JP2770730B2 - ウエーハ研磨装置 - Google Patents

ウエーハ研磨装置

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JP2770730B2 JP34432793A JP34432793A JP2770730B2 JP 2770730 B2 JP2770730 B2 JP 2770730B2 JP 34432793 A JP34432793 A JP 34432793A JP 34432793 A JP34432793 A JP 34432793A JP 2770730 B2 JP2770730 B2 JP 2770730B2
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエーハ研磨装置に係
り、詳しくは、半導体デバイスの平坦度を向上させるプ
ラナリゼーション加工技術への応用に適したウエーハ研
磨装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの高集積化、大規模化の
進展に伴い、配線の微細化や配線の多層化がますます重
要となってきている。配線が微細化すると、端面が急峻
化せざるを得なくなり、上に堆積させる絶縁膜あるいは
配線の被覆性が低下する。また、配線を多層化すると、
下の配線あるいは絶縁膜の凹凸が積み重なるため、表面
の凹凸は激しくなり、その表面に配線を形成しようとし
ても、ステッパーの焦点が合わなくなり、配線の加工精
度が低下する。いずれも、配線の断線を招きやすく、半
導体デバイスの信頼性を低下させる。
【0003】この問題を解決すべく、各種の平坦化技術
が開発されてきた。例えば、PSG、BPSG等、ガラ
ス膜をCVDで形成した後、800〜1100℃に加熱
し、粘性流動させて平坦化を図るガラスフロー法があ
る。この方法はプロセスは簡単であるが、高温に加熱す
るため、Al配線は使えない等、配線材料が限定される
欠点がある。これ以外にも、種々の方法が開発されてい
るが、いずれも一長一短があり、決め手となる技術がな
い。
【0004】近年、この状況を打破するため、ウエーハ
の研磨技術を応用した平坦化方法の開発がなされつつあ
る。すなわち、半導体デバイスの製造過程において、そ
の平坦度を向上させるプラナリゼーション加工技術、具
体的にはウエーハ上の配線に対応して発生したシリコン
酸化膜の突起部分を平坦化する手段として、上記ウエー
ハの研磨技術を応用しようとするものである。
【0005】しかしながら、半導体デバイス製造のため
のプラナリゼーション加工技術においては、その加工過
程にあるウエーハ(以下、ウエーハWと記載する)の断
面形状が、図8に示されるウエーハWの厚肉部分と薄肉
部分と差があっても、その表面酸化膜の研磨量を同一と
して、断面形状が図9に示されるウエーハWに研磨する
技術、いわゆる表面基準研磨技術の開発が必要とされて
いる。その理由として、従来、このウエーハ研磨技術
は、ウエーハ全面での厚さを均等化することを目的と
し、ウエーハの肉厚大の部分を優先的に除去する方向で
開発されて来たからである。
【0006】この表面基準研磨技術は、具体的には図8
に示すシリコン基板51上の酸化膜52(層間絶縁膜)
における段差すなわち酸化膜突起53を除去するととも
に、酸化膜52の厚さを均一に維持するものである。な
お、図8,9において54は素子、55は配線である。
また、これらの図では説明の便宜上、ウエーハWのグロ
ーバルな凹凸を誇張して示してある。
【0007】ところで、ウエーハ研磨時における、その
表面層の除去量は、研磨圧力に強く依存する。従って上
記表面基準研磨技術においては図7に示すように、ウエ
ーハW表面の研磨圧力分布Dを均一にし(等分布荷
重)、これによりウエーハの周辺ダレ(図示せず)等の
不具合の発生を防止することが極めて重要である。この
ため、特開平5−69310号公報等に、ウエーハの背
面をウエーハ保持板に当接させてこれを保持し、該ウエ
ーハ保持板の背面側に加圧流体を供給することによりウ
エーハを研磨定盤に圧接させて鏡面研磨する研磨装置に
ついて種々の提案がなされている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
研磨装置では、研磨圧力分布の均一化は考慮されている
ものの、回避困難な研磨機の組立精度不良、部品加工精
度不良等、あるいはウエーハ保持板の機能が不完全のた
め、研磨圧力分布の均等化が不十分であるという問題が
あった。
【0009】本発明は、以上の問題点を解決するもの
で、ウエーハの周辺ダレ等が発生せずプラナリゼーショ
ン研磨が出来、ウエーハの多層配線の信頼性の向上と高
集積化が出来るウエーハ研磨装置を提供することを目的
とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載のウエー
ハ研磨装置は、下端側にウエーハの外径d1 よりもやや
大径の下方開口部を有すると共に、上端側にd2 <d1
の上方開口部を形成する重量Mのウエーハ保持部材と、
前記下方開口部を閉止すると共にウエーハを吸着支持す
る可撓性の硬質薄板よりなるウエーハ吸着保持板と、装
置の不動側に垂下支持され下端側を開口する円筒状の胴
部と、その内部に形成される内径d2 のリング状突起部
とを有するハウジングと、該ハウジングの前記リング状
突起部と前記ウエーハ保持部材間に架設される伸縮性の
筒状部材と、該筒状部材およびウエーハ吸着保持板によ
り前記ハウジングのリング状突起部とウエーハ保持部材
間に形成される密閉室と、前記ハウジングの胴部と前記
ウエーハ保持部材間に架設される高撓性の支持部材と、
前記ウエーハ吸着保持板と真空源を連結する真空通路
と、前記密閉室と当該密閉室内に圧力Pの圧縮空気を供
給する圧縮空気源とを連通させる圧縮空気供給路を設け
る研磨装置であって、前記圧力Pが π/4(d1 2 −d2 2 )P=M の関係式を満足することを特徴とする。
【0011】請求項2に記載のウエーハ研磨装置は、前
記ハウジングの胴部と前記ウエーハ保持部材間に架設さ
れる高撓性の支持部材は、前記ウエーハと研磨布が接す
るウエーハ面の中心点に向かって下り傾斜に配置されて
なることを特徴とするものである。
【0012】
【作用】ウエーハは該ウエーハの外径d1 よりやや大径
のウエーハ吸着保持板を介しウエーハ保持部材に支持さ
れる。このウエーハ保持部材は装置の不動側に支持され
るハウジングに伸縮性の筒状部材と高撓性の支持部材を
介して垂下支持される。なお、筒状部材の内径d2 はウ
エーハの外径d1 より小径である。圧縮空気源から圧縮
空気を密閉室内に導入すると、ウエーハ保持部材の上方
開口部と下方開口部間に形成されるウエーハ保持部材の
段付部にウエーハ保持部材の自重Mを受ける上方の空気
支持力が作用する。圧縮空気圧Pを調整し、 π/4(d1 2 −d2 2 ・P=M の関係式を満足する圧力Pを設定することによりウエー
ハ保持部材の自重Mの影響がなくなると共に、ウエーハ
吸着保持板にウエーハが全面接触し、圧力Pの空気圧が
均一に作用する。ウエーハは研磨布に一定圧力で押圧さ
れるがウエーハ自体の形状の不均性は可撓性のある硬質
薄板よりなるウエーハ吸着保持板の変形により吸収され
る。また、ウエーハ保持部材は支持部材により中心位置
に安定支持される。
【0013】更に、支持部材が研磨布と接しているウエ
ーハ面の中心点を向いて傾斜して配設されるため、研磨
時においてウエーハの移動,回動が発生しない。そのた
め、高精度で、かつ安定した研磨が出来ると共に研磨作
業効率の向上が図れる。
【0014】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明
する。図1は本発明の一実施例の全体構成を説明する断
面図、図2は本実施例のウエーハ吸着保持板まわりの詳
細構造を示す部分断面図、図3は本実施例の支持部材の
支持形状とその作用を説明するための部分断面図、図4
は本実施例の正しい研磨姿勢を示す部分断面図、図5は
圧力Pの値が適正圧力値を越えた場合を示す部分断面
図、図6は圧力Pの値が適正圧力値以下の場合をそれぞ
れ示す部分断面図である。
【0015】図1に示すように、本実施例のウエーハ研
磨装置1は大別して、ウエーハ保持部材2と、その下方
開口部13を閉止してウエーハ保持部材2に固定される
可撓性のある硬質薄板よりなるウエーハ吸着保持板3
と、下方に向かって突出する胴部15およびリング状突
起部16を形成し装置の不動側17に回転軸18を介し
て支持されるハウジング4と、ウエーハWの外径d1
りも小径の内径d2 のウエーハ保持部材2の上方開口部
14とハウジング4のリング状突起部16間に架設され
る伸縮性の筒状部材6と、ウエーハ保持部材2とハウジ
ング4間に架設される高撓性の支持部材7と、真空源8
と、圧縮空気源9と、研磨布10および回転軸18を駆
動する回転機構部11等から構成される。なお、図示の
ように、ウエーハ吸着保持板3と筒状部材6によりウエ
ーハ保持部材2とハウジング4間には密閉室12が形成
される。
【0016】ウエーハ保持部材2は下方側にウエーハ5
の外径d1 よりもやや大きい内径の下方開口部13を有
すると共に上方に外径d1 より小さい内径d2 に縮径さ
れた上方開口部14を有する中空円筒状部材からなり、
下方開口部13側と上方開口部14側間には段付部19
が形成される。
【0017】ウエーハ吸着保持板3は可撓性の硬質薄板
からなり、具体的には例えば、硬質プラスチック、硬質
ゴム又は金属製薄板で形成される。硬質プラスチックと
しては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂のような熱硬化
性樹脂、ポエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレ
フタレート、ポリイミド、ポリスルフォン等の耐熱性の
硬質樹脂等が好適に用いられ、これらはガラス繊維、炭
素繊維、合成繊維、あるいはこれらの織布、不織布等で
補強したものであってもよい。硬質プラスチック、硬質
ゴムの場合(上記繊維等で補強した場合を含む)の板厚
は、0.1mm〜1.0mmとするのが、板体としての
可撓性を確保するうえで好ましい。金属としては、ステ
ンレス鋼に代表される鋼が好適に使用されるが、この場
合、板体としての可撓性を確保するために0.05mm
〜0.2mmの厚さとするのが好ましい。
【0018】図2に示すように、ウエーハ吸着保持板3
は多数個の吸着孔20が貫通形成され、それぞれの吸着
孔20は、コネクタ33内の通路21を介して中心孔2
2に連通する。中心孔22はフレキシブルホース23内
に連通する。ウエーハ吸着保持板3に形成する多数の吸
着孔20は、この場合、ウエーハ吸着保持板3の中心部
に一つと、これを中心とする同心円上にそれぞれ複数貫
通形成する。また、片面に長溝31を形成した薄肉、小
幅で軟質の棒状ゴム(または帯状ゴム)32をウエーハ
吸着保持板3の背面、すなわち、ウエーハ吸着面と反対
側の面に接着することにより、全ての吸着孔をシールす
るとともに、中心孔22をその他の吸着孔20の全てと
連通させ、更に中心孔22に前記コネクタ33を突設す
る。なお、ウエーハ吸着保持板3の裏面の気体通路を形
成する材料として棒状ゴムを例示したが、ウエーハ吸着
保持板3と同質材料でウエーハ吸着保持板と同様にたわ
み得るものであれば使用可能であることは言うまでもな
い。
【0019】一方、ハウジング4は円板状部材24の外
周に下方に向かって鍔状に突出する胴部15で囲繞され
る円筒状体からなり、その内部には下方に向かって突出
するリング状突起部16が形成される。なお、リング状
突起部16の内径はほぼ前記d2 と等しい寸法に形成さ
れる。円板状部材24の中心には回転軸18の一端側が
固定される。なお、回転軸18の他端側は回転機構部1
1に連結される。
【0020】筒状部材6は伸縮性のある部材からなり、
ウエーハ保持部材2の上方開口部とハウジング4のリン
グ状突起部16間に架設される。一方、ウエーハ保持部
材2とハウジング4の胴部15間には高撓性の支持部材
7が架設される。支持部材7は、例えば複数の高撓性金
属細棒を放射状に配置したものや円環状の高撓性のゴ
ム,プラスチック,金属薄板等からなる。
【0021】図3に示すように、支持部材7は胴部15
から下り傾斜に配設され、その伸延先は研磨布と接して
いるウエーハW面の中心点Oに一致する。この理由とし
ては、ウエーハWと研磨布10との接触によってウエー
ハWに摩擦力Fが作用するが、支持部材7が中心点Oを
指向して配置されることによりウエーハ保持部材2に回
転モーメントを作用させないようにするためである。回
転モーメントが作用するとウエーハWと研磨布10間の
研磨圧力が不均一になり、高精度研磨が困難になる。
【0022】ウエーハ保持部材2は、筒状部材6および
支持部材7を介してハウジング4に垂下支持される。ま
た、ウエーハ保持部材2とハウジング4間はウエーハ吸
着保持板3と筒状部材6およびハウジング4の円板状部
材24により囲まれ密閉室12を形成する。
【0023】ハウジング4に固定される回転軸18内に
は真空通路25と圧縮空気供給路26が形成される。真
空通路25は密閉室12内に配設されるフレキシブルホ
ース23に連結すると共に開閉弁27を介して真空源8
に連結される。一方、圧縮空気供給路26は密閉室12
内に連通すると共に開閉弁28を介して圧縮空気源9に
連結される。
【0024】次に、本実施例の作用を説明する。まず、
ウエーハWをウエーハ吸着保持板3のほぼ中央に当接
し、真空源8を作動する。開閉弁27,真空通路25,
フレキシブルホース23およびウエーハ吸着保持板3の
中心孔22,通路21を介して各吸着孔20に真空が作
用し、ウエーハWはウエーハ吸着保持板3に均一に吸着
支持される。次に、圧縮空気源9から開閉弁28,圧縮
空気供給路26を介して圧力Pの圧縮空気を密閉室12
内に導入する。
【0025】図4は圧力Pの圧縮空気の密閉室12内の
作用状態を示すものである。密閉室12内には均一に圧
力Pの圧縮圧力が作用する。この内、段付部19にはπ
/4(d1 2 −d2 2 )・Pの上向きの支持力が作用
し、ウエーハWにはその直径d1 の範囲で均一な圧力P
が作用し、研磨布10側から同圧の反力を受ける。ウエ
ーハ保持部材2の前記以外の箇所は上下,左右とも圧力
がバランスする。
【0026】圧力Pの値を調整し、π/4(d1 2 −d
2 2 )・Pの支持力をウエーハ保持部材2の自重Mと一
致させるとウエーハ保持部材2の自重の影響が無くな
り、ウエーハWにはπ/4d1 2 ・Pの全圧力のみが作
用する。一方、ウエーハ吸着保持板3は可撓性の硬質薄
板から形成されるため、ウエーハWの大きな凹凸にはそ
れに倣って変形し、ウエーハWの小さな凹凸にはそれに
倣わず変形しない。よって、プラナリゼーション研磨が
可能になる。
【0027】また、ウエーハWの肉厚が不均一であって
も、可撓性のウエーハ吸着保持板3と高撓性の支持部材
7(図1)により吸収され、ウエーハWと研磨布10と
は均一の圧力で接触しながら研磨される。以上により均
一で、かつ高精度な研磨が行われる。また、前記したよ
うに、支持部材7が、研磨布と接するウエーハW面の中
心点Oに向かって下り傾斜に配設されているため研磨時
においてウエーハ保持部材2に回転モーメントが作用し
ない。そのため高精度研磨が出来る。
【0028】図5および図6は本実施例における不良研
磨状態を示す図面である。密閉室12内の圧力P1 が前
記したπ/4(d1 2 −d2 2 )・P=Mの式を満足す
る圧力Pよりも大きい場合には、図5に示すようにウエ
ーハ保持部材2が上方に持ち上げられ、ウエーハ吸着保
持板3が凸状に変形する。そのため、ウエーハWと研磨
布10とはウエーハWの中央部側で強く接触し気味にな
る。そのため、ウエーハWと研磨布10との接触が不均
一となり、高精度研磨が困難となる。
【0029】一方、図6に示すように、逆に密閉室12
内の圧力P2 がP2 <Pになると、ウエーハ保持部材2
の自重Mの一部がウエーハW側に作用し、ウエーハ吸着
保持板3が凹状に変形する。このため、ウエーハWの周
縁側が研磨布10に圧接し気味になり周辺ダレが生じ、
前記と同様に高精度研磨が困難になる。以上のことか
ら、密閉室12内に供給する圧縮空気の圧力Pを適正値
に調整する調整作業が本実施例の場合必要になるが、圧
力を適正値に調整することにより高精度研磨が安定して
行われる。
【0030】
【発明の効果】本発明によれば、次のような顕著な効果
を奏する。 1)ウエーハ保持部材内の密閉室内に供給される圧縮空
気の圧力を π/4(d1 2 −d2 2 )・P=M の関係式が成立する値に調整することによりウエーハ保
持部材の自重Mの影響がなくなり、ウエーハWには圧力
Pの均一の空気圧のみが作用する。それにより、ウエー
ハ面と研磨布とが均一に接触する。 2)ウエーハWの肉厚が不均一であってもウエーハ吸着
保持板と支持部材が不均一な作用力を吸収するため、ウ
エーハ面と研磨布とは均一に接触する。そのため高精度
な研磨が出来る。 3)ウエーハ吸着保持板は可撓性の硬質薄板よりなるた
め、ウエーハWの大きな凹凸にはそれに倣って変形し、
小さい凹凸にはそれに倣わず、プラナリゼーション研磨
が可能になる。 4)支持部材は、ウエーハ面と研磨布が接するウエーハ
W面の中心点に向かって下り傾斜に配設されるため、研
磨時における回転モーメントの作用がなく高精度研磨が
出来る。 5)以上により、ウエーハWの高精度のプラナリゼーシ
ョン研磨が出来、半導体デバイスの多層配線の信頼性向
上と高集積化が出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の全体構造を示す断面図であ
る。
【図2】本実施例のウエーハ吸着保持板まわりの詳細構
造を示す部分断面図である。
【図3】本実施例の支持部材の配設形態を説明するため
の部分断面図である。
【図4】本実施例における適正研磨状態を説明する部分
断面図である。
【図5】本実施例における不適正な研磨状態を説明する
部分断面図である。
【図6】本実施例における不適正な研磨状態を説明する
部分断面図である。
【図7】プラナリゼーション研磨の作用を説明する断面
図である。
【図8】研磨前ウエーハWの断面図である。
【図9】研磨後ウエーハWの断面図である。
【符号の説明】
1 ウエーハ研磨装置 2 ウエーハ保持部材 3 ウエーハ吸着保持板 4 ハウジング 6 筒状部材 7 支持部材 8 真空源 9 圧縮空気源 10 研磨布 11 回転機構部 12 密閉室 13 下方開口部 14 上方開口部 15 胴部 16 リング状突起部 17 不動側 18 回転軸 19 段付部 20 吸着孔 21 通路 22 中心孔 23 フレキシブルホース 24 円板状部材 25 真空通路 26 圧縮空気供給路 27 開閉弁 28 開閉弁 31 長溝 32 棒状ゴム 33 コネクタ 41 研磨布 42 研磨定盤 51 シリコン基板 52 酸化膜 53 酸化膜突起 54 素子 55 配線 D 研磨圧力分布 W (半導体デバイスを製造する工程中の)ウエーハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−69310(JP,A) 特開 昭64−45566(JP,A) 特開 平7−124862(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) B24B 37/00 B24B 37/04

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下端側にウエーハの外径d1 よりもやや
    大径の下方開口部を有すると共に、上端側にd2 <d1
    の上方開口部を形成する重量Mのウエーハ保持部材と、
    前記下方開口部を閉止すると共にウエーハを吸着支持す
    る可撓性の硬質薄板よりなるウエーハ吸着保持板と、装
    置の不動側に垂下支持され下端側を開口する円筒状の胴
    部と、その内部に形成される内径d2 のリング状突起部
    とを有するハウジングと、該ハウジングの前記リング状
    突起部と前記ウエーハ保持部材間に架設される伸縮性の
    筒状部材と、該筒状部材およびウエーハ吸着保持板によ
    り前記ハウジングのリング状突起部とウエーハ保持部材
    間に形成される密閉室と、前記ハウジングの胴部と前記
    ウエーハ保持部材間に架設される高撓性の支持部材と、
    前記ウエーハ吸着保持板と真空源を連結する真空通路
    と、前記密閉室と当該密閉室内に圧力Pの圧縮空気を供
    給する圧縮空気源とを連通させる圧縮空気供給路を設け
    る研磨装置であって、前記圧力Pが下式を満足すること
    を特徴とするウエーハ研磨装置。 π/4(d1 2 −d2 2 )・P=M
  2. 【請求項2】 前記ハウジングの胴部と前記ウエーハ保
    持部材間に架設される高撓性の支持部材は、前記ウエー
    ハと研磨布が接するウエーハ面の中心点に向かって下り
    傾斜に配置されてなることを特徴とする請求項1記載の
    ウエーハ研磨装置。
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