示領域の大きさは、対角１５インチサイズであ
る。なお、図１３に示すように接着剤の一部は液晶を注
入するための注入口として開放されている。この注入口
より、強誘電性液晶が充填される。

【００９３】液晶注入は、加温・加圧が可能な注入槽に
パネルを導入し、該注入槽を真空引きすることにより、
パネル内部を真空にしたのち、注入口に液晶を塗布し注
入口をふさぐ。

【００９４】そののち、注入槽内の温度を上昇させ液晶
の粘性を下げると共に槽内を加圧しパネル内部全体に液
晶を充填させた。液晶の注入が終了した後、パネルをＳ
ｍＣ^* 相まで徐冷してから注入口をエポキシ樹脂の接着
剤でふさいだ。注入した強誘電性液晶は下記の相転移を
しめすピリミジン系の混合液晶である。

【００９５】

【外２】

【００９６】次にパネルの表示領域、周辺領域それぞれ
のプレチルト角を測定するためにそれぞれの構成のパネ
ル（配向膜の下にＰＡＭ６０６ＥＰがあるものとないも
の）を上述の方法で作成した。ただし上下基板のラビン
グ方法が反平行になるように貼り合わせた。次に以下の
方法でそれぞれのプレチルト角を測定した。

【００９７】〔プレチルト角αの測定方法〕プレチルト
角の測定は、クリスタルローション法（Ｊｐａ．Ｊ．Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏ．１１９（１９８０）Ｎｏ．Ｓ
ｈｏｒｔＮｏｔｅｓ２０３１）により求めた。また
プレチルト角の測定用液晶としては強誘電性液晶（チッ
ソ社製ＣＳ−１０１４）に下記の構造式で示される化合
物を重量比で２０％混合したものを標準液晶として注入
して測定した。

【００９８】

【外３】

【００９９】なお、この混合した液晶組成物は１０〜５
５℃でＳｍＡ相を呈した。

【０１００】測定手順は、液晶パネルを上下基板に垂直
かつ配向処理軸（ラビング軸）を含む面で回転させなが
ら、回転軸と４５°の角度をなく偏向面を持つヘリウム
・ネオンレーザ光を回転軸に垂直な方向から照射して、
その反対側で入射偏向面と平行な透過軸を持つ偏向板を
通してフォトダイオードで透過光強度を測定した。そし
て、干渉によってできた透過光強度のスペクトルに対
し、理論曲線、数式３、４とフィッティングを行うシミ
ュレーションによりプレチルト角αを求めた。

【０１０１】

【外４】Ｎ_o ：常光屈折率Ｎ_e ：異常光屈折率 φ：液晶パネ
ルの回転角Ｔ（φ）：透過光強度ｄ：セル厚 λ：
入射光の波長

【０１０２】

【外５】

【０１０３】上記の方法で測定したプレチルト角は、表
示領域では、１７．５°であり、周辺領域では、５８．
５°であった。実際の液晶パネルの表示領域はユニフォ
ーム配向、周辺領域は、クロスニコルの偏光板下で明状
態のほとんどない配向であった。

【０１０４】次に液晶移動現象の評価として図１６に示
すように液晶分子の平均分子軸がａの光学安定状態とｂ
の光学安定状態にラビング方向に垂直なストライプ状エ
リアでそれぞれ揃えパルス幅２５μｓ、電圧振幅が４０
Ｖ、１／２デューティの矩形波を約２０時間印加し、そ
の後、Ａ、Ｂそれぞれの位置のセル厚を測定した。その
結果、電界印加前と比較してもＡ、Ｂそれぞれの位置に
おけるセル厚の変化は、全く見られなかった。

【０１０５】比較例実験例１と同様の方法で液晶パネルを作成した。但し実
験例１で設けた周辺領域のシリカビーズ入り塗布型絶縁
膜は、形成しなかった。また実験例１と同様にプレチル
ト角を測定したところ、表示領域で１７．６°、周辺領
域で１７．３°であった。さらにそれぞれの配向状態
は、共にユニフォーム配向であった。

【０１０６】次に、実施例１と同様の条件で液晶移動現
象を評価したところ、電界印加前と比較してＡの部分で
セル厚が３５％、Ｂの部分で３９％増加していた。

【０１０７】実験例２表示領域を取り囲む周辺領域を垂直配向にする方法とし
て垂直配向剤と用いて液晶パネルを作成した。実験例１
と同様にＴａ₂ Ｏ₅ 膜まで成膜した基板を用意し、その
上に実験例１と同様な配向膜を形成した。その後、垂直
配向剤としてＯＤＳ−Ｅ（チッソ社製）を周辺領域にの
み塗膜し約８０℃３０分で乾燥させた。その後は、実施
例１と同様な方法で配向処理、貼り合わせ、液晶注入
し、液晶パネルを作成した。

【０１０８】配向状態は表示領域はユニフォーム配向で
周辺領域はほぼ、垂直配向であった。

【０１０９】次に、実験例１と同様の条件で液晶移動現
象を評価したところ、電界印加前と比較してＡの部分、
およびＢの部分とも、セル厚の変化はみられなかった。

【０１１０】実験例３表示領域を取り囲む周辺領域を垂直配向にする方法とし
て配向処理時に周辺領域をステンレス製の薄板でマスク
してラビング処理を施す方法を用いて液晶パネルを作成
した。実験例２と同様な方法で配向膜まで形成した基板
を用意し、ラビング処理時に周辺領域のみを覆い隠すよ
うにステンレス製０．１ｍｍ厚の薄板を基板に密着させ
ラビング処理を施した。その後は、実験例１、２と同様
な方法で貼り合わせ、液晶を注入し、液晶パネルを作成
した。

【０１１１】配向状態は表示領域はユニフォーム配向で
周辺領域は垂直配向であった。

【０１１２】次に、実験例１、２と同様の条件で液晶移
動現象を評価したところ、電界印加前と比較してＡの部
分、およびＢの部分ともセル厚の変化はみられなかっ
た。

【０１１３】実験例４実験例１のうち、４５０Å径のシリカビーズを入れずに
絶縁膜を形成したことおよび、フッ素系の強誘電性液晶
を用いた以外は、実験例１と同様にして図１３に示すセ
ルを作製した。

【０１１４】但し、このセルでは上下基板のラビング方
向を正反対にすることで、ブックシェルフ構造のスメク
チック層構造を得た。

【０１１５】表示領域内のプレチルト角は２°〜３°で
あった。周辺領域のプレチルト角は５８．５°であっ
た。

【０１１６】本例では、基板内面を粗面化していないに
もかかわらず、実験例１と同様ないしそれ以上の黄変防
止効果があった。

【０１１７】別にラビング強度を変えて、表示領域内の
プレチルト角が異なる試料を作製してみるとプレチルト
角が５°以下のものが、優れた特性を示していた。

【０１１８】実験例５実験例１において、配向膜とラビング強度を変えて種々
のプレチルト角をもつシェブロン構造のＣ１配向をもつ
セルを作製した。

【０１１９】この場合は、ほぼプレチルト角が１０°〜
１５°以上となりシリカビーズによる粗面とあいまって
黄変が防止できた。

【０１２０】実験例６実験例１と同じ方法で、図１４に示す外枠３２ａと内枠
３２ｂとをもつ周辺領域をもつセルを作製した。

【０１２１】外枠３２ａはプレチルト角５８°、内枠３
２ｂはプレチルト角１７°であった。

【０１２２】また、内枠３２ｂにある電極には、図１０
の駆動波形と同じ信号を印加した。

【０１２３】その結果、実験例１の３倍以上連続駆動し
ても黄変は生じなかった。

【０１２４】実験例７以下に述べる試料を作製して、特性を評価した。

【０１２５】基準試料…図１１のセルで、表示領域、周
辺領域共に１８°のプレチルト角をもち、内面が粗面化
されたセル。

【０１２６】試料Ａ…図１１のセルで、粗面化用の絶縁
膜を形成しなかったもの。

【０１２７】試料Ｂ…時１１のセルで、表示領域のプレ
チルト角を１８°としたシェブロン構造のもの（Ｂ１）
と８°としたもの（Ｂ２）。

【０１２８】試料Ｃ…図１１のセルで、表示領域のプレ
チルト角を２°としたブックシェルフ構造のもの。（Ｃ
１）と６°としたもの（Ｃ２）。

【０１２９】試料Ｄ…図１１のセルで、内面を粗面化し
たもの。

【０１３０】試料Ｅ…図１１のセル、スペーサ以外に接
着ビーズを表示領域および周辺領域内に分散させたも
の。

【０１３１】試料Ｆ…図１４のセルで、内面を粗面化し
なかったもの。

【０１３２】試料Ｇ…図１４のセルで、表示領域のプレ
チルト角を１８°としたシェブロン構造のもの（Ｇ１）
と８°としたもの（Ｇ２）。

【０１３３】試料Ｈ…図１４のセルで、表示領域のプレ
チルト角を２°としたブックシェルフ構造（Ｈ１）と６
°としたもの（Ｈ２）。

【０１３４】試料Ｉ…図１４のセルで、内面を粗面化し
たもの。

【０１３５】試料Ｊ…図１４のセルで、スペーサ以外に
接着ビーズを表示領域および周辺領域内に分散させたも
の。

【０１３６】試料Ｋ…図１４のセルで、内面を粗面化し
て、プレチルト角を１８°としたシェブロン構造をもた
せて接着ビーズを分散させたもの。

【０１３７】試料Ｌ…図１５のセルで、内面を粗面化し
なかったもの。

【０１３８】試料として、各々１０個づつパネルを用意
したもののうち、基準試料の特性より向上したパネルの
枚数で評価した。

【０１３９】△はその枚数が０〜１のもの。○は２〜５
のもの。◎は６個以上のものである。

【０１４０】結果は下表の通りである。

【０１４１】

【表１】

【０１４２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
表示領域以外の周辺領域のプレチルト角を表示領域のプ
レチルト角より大きくし、より好ましくは周辺領域を垂
直配向状態にすることで、駆動による液晶分子の移動に
たいして、パネル内に圧力分布が生じることを防ぐこと
ができ、パネル端部のセル厚増加を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の好適な実施態様例による液晶素子の模
式図である。

【図２】液晶素子の移動の様子を説明するための模式図
である。

【図３】本発明の一実施態様例の液晶素子の移動の様子
を説明するための模式図である。

【図４】スメクチック液晶層の構造を説明するための模
式図である。

【図５】スメクチック液晶のシェブロン構造を説明する
ための模式図である。

【図６】スメクチック液晶のブックシェルフ構造を説明
するための模式図である。

【図７】ラビング方法を説明するための模式図である。

【図８】本発明の液晶素子を用いた画像表示装置の模式
図である。

【図９】本発明の液晶素子を用いた画像形成装置の模式
図である。

【図１０】本発明に用いられる液晶素子の駆動信号を示
す図である。

【図１１】本発明の第１実施例による液晶素子の模式的
平面図である。

【図１２】１本発明の第１実施例による液晶素子の模式
的断面図である。

【図１３】本発明の第２の実施例による液晶素子の模式
的平面図である。

【図１４】本発明の第３実施例による液晶素子の模式的
平面図である。

【図１５】本発明の第４実施例による液晶素子の模式的
平面図である。

【図１６】液晶の移動現象の評価方法を説明するための
模式図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者堀田薫央東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者森直東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】互いに対向する一対の電極を有する基板
と、該一対の電極間に配したカイラルスメクチック液晶
とを具え、有効光学変調領域とその外側の周辺領域とを
含む液晶素子において、前記液晶は電界の印加によって前記基板表面に沿って移
動可能な液晶であり、該周辺領域の液晶分子のプレチルト角が該有効光学変調
領域のプレチルト角より大きいことを特徴とする液晶素
子。
【請求項２】互いに対向する一対の電極を有する基板
と、該一対の電極間に配したカイラルスメクチック液晶
とを具え、有効光学変調領域とその外側の周辺領域とを
含む液晶素子において、該周辺領域の液晶分子のプレチルト角が該有効光学変調
領域のプレチルト角より大きく、前記一対の基板のうち少なくとも一方の内面が粗面化さ
れていることを特徴とする液晶素子。
【請求項３】互いに対向する一対の電極を有する基板
と、該一対の電極間に配したカイラルスメクチック液晶
とを具え、有効光学変調領域とその外側の周辺領域とを
含む液晶素子において、該周辺領域の液晶分子のプレチルト角が該有効光学変調
領域のプレチルト角より大きく、前記有効光学変調領域の液晶分子のプレチルト角が１０
度以上であることを特徴とする液晶素子。
【請求項４】互いに対向する一対の電極を有する基板
と、該一対の電極間に配したカイラルスメクチック液晶
とを具え、有効光学変調領域とその外側の周辺領域とを
含む液晶素子において、該周辺領域の液晶分子のプレチルト角が該有効光学変調
領域のプレチルト角より大きく、前記有効光学変調領域の液晶分子のプレチルト角が５度
以下であることを特徴とする液晶素子。
【請求項５】互いに対向する一対の電極を有する基板
と、該一対の電極間に配したカイラルスメクチック液晶
とを具え、有効光学変調領域とその外側の周辺領域とを
含む液晶素子において、該周辺領域は、該有効光学変調領域に隣接した第１領域
と、該第１領域の外側の第２領域とを含み、該第１領域の液晶分子のプレチルト角は該有効光学変調
領域のプレチルト角とほぼ同じであり、該第２領域の液晶分子のプレチルト角が該有効光学変調
領域のプレチルト角より大きいことを特徴とする液晶素
子。
【請求項６】互いに対向する一対の電極を有する基板
と、該一対の電極間に配したカイラルスメクチック液晶
とを具え、有効光学変調領域とその外側の周辺領域とを
含む液晶素子において、前記基板間には複数の接着剤とスペーサとが介在してお
り、該周辺領域の液晶分子のプレチルト角が該有効光学変調
領域のプレチルト角より大きいことを特徴とする液晶素
子。
【請求項７】互いに対向する一対の電極を有する基板
と、該一対の電極間に配したカイラルスメクチック液晶
とを具え、有効光学変調領域とその外側の周辺領域とを
含む液晶素子において、前記電極には基準電位に対して双極性のパルスを含む駆
動信号が印加され、該周辺領域の液晶分子のプレチルト角が該有効光学変調
領域のプレチルト角より大きいことを特徴とする液晶素
子。
【請求項８】互いに対向する一対の電極を有する基板
と、該一対の電極間に配したカイラルスメクチック液晶
とを具え、有効光学変調領域とその外側の周辺領域とを
含む液晶素子において、該周辺領域の液晶分子のプレチルト角が該有効光学変調
領域のプレチルト角より大きく、該周辺領域には遮光部材が設けられていることを特徴と
する液晶素子。
【請求項９】粗面形成する為の配向膜が付与されてお
り、該粗面を形成する微粒子の平均粒径が、１乃至２０
ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至８に記載の液
晶素子。
【請求項１０】前記カイラルスメクチック液晶は強誘
電性液晶であることを特徴とする請求項１乃至８に記載
の液晶素子。
【請求項１１】請求項１乃至８に記載の液晶素子を含
む露光手段と、感光体と、現像手段と、転写手段と、を
有する画像形成装置。
【請求項１２】請求項１乃至８に記載の液晶素子を含
む表示手段と、該表示手段に駆動信号を供給する駆動手
段と、偏光板と、を有する画像表示装置。
【請求項１３】請求項１乃至８に記載の液晶素子を含
む表示手段と、該表示手段に駆動信号を供給する駆動手
段と、偏光板と、表示すべき画像信号を供給する信号源
と、を有する画像表示装置。
【請求項１４】請求項１乃至８に記載の液晶素子を含
む表示手段と、該表示手段に駆動信号を供給する駆動手
段と、偏光板と、表示すべき画像信号を供給する信号源
としてのイメージセンサを有する画像表示装置。
【請求項１５】請求項１乃至８に記載の液晶素子を含
む表示手段と、該表示手段に駆動信号を供給する駆動手
段と、偏光板と、表示すべき画像信号を供給する信号源
としてのコンピュータとを有する画像表示装置。