JPH07124862A - ウエーハ研磨装置 - Google Patents

ウエーハ研磨装置

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JPH07124862A
JPH07124862A JP29133093A JP29133093A JPH07124862A JP H07124862 A JPH07124862 A JP H07124862A JP 29133093 A JP29133093 A JP 29133093A JP 29133093 A JP29133093 A JP 29133093A JP H07124862 A JPH07124862 A JP H07124862A
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wafer holding
holding plate
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好一 田中
Hiromasa Hashimoto
浩昌 橋本
Fumio Suzuki
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエーハに周辺ダレなどが発生することな
く、容易に表面基準研磨を行うことができる研磨装置を
提供する。 【構成】 保持リング1の下端面に真空吸着板であるウ
エーハ保持板2と、この保持板の下面にテンプレート3
とを取りつけてウエーハ保持部材4とし、これを伸縮性
の筒状部材5と、可撓性の高い支持部材8とによりハウ
ジング6に吊設するとともに、ハウジング6内に密閉室
7を形成し、この密閉室をコンプレッサに連絡する。保
持板2は硬質プラスチック製の薄板による可撓性板体と
し、その吸着孔をフレキシブルホース14により真空ポ
ンプに連絡する。保持板は、圧縮空気の圧力に応じて3
次元的に自由に変位し、ウエーハWの背面全体にわたっ
て均一の圧力分布下で、かつウエーハのグローバルな凹
凸に順応した形態で撓んでウエーハを研磨することがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエーハ研磨装置に関
し、詳しくは、半導体デバイスの平坦度を向上させるプ
ラナリゼーション加工技術への応用に適した研磨装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの高集積化、大規模化の
進展に伴い、配線の微細化や配線の多層化がますます重
要となってきている。配線が微細化すると、端面が急峻
化せざるを得なくなり、上に堆積させる絶縁膜あるいは
配線の被覆性が低下する。また、配線を多層化すると、
下の配線あるいは絶縁膜の凹凸が積み重なるため、表面
の凹凸は激しくなり、その表面に配線を形成しようとし
ても、ステッパーの焦点が合わなくなり、配線の加工精
度が低下する。いずれも、配線の断線を招きやすく、半
導体デバイスの信頼性を低下させる。
【0003】この問題を解決すべく、各種の平坦化技術
が開発されてきた。例えば、PSG、BPSG等、ガラ
ス膜をCVDで形成した後、800〜1100℃に加熱
し、粘性流動させて平坦化を図るガラスフロー法があ
る。この方法はプロセスは簡単であるが、高温に加熱す
るため、Al配線は使えない等、配線材料が限定される
欠点がある。これ以外にも、種々の方法が開発されてい
るが、いずれも一長一短があり、決め手となる技術がな
い。
【0004】近年、この状況を打破するため、ウエーハ
の研磨技術を応用した平坦化方法の開発がなされつつあ
る。すなわち、半導体デバイスの製造過程において、そ
の平坦度を向上させるプラナリゼーション加工技術、具
体的にはウエーハ上の配線に対応して発生したシリコン
酸化膜の突起部分を平坦化する手段として、上記ウエー
ハの研磨技術を応用しようとするものである。従来、こ
のウエーハ研磨技術は、ウエーハ全面での厚さを均等化
することを目的とし、ウエーハの肉厚大の部分を優先的
に除去する方向で開発されて来たからである。
【0005】しかしながら、半導体デバイス製造のため
のプラナリゼーション加工技術においては、その加工過
程にあるウエーハ(以下、ウエーハWと記載する)の断
面形状が、図6に示されるウエーハWの厚肉部分と薄肉
部分と差があっても、その表面酸化膜の研磨量を同一と
して、断面形状が図7に示されるウエーハWに研磨する
技術、いわゆる表面基準研磨技術の開発が必要とされて
いる。
【0006】この研磨技術は、具体的には図6に示すウ
エーハ51上の酸化膜52(層間絶縁膜)における段差
すなわち酸化膜突起53を除去するとともに、酸化膜5
2の厚さを均一に維持するものである。なお、図6,7
において54は素子、55は配線である。また、これら
の図では説明の便宜上、ウエーハWのグローバルな凹凸
を誇張して示してある(図5についても同様である)。
【0007】ところで、ウエーハ研磨時における、その
表面層の除去量は、研磨圧力に強く依存する。従って上
記表面基準研磨技術においては図4,5に示すように、
ウエーハW表面の研磨圧力分布Dを均一にし(等分布荷
重)、これによりウエーハの周辺ダレ(図示せず)等の
不具合の発生を防止することが極めて重要である。この
ため、特開平5−69310号公報等に、ウエーハの背
面をウエーハ保持板に当接させてこれを保持し、該ウエ
ーハ保持板の背面側に加圧流体を供給することによりウ
エーハを研磨定盤に圧接させて鏡面研磨する研磨装置に
ついて種々の提案がなされている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
研磨装置では、研磨圧力分布の均一化は考慮されている
ものの、回避困難な研磨機の組立精度不良、部品加工精
度不良等、あるいはウエーハ保持板の機能が不完全のた
め、研磨圧力分布の均等化が不十分であるという問題が
あった。
【0009】本発明は、上記の点に鑑みなされたもの
で、その目的は、ウエーハの周辺ダレや周辺突起の発生
を伴うことなく、容易に表面基準研磨を行うことができ
る研磨装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載のウエー
ハ研磨装置は、ウエーハの背面をウエーハ保持板に当接
させてこれを保持し、該ウエーハ保持板の背面側に加圧
流体を供給することにより、ウエーハを研磨布面に圧接
させて研磨する装置において、一端部を開口した円筒状
の胴部、およびその内周部にリング状突起を設けたハウ
ジングと、円環状の保持リングの下端面にウエーハ保持
板を同心状に配設し、該ウエーハ保持板の下面側にウエ
ーハを包囲するテンプレートを設けたウエーハ保持部材
とを備え、前記ハウジングのリング状突起と、前記ウエ
ーハ保持部材の保持リングとを、伸縮性の筒状部材を介
して連結することによって密閉室を構成すると共に、前
記保持リングを高撓性の支持部材を介して、前記ハウジ
ングの胴部に連結し、前記密閉室を、加圧流体の供給源
に連絡してなることを特徴とする。
【0011】請求項2に記載のウエーハ研磨装置は、請
求項1において前記ウエーハ保持板を可撓性のある硬質
薄板で構成し、該ウエーハ保持板におけるウエーハ保持
領域周辺の環状部分の撓性を、ウエーハ保持領域の撓性
より高くして、前記環状部分を可動領域としたことを特
徴とする。
【0012】請求項3に記載のウエーハ研磨装置は、請
求項1において前記密閉室の断面形状および寸法を、ウ
エーハ保持部材側、ハウジング側の双方において、ウエ
ーハの断面形状および寸法にほぼ一致させたことを特徴
とする。ーハ研磨装置。
【0013】前記可撓性のウエーハ保持板を構成する硬
質薄板としては、例えば、硬質プラスチック、硬質ゴ
ム、金属等の薄板が用いられる。硬質プラスチックとし
ては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂のような熱硬化性
樹脂、ポエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフ
タレート、ポリイミド、ポリスルフォン等の耐熱性の硬
質樹脂等が好適に用いられ、これらはガラス繊維、炭素
繊維、合成繊維、あるいはこれらの織布、不織布等で補
強したものであってもよい。硬質プラスチック、硬質ゴ
ムの場合(上記繊維等で補強した場合を含む)の板厚
は、0.1mm〜1.0mmとするのが、板体としての
可撓性を確保すうえで好ましい。金属としては、ステン
レス鋼に代表される鋼が好適に使用されるが、この場
合、板体としての可撓性を確保するために0.05mm
〜0.2mmの厚さとするのが好ましい。
【0014】
【作用】本発明のウエーハ研磨装置(図1,4を参照)
においては、ウエーハWをウエーハ保持板2に保持し、
研磨定盤42に設けた研磨布41の直上に位置させ、加
圧流体供給源から密閉室7に例えば適宜圧力の圧縮空気
を供給すれば、加圧によるウエーハ保持部材4の変位に
よってウエーハWが研磨布41に所定圧力で圧接するの
で、以下通常の要領で研磨を行うことができる。この場
合、ウエーハ保持部材4は伸縮性の筒状部材5および、
高撓性支持部材8によりハウジング6に吊設されている
ので、回避困難な数μm〜数十μmオーダの研磨機の組
立精度不良、部品加工精度不良、または使用による熱的
・機械的変形などが吸収され、研磨布41へのウエーハ
Wの圧接が確実に行える。
【0015】また、ウエーハWは、可撓性のウエーハ保
持板2に保持され、該保持板2の背面が圧縮空気で押圧
されているためウエーハのそりは修正され、かつウエー
ハの肉厚バラツキに応じてウエーハ保持板2自体も変形
するので、ウエーハの表面を研磨布41に密着させるこ
とができる。すなわち、ウエーハ保持板2は、図4,5
に示すようにウエーハWの背面全体にわたって均一の研
磨圧力分布下で、かつ研磨圧がかかる領域がウエーハ背
面外に広がることなく、しかもウエーハ保持板2がウエ
ーハWのグローバルな凹凸に順応した形態に撓んで研磨
が行われる。ウエーハ保持部材4では、ウエーハ保持板
2の外周部を剛性の高い保持リング1に固定し、ウエー
ハ保持板2におけるウエーハ保持領域2a外側の可動領
域2b(図1〜3を参照)の可撓性を、ウエーハ保持領
域2aより高めてあるので、高撓性の支持部材8に働く
保持力に起因して発生する該支持部材8のゆがみ、変形
をウエーハ保持領域2aに伝播させることなくウエーハ
の保持ができる。
【0016】また、支持部材8に働く保持力に起因して
保持リング1に作用する垂直方向の分力および保持リン
グ1の自重は、ウエーハを囲むテンプレート3で受ける
ので、ウエーハ保持領域2aに作用する力は空気圧力の
みとすることができ、ウエーハ表面の押圧力を均等に保
つことができる。
【0017】さらに、圧縮空気で密閉室7内を加圧した
際の力の釣合を、密閉室7のハウジング6側断面積がウ
エーハ保持部材4側すなわちウエーハの断面積より大き
い場合を例として考えると、密閉室7内の空気圧力は均
一であるので、ハウジング側からウエーハ保持部材4側
に作用する力は、空気によりウエーハをウエーハ背面側
から研磨布41に押し付ける力より大きいため、両者の
差は保持リングを経てテンプレートへ、同時にウエーハ
保持板からウエーハへと伝達される。すると、テンプレ
ートに加わる荷重が大きくなりすぎ、研磨布の劣化を発
生させるだけでなく、ウエーハ表面への研磨剤の供給を
妨害すると同時に、ウエーハ保持板へ伝えられた荷重は
ウエーハ接触圧力の不均一を惹起する。なお、ハウジン
グ側の断面積が保持部材側の断面積より小さい場合に
も、同様な不都合を引き起こす。しかし、本発明のよう
に両者の断面積および断面形状を同じにすると(請求項
3)、ウエーハに作用する力は、ウエーハ背面に作用す
る空気圧力のみとなるため、研磨圧力をウエーハ面内で
均一にすることができる。これらの作用により、ウエー
ハ面内の研磨圧力は均等となるため、研磨時のウエーハ
除去量も均等となり、表面基準研磨が可能となる。
【0018】
【実施例】次に、本発明を図面に示す実施例により、更
に具体的に説明する。 実施例1 図1は研磨装置の要部断面図、図2はウエーハ保持板の
平面図、図3はその断面図である。図1に示すように、
ウエーハの吸着・回転装置21を、研磨布41を設けた
研磨定盤42の直上に昇降可能に設けてウエーハ研磨装
置を構成する。吸着・回転装置21では、流路11およ
び12を形成した回転軸13の先端部に、一端部を開口
した円筒状の胴部6aと、その内周部にリング状突起6
bとを設けたハウジング6に下記構成のウエーハ保持部
材4を設ける。
【0019】すなわち、円環状の保持リング1の下端面
に真空吸着板であるウエーハ保持板(以下、保持板と略
記する)2と、保持板2の下面に円環状のテンプレート
3とを設けてウエーハ保持部材4とし、このウエーハ保
持部材4の保持リング1の内周面を、伸縮性の筒状部材
5により前記リング状突起6bの内周面にシール状態で
連結し、密閉室7を形成する。また、保持リング1は、
複数の高撓性金属細棒を放射状に配置したものからなる
か、または円環状で高撓性のゴム、プラスチック、金属
等の薄板からなる支持部材8を介して前記胴部6aの下
方部に連結する。こうすることで、ウエーハ保持部材4
をハウジング6に吊設した形態として、3次元的に変位
可能なものとする。
【0020】前記流路11は配管および開閉弁を介して
真空ポンプ(いずれも図示せず)に連絡し、図2,3に
示すように保持板2の真空吸着孔(以下、吸着孔と略記
する)31は下記のようにコネクタ16、フレキシブル
ホース14およびコネクタ15を介して前記流路11に
連絡する。また前記流路12は配管および開閉弁を介し
てコンプレッサ(いずれも図示せず)に連絡し、密閉室
7に圧縮空気を供給可能とする。
【0021】保持板2に形成する多数の吸着孔31は、
この場合、保持板2の中心部に一つと、これを中心とす
る同心円上にそれぞれ複数貫通形成する。また、片面に
長溝32を形成した薄肉、小幅で軟質の棒状ゴム(また
は帯状ゴム)33を保持板2の背面すなわち、ウエーハ
吸着面と反対側の面に接着することにより、全ての吸着
孔をシールするとともに、中心部の吸着孔31cをその
他の吸着孔31の全てと連通させ、更に中心部の吸着孔
31cに前記コネクタ16を突設する。一方、図1に示
すように、前記流路11の開口端部に前記コネクタ15
を突設し、このコネクタ15と前記コネクタ16の間に
ゴムホース等の前記フレキシブルホース14を取りつけ
る。
【0022】保持板2はその全体を硬質プラスチック、
硬質ゴムまたは金属製の薄板で構成して可撓性を付与し
たものとするが、保持板2がウエーハ背面に当接する部
分であるウエーハ保持領域2a、および保持リング1へ
の固定部分をこれらの材料で形成し、残りの部分すなわ
ち圧縮空気の圧力を受ける部分のうちウエーハ保持領域
2aを除く円環状部分(図1〜3を参照)である可動領
域2bの可撓性を、ウエーハ保持領域2aよりも高くす
ることが好ましい。図1〜3においてmは前記ウエーハ
保持領域2aと可動領域2bを区分する境界線を、nは
可動領域2bとその外側の保持リング1への固定部分を
区分する境界線をそれぞれ示す。また、可動領域2bの
幅が広いとウエーハ面に作用する力の不均等を招くの
で、できるだけ狭くしたうえで可撓性を高くすることが
好ましい。
【0023】保持板2を構成する前記硬質プラスチック
製の薄板としては、曲げ弾性率または引張り弾性率が5
000kf/cm2 以上の熱硬化性樹脂または耐熱性の
熱可塑性樹脂であって、肉厚0.1〜1.0mmのもの
が用いられる。硬質ゴム製の薄板としては、エボナイト
またはこれと同等の硬度を有する、肉厚0.1〜1.8
mmのものが用いられる。また、前記更に、金属製の薄
板としては、ステンレスチール製で肉厚0.05〜0.
20mmのものが使用できる。
【0024】前記可動領域2bは、できるだけ狭く保つ
のが好ましい。また、可動領域2bの可撓性をウエーハ
保持領域2aより高くするためには、例えば可動領域2
bの肉厚をウエーハ保持領域2aより薄くすればよく、
これにより可動領域2bを容易に形成することができ
る。前記伸縮性の筒状部材5としては、例えば軟質ゴム
シート、または合成繊維で強化した軟質ゴムシートが用
いられる。また、前記高撓性の支持部材8としては、前
述のように放射状に配置した金属細棒、またはゴム、プ
ラスチックもしくは金属製の薄板が用いられる。さら
に、密閉室7の形状・寸法を、ウエーハ保持部材4側お
よびハウジング6側において、ウエーハの形状・寸法と
ほぼ合致させるのが好ましい。
【0025】つぎに、上記研磨装置の作用について図1
〜6を参照して説明する。まず、前記真空ポンプを作動
して、断面構造が図5に示されるウエーハWを保持板2
に吸着する。保持板2の全体を硬質プラスチック等で構
成した場合には、ウエーハWはテンプレート3の内周面
との間に適宜間隔をあけて吸着すればよく、吸着位置は
特に限定されないが、保持板2にウエーハ保持領域2a
と、これより可撓性の高い可動領域2bとを形成した場
合には、ウエーハWの外周端をウエーハ保持領域2aの
外周端と合致させることが重要である。次いで、前記コ
ンプレッサの作動により所定圧の圧縮空気を密閉室7に
供給しして保持板2の背面を加圧し、ウエーハ保持部材
4を変位させてウエーハWを研磨定盤42の研磨布41
に圧接させ、通常の方法で研磨を行う。
【0026】この研磨装置では、ウエーハ保持部材4を
伸縮性および高撓性の部材(5,8)によりハウジング
6に吊設し、保持板2の吸着孔31同士を連通させるた
めの部材として棒状ゴム33を用いて保持板2の可撓性
が損なわれないようにし、ウエーハ保持部材4に加わる
荷重を、保持板2の下面に設けたテンプレート3で受け
るようにし、保持板2のウエーハ保持領域2aを可撓性
のものにするとともに、吸着孔31を真空用流路11に
連通させる部材としてフレキシブルホース14を設けた
ので、ウエーハ保持部材4は図4に示すように圧縮空気
の圧力に応じて自在に変位し、保持板2からの加圧によ
って、図5に示すように、ウエーハW表面の酸化膜52
の全面が研磨布41表面に接触した状態となり、保持板
2はウエーハW背面のグローバルな凹凸に順応した形態
に撓み、ウエーハW背面の研磨圧力分布Dはその全体に
わたって均一となる。
【0027】この結果、図6における配線55配設部に
対応する酸化膜突起53を優先的に、かつ研磨過多によ
る周辺ダレや、研磨不足による周辺突起が発生すること
なくウエーハの研磨面全体にわたり研磨量を一定にして
研磨除去することができ、図7に示すように、酸化膜5
2の膜厚が均一なウエーハWを得ることができる。
【0028】なお、保持板2にウエーハ保持領域2a
と、これより可撓性の高い可動領域2bとを形成し、ウ
エーハWの外周端をウエーハ保持領域2aの外周端と合
致させて研磨した場合には、保持板2の全体を均一な可
撓性の硬質プラスチック等で構成した場合に比べて、ウ
エーハ外周端の研磨圧力を他の部分における研磨圧力と
同一に制御しやすくなるので、酸化膜52の膜厚がより
均一な研磨ウエーハを得ることができる。また、ウエー
ハ保持板として、上記実施例における真空吸着式の保持
板2に代えて、バッキングパッド固定方式の保持板(ノ
ンワックス法)を適用することもできる。この場合、ウ
エーハ保持板の下面外周部に環状のテンプレートを定着
する。
【0029】
【発明の効果】以上の説明で明かなように、本発明のウ
エーハ研磨装置によれば、保持板はウエーハ保持部材と
一体的に、加圧流体の圧力に応じて3次元的に自由に変
位するとともに、ウエーハWの背面全体にわたって均一
の研磨圧力分布下で、かつウエーハのグローバルな凹凸
に順応した形態に撓んでウエーハを研磨することができ
るので、周辺ダレや周辺突起の伴わない研磨ウエーハを
得ることができ、性能の優れた表面基準研磨装置を提供
することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の要部を示す断面図である。
【図2】図1実施例における保持板の平面図である。
【図3】図2の断面図である。
【図4】図1実施例の作用を説明する断面図である。
【図5】図1実施例の作用を説明する断面図であって、
図4の一部を拡大して模式的に示したものである。
【図6】研磨前ウエーハの断面図である。
【図7】研磨後ウエーハの断面図である。
【符号の説明】
1 保持リング 2 ウエーハ保持板 2a ウエーハ保持領域 2b 可動領域 3 テンプレート 4 ウエーハ保持部材 5 筒状部材 6 ハウジング 6a 胴部 6b リング状突起 7 密閉室 8 支持部材 11,12 流路 13 回転軸 14 フレキシブルホース 15,16 コネクタ 21 吸着・回転装置 31 真空吸着孔 32 長溝 33 棒状ゴム 41 研磨布 42 研磨定盤 51 ウエーハ 52 酸化膜 53 酸化膜突起 54 素子 55 配線 D 研磨圧力分布 W (半導体デバイスを製造する工程中の)ウエーハ m,n 境界線
フロントページの続き (72)発明者 鈴木 文夫 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社半導体白河 研究所内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウエーハの背面をウエーハ保持板に当接
    させてこれを保持し、該ウエーハ保持板の背面側に加圧
    流体を供給することにより、ウエーハを研磨布面に圧接
    させて研磨する装置において、 一端部を開口した円筒状の胴部、およびその内周部にリ
    ング状突起を設けたハウジングと、 円環状の保持リングの下端面にウエーハ保持板を同心状
    に配設し、該ウエーハ保持板の下面側にウエーハを包囲
    するテンプレートを設けたウエーハ保持部材とを備え、 前記ハウジングのリング状突起と、前記ウエーハ保持部
    材の保持リングとを、伸縮性の筒状部材を介して連結す
    ることによって密閉室を構成すると共に、前記保持リン
    グを高撓性の支持部材を介して、前記ハウジングの胴部
    に連結し、 前記密閉室を、加圧流体の供給源に連絡してなることを
    特徴とするウエーハ研磨装置。
  2. 【請求項2】 前記ウエーハ保持板は、可撓性のある硬
    質薄板で構成し、該ウエーハ保持板におけるウエーハ保
    持領域周辺の環状部分の撓性を、ウエーハ保持領域の撓
    性より高くして、前記環状部分を可動領域としたことを
    特徴とする請求項1に記載のウエーハ研磨装置。
  3. 【請求項3】 前記密閉室の断面形状および寸法を、ウ
    エーハ保持部材側、ハウジング側の双方において、ウエ
    ーハの断面形状および寸法にほぼ一致させたことを特徴
    とする請求項1に記載のウエーハ研磨装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6039638A (en) * 1997-02-06 2000-03-21 Speedfam Co., Ltd. Work planarizing method and apparatus
US7040971B2 (en) 1996-11-08 2006-05-09 Applied Materials Inc. Carrier head with a flexible membrane
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7040971B2 (en) 1996-11-08 2006-05-09 Applied Materials Inc. Carrier head with a flexible membrane
JP2009033197A (ja) * 1996-11-08 2009-02-12 Applied Materials Inc 化学的機械研磨システムのための可撓膜を有する支持ヘッド
US6039638A (en) * 1997-02-06 2000-03-21 Speedfam Co., Ltd. Work planarizing method and apparatus
US11701750B2 (en) 2019-11-19 2023-07-18 Ebara Corporation Top ring for holding a substrate and substrate processing apparatus

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