JPH07130833A - 半導体製造方法及びその装置 - Google Patents

半導体製造方法及びその装置

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JPH07130833A
JPH07130833A JP29400793A JP29400793A JPH07130833A JP H07130833 A JPH07130833 A JP H07130833A JP 29400793 A JP29400793 A JP 29400793A JP 29400793 A JP29400793 A JP 29400793A JP H07130833 A JPH07130833 A JP H07130833A
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JP
Japan
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wafer
boat
end surface
pair
semiconductor manufacturing
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Pending
Application number
JP29400793A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoshi Shioya
斉 塩屋
Hidenori Nakamura
英則 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Miyazaki Oki Electric Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Miyazaki Oki Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 縦型の熱処理炉等により熱処理する際のウエ
ハの端面の結晶欠陥の発生や反りの発生を防止する。 【構成】 所定寸法を隔てて略平行に配置された一対の
側辺11と、一対の側辺11間に亘って設けられた少な
くとも一対の相対向する支持辺12とからなるウエハ保
持用のボート10に、ウエハ14を支持辺12の溝13
に挿入することで支持させて平置きし、ウエハ14を熱
処理する半導体製造方法において、ウエハ14をボート
10に搭載した後、ウエハ14をボート10の底部側か
ら隙間形成部材20によって所要寸法押し出し、ウエハ
14の端面14aと支持辺12の溝13の底部との間に
所定の隙間を形成して熱処理する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば縦型の熱処理炉
等でウエハを熱処理する場合における半導体製造方法及
びその装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のウエハ保持用のボートは例えば図
9(a)に示したように、所定寸法を隔てて略平行に配
置された一対の側辺11と、一対の側辺11間に亘って
設けられた支持辺12とからなっている。この支持辺1
2は一対の側辺11間に例えば相対向する状態で二対設
けられており、ボート10の略中間の高さ位置とそれよ
りもボート10の底部側とにそれぞれ一対ずつ取り付け
られている。また、各支持辺12には、支持辺12の長
さ方向に所定の間隔でウエハ保持用の溝13が穿設され
ている。
【0003】このようなウエハ保持用のボート10は、
例えば縦型の熱処理炉等でウエハを熱処理する場合、図
9(b)に示したように立て起こされて縦置きされる。
このとき各ウエハ14は、支持辺12の溝13に挿入さ
れて支持された状態で互いに略平行に平置きされる。
【0004】上記のようにボート10を縦置きする場
合、従来においてはウエハ14はボート10に二通りの
方法で搭載される。一つは、図9に示した如く予め横置
きした状態から立て起こして縦置きしたボート10に、
一枚又は複数枚のウエハ14を搭載する方法である。も
う一つは横置きされたボート10に一枚又は複数枚のウ
エハ14を搭載した後、ボート10を人の手を介して、
又はアーム等の治具を介して立て起こして縦置きする方
法である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで上記したウエ
ハ14の搭載方法では、ウエハ14の多くは、図10に
示したようにその端面14aが溝13の底部13aに当
接した状態で平置きされる。特に後者の方法では、横置
きしたボート10にウエハ14を搭載した後縦置きする
ため、ウエハ14は端面14aが各溝13の底部13a
に確実に突き当たった状態で配置される。
【0006】しかしながらそのまま熱処理を行うと、ウ
エハ14の構成材料とボート10の構成材料との膨張係
数が異なるため、ウエハ14の端面14aが溝13の底
部13aに圧接する状態となる。その結果、ウエハ14
の端面14aに局部応力が発生し、ウエハ14の端面1
4aにスリップ等の結晶欠陥が生じたり、反りが発生す
る等の不具合を引き起こすことがあった。本発明は上記
課題に鑑みてなされたものであり、縦型の熱処理炉等に
より熱処理する際のウエハの端面の結晶欠陥の発生や反
りの発生を防止することができる半導体製造方法及びそ
の装置を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、所定寸法を隔てて略平行に配置された一対
の側辺と、該一対の側辺間に亘って設けられた少なくと
も一対の相対向する支持辺とからなるウエハ保持用のボ
ートにウエハを前記支持辺に支持させて搭載し、前記ウ
エハを熱処理する半導体製造方法において、前記ウエハ
を、その端面と前記支持辺との間に所定の隙間を形成し
た状態で熱処理するようにしたものである。
【0008】また上記方法において、前記ウエハを前記
ボートに搭載すると同時に、該ウエハの端面と前記溝と
の間に所定の隙間を形成するようにしたものである。さ
らに上記方法において、前記ウエハを前記ボートに搭載
した後、前記ウエハを前記ボートの底部側から所要寸法
押し出して、前記ウエハの端面と前記支持辺との間に所
定の隙間を形成するようにしたものである。
【0009】また本発明は、所定寸法を隔てて略平行に
配置された一対の側辺と、該一対の側辺間に亘って設け
られた少なくとも一対の相対向する支持辺とからなり、
前記一対の側辺間でかつ前記支持辺に支持させた状態で
ウエハを縦置きしたウエハ保持用のボートを、横置きさ
れた状態から立て起こす際に用いる半導体製造装置にお
いて、前記ボートを保持するアームと、前記アームの、
前記保持状態のボートの底部側に設けられると共に、前
記縦置きされた状態のウエハの端面位置より該ウエハに
対向する面が所要寸法突出して形成された隙間形成部材
とからなるようにしたものである。
【0010】
【作用】本発明方法によれば、熱処理時に支持辺とウエ
ハとが膨張しても、双方の膨張分は前記ウエハの端面と
前記支持辺との間に形成された隙間によって吸収され
る。その結果、熱処理時においても前記ウエハの端面が
前記支持辺に圧接する状態とはならず、前記ウエハの端
面に局部応力が発生しない。また本発明装置によれば、
ボートをアームに保持させた状態では、ウエハの端面が
隙間形成部材によって所要寸法上方に配置され、前記ウ
エハの端面と前記支持辺との間に所定の隙間が形成され
る。したがって前記アームにより前記ボートを立て起こ
すと、前記ウエハは、その端面と前記支持辺との間に所
定の隙間を形成した状態で平置きされる。
【0011】
【実施例】以下、本発明に係る半導体製造方法及びその
装置の実施例を図面に基づいて説明する。図1は本発明
の半導体製造方法の一例を工程順に示した説明図であ
る。この実施例においては、まず例えば従来と同様に構
成されて横置きされたウエハ保持用のボート10を、人
の手又はアーム等の治具により立て起こして図1(a)
に示したように縦置きし、ボート10にウエハ14を平
置きする。
【0012】すなわち、ボート10は例えば所定寸法を
隔てて略平行に配置された一対の側辺11と、一対の側
辺11間に亘って設けられた支持辺12とから構成され
ている。この支持辺12は一対の側辺11間に例えば相
対向する状態で二対設けられており、ボート10の略中
間の高さの位置とそれよりもボート10の底部側とにそ
れぞれ一対ずつ取り付けられている。また各支持辺12
には、支持辺12の長さ方向に所定の間隔でウエハ保持
用の溝13が穿設されている。
【0013】このように構成されたボート10には、予
め横置き状態のボート10の支持辺12の溝13にウエ
ハ14を挿入し支持させて縦置きしておき、その後ボー
ト10を立て起こすことでウエハ14を平置きする。ま
たは、横置きされているボート10を縦置きした後、そ
の縦置きしたボート10の溝13にウエハ14を挿入す
ることでウエハ14を平置きする。次に、上記の如くウ
エハ14をボート10に平置き状態で搭載した後、図1
(b)に示したようにウエハ14をボート10の底部側
から隙間形成部材20で所要寸法押し出す。
【0014】隙間形成部材20は例えば石英、SiC 等の
材料からなり、例えば図示したように一本の棒状に形成
される。または図示しないが、隙間形成部材20をウエ
ハ14の保持性を考慮して、ウエハ14の端面14aに
対応するように複数本を並設した形に形成することも可
能であり、また図2に示したようにウエハ14の端面1
4aに対応する円弧状の隙間形成部材30とすることも
可能である。この際、隙間形成部材20、30の幅は、
押し出し時において隙間形成部材20、30が接触する
ウエハ14部分の両側の支持辺12間の寸法より小さく
形成される。この実施例においては、例えばボート10
の底部側の一対の支持辺12間の寸法より小さく形成さ
れる。
【0015】また図1では隙間形成部材20の長さを、
ボート10に平置きされているウエハ14すべてに対応
する寸法、つまり支持辺12より若干小さい寸法に形成
した場合を示したが、これに限定されるものではなく、
図2に示した隙間形成部材30のように所要のウエハ1
4の枚数に対応する寸法に形成することも可能である。
さらに隙間形成部材20、30には、ウエハ14の保持
性を向上するために各ウエハ14に対応するガイド溝
(図示せず)を設けることも可能である。
【0016】図3、図4はそれぞれ、棒状の隙間形成部
材20、円弧状の隙間形成部材30によるウエハ14の
押し出しを示す拡大図であり、図5は押し出し後のウエ
ハ14の端面14a付近を示した模式図である。図3、
4に示したように、上記隙間形成部材20、30を例え
ばボート10の底部側の一対の支持辺12間から、支持
辺12に対して略平行に移動させてウエハ14の端面1
4aを所要寸法a押し出す。
【0017】この押し出しによって、図5に示したよう
にウエハ14の端面14aと、その端面14aが挿入さ
れていた溝13の底部13aとの間に所定寸法bの隙間
21が形成される。なお隙間21の寸法bは、熱処理時
にウエハ14の端面14aが溝13の底部13a側に膨
張する寸法と、溝13の底部13aがウエハ14の端面
14a側に膨張する寸法とを加算した寸法より大きくす
る。またこの隙間21の寸法bは、隙間形成部材20、
30の移動寸法aによって調整する。そして最後に、ウ
エハ14を縦型の処理装置等により熱処理する。
【0018】上記したように支持辺12の溝13の底部
13aとウエハ14の端面14aとの間には隙間21が
形成されているので、熱処理時に支持辺12とウエハ1
4とが膨張しても、双方の膨張分は隙間21によって吸
収される。その結果、熱処理時においてもウエハ14の
端面14aが溝13の底部13aに圧接する状態とはな
らず、ウエハ14の端面14aに局部応力が発生しな
い。したがってこの実施例方法によれば、ウエハ14の
端面14aにスリップ等の結晶欠陥や反りを発生させる
ことなく、ウエハ14の熱処理を行うことができ、電気
的特性等が良好なウエハ14を製造することができる。
【0019】図6は本発明の半導体製造装置の一例を示
した断面図である。図示したようにこの実施例の半導体
製造装置は、上記したボート10を保持するための例え
ば箱型形状をなすアーム40と、アーム40の底部側に
配置された隙間形成部材43と、隙間形成部材43をア
ーム40に固定するための固定部材44とからなってい
る。すなわちアーム40は、横置きされたボート10を
縦置きする場合に用いる従来のアームと同様に構成さ
れ、例えば一対の側部41には後述する如くボート10
を保持する保持部材42が取り付けられている。
【0020】一方、隙間形成部材43は、上記した隙間
形成部材20、30と同様の材料及び同様の形状に形成
されている。例えば隙間形成部材43は石英、SiC 等の
材料からなり、隙間形成部材20と同様に一本の棒状、
またはウエハ14の端面14aに対応するように複数本
を並設した形に形成されている。または隙間形成部材3
0と同様に、ウエハ14の端面14aに対応して円弧状
に形成されている。
【0021】さらに隙間形成部材43の幅は、ボート1
0の底部側の一対の支持辺12間の寸法より小さく形成
されている。またこの実施例では、隙間形成部材43を
ボート10に縦置きされるウエハ14すべてに対応する
長さに形成した場合を示したが、これに限定されるもの
ではなく、所要のウエハ14の枚数に対応するように必
要な寸法に形成される。さらに隙間形成部材43には、
ウエハ14の保持性を向上するために各ウエハ14に対
応するガイド溝(図示せず)を設けることも可能であ
る。
【0022】上記の如く構成された隙間形成部材43
は、アーム40の、そのアーム40に保持された状態の
ボート10の底部側に設けられる。この実施例では、隙
間形成部材43はアーム40の、ボート10の底部側の
一対の支持辺12間に設けられる。しかもそのウエハ1
4に対向する面が、ボート10に縦置きされたウエハ1
4の端面14a位置より所要寸法a突出して形成され
る。なお隙間形成部材43に各ウエハ14に対応するガ
イド溝を設けた場合には、ガイド溝の底部がウエハ14
に対向する面となる。したがって、その場合には隙間形
成部材43は、ガイド溝の底部がボート10に縦置きさ
れたウエハ14の端面14a位置より所要寸法a突出す
るように形成される。
【0023】また、隙間形成部材43をアーム40の、
ボート10の底部側の一対の支持辺12間だけでなく、
ウエハ14への保持性を向上するために、底部側の支持
辺12とそれよりも上方に配置されている支持辺12と
の間に設けることも可能である。そしてこの隙間形成部
材43は、 SUS等からなる固定部材44によってアーム
40の底部に固定されている。なお、隙間形成部材43
はアーム40がボート10を保持する際に邪魔とならな
いよう上記した位置に設けられる。
【0024】このような半導体製造装置においては、図
7に示したようにウエハ14が縦置きされた横置き状態
のボート10を、アーム40の保持部材42に保持させ
ると、図8に示したようにボート10に縦置きされたウ
エハ14の端面14aが、隙間形成部材43によって元
の端面14a位置より所要寸法a上方に押し上げられ
る。またはボート10をアーム40に保持させた後、ボ
ート10にウエハ14を搭載すると、ウエハ14の搭載
と同時にウエハ14の端面14aは隙間形成部材43に
よって所要寸法a上方に配置され、縦置きされる。
【0025】その結果、ウエハ14は、端面14aが支
持辺12の溝13の底部13aから所定寸法浮いた状態
でボート10に縦置きされる。つまりこの実施例装置を
用いれば、ウエハ14をボート10に搭載した後、また
はウエハ14をボート10に搭載すると同時に、ウエハ
14の端面14aと溝13の底部13aとの間に、最終
的に形成される図5に示した隙間21と同様の寸法bの
隙間が容易に形成される。そして、アーム40を立て起
こすことによってボート10を縦置きした後、この半導
体製造装置をボート10から外すと、図5に示したと同
様にウエハ14の端面14aは、支持辺12の溝13の
底部13aから確実に所定寸法bの隙間21が形成され
た状態で平置きされる。
【0026】なお隙間21の寸法bは、熱処理時にウエ
ハ14の端面14aが溝13の底部13a側に膨張する
寸法と、溝13の底部13aがウエハ14の端面14a
側に膨張する寸法とを加算した寸法より大きくなるよう
に設定する。この場合の隙間21の寸法bの調整は、固
定部材44に高さ調整機構を設けるか、数種類の高さ寸
法の隙間形成部材43を準備しておき、これらによって
隙間形成部材43のウエハ14に対向する面の位置を調
整することで行うことが可能である。
【0027】このように本実施例装置を用いれば、ウエ
ハ14の端面14aと溝13の底部13aとの間に所定
寸法bの隙間21が確実に形成された状態でウエハ14
を平置きすることができる。したがって、そのような状
態でウエハ14を縦型の処理装置等により熱処理するこ
とができるので、熱処理時に膨張係数の違いにより発生
するウエハ14の端面14aと溝13の底部13aとの
圧接状態を確実に回避することができ、ウエハ14の端
面14aでの局部応力の発生を確実に防止することがで
きる。その結果、ウエハ14の端面14aにスリップ等
の結晶欠陥や反りを発生させることなく、ウエハ14の
熱処理を行うことができ、電気的特性等が良好なウエハ
14を製造することができる。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体製造
方法よれば、ウエハの端面と支持辺との間に所定の隙間
を形成して熱処理するので、熱処理時に膨張係数の違い
により発生する前記ウエハの端面と前記支持辺との圧接
状態を回避することができ、前記ウエハの端面における
局部応力の発生を防止することができる。したがって、
前記ウエハの端面にスリップ等の結晶欠陥や反りを発生
させることなく前記ウエハを熱処理することができ、電
気的特性等に優れたウエハを製造することができる。
【0029】また本発明の半導体製造装置によれば、前
記ウエハの端面と前記支持辺との間に確実に所定の隙間
を形成した状態に前記ウエハが平置きされるので、その
状態で前記ウエハを縦型の処理装置等により熱処理する
ことができる。したがって、前記ウエハの端面での局部
応力の発生を確実に防止することができ、電気的特性等
の優れたウエハを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体製造方法の一例を工程順に示し
た説明図である。
【図2】円弧状の隙間形成部材による押し出しを示した
説明図である。
【図3】棒状の隙間形成部材による押し出しを示した拡
大図である。
【図4】円弧状の隙間形成部材による押し出しを示した
拡大図である。
【図5】ウエハの端面付近の模式図である。
【図6】本発明装置の一例を示した断面図である。
【図7】ボートを保持した状態を示した断面図である。
【図8】ボートの底部側のウエハの端面付近の拡大図で
ある。
【図9】従来方法の一例を示した説明図である。
【図10】従来のウエハの端面付近を示した模式図であ
る。
【符号の説明】
10 ボート 14 ウエハ 11 側辺 14a 端面 12 支持辺 20、30、43 隙間
形成部材 13 溝 21 隙間 13a 底部 40 アーム

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定寸法を隔てて略平行に配置された一
    対の側辺と、該一対の側辺間に亘って設けられた少なく
    とも一対の相対向する支持辺とからなるウエハ保持用の
    ボートにウエハを前記支持辺に支持させて搭載し、前記
    ウエハを熱処理する半導体製造方法において、 前記ウエハを、その端面と前記支持辺との間に所定の隙
    間を形成した状態で熱処理することを特徴とする半導体
    製造方法。
  2. 【請求項2】 前記ウエハを前記ボートに搭載すると同
    時に、該ウエハの端面と前記溝との間に所定の隙間を形
    成することを特徴とする請求項1記載の半導体製造方
    法。
  3. 【請求項3】 前記ウエハを前記ボートに搭載した後、
    前記ウエハを前記ボートの底部側から所要寸法押し出し
    て、前記ウエハの端面と前記支持辺との間に所定の隙間
    を形成することを特徴とする請求項1記載の半導体製造
    方法。
  4. 【請求項4】 所定寸法を隔てて略平行に配置された一
    対の側辺と、該一対の側辺間に亘って設けられた少なく
    とも一対の相対向する支持辺とからなり、前記一対の側
    辺間でかつ前記支持辺に支持させた状態でウエハを縦置
    きしたウエハ保持用のボートを、横置きされた状態から
    立て起こす際に用いる半導体製造装置において、 前記ボートを保持するアームと、 前記アームの、前記保持状態のボートの底部側に設けら
    れると共に、前記縦置きされた状態のウエハの端面位置
    より該ウエハに対向する面が所要寸法突出して形成され
    た隙間形成部材とからなることを特徴とする半導体製造
    装置。
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