JPH07125213A

JPH07125213A - インクジェット記録ヘッドおよびその製造方法ならびにインクジェット記録装置

Info

Publication number: JPH07125213A
Application number: JP27408093A
Authority: JP
Inventors: Teruo Ozaki; 照夫尾崎; Takumi Suzuki; 工鈴木
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1993-11-02
Filing date: 1993-11-02
Publication date: 1995-05-16

Abstract

(57)【要約】【目的】記録ヘッドを構成する基体（基板）における
保護層が平坦で、クラック発生やインク浸透が起こり難
いインクジェット記録ヘッドおよびそのようなヘッドを
搭載したインクジェット記録装置を提供する。【構成】支持体上の下部層表面の形状を、電極形成す
る部分が凹部の凹凸形状とし、発熱抵抗体層形成後、電
極表面とその電極周囲の面との間に実質的に高低差がな
くなる高さで凹部に電極を形成し、保護膜を形成して、
インクジェット記録ヘッド用の基板を作製する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、インクジェット記録ヘ
ッドに関し、詳細には、電気熱変換体が発生する熱を利
用してインクを吐出し、飛翔液滴を形成して記録を行な
うためのインクジェット記録ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】インクジェット記録方式は、低騒音かつ
高速で記録を行なうことができ、さらに普通紙等にも記
録を行なえるという点で近年注目を集めている。

【０００３】このようなインクジェット記録方式の中で
も、例えば特開昭５４−５１８３７号公報、ドイツ公開
（ＤＯＬＳ）第２８４３０６４号公報に記載されている
方式は、熱エネルギーを液体に作用させて、液滴吐出の
原動力を得るという点において、他のインクジェット記
録方式とは異なる特徴を有している。

【０００４】すなわち、上記の公報に開示された記録方
式は、熱エネルギーの作用を受けた液体が急峻な体積の
増大を伴う状態変化を起こし、この状態変化に基づく作
用力によって、記録ヘッド部先端の吐出口より液体が吐
出されて、飛翔液滴が形成される。

【０００５】特に、ＤＯＬＳ２８４３０６４号公報に開
示されているインクジェット記録方式は、所謂ドロップ
−オンデマンド記録法に極めて有効に適用されるばかり
ではなく、吐出口をフルラインタイプで高密度マルチオ
リフィス化した記録ヘッドを容易に具現化できるため、
高解像度、高品質の画像を高速で得られるという特徴を
有している。

【０００６】上記の記録方式に適用される装置の記録ヘ
ッド部は、液体を吐出するために設けられた吐出口と、
この吐出口に連通し、液滴を吐出するための熱エネルギ
ーが液体に作用する部分である熱作用部を構成の一部と
する液路とを有する液吐出部と、熱エネルギーを発生す
る手段としての電気熱変換体とを具備している。そして
この電気熱変換体は、一対の電極と、これらの電極に接
続し、これらの電極の間で発熱する領域（熱発生部）を
有する発熱抵抗層とを具備している。

【０００７】このようなインクジェット記録ヘッドの構
造を示す１従来例を図６に示す。すなわち図６は記録ヘ
ッドにおける１つの吐出口に関する構成の液路長手方向
の断面を示す模式的部分断面図である。

【０００８】図中、記録ヘッド２００は、電気熱変換体
２０１が設けられている基板２０２と、所定の線密度で
所定の幅と深さの溝が吐出口の数に対応して設けられて
いる溝付板２０３とを接合することによって、吐出口２
０４を含む液吐出部２０５が形成される構造を有してい
る。なお本発明は、吐出口２０４を複数有する記録ヘッ
ドだけでなく、単一吐出口の記録ヘッドに対しても有効
である。

【０００９】液吐出部２０５は、その終端に液体を吐出
させるための吐出口２０４と、電気熱変換体２０１より
発生される熱エネルギーが液体に作用して気泡を発生
し、その体積の膨張と収縮による急激な状態変化を引き
起こす箇所である熱作用部２０６とを有する。

【００１０】熱作用部２０６は、電気熱変換体２０１の
熱発生部２０７の上部に位置し、熱発生部２０７の液体
と接触する面としての熱作用面２０８をその底面として
いる。

【００１１】熱発生部２０７は、基板２０２の支持体２
１６上に設けられた下部層２０９、下部層２０９上に設
けられた発熱抵抗層２１０、発熱抵抗層２１０上に設け
られた保護層２１１とで構成される。発熱抵抗層２１０
の表面には、通電により熱を発生させる電極２１２、２
１３が設けられている。電極２１２は各液吐出部の熱発
生部に共通の電極であり、電極２１３は各液吐出部の熱
発生部を選択して発熱させるための選択電極であって、
液吐出部の液路に沿って設けられている。

【００１２】保護層２１１は、熱発生部２０７において
発熱抵抗層２１０と液吐出部２０５の液路を満たしてい
るインクとを隔絶し、インクから化学的、物理的に保護
するとともに、インクを介して電極２１２と２１３との
間が短絡するのを防止している。また、保護層２１１
は、隣接する電極間における電気的リークを防止する役
目をも担っている。

【００１３】殊に、各選択電極間における電気的リーク
の防止、あるいは各液路下にある電極が何らかの理由で
インクと接触して通電が起こることが原因で発生する電
極の電触の防止は重要であることから、少なくとも液流
路下に存在する電極上には、このような保護機能を有す
る保護層２１１が設けられている。

【００１４】さらに、各液吐出部に設けられている液路
は、その上流において、液路に供給されるインクを蓄え
る共通液室（不図示）に連通しているが、各液吐出部に
設けられた電気熱変換体に接続されている電極は、その
設計の都合上、熱作用部の上流側において前記共通液室
下を通るように設けられるのが一般的である。従って、
この部分においても電極が液体と接触するのを防止すべ
く前記した保護層が設けられるのが一般的である。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、特に多数の
吐出口を配設するマルチオリフィスタイプの記録ヘッド
の場合には、１つの基板上に吐出口に対応した多数の微
細な電気熱変換体、電極等を同時に形成するため、その
製造過程において、基板各層の形成と、形成された層の
一部除去とが繰返し行なわれる。このため、保護層が形
成される段階、特に電極上の保護層が形成される段階で
は、保護層の表面は段差を有した微細な凹凸状となり、
この結果、この段差部における被覆性が重要な問題とな
る。

【００１６】すなわち図６に示す従来例では、この保護
層における段差部の形状がくびれ状をなし、インクを吐
出する際の熱作用部における気泡の膨張、収縮に伴う圧
力波の影響を受けた場合クラックを生じ易く、その部分
でのインクの浸透が起こり、電触あるいは電気的絶縁破
壊を起こす原因となっていた。

【００１７】また製法上、形成される保護層に欠陥部の
生ずる確率が低くない場合には、その欠陥部を通じてイ
ンクの浸透が起こり、発熱抵抗層、電極等の寿命を著し
く低下させる要因となる。

【００１８】本発明は、上述の問題を解決するためにな
されたものであり、その目的とするところは、記録ヘッ
ドを構成する基体（基板）における保護層の段差部形状
をくびれのない形状とすることによってクラックを発生
し難くし、インク浸透を防止するようにしたインクジェ
ット記録ヘッドおよびそのようなヘッドを搭載したイン
クジェット記録装置を提供することにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明は、支持体上に下
部層を形成し、その上にインク吐出用のエネルギー発生
手段である発熱抵抗層パターンを形成し、該発熱抵抗層
上に電気熱変換体部分を残して該抵抗層駆動用の電極を
形成し、該発熱抵抗層および該電極上に保護膜を形成し
て基板とし、該基板を溝付板と合わせる工程を有して成
るインクジェット記録ヘッドの製造方法において、下部
層表面の形状を電極形成する部分が凹部の凹凸形状と
し、発熱抵抗層形成後の電極形成を、電極表面と該電極
周囲の面との間に実質的に高低差がなくなる高さで該凹
部に行なうことを特徴とするインクジェット記録ヘッド
の製造方法を提供する。

【００２０】このように下部層の凹凸に沿って電極を形
成することによって、電極縁部の段差が緩和され、保護
層をほぼ平坦とすることができる。

【００２１】図１に本発明の記録ヘッドの１実施態様の
主要部における液路長手方向の模式的部分断面図を示
す。さらに、図２は図１に示した基板の平面図であり、
図３は図２のＸ₁−Ｘ₂線で切断した場合の模式的部分断
面図である。

【００２２】これら図中、１００はインクジェット記録
ヘッドを示し、吐出口数に対応し、インクを吐出するた
めに利用される熱を発生する電気変換体１０１が設けら
れた基体としての基板１０２と、電気熱変換体１０１の
各々に対応して設けられた溝を有する溝付板１０３とで
その主要部が構成される。基板１０２と溝付板１０３と
が所定の箇所を接着剤等で接合されることにより、基板
１０２の電気熱変換体１０１の配設される部分と、溝付
板１０３の溝の部分とによって液路１０４が形成され、
液路１０４はその一部に熱作用部１０５を有する。

【００２３】基板１０２は、シリコン基板などの支持体
１０６と、１０６上にＳｉＯ₂等で凹凸状に厚みを変化
させて形成した下部層１０７と、下部層１０７上に液路
１０４の長手方向に構成される帯状の発熱抵抗層１０８
と、発熱抵抗層１０８の上面と互いに部分的に接続し、
下部層１０７の凹部上に形成され、そのエッジ部分が下
部層凸部のテーパー部分に配置される共通電極１０９と
間隔を有して接続される選択電極１１０を有する。さら
にこれに、電極１０９、１１０および発熱抵抗層の保護
膜１１１が形成される。これにより、図６に示したよう
な保護層のくびれを排した形状とすることができる。

【００２４】保護層１１１を構成する材料としては、比
較的熱伝導性および耐熱性に優れた無機質絶縁材料が適
している。このような材料として、例えば、酸化チタ
ン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸
化タンタル、酸化タングステン、酸化クロム、酸化ジル
コニウム、酸化ハフニウム、酸化ランタン、酸化イット
リウム、酸化マンガンなどの遷移金属酸化物；酸化アル
ミニウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化
バリウム、酸化シリコン等の金属酸化物およびこれらの
複合体；窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化ボロ
ン、窒化タンタル等の高抵抗窒化物；およびこれら酸化
物・窒化物の複合体；さらにアモルファスシリコン、ア
モルファスセレン等の半導体などバルクでは低抵抗であ
ってもスパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法、気相反応
法、液体コーティング法等の製造過程で高抵抗化し得る
薄膜材料を挙げることができる。

【００２５】また、保護層１１１は直接液状インクに接
し、特に、インク吐出の際に生ずる圧力波の作用による
衝撃があるため、図示はされないが、保護層１１１の上
層に金属等の比較的粘りがあって機械的強度のある無機
材料で構成される層を配設してもよく、この保護層１１
１の上層を構成する材料としては、Ｓｃ、Ｙなどの周期
律表第ＩＩＩａ族の元素；Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの第Ｉ
Ｖａ族の元素；Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗなどの第ＶＩａ族の元
素；Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの第ＶＩＩＩ族の元素；Ｔｉ
−Ｎｉ、Ｔａ−Ｗ、Ｔａ−Ｍｏ−Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆ
ｅ−Ｃｏ、Ｔｅ−Ｗ、Ｆｅ−Ｔｉ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−
Ｃｒ、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒなどの上記金属の合金；Ｔｉ−
Ｂ、Ｔａ−Ｂ、Ｈｆ−Ｂ、Ｗ−Ｂなどの上記金属の硼化
物；Ｔｉ−Ｃ、Ｚｒ−Ｃ、Ｖ−Ｃ、Ｔａ−Ｃ、Ｍｏ−
Ｃ、Ｎｉ−Ｃなどの上記金属の炭化物；Ｍｏ−Ｓｉ、Ｗ
−Ｓｉ、Ｔａ−Ｓｉなどの上記金属のケイ化物；Ｔｉ−
Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎなどの上記金属の窒化物が挙げ
られる。

【００２６】保護層の上層は、これらの材料を用いて蒸
着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の手法により形成
することができ、また、この上層は上記の材料のいずれ
かを用いた単独層であってもよいが、これらの幾つかを
組み合わせることもできる。

【００２７】下部層１０７は、発生する熱の支持体１０
６側への流れを制御する層として設けられるものであ
り、熱作用部１０５においてインク液に熱エネルギーを
作用させる場合には、発生する熱が熱作用部１０５側に
より多く伝わるようにし、一方、電気熱変換体１０１へ
の通電がＯＦＦされた際には、残存している熱が、支持
体１０６側に速やかに伝わるよう構成材料の選択および
層厚等の設計が成される。下部層１０７を構成する材料
としては、先に挙げたＳｉＯ₂の他に酸化ジルコニウ
ム、酸化タンタル、酸化マグネシウム等の金属酸化物に
代表される無機質材料が挙げられる。

【００２８】発熱抵抗層１０８を構成する材料は、通電
されることによって所望通りの熱が発生するものであれ
ば大概のものが採用され得る。

【００２９】そのような材料としては、例えば窒化タン
タル、ニクロム、銀−パラジウム合金、シリコン半導
体、あるいはハフニウム、ランタン、ジルコニウム、チ
タン、タンタル、タングステン、モリブデン、ニオブ、
クロム、バナジウムなどの金属およびその合金ならびに
それらの硼化物等が好ましいものとして挙げられる。

【００３０】これらの発熱抵抗層１０８を構成する材料
の中、特に金属硼化物が優れたものとして挙げることが
でき、その中でも最も特性の優れているのが硼化ハフニ
ウムであり、次いで硼化ジルコニウム、硼化ランタン、
硼化タンタル、硼化バナジウム、硼化ニオブの順となっ
ている。

【００３１】発熱抵抗層１０８は、上記した材料を使用
して、電子ビーム蒸着やスパッタリング等の手法を用い
て形成することができる。

【００３２】電極１０９、１１０を構成する材料として
は、多くの電極材料の中から、コスト、電気伝導度を考
慮に入れて選択される。具体的には例えば、Ａｌ、Ｃｕ
等の金属が挙げられ、これらを使用して、蒸着などの手
法で所定位置に、所定の大きさ、形状、厚さで設けられ
る。

【００３３】図９に本発明のインクジェット記録ヘッド
を有するヘッドカートリッジを搭載したインクジェット
記録装置の１例を示す。図中、４０１はワイピング部材
としてのブレードであり、その一端はブレード保持部材
によって保持されて固定端となり、カンチレバーの形態
をなす。ブレード４０１は記録ヘッドによる記録領域に
隣接した位置に配設され、また、本例の場合、記録ヘッ
ドの移動経路中に突出した形態で保持される。３００は
キャップであり、ブレード４０１に隣接するホームポジ
ションに配設され、記録ヘッドの移動方向と垂直な方向
に移動して吐出口面と当接し、キャッピングを行なう構
成を備える。さらに４０３はブレード４０１に隣接して
設けられる吸収体であり、ブレード４０１と同様、記録
ヘッドの移動経路中に突出した形態で保持される。上記
ブレード４０１、キャップ３００、吸収体４０３によっ
て吐出回復部５００が構成され、ブレード４０１および
吸収体４０３によってインク吐出口面に付着した水分、
塵埃などの除去が行なわれる。

【００３４】Ｃは吐出エネルギー発生手段を有し、吐出
口面に対向する記録媒体にインクを吐出して記録を行な
うインクジェットヘッドカートリッジ、１２はカートリ
ッジＣを搭載してその移動を行なうためのキャリッジで
ある。キャリッジ１２はガイド軸１１と摺動可能に係合
し、キャリッジ１２の一部はモータによって駆動される
ベルト４２と接続している。これによりキャリッジ１２
はガイド軸１１に沿った移動が可能となり、カートリッ
ジＣによる記録領域およびその隣接した領域の移動が可
能となる。

【００３５】１５、１６はモータ駆動の送りローラであ
る。これらの構成によって記録ヘッドの吐出口面と対向
する位置へ記録媒体が供給され、記録が進行するにつれ
てローラ１７、１８を配した排紙部へと送られる。

【００３６】上記構成において、カートリッジＣが記録
終了時でホームポジションに戻る際、ヘッド回復部５０
０のキャップ３００はカートリッジＣの移動経路から退
避しているが、ブレード４０１は移動形路中に突出して
いる。この結果、カートリッジＣの吐出面がワイピング
される。なお、キャップ３００がカートリッジＣの吐出
面に当接してキャッピングを行なう場合、キャップ３０
０はカートリッジの移動経路中に突出するように移動す
る。カートリッジＣがホームポジションから記録開始位
置へ移動する場合、キャップ３００およびブレード４０
１は上述したワイピング時と同一の位置にある。この結
果、この移動においてもカートリッジＣの吐出口面はワ
イピングされる。

【００３７】上記の記録ヘッドのホームポジションへの
移動は、記録終了時や吐出回復時ばかりではなく、記録
ヘッドが記録のために記録領域を移動する間に所定の時
間間隔で行なわれ、この移動に伴って上記ワイピングが
行なわれる。

【００３８】

【実施例】

（実施例１）図１に示したインクジェット記録ヘッド
を、図４の工程フローに示すように製造した。以下にそ
の手順を示す。

【００３９】支持体Ｓｉウェハ１０６上に熱酸化により
１μｍの厚の下部層１０７としてのＳｉＯ₂膜を形成し
た後（図４（ｂ））、熱酸化抑制膜としてＳｉＮ膜１２
０をＣＶＤ法あるいはスパッタリング法で形成した（図
４（ｃ））。

【００４０】その後フォトリソ工程により、図４（ｄ）
に示すようなパターン形成した後、再び熱酸化によりＳ
ｉＯ₂膜を約２μｍ成長させた。ところが図４（ｅ）に
示すようにＳｉＮ膜１２０で覆われた部分はＳｉＯ₂膜
が形成されず、ＳｉＮ膜縁部には、バーズピークと呼ば
れる鳥の嘴状のＳｉＯ₂膜厚分布が発生する。その後、
ＳｉＮ膜１２０をエッチングにより除去すれば、膜厚が
約２μｍの厚い下部層と、１μｍの薄い下部層の凹凸が
形成できる。

【００４１】しかもこの凹凸は、その境界部分の段差が
テーパー状になっており、段差は緩和されている。これ
を基板要部とした。

【００４２】この基板要部にスパッタにより、発熱抵抗
層１０８としてＨｆＢ₂を１５００Åの厚みに連続的に
堆積させた。

【００４３】その後フォトリソ工程により、図３で示す
ようなパターンを形成した結果、熱作用面のサイズは幅
３０μｍ、長さ１５０μｍでＡｌ電極の抵抗を含めて８
０Ωであった。

【００４４】またＡｌの電極は全て、下部層１０７の凹
部に配置されるようになっており、電極のエッジ部分は
段差を緩和させるために凹凸部の境界部分にある。

【００４５】次に、ＳｉＯ₂膜１μｍおよびＴａ膜０．
５μｍの順に連続的にスパッタにより堆積させて、保護
層１１１とした。この結果、下地の段差緩和の効果によ
り、保護層１１１の表面形状は比較的平坦となった。

【００４６】次いで以上のように形成された基板１０２
上に溝付ガラス板を所定通りに接着した。すなわち、図
１に示したのと同様に基板１０２にインク導入液路と熱
作用部を形成するための溝付ガラス板（溝サイズ幅５０
μｍ×深さ５０μｍ×長さ２ｍｍ）を接着した。

【００４７】以上のようにして、保護膜の段差が低減さ
れたインクジェット記録ヘッドが得られた。この記録ヘ
ッドの模式的分解斜視図を図５に示す。

【００４８】（実施例２）実施例１のようにＳｉＮ膜を
熱酸化抑制膜として用いる熱酸化法によって凹凸のある
下部層を形成する代わりに、図７に示すように下部層Ｓ
ｉＯ₂１０７のテーパーエッチングを行なっても下部層
１０７の凹凸形成は実現できる。すなわち、酸化によっ
て支持体１０６上に下部層（ＳｉＯ₂）１０７を形成し
（図７（ａ））、テーパーエッチングによって図７
（ｃ）の状態とし、再度酸化によってＳｉＯ₂を堆積す
ることによって（図７（ｄ））、実施例１の場合とほぼ
同様の形状が得られる。以後は実施例１と同様にして保
護膜の段差の低減されたインクジェット記録ヘッドを作
製することができる。

【００４９】（実施例３）電極１０９および１１０を周
辺の材料より低融点の材料で構成し、熱処理により図８
（ａ）の状態から図８（ｂ）の状態へと電極のエッジ部
分を解消して、ほぼ完璧な平坦化を実現することができ
る。その後は実施例１と同様にして保護膜の段差の低減
されたインクジェット記録ヘッドを作製することができ
る。

【００５０】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明では、下部層
の凹凸に沿って電極を形成することにより、電極の段差
が緩和され、保護層の段差部形状がくびれ形状等を排し
たなだらかなものとなる。

【００５１】この結果、電極および発熱抵抗層の段差部
の被覆性が向上され、保護層にクラックが入りにくくな
り、優れた耐久性を得ることができ、インクと接する熱
作用面の凹凸が少なく、インク流動の抵抗が小さくなる
などの効果があって、安定した吐出が得られる。

【００５２】また熱効率については、通常下部層には熱
伝導性が悪く、熱容量の小さいものが適しているが、発
熱抵抗層の下部にのみ厚い層を設けることにより、熱容
量を小さくでき、省エネルギーを行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のインクジェット記録ヘッドの１実施態
様の主要部における液路長手方向の模式的部分断面図で
ある。

【図２】図１のヘッドの部分平面図である。

【図３】図２のヘッドのＸ₁−Ｘ₂線断面図である。

【図４】本発明のヘッドの下部層の凹凸形成を熱酸化法
によって行なう工程を示す図である。

【図５】本発明のインクジェット記録ヘッドの１実施態
様の模式的分解斜視図である。

【図６】従来のインクジェット記録ヘッドの主要部にお
ける液路長手方向の模式的部分断面図である。

【図７】本発明のヘッドの下部層の凹凸形成をテーパー
エッチングによって行なう工程を示す図である。

【図８】本発明のヘッドの基板の電極エッジ部を熱処理
によって平坦化する過程を示す図である。

【図９】本発明のヘッドを搭載したインクジェット記録
装置の１例の概観斜視図である。

【符号の説明】

１１ガイド軸１２キャリッジ１５、１６送りローラ１７、１８ローラ１００ヘッド１０１電気熱変換体１０２基板１０３溝付板１０４液路１０５熱作用部１０６支持体１０７下部層１０８発熱抵抗体１０９電極１１０電極１１１保護層１２０熱酸化抑制膜２００ヘッド２０１電気熱変換体２０２基板２０３溝付板２０４吐出口２０５液吐出部２０６熱作用部２０７熱発生部２０８熱作用面２０９下部層２１０発熱抵抗層２１１保護層２１２電極（共通電極）２１３電極（選択電極）３００キャップ４０１ブレード４０３吸収体５００ヘッド回復部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体上に下部層を形成し、その上にイ
ンク吐出用のエネルギー発生手段である発熱抵抗層パタ
ーンを形成し、該発熱抵抗層上に電気熱変換体部分を残
して該抵抗層駆動用の電極を形成し、該発熱抵抗層およ
び該電極上に保護膜を形成して基板とし、該基板を溝付
板と合わせる工程を有して成るインクジェット記録ヘッ
ドの製造方法において、下部層表面の形状を電極形成す
る部分が凹部の凹凸形状とし、発熱抵抗層形成後の電極
形成を、電極表面と該電極周囲の面との間に実質的に高
低差がなくなる高さで該凹部に行なうことを特徴とする
インクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項２】下部層の凹凸形成を、支持体上に熱酸化
で下部層を形成し、その上に熱酸化抑制膜を形成し、電
極を形成する領域を残して該熱酸化抑制膜を除去し、再
度熱酸化によって下部層を成長させ、次に残っている熱
酸化抑制膜を除去することによって行なう請求項１記載
の方法。
【請求項３】下部層の凹凸形成を、支持体上に下部層
を形成後、テーパーエッチングによって該下部層の選択
的エッチングを行ない、再度下部層を成長させることに
よって行なう請求項１記載の方法。
【請求項４】下部層をＳｉＯ₂膜とする請求項２また
は３記載の方法。
【請求項５】電極材料として周囲より低融点の材料を
用い、電極形成後に該電極周囲の材料の融点以下の温度
での加熱によって、該電極のエッジ部分を平坦化する工
程を含む請求項１ないし４のいずれか１項に記載の方
法。
【請求項６】電極材料がＡｌを含む材料である請求項
５記載の方法。
【請求項７】請求項１ないし６のいずれか１項に記載
の方法で製造されるインクジェット記録ヘッド。
【請求項８】請求項７記載のヘッドを搭載したインク
ジェット記録装置。