JPH07130941A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH07130941A JPH07130941A JP27542693A JP27542693A JPH07130941A JP H07130941 A JPH07130941 A JP H07130941A JP 27542693 A JP27542693 A JP 27542693A JP 27542693 A JP27542693 A JP 27542693A JP H07130941 A JPH07130941 A JP H07130941A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner lead
- lead
- bonding area
- bonding
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】ワイヤーボンディング時にリードが横にずれた
り、ねじれたりし、ボンディング不良を起こすという問
題を解消し、インナーリードピッチを必要以上に大きく
することなく、高密度集積の半導体装置に対応し得るよ
うなリードフレームを提供する。 【構成】インナーリード上面のボンディングエリア2に
対応するインナーリード下面(または、上下面)が、突
起状に幅が広がった構成とする。必要に応じて、突起状
に幅が広がった部分が、隣り合うインナーリード間で接
することなく、交互にリードの長さ方向に前後する位置
に設けられた構成とする。
り、ねじれたりし、ボンディング不良を起こすという問
題を解消し、インナーリードピッチを必要以上に大きく
することなく、高密度集積の半導体装置に対応し得るよ
うなリードフレームを提供する。 【構成】インナーリード上面のボンディングエリア2に
対応するインナーリード下面(または、上下面)が、突
起状に幅が広がった構成とする。必要に応じて、突起状
に幅が広がった部分が、隣り合うインナーリード間で接
することなく、交互にリードの長さ方向に前後する位置
に設けられた構成とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、IC・LSI等の半導
体集積回路(以下、チップと称する)の実装に用いられ
るリードフレームに関し、特に、多ピン化・狭ピッチ化
を図った際、ワイヤーボンディング時にインナーリード
部が不安定になり、リードがねじれたり、横方向にずれ
たりする惧れのないようなリードフレームに関する。
体集積回路(以下、チップと称する)の実装に用いられ
るリードフレームに関し、特に、多ピン化・狭ピッチ化
を図った際、ワイヤーボンディング時にインナーリード
部が不安定になり、リードがねじれたり、横方向にずれ
たりする惧れのないようなリードフレームに関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体装置用のリードフレーム
を製造するにあたっては、所定の素材からなる薄い金属
板を、周知のエッチング手法により成形する。
を製造するにあたっては、所定の素材からなる薄い金属
板を、周知のエッチング手法により成形する。
【0003】チップが搭載されるタブ部、タブ部を囲む
ように配置されるインナーリード部、インナーリード部
に連続するアウターリード部、などを得るために、前記
金属板に所定パターンのレジスト膜を形成し、エッチン
グ液により不要部分(前記レジスト膜の存在しない部
分)の金属を腐食除去して、リードフレームを得る。
ように配置されるインナーリード部、インナーリード部
に連続するアウターリード部、などを得るために、前記
金属板に所定パターンのレジスト膜を形成し、エッチン
グ液により不要部分(前記レジスト膜の存在しない部
分)の金属を腐食除去して、リードフレームを得る。
【0004】昨今、半導体装置の高密度集積化に伴い、
リードフレームの多ピン化の要望が強まっていることか
ら、インナーリードの先端部を表す図5に示すように、
隣り合う各リード1間のピッチAを狭めることによっ
て、インナーリード部におけるリード1の本数が多くな
るように試みられている。
リードフレームの多ピン化の要望が強まっていることか
ら、インナーリードの先端部を表す図5に示すように、
隣り合う各リード1間のピッチAを狭めることによっ
て、インナーリード部におけるリード1の本数が多くな
るように試みられている。
【0005】インナーリードのピッチAが小さいリード
フレームを製造する場合でも、ボンディングエリアにお
けるインナーリードの断面を表す図6に示すように、イ
ンナーリードの上面においては、ボンディングエリア2
を確保するために、ある程度の平坦幅Bが必要である。
フレームを製造する場合でも、ボンディングエリアにお
けるインナーリードの断面を表す図6に示すように、イ
ンナーリードの上面においては、ボンディングエリア2
を確保するために、ある程度の平坦幅Bが必要である。
【0006】ここで、ボンディングエリアとは、後工程
で、チップの電極とインナーリードとの電気的導通をワ
イヤーボンディングにてとる際に、インナーリード表面
にワイヤー先端が接続する箇所およびその近傍である。
で、チップの電極とインナーリードとの電気的導通をワ
イヤーボンディングにてとる際に、インナーリード表面
にワイヤー先端が接続する箇所およびその近傍である。
【0007】平坦幅Bを確保するための成形法として、
一般に、金属板の下面からのエッチングが速く進むよう
に制御する方法が採用されている。
一般に、金属板の下面からのエッチングが速く進むよう
に制御する方法が採用されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記成形法に
よると、図6および図7(インナーリードの先端部を下
面より見た図)に示すように、リード1の下面部4の幅
が狭いために、インナーリード底面の剛性が低下し、ワ
イヤーボンディング時にリード1が横にずれたり、リー
ドがねじれたりし、ボンディング不良を起こすという問
題がある。(以後、本明細書においては、前記した種々
の弊害を「転び」と総称することとする)
よると、図6および図7(インナーリードの先端部を下
面より見た図)に示すように、リード1の下面部4の幅
が狭いために、インナーリード底面の剛性が低下し、ワ
イヤーボンディング時にリード1が横にずれたり、リー
ドがねじれたりし、ボンディング不良を起こすという問
題がある。(以後、本明細書においては、前記した種々
の弊害を「転び」と総称することとする)
【0009】本発明は、インナーリードピッチを必要以
上に大きくすることなく、前記した「転び」の問題を解
決することにより、高密度集積の半導体装置に対応し得
るようなリードフレームを提供することを目的とする。
上に大きくすることなく、前記した「転び」の問題を解
決することにより、高密度集積の半導体装置に対応し得
るようなリードフレームを提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項1に記載の発明では、インナーリード上面の
ボンディングエリアに対応するインナーリード下面が、
突起状に幅が広がった構成とする。
に、請求項1に記載の発明では、インナーリード上面の
ボンディングエリアに対応するインナーリード下面が、
突起状に幅が広がった構成とする。
【0011】請求項2に記載の発明では、突起状に幅が
広がった部分が、隣り合うインナーリード間で接するこ
となく、交互にリードの長さ方向に前後する位置に設け
られた構成とする。
広がった部分が、隣り合うインナーリード間で接するこ
となく、交互にリードの長さ方向に前後する位置に設け
られた構成とする。
【0012】請求項3に記載の発明では、ボンディング
エリアに対応するインナーリード部が、上下面共に、突
起状に幅が広がった構成とする。
エリアに対応するインナーリード部が、上下面共に、突
起状に幅が広がった構成とする。
【0013】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図1は、インナーリードの先端部を上面より見た
平面図であり、図2は、ボンディングエリアにおけるイ
ンナーリードの断面を表す説明図である。図3は、図1
を下面より見た平面図である。
する。図1は、インナーリードの先端部を上面より見た
平面図であり、図2は、ボンディングエリアにおけるイ
ンナーリードの断面を表す説明図である。図3は、図1
を下面より見た平面図である。
【0014】ボンディングエリア2を十分確保できるだ
けの幅を有するインナーリード上面部3であり(図1参
照)、ボンディングエリア2に対応するインナーリード
下面に、リードの幅方向に突起部5が設けられている
(図3参照)。
けの幅を有するインナーリード上面部3であり(図1参
照)、ボンディングエリア2に対応するインナーリード
下面に、リードの幅方向に突起部5が設けられている
(図3参照)。
【0015】このような形状にリードフレームを製造す
るにあたっては、金属板へのレジスト膜のパターニング
に際して、上面は通常のインナーリードの形状と同様に
し、ボンディングエリア付近の下面部にリードの幅方向
に広がる突起部を設けるようにレジスト膜を形成する。
るにあたっては、金属板へのレジスト膜のパターニング
に際して、上面は通常のインナーリードの形状と同様に
し、ボンディングエリア付近の下面部にリードの幅方向
に広がる突起部を設けるようにレジスト膜を形成する。
【0016】上記構造とすることにより、インナーリー
ドの接地が安定し、ボンディングに対して十分な剛性を
持つことが出来る。
ドの接地が安定し、ボンディングに対して十分な剛性を
持つことが出来る。
【0017】他の実施例として、図4に示すように、突
起部5aおよび5bが、隣り合うインナーリード間で接
することなく、交互に前後した位置に設けられると、さ
らに半導体装置の高密度化を図った場合、インナーリー
ドピッチをより狭くしても、隣り合うリード間での短絡
を防止することができる。
起部5aおよび5bが、隣り合うインナーリード間で接
することなく、交互に前後した位置に設けられると、さ
らに半導体装置の高密度化を図った場合、インナーリー
ドピッチをより狭くしても、隣り合うリード間での短絡
を防止することができる。
【0018】さらに他の実施例として、インナーリード
下面のみならず上面も、ボンディングエリアに対応する
インナーリード部が、突起状に幅が広がった構成とする
こともできる。
下面のみならず上面も、ボンディングエリアに対応する
インナーリード部が、突起状に幅が広がった構成とする
こともできる。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
上面部に十分なボンディングエリアを確保した状態で、
ボンディングエリアに対応する下面部が突起状に幅が広
がった構成とすることにより、ボンディング時のインナ
ーリードの横へのずれに代表される種々の弊害(転び)
を防止することができる。
上面部に十分なボンディングエリアを確保した状態で、
ボンディングエリアに対応する下面部が突起状に幅が広
がった構成とすることにより、ボンディング時のインナ
ーリードの横へのずれに代表される種々の弊害(転び)
を防止することができる。
【0020】本発明のリードフレームによれば、半導体
装置の高密度化を達成するために、容易にリードフレー
ムの多ピン化・狭ピッチ化を実現できる。
装置の高密度化を達成するために、容易にリードフレー
ムの多ピン化・狭ピッチ化を実現できる。
【0021】さらに、後工程でリードフレームにチップ
を搭載する際、ワイヤーボンディング時に多発していた
不良品の発生が妨げられ、歩留りが向上するなど、製造
工程上のメリットも高い。
を搭載する際、ワイヤーボンディング時に多発していた
不良品の発生が妨げられ、歩留りが向上するなど、製造
工程上のメリットも高い。
【0022】
【図1】本発明のリードフレームの一実施例について、
インナーリードの先端部を上面より見た平面図。
インナーリードの先端部を上面より見た平面図。
【図2】図1のボンディングエリアにおけるインナーリ
ードの断面説明図。
ードの断面説明図。
【図3】本発明のリードフレームの一実施例について、
インナーリードの先端部を下面より見た平面図。
インナーリードの先端部を下面より見た平面図。
【図4】他の実施例について、インナーリードの先端部
を下面より見た平面図。
を下面より見た平面図。
【図5】従来のリードフレームについて、インナーリー
ドの先端部を上面より見た平面図。
ドの先端部を上面より見た平面図。
【図6】図5のボンディングエリアにおけるインナーリ
ードの断面説明図。
ードの断面説明図。
【図7】従来のリードフレームについて、インナーリー
ドの先端部を下面より見
ドの先端部を下面より見
1…インナーリード 2…ボンディングエリア 3…リード上面部 4…リード下面部 5…突起部 A…インナーリードピッチ B…ボンディングエリアの平坦幅
Claims (3)
- 【請求項1】インナーリード上面のボンディングエリア
に対応するインナーリード下面が、突起状に幅が広がっ
た構成であることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項2】突起状に幅が広がった部分が、隣り合うイ
ンナーリード間で接することなく、交互にリードの長さ
方向に前後する位置に設けられた構成である請求項1に
記載のリードフレーム。 - 【請求項3】ボンディングエリアに対応するインナーリ
ード部が、上下面共に、突起状に幅が広がった構成であ
ることを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27542693A JPH07130941A (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27542693A JPH07130941A (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | リードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07130941A true JPH07130941A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17555357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27542693A Pending JPH07130941A (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07130941A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08274230A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Nec Corp | リードフレームとその製造方法 |
-
1993
- 1993-11-04 JP JP27542693A patent/JPH07130941A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08274230A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Nec Corp | リードフレームとその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6559524B2 (en) | COF-use tape carrier and COF-structured semiconductor device using the same | |
US7129579B2 (en) | Semiconductor apparatus and method for fabricating the same | |
US7102210B2 (en) | Lead frame, manufacturing method of the same, and semiconductor device using the same | |
US20080173477A1 (en) | Circuit board and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same | |
KR19980069861A (ko) | 배선부재 및 이를 소유하는 리드 프래임 | |
US20080190654A1 (en) | Printed Wiring Board | |
JP2005116632A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
US6215174B1 (en) | Lead frame, mold for producing a resin-sealed semiconductor device, resin-sealed semiconductor device using such a lead frame | |
US5561327A (en) | Multilayer interconnection structure for a semiconductor device | |
JPH07130941A (ja) | リードフレーム | |
JP2001326429A (ja) | プリント配線基板 | |
JP5997964B2 (ja) | リードフレーム | |
JP3287279B2 (ja) | 半導体チップ、および該半導体チップが実装された半導体装置 | |
JP3201022B2 (ja) | リードフレーム | |
JP2005109377A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP3260414B2 (ja) | バンプ付き半導体装置とその製造方法 | |
JP3146580B2 (ja) | 半導体素子 | |
US5523625A (en) | Semiconductor integrated circuit device having partially constricted lower wiring for preventing upper wirings from short-circuit | |
KR100609333B1 (ko) | 혼합형 내부리드를 포함하는 리드 프레임 | |
JPS6148779B2 (ja) | ||
JPS62144349A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ムおよびその製造方法 | |
KR0140683B1 (ko) | 반도체 소자의 배선구조 | |
JPS5824020B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR970001139Y1 (ko) | 비엘피(blp)용 리드 프레임 | |
JP2777664B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 |