JPH07123718A - Dc−dcコンバ−タ - Google Patents
Dc−dcコンバ−タInfo
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- JPH07123718A JPH07123718A JP5294779A JP29477993A JPH07123718A JP H07123718 A JPH07123718 A JP H07123718A JP 5294779 A JP5294779 A JP 5294779A JP 29477993 A JP29477993 A JP 29477993A JP H07123718 A JPH07123718 A JP H07123718A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 30
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- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 DC−DCコンバータに含まれているインバ
ータ回路を構成するスイッチング素子をソフトスイッチ
ングさせる。 【構成】 直流電源1に第1及び第2のスイッチング素
子Q1 、Q2 と第1及び第2のコンデンサC1 、C2 と
トランスTとから成るハーフブリッジ型インバータを接
続する。トランスTの2次巻線N2 にセンタタップ型の
全波整流回路とチョークインプット型の平滑回路を接続
する。トランスTの1次巻線N1 に直列にインダクタン
スL1 を接続する。このインダクタンスL1 はこの電圧
降下によってスイッチング素子Q1 、Q2 のターンオン
する時におけるソフトスイッチングを可能にする。第1
及び第2のスイッチング素子Q1 、Q2 のオン・オフの
繰返し周波数を直流出力電圧の変化に応じて変える。
ータ回路を構成するスイッチング素子をソフトスイッチ
ングさせる。 【構成】 直流電源1に第1及び第2のスイッチング素
子Q1 、Q2 と第1及び第2のコンデンサC1 、C2 と
トランスTとから成るハーフブリッジ型インバータを接
続する。トランスTの2次巻線N2 にセンタタップ型の
全波整流回路とチョークインプット型の平滑回路を接続
する。トランスTの1次巻線N1 に直列にインダクタン
スL1 を接続する。このインダクタンスL1 はこの電圧
降下によってスイッチング素子Q1 、Q2 のターンオン
する時におけるソフトスイッチングを可能にする。第1
及び第2のスイッチング素子Q1 、Q2 のオン・オフの
繰返し周波数を直流出力電圧の変化に応じて変える。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、プッシュプル回路を含
むDC−DCコンバータに関する。
むDC−DCコンバータに関する。
【0002】
【従来の技術】図1は従来のプッシュプル回路を含むD
C−DCコンバータを示す。このDC−DCコンバータ
においては、直流電源1の一端1aと他端1bとの間に
ハーフブリッジ回路を接続し、この出力段に全波整流回
路とチョークインプット型平滑回路を設けることによっ
て構成されている。
C−DCコンバータを示す。このDC−DCコンバータ
においては、直流電源1の一端1aと他端1bとの間に
ハーフブリッジ回路を接続し、この出力段に全波整流回
路とチョークインプット型平滑回路を設けることによっ
て構成されている。
【0003】ハーフブリッジ型インバータ回路は、直流
電源1の一端1aと他端1bとの間に接続されたダイオ
ードDa 、Db を内蔵する電界効果トランジスタから成
る第1及び第2のスイッチング素子Q1 、Q2 の直列回
路及び第1及び第2のコンデンサC1 、C2 の直列回路
を含む。出力トランスTの1次巻線N1 の一端は第1及
び第2のスイッチング素子Q1 、Q2 の相互接続中点に
接続され、1次巻線N1 の他端は第1及び第2のコンデ
ンサC1 、C2 の接続中点に接続されている。トランス
Tの2次巻線N2 はセンタタップ2によって第1及び第
2の巻線N2a、N2bに分割されている。全波整流回路を
構成するための第1及び第2のダイオードD1 、D2 は
2次巻線N2 の一端及び他端にそれぞれ接続されてい
る。平滑回路はチョークコイルL0 とコンデンサC0 と
から成り、チョークインプット型に構成されている。即
ちチョークコイルL0 の入力端は第1及び第2のダイオ
ードD1 、D2 のカソードに接続され、平滑用コンデン
サC0 はチョークコイルL0の出力端とセンタタップ2
との間に接続されている。出力端子3、4は平滑用コン
デンサC0 の両端子に接続されている。制御回路5は出
力端子3、4と一対のスイッチング素子Q1 、Q2 の制
御端子(ゲート)との間に接続され、出力電圧を一定に
制御するための第1及び第2のPWMパルスP1 、P2
を発生する。第1及び第2のPWMパルスP1 、P2 は
相互間に休止期間を有して交互に発生する。
電源1の一端1aと他端1bとの間に接続されたダイオ
ードDa 、Db を内蔵する電界効果トランジスタから成
る第1及び第2のスイッチング素子Q1 、Q2 の直列回
路及び第1及び第2のコンデンサC1 、C2 の直列回路
を含む。出力トランスTの1次巻線N1 の一端は第1及
び第2のスイッチング素子Q1 、Q2 の相互接続中点に
接続され、1次巻線N1 の他端は第1及び第2のコンデ
ンサC1 、C2 の接続中点に接続されている。トランス
Tの2次巻線N2 はセンタタップ2によって第1及び第
2の巻線N2a、N2bに分割されている。全波整流回路を
構成するための第1及び第2のダイオードD1 、D2 は
2次巻線N2 の一端及び他端にそれぞれ接続されてい
る。平滑回路はチョークコイルL0 とコンデンサC0 と
から成り、チョークインプット型に構成されている。即
ちチョークコイルL0 の入力端は第1及び第2のダイオ
ードD1 、D2 のカソードに接続され、平滑用コンデン
サC0 はチョークコイルL0の出力端とセンタタップ2
との間に接続されている。出力端子3、4は平滑用コン
デンサC0 の両端子に接続されている。制御回路5は出
力端子3、4と一対のスイッチング素子Q1 、Q2 の制
御端子(ゲート)との間に接続され、出力電圧を一定に
制御するための第1及び第2のPWMパルスP1 、P2
を発生する。第1及び第2のPWMパルスP1 、P2 は
相互間に休止期間を有して交互に発生する。
【0004】
【動作】図1のDC−DCコンバータは次のように動作
する。まず、電源投入によって第1及び第2のコンデン
サC1 、C2 が電源1の電圧Eの1/2にそれぞれ充電
される。その後、第1及び第2のスイッチング素子Q1
、Q2 を相互間に休止期間を有して交互にオン状態に
する。第1のスイッチング素子Q1 がオンの期間には第
1のスイッチング素子Q1 と1次巻線N1 と第1のコン
デンサC1 とから成る閉回路で第1のコンデンサC1 の
放電に基づく電流が流れる。また、電源1と第1のスイ
ッチング素子Q1 と1次巻線N1 と第2のコンデンサC
2 とから成る閉回路にも電流が流れる。第1及び第2の
スイッチング素子Q1 、Q2 が共にオフの期間を介して
次に第2のスイッチング素子Q2 がオンになると、第2
のスイッチング素子Q2 と第2のコンデンサC2 と1次
巻線N1 とから成る閉回路に電流が流れると共に、電源
1と第1のコンデンサC1 と1次巻線N1 と第2のスイ
ッチング素子Q2 とから成る閉回路にも電流が流れる。
これにより、1次巻線N1 に交互に逆向きの電流が流
れ、2次巻線N2 に交流電圧が得られる。2次巻線N2
に上向きの電圧が誘起している時には第1の巻線N2aと
第1のダイオードD1 とチョークコイルL0 とコンデン
サC0 との回路に電流が流れる。2次巻線N2 に下向き
の電圧が誘起している時には、第2の巻線N2bと第2の
ダイオードD2 とチョークコイルL0 とコンデンサC0
とから成る回路に電流が流れる。
する。まず、電源投入によって第1及び第2のコンデン
サC1 、C2 が電源1の電圧Eの1/2にそれぞれ充電
される。その後、第1及び第2のスイッチング素子Q1
、Q2 を相互間に休止期間を有して交互にオン状態に
する。第1のスイッチング素子Q1 がオンの期間には第
1のスイッチング素子Q1 と1次巻線N1 と第1のコン
デンサC1 とから成る閉回路で第1のコンデンサC1 の
放電に基づく電流が流れる。また、電源1と第1のスイ
ッチング素子Q1 と1次巻線N1 と第2のコンデンサC
2 とから成る閉回路にも電流が流れる。第1及び第2の
スイッチング素子Q1 、Q2 が共にオフの期間を介して
次に第2のスイッチング素子Q2 がオンになると、第2
のスイッチング素子Q2 と第2のコンデンサC2 と1次
巻線N1 とから成る閉回路に電流が流れると共に、電源
1と第1のコンデンサC1 と1次巻線N1 と第2のスイ
ッチング素子Q2 とから成る閉回路にも電流が流れる。
これにより、1次巻線N1 に交互に逆向きの電流が流
れ、2次巻線N2 に交流電圧が得られる。2次巻線N2
に上向きの電圧が誘起している時には第1の巻線N2aと
第1のダイオードD1 とチョークコイルL0 とコンデン
サC0 との回路に電流が流れる。2次巻線N2 に下向き
の電圧が誘起している時には、第2の巻線N2bと第2の
ダイオードD2 とチョークコイルL0 とコンデンサC0
とから成る回路に電流が流れる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】第1のスイッチング素
子Q1 がオフになると、1次巻線N1 の両端にサージ電
圧が生じるが、第2のスイッチング素子Q2 のターンオ
ン時にはこのサージ電圧が消滅し、1次巻線N1 の電圧
がゼロになる。このため、第2のスイッチング素子Q2
には第2のコンデンサC2 の電圧(E/2)が印加され
ている。第2のスイッチング素子Q2 は電圧が印加され
た状態でターンオンするので、ゼロボルトスイッチング
が達成されず、スイッチング損失が生じる。このため、
効率の低下、及びノイズの発生が問題になる。第1のス
イッチング素子Q1 のターンオン時にも同様な問題が生
じる。
子Q1 がオフになると、1次巻線N1 の両端にサージ電
圧が生じるが、第2のスイッチング素子Q2 のターンオ
ン時にはこのサージ電圧が消滅し、1次巻線N1 の電圧
がゼロになる。このため、第2のスイッチング素子Q2
には第2のコンデンサC2 の電圧(E/2)が印加され
ている。第2のスイッチング素子Q2 は電圧が印加され
た状態でターンオンするので、ゼロボルトスイッチング
が達成されず、スイッチング損失が生じる。このため、
効率の低下、及びノイズの発生が問題になる。第1のス
イッチング素子Q1 のターンオン時にも同様な問題が生
じる。
【0006】そこで、本発明の目的はスイッチング素子
をこの電圧がゼロ又は低い状態でターンオンさせること
即ちソフトスイッチングさせることが可能なDC−DC
コンバータを提供することにある。
をこの電圧がゼロ又は低い状態でターンオンさせること
即ちソフトスイッチングさせることが可能なDC−DC
コンバータを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、直流電源と、前記直流電源の一端と他端と
の間に接続された第1及び第2のスイッチング素子の直
列回路と前記第1及び第2のスイッチング素子を介して
交互に電圧が印加されるトランスの1次巻線とを含むイ
ンバータ回路と、前記トランスの2次巻線と、前記2次
巻線に接続された整流回路と、前記整流回路に接続され
たチョークインプット型平滑回路と、前記1次巻線に直
列に接続されたインダクタンス又は前記1次巻線の漏れ
インダクタンスと、前記第1及び第2のスイッチング素
子を交互にオン・オフ制御するための信号を形成するも
のであり、オン・オフの繰返し周波数を変えることがで
きるように形成された制御回路とから成るDC−DCコ
ンバータに係わるものである。なお、請求項2に示すよ
うに、トランスに並列にLC直列共振回路を接続するこ
とができる。また、請求項3に示すように、1次巻線に
直列にLC並列共振回路を接続することができる。ま
た、請求項4に示すように、インダクタンスを可変イン
ダクタンスとし、これを制御することによって出力電圧
を調整することができる。
の本発明は、直流電源と、前記直流電源の一端と他端と
の間に接続された第1及び第2のスイッチング素子の直
列回路と前記第1及び第2のスイッチング素子を介して
交互に電圧が印加されるトランスの1次巻線とを含むイ
ンバータ回路と、前記トランスの2次巻線と、前記2次
巻線に接続された整流回路と、前記整流回路に接続され
たチョークインプット型平滑回路と、前記1次巻線に直
列に接続されたインダクタンス又は前記1次巻線の漏れ
インダクタンスと、前記第1及び第2のスイッチング素
子を交互にオン・オフ制御するための信号を形成するも
のであり、オン・オフの繰返し周波数を変えることがで
きるように形成された制御回路とから成るDC−DCコ
ンバータに係わるものである。なお、請求項2に示すよ
うに、トランスに並列にLC直列共振回路を接続するこ
とができる。また、請求項3に示すように、1次巻線に
直列にLC並列共振回路を接続することができる。ま
た、請求項4に示すように、インダクタンスを可変イン
ダクタンスとし、これを制御することによって出力電圧
を調整することができる。
【0008】
【発明の作用及び効果】各請求項の発明において、イン
ダクタンス(漏れインダクタンスを含む)又は可変イン
ダクタンスは、例えば第1のスイッチング素子がターン
オフし、第2のスイッチング素子がターンオンする時の
電圧降下素子として機能する。即ち、第1のスイッチン
グ素子のオン期間にインダクタンス又は可変インダクタ
ンスにエネルギーが蓄積され、このエネルギーの放出が
第1のスイッチング素子がオフした後に第2のスイッチ
ング素子を通って行われる。このため、インダクタンス
又は可変インダクタンスの電圧降下が生じる。この電圧
降下は電源側の電圧とほぼ等しくなるので、1次巻線の
電圧はほぼゼロになり、2次巻線の電圧もほぼゼロにな
る。しかし、平滑回路はチョークインプット型であるの
で、チョークコイルに蓄積されたエネルギーの放出によ
って整流回路の導通が維持され、2次巻線は短絡状態に
なる。インダクタンス又は可変インダクタンスのエネル
ギーの放出が終了すると、1次巻線及び第2のスイッチ
ング素子にはこれまでとは逆の向きの電流が流れ始め
る。請求項1〜3の発明では、インダクタンスの蓄積エ
ネルギーの放出のためにトランスの電圧がゼロになる期
間がほぼ一定になるので、第1及び第2のスイッチング
素子のオン・オフの繰返し周波数(周期)を変えること
によって出力電圧を調整する。請求項4の発明において
は、可変インダクタンスの値を変えることによってトラ
ンスの電圧がゼロになる期間が変化するので、第1及び
第2のスイッチング素子のオン・オフ周波数を一定に保
って出力電圧を調整することができる。請求項2及び3
の発明では、共振回路の共振動作によってトランスの出
力電圧を低下させることができるので、第1及び第2の
スイッチング素子のオン・オフ周波数が軽負荷等におい
て極端に高くなることを防ぐことができる。即ち、オン
・オフ周波数の範囲を制限することができる。
ダクタンス(漏れインダクタンスを含む)又は可変イン
ダクタンスは、例えば第1のスイッチング素子がターン
オフし、第2のスイッチング素子がターンオンする時の
電圧降下素子として機能する。即ち、第1のスイッチン
グ素子のオン期間にインダクタンス又は可変インダクタ
ンスにエネルギーが蓄積され、このエネルギーの放出が
第1のスイッチング素子がオフした後に第2のスイッチ
ング素子を通って行われる。このため、インダクタンス
又は可変インダクタンスの電圧降下が生じる。この電圧
降下は電源側の電圧とほぼ等しくなるので、1次巻線の
電圧はほぼゼロになり、2次巻線の電圧もほぼゼロにな
る。しかし、平滑回路はチョークインプット型であるの
で、チョークコイルに蓄積されたエネルギーの放出によ
って整流回路の導通が維持され、2次巻線は短絡状態に
なる。インダクタンス又は可変インダクタンスのエネル
ギーの放出が終了すると、1次巻線及び第2のスイッチ
ング素子にはこれまでとは逆の向きの電流が流れ始め
る。請求項1〜3の発明では、インダクタンスの蓄積エ
ネルギーの放出のためにトランスの電圧がゼロになる期
間がほぼ一定になるので、第1及び第2のスイッチング
素子のオン・オフの繰返し周波数(周期)を変えること
によって出力電圧を調整する。請求項4の発明において
は、可変インダクタンスの値を変えることによってトラ
ンスの電圧がゼロになる期間が変化するので、第1及び
第2のスイッチング素子のオン・オフ周波数を一定に保
って出力電圧を調整することができる。請求項2及び3
の発明では、共振回路の共振動作によってトランスの出
力電圧を低下させることができるので、第1及び第2の
スイッチング素子のオン・オフ周波数が軽負荷等におい
て極端に高くなることを防ぐことができる。即ち、オン
・オフ周波数の範囲を制限することができる。
【0009】
【第1の実施例】次に、図2及び図3を参照して本発明
の第1の実施例に係わるチョークインプット型DC−D
Cコンバータを説明する。但し、図2及び後述する図
4、図5、図6、図9及び図10において、図1と共通
する部分には同一の符号を付してその説明を省略する。
の第1の実施例に係わるチョークインプット型DC−D
Cコンバータを説明する。但し、図2及び後述する図
4、図5、図6、図9及び図10において、図1と共通
する部分には同一の符号を付してその説明を省略する。
【0010】図2において、直流電源1、ダイオードD
a 、Db を内蔵する絶縁ゲート型(MOS型)電界効果
トランジスタQ1 、Q2 、第1及び第2のコンデンサC
1 、C2 、トランスT、整流ダイオードD1 、D2 、チ
ョークコイルL0 、平滑用コンデンサC0 から成る主回
路は図1の主回路と同一に構成されている。図2の回路
は、トランスTの1次巻線N1 に直列に接続されたコア
とコイルとから成るインダクタンス(リアクトル)L1
を有し、且つ第1及び第2のスイッチング素子Q1 、Q
2 を可変周波数制御する制御回路6を有する点のみで図
1の回路と異なる。
a 、Db を内蔵する絶縁ゲート型(MOS型)電界効果
トランジスタQ1 、Q2 、第1及び第2のコンデンサC
1 、C2 、トランスT、整流ダイオードD1 、D2 、チ
ョークコイルL0 、平滑用コンデンサC0 から成る主回
路は図1の主回路と同一に構成されている。図2の回路
は、トランスTの1次巻線N1 に直列に接続されたコア
とコイルとから成るインダクタンス(リアクトル)L1
を有し、且つ第1及び第2のスイッチング素子Q1 、Q
2 を可変周波数制御する制御回路6を有する点のみで図
1の回路と異なる。
【0011】制御回路6は出力端子3、4間に接続され
た電圧検出用分圧抵抗R1 、R2 と、可変周波数(周
期)パルス発生回路7と、NOT回路7とから成る。電
圧検出抵抗R1 、R2 の分圧点に接続されたパルス発生
回路7は電圧制御発振器(VCO)を含んで、検出電圧
(制御電圧)に対応した周波数を有する図3(A)に示
す方形波パルス列を発生するように構成されている。こ
のパルス発生回路7の出力端子は第1のスイッチング素
子Q1 の制御端子(ゲート)に接続されている。また、
この出力端子はNOT回路8を介して第2のスイッチン
グ素子Q2 の制御端子(ゲート)に接続されている。第
2のスイッチング素子Q2 には図3(A)のパルス列を
位相反転した図3(B)のパルス列が印加される。な
お、パルス発生回路7のVCOと電圧検出抵抗R1 、R
2 との間に誤差増幅器を接続し、ここで検出電圧と基準
電圧との差に対応する電圧を作成し、これをVCOに加
えるように構成することもできる。
た電圧検出用分圧抵抗R1 、R2 と、可変周波数(周
期)パルス発生回路7と、NOT回路7とから成る。電
圧検出抵抗R1 、R2 の分圧点に接続されたパルス発生
回路7は電圧制御発振器(VCO)を含んで、検出電圧
(制御電圧)に対応した周波数を有する図3(A)に示
す方形波パルス列を発生するように構成されている。こ
のパルス発生回路7の出力端子は第1のスイッチング素
子Q1 の制御端子(ゲート)に接続されている。また、
この出力端子はNOT回路8を介して第2のスイッチン
グ素子Q2 の制御端子(ゲート)に接続されている。第
2のスイッチング素子Q2 には図3(A)のパルス列を
位相反転した図3(B)のパルス列が印加される。な
お、パルス発生回路7のVCOと電圧検出抵抗R1 、R
2 との間に誤差増幅器を接続し、ここで検出電圧と基準
電圧との差に対応する電圧を作成し、これをVCOに加
えるように構成することもできる。
【0012】
【動作】図2の第1及び第2のスイッチング素子Q1 、
Q2 は図3(A)(B)に示すように相互間に休止期間
なしに交互にオン・オフ制御される。第1のスイッチン
グ素子Q1 がオンの期間には図1の回路と同様に1次巻
線N1 の上から下に向う第1の方向の電流が流れる。こ
れによって2次側においても図1の回路と同様に第1の
ダイオードD1 を通ってチョークコイルL0 とコンデン
サC0 に電流が流れる。また、1次巻線N1 に直列のイ
ンダクタンスL1 に磁気エネルギーが蓄積される。図3
のt1 時点で第1のスイッチング素子Q1 がオフに転換
すると、インダクタンスL1 の蓄積エネルギーの放出の
ための電流が、インダクタンスL1と第2のコンデンサ
C2 と第2のにスイッチング素子Q2 と1次巻線N1 と
から成る閉回路で流れる。この電流は第2のスイッチン
グ素子Q2 においては逆電流として流れる。インダクタ
ンスL1 に電流が流れることによってこのインダクタン
スL1 に第2のコンデンサC2 の充電電圧とは逆向きの
極性を有する電圧が得られ、このインダクタンスL1 の
電圧によって第2のコンデンサC2 の電圧の打ち消しが
生じ、第2のスイッチング素子Q2 に第2のコンデンサ
C2 の電圧がそのまま印加されない。従って、第2のス
イッチング素子Q2 は両端電圧(ドレイン・ソース間電
圧)の低い状態でオフ状態からオン状態に転換する。こ
の結果、ソフトスイッチングとなり、スイッチング損失
及びノイズが少なくなる。インダクタンスL1 のエネル
ギーの放出が終了すると、第2のコンデンサC2 とイン
ダクタンスL1 と1次巻線N1 と第2のスイッチング素
子Q2 とから成る回路で1次巻線N1 を下から上に向う
第2の方向の電流が流れる。第1のスイッチング素子Q
1 がオフからオンになる時も上記と同様な動作が生じ
る。
Q2 は図3(A)(B)に示すように相互間に休止期間
なしに交互にオン・オフ制御される。第1のスイッチン
グ素子Q1 がオンの期間には図1の回路と同様に1次巻
線N1 の上から下に向う第1の方向の電流が流れる。こ
れによって2次側においても図1の回路と同様に第1の
ダイオードD1 を通ってチョークコイルL0 とコンデン
サC0 に電流が流れる。また、1次巻線N1 に直列のイ
ンダクタンスL1 に磁気エネルギーが蓄積される。図3
のt1 時点で第1のスイッチング素子Q1 がオフに転換
すると、インダクタンスL1 の蓄積エネルギーの放出の
ための電流が、インダクタンスL1と第2のコンデンサ
C2 と第2のにスイッチング素子Q2 と1次巻線N1 と
から成る閉回路で流れる。この電流は第2のスイッチン
グ素子Q2 においては逆電流として流れる。インダクタ
ンスL1 に電流が流れることによってこのインダクタン
スL1 に第2のコンデンサC2 の充電電圧とは逆向きの
極性を有する電圧が得られ、このインダクタンスL1 の
電圧によって第2のコンデンサC2 の電圧の打ち消しが
生じ、第2のスイッチング素子Q2 に第2のコンデンサ
C2 の電圧がそのまま印加されない。従って、第2のス
イッチング素子Q2 は両端電圧(ドレイン・ソース間電
圧)の低い状態でオフ状態からオン状態に転換する。こ
の結果、ソフトスイッチングとなり、スイッチング損失
及びノイズが少なくなる。インダクタンスL1 のエネル
ギーの放出が終了すると、第2のコンデンサC2 とイン
ダクタンスL1 と1次巻線N1 と第2のスイッチング素
子Q2 とから成る回路で1次巻線N1 を下から上に向う
第2の方向の電流が流れる。第1のスイッチング素子Q
1 がオフからオンになる時も上記と同様な動作が生じ
る。
【0013】なお、インダクタンスL1 のエネルギーの
放出期間には、第2のコンデンサC2 の電圧をインダク
タンスL1 の電圧降下で打ち消し、1次巻線N1 に電圧
が印加されない状態となるので、2次巻線N2 にも電圧
が得られない。このため、チョークコイルL0 の蓄積エ
ネルギーの放出によって第1及び第2のダイオードD1
、D2 の両方がオン状態になり、図3(F)に示すよ
うにt1 〜t2 期間にそれぞれに電流ID1、ID2が流れ
る。この結果、t1 〜t2 期間には2次巻線N2がダイ
オードD1 、D2 で短絡されている。ダイオードD1 、
D2 の両方がオンのt〜t2 期間即ちT2 にはトランス
Tの2次側の整流出力電圧V0 は図3(E)に示すよう
にゼロである。トランスTの出力電圧がゼロになる期間
T2 はインダクタンスL1 とここを流れる電流の大きさ
によって決定され、電流が一定であればT2 もほぼ一定
になる。
放出期間には、第2のコンデンサC2 の電圧をインダク
タンスL1 の電圧降下で打ち消し、1次巻線N1 に電圧
が印加されない状態となるので、2次巻線N2 にも電圧
が得られない。このため、チョークコイルL0 の蓄積エ
ネルギーの放出によって第1及び第2のダイオードD1
、D2 の両方がオン状態になり、図3(F)に示すよ
うにt1 〜t2 期間にそれぞれに電流ID1、ID2が流れ
る。この結果、t1 〜t2 期間には2次巻線N2がダイ
オードD1 、D2 で短絡されている。ダイオードD1 、
D2 の両方がオンのt〜t2 期間即ちT2 にはトランス
Tの2次側の整流出力電圧V0 は図3(E)に示すよう
にゼロである。トランスTの出力電圧がゼロになる期間
T2 はインダクタンスL1 とここを流れる電流の大きさ
によって決定され、電流が一定であればT2 もほぼ一定
になる。
【0014】直流出力電圧を制御する場合は、第1及び
第2のスイッチング素子Q1 、Q2のオン・オフ周期T1
を変える。図3のt3 時点以前は出力端子3、4間の
直流出力電圧が高い時の制御状態を示し、t3 時点より
も後は直流出力電圧が低い時の制御状態を示す。即ち、
t3 時点前よりも直流出力電圧が低下したとすれば、t
3 以後に示すように可変周波数パルス発生回路7の出力
パルスの発生周期T1が長くなり、デューティ比(2T2
/T1 )が大きくなり、直流出力電圧を上昇させる動
作になる。
第2のスイッチング素子Q1 、Q2のオン・オフ周期T1
を変える。図3のt3 時点以前は出力端子3、4間の
直流出力電圧が高い時の制御状態を示し、t3 時点より
も後は直流出力電圧が低い時の制御状態を示す。即ち、
t3 時点前よりも直流出力電圧が低下したとすれば、t
3 以後に示すように可変周波数パルス発生回路7の出力
パルスの発生周期T1が長くなり、デューティ比(2T2
/T1 )が大きくなり、直流出力電圧を上昇させる動
作になる。
【0015】
【第2の実施例】図4は第2の実施例のDC−DCコン
バータを示す。図4の回路は図2の回路にインダクタン
スLa とコンデンサCa との直列共振回路を付加したも
のである。このLa Ca 直列共振回路は2次巻線N2 に
並列に接続されている。このLaCa 直列共振回路は第
1及び第2のスイッチング素子Q1 、Q2 のオン・オフ
周波数の高い領域で共振し、2次巻線N2 を短絡するよ
うに設定されている。例えば、図4の回路で軽負荷とな
り、出力端子3、4間の電圧が上昇すると、図3のt3
以前に示すように第1及び第2のスイッチング素子Q1
、Q2 のオン・オフ周期T1 は短くなり、この繰返し
周波数は高くなる。この繰返し周波数がLa Ca 共振回
路の共振周波数又はこの近くになると、このインピーダ
ンスが低下し、2次巻線N2 が実質的に短絡状態にな
り、整流出力電圧V0 が低下する。従って、所定の直流
出力電圧を得るためには周期T1 を長くすること即ち周
波数を低くすることができ、高い周波数での動作を阻止
することができる。高い周波数領域では一般に動作が不
安定になるので、図4の共振回路で高い周波数領域での
動作を制限することは動作の安定化に意味を有する。図
4の回路は、図2の回路と同一の作用効果も勿論有す
る。
バータを示す。図4の回路は図2の回路にインダクタン
スLa とコンデンサCa との直列共振回路を付加したも
のである。このLa Ca 直列共振回路は2次巻線N2 に
並列に接続されている。このLaCa 直列共振回路は第
1及び第2のスイッチング素子Q1 、Q2 のオン・オフ
周波数の高い領域で共振し、2次巻線N2 を短絡するよ
うに設定されている。例えば、図4の回路で軽負荷とな
り、出力端子3、4間の電圧が上昇すると、図3のt3
以前に示すように第1及び第2のスイッチング素子Q1
、Q2 のオン・オフ周期T1 は短くなり、この繰返し
周波数は高くなる。この繰返し周波数がLa Ca 共振回
路の共振周波数又はこの近くになると、このインピーダ
ンスが低下し、2次巻線N2 が実質的に短絡状態にな
り、整流出力電圧V0 が低下する。従って、所定の直流
出力電圧を得るためには周期T1 を長くすること即ち周
波数を低くすることができ、高い周波数での動作を阻止
することができる。高い周波数領域では一般に動作が不
安定になるので、図4の共振回路で高い周波数領域での
動作を制限することは動作の安定化に意味を有する。図
4の回路は、図2の回路と同一の作用効果も勿論有す
る。
【0016】
【第3の実施例】図5は第3の実施例のDC−DCコン
バータを示す。この図5の回路は図2の回路にインダク
タンスLb とコンデンサCb との並列共振回路を付加し
たものである。このLb 、Cb 並列共振回路は1次巻線
N1 に直列に接続され、第1及び第2のスイッチング素
子Q1 、Q2 のオン・オフ周波数が軽負荷等で高くなっ
た時に共振するように設定されている。第1及び第2の
スイッチング素子Q1 、Q2 のオン・オフ周波数がLb
、Cb 並列共振回路の共振周波数又はこの近くになる
と、Lb 、Cb 並列共振回路のインピーダンスが高くな
り、1次巻線N1 が電源側から切り離された状態にな
り、整流出力電圧V0 が低下し、結局、所定直流出力電
圧を得るためにオン・オフ周波数を下げることが可能に
なり、図4の回路と同一の作用効果を得ることができ
る。
バータを示す。この図5の回路は図2の回路にインダク
タンスLb とコンデンサCb との並列共振回路を付加し
たものである。このLb 、Cb 並列共振回路は1次巻線
N1 に直列に接続され、第1及び第2のスイッチング素
子Q1 、Q2 のオン・オフ周波数が軽負荷等で高くなっ
た時に共振するように設定されている。第1及び第2の
スイッチング素子Q1 、Q2 のオン・オフ周波数がLb
、Cb 並列共振回路の共振周波数又はこの近くになる
と、Lb 、Cb 並列共振回路のインピーダンスが高くな
り、1次巻線N1 が電源側から切り離された状態にな
り、整流出力電圧V0 が低下し、結局、所定直流出力電
圧を得るためにオン・オフ周波数を下げることが可能に
なり、図4の回路と同一の作用効果を得ることができ
る。
【0017】
【第4の実施例】図6は第4の実施例のDC−DCコン
バータを示す。この図6の回路は、図2のインダクタン
スL1 を可変インダクタンスLx に置き換えたものであ
る。可変インダクタンスLx は可飽和磁気コア11と主
巻線12と制御巻線13とから成る。主巻線12のイン
ダクタンスLはコア11の磁界の強さHによって図7に
示すように変化する。即ち、コア11の磁束密度Bが飽
和領域に達する迄は磁界の強さHの増大に従って透磁率
μ及びインダクタンスLが徐々に大きくなり、飽和領域
ではHの増大に応じてμ及びLが低下する。磁界の強さ
Hは制御巻線13の電流Ic で制御できるので、図7の
Lを示す曲線の正の傾きの領域又は負の傾きの領域を使
用してインダクタンス値を制御することができる。この
実施例では制御電流Ic によって磁界の強さH1 を得る
ように設定されている。
バータを示す。この図6の回路は、図2のインダクタン
スL1 を可変インダクタンスLx に置き換えたものであ
る。可変インダクタンスLx は可飽和磁気コア11と主
巻線12と制御巻線13とから成る。主巻線12のイン
ダクタンスLはコア11の磁界の強さHによって図7に
示すように変化する。即ち、コア11の磁束密度Bが飽
和領域に達する迄は磁界の強さHの増大に従って透磁率
μ及びインダクタンスLが徐々に大きくなり、飽和領域
ではHの増大に応じてμ及びLが低下する。磁界の強さ
Hは制御巻線13の電流Ic で制御できるので、図7の
Lを示す曲線の正の傾きの領域又は負の傾きの領域を使
用してインダクタンス値を制御することができる。この
実施例では制御電流Ic によって磁界の強さH1 を得る
ように設定されている。
【0018】可変インダクタンスLx のインダクタンス
値の変化によって図3の整流出力電圧V0 がゼロになる
期間T2 を変えることができる。そこで、図6の実施例
では、出力端子3、4と制御巻線13との間に増幅器1
4を設け、直流出力電圧に対応する制御電流Ic を制御
コイル13に供給している。この方式では図8(C)に
示す出力電圧V0 がゼロになる期間T2 を変化させ、第
1及び第2のスイッチング素子Q1 、Q2 の制御端子に
は制御回路15から一定のオン・オフ周期T1 を有する
図8(A)(B)のパルスを供給する。これにより、整
流出力電圧V0 のデューティ比を変えることができ、直
流出力電圧の調整が可能になる。この第6図の実施例も
第2図の実施例と同様な効果を有する。
値の変化によって図3の整流出力電圧V0 がゼロになる
期間T2 を変えることができる。そこで、図6の実施例
では、出力端子3、4と制御巻線13との間に増幅器1
4を設け、直流出力電圧に対応する制御電流Ic を制御
コイル13に供給している。この方式では図8(C)に
示す出力電圧V0 がゼロになる期間T2 を変化させ、第
1及び第2のスイッチング素子Q1 、Q2 の制御端子に
は制御回路15から一定のオン・オフ周期T1 を有する
図8(A)(B)のパルスを供給する。これにより、整
流出力電圧V0 のデューティ比を変えることができ、直
流出力電圧の調整が可能になる。この第6図の実施例も
第2図の実施例と同様な効果を有する。
【0019】
【第5の実施例】図9は第5の実施例のDC−DCコン
バータを示す。この実施例の回路は、図6の1つの可変
インダクタンスLx の代りに、2つの可飽和リアクトル
即ちマグアンプM1 、M2 をダイオード16、17を介
して並列接続した回路を設けたものである。第1及び第
2のマグアンプM1 、M2 は、コア18、19と、主巻
線20、21と、制御巻線22、23とから成る。主巻
線20、21はダイオード16、17を介して第1及び
第2のスイッチング素子Q1 、Q2 の接続中点と1次巻
線N1 の一端との間にそれぞれ接続されている。2つの
ダイオード16、17の方向性は互いに逆である。2つ
の制御巻線22、23は互いに直列に接続され、増幅器
14の出力で駆動される。
バータを示す。この実施例の回路は、図6の1つの可変
インダクタンスLx の代りに、2つの可飽和リアクトル
即ちマグアンプM1 、M2 をダイオード16、17を介
して並列接続した回路を設けたものである。第1及び第
2のマグアンプM1 、M2 は、コア18、19と、主巻
線20、21と、制御巻線22、23とから成る。主巻
線20、21はダイオード16、17を介して第1及び
第2のスイッチング素子Q1 、Q2 の接続中点と1次巻
線N1 の一端との間にそれぞれ接続されている。2つの
ダイオード16、17の方向性は互いに逆である。2つ
の制御巻線22、23は互いに直列に接続され、増幅器
14の出力で駆動される。
【0020】第1のスイッチング素子Q1 がオンの時及
び第1のマグアンプM1 の蓄積エネルギーの放出期間に
はダイオード16がオンになり、1次巻線N1 を上から
下に電流が流れる。第1のマグアンプM1 のエネルギー
の放出が終了した後の第2のスイッチング素子Q2 のオ
ン期間には第2のコンデンサC2 の放電に基づく電流が
1次巻線N1 を下から上に向って流れた後に、第2のマ
グアンプM2 の主巻線21とダイオード17を通って流
れる。第2のマグアンプM2 の蓄積エネルギーの放出期
間中にもダイオード17を通って電流が流れる。マグア
ンプM1 、M2は可変インダクタンスとして機能するの
で、図9の回路は図6と同様な制御によって図6と同一
の効果を得ることができる。
び第1のマグアンプM1 の蓄積エネルギーの放出期間に
はダイオード16がオンになり、1次巻線N1 を上から
下に電流が流れる。第1のマグアンプM1 のエネルギー
の放出が終了した後の第2のスイッチング素子Q2 のオ
ン期間には第2のコンデンサC2 の放電に基づく電流が
1次巻線N1 を下から上に向って流れた後に、第2のマ
グアンプM2 の主巻線21とダイオード17を通って流
れる。第2のマグアンプM2 の蓄積エネルギーの放出期
間中にもダイオード17を通って電流が流れる。マグア
ンプM1 、M2は可変インダクタンスとして機能するの
で、図9の回路は図6と同様な制御によって図6と同一
の効果を得ることができる。
【0021】
【第6の実施例】第10図に示す第6の実施例は、第9
図の回路にダイオード24を付加した回路になってい
る。ダイオード24は第1及び第2のスイッチング素子
Q1 、Q2の相互間に電源1の電圧によって逆バイアス
される向きを有して接続されている。また、第1のマグ
アンプM1 はダイオード16を介してダイオード24の
カソードに接続され、第2のマグアンプM2 はダイオー
ド17を介してダイオード24のアノードに接続されて
いる。ダイオード24は、第1及び第2のスイッチング
素子Q1 、Q2 が直接に直列接続されることを防ぐ。こ
のため、第1及び第2のスイッチング素子Q1 、Q2 が
たとえ同時に低インピーダンスになっても、両者の間に
第1及び第2のマグアンプM1 、M2 が介在し、過大電
流が流れることが防止される。図10の回路において、
その他は図6、図9と実質的に同一であるので、これ等
と同一の効果を有する。
図の回路にダイオード24を付加した回路になってい
る。ダイオード24は第1及び第2のスイッチング素子
Q1 、Q2の相互間に電源1の電圧によって逆バイアス
される向きを有して接続されている。また、第1のマグ
アンプM1 はダイオード16を介してダイオード24の
カソードに接続され、第2のマグアンプM2 はダイオー
ド17を介してダイオード24のアノードに接続されて
いる。ダイオード24は、第1及び第2のスイッチング
素子Q1 、Q2 が直接に直列接続されることを防ぐ。こ
のため、第1及び第2のスイッチング素子Q1 、Q2 が
たとえ同時に低インピーダンスになっても、両者の間に
第1及び第2のマグアンプM1 、M2 が介在し、過大電
流が流れることが防止される。図10の回路において、
その他は図6、図9と実質的に同一であるので、これ等
と同一の効果を有する。
【0022】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 (1) トランスTの2次側の整流回路をセンタタップ
型の全波整流回路以外のブリッジ型整流回路等に変える
ことができる。 (2) 独立のインダクタンスL1 を設ける代わりに、
1次巻線N1 と2次巻線N2a、N2bとの間の漏洩磁束が
大きくなるようにトランスを構成し、1次巻線N1 の漏
れインダクタンス(リ−ケ−ジインダクタンス)をL1
として使用することができる。 (3) 図4のLa Ca 直列共振回路を1次巻線N1 に
並列に接続すること、又はトランスTに3次巻線を設け
てここに並列に接続することができる。また、トランス
のコアにギャップを設ける事によって2次巻線等の漏れ
インダクタンスを生じさせ、この漏れインダクタンスを
独立のインダクタンスLa の代わりに使用することがで
きる。 (4) 第1〜第6の実施例において、第1及び第2の
コンデンサC1 、C2の代りに第3及び第4のスイッチ
ング素子Q3 、Q4 を接続し、第1〜第4のスイッチン
グ素子Q1 〜Q4 でフルブリッジ回路を形成し、第1と
第4のスイッチング素子と第2及び第3のスイッチング
素子とを交互にオン・オフするように構成することがで
きる。 (5) 図6、図9及び図10の回路において、増幅器
を誤差増幅器とし、出力電圧の検出値と基準電圧との差
に対応する出力を制御巻線13又は22、23に供給す
るように構成することができる。 (6) 図6の可変インダクタンスLx を直交トランス
構成(主巻線12と制御巻線13とを直交結合でフェラ
イトコアに巻装したもの)とすることができる。
く、例えば次の変形が可能なものである。 (1) トランスTの2次側の整流回路をセンタタップ
型の全波整流回路以外のブリッジ型整流回路等に変える
ことができる。 (2) 独立のインダクタンスL1 を設ける代わりに、
1次巻線N1 と2次巻線N2a、N2bとの間の漏洩磁束が
大きくなるようにトランスを構成し、1次巻線N1 の漏
れインダクタンス(リ−ケ−ジインダクタンス)をL1
として使用することができる。 (3) 図4のLa Ca 直列共振回路を1次巻線N1 に
並列に接続すること、又はトランスTに3次巻線を設け
てここに並列に接続することができる。また、トランス
のコアにギャップを設ける事によって2次巻線等の漏れ
インダクタンスを生じさせ、この漏れインダクタンスを
独立のインダクタンスLa の代わりに使用することがで
きる。 (4) 第1〜第6の実施例において、第1及び第2の
コンデンサC1 、C2の代りに第3及び第4のスイッチ
ング素子Q3 、Q4 を接続し、第1〜第4のスイッチン
グ素子Q1 〜Q4 でフルブリッジ回路を形成し、第1と
第4のスイッチング素子と第2及び第3のスイッチング
素子とを交互にオン・オフするように構成することがで
きる。 (5) 図6、図9及び図10の回路において、増幅器
を誤差増幅器とし、出力電圧の検出値と基準電圧との差
に対応する出力を制御巻線13又は22、23に供給す
るように構成することができる。 (6) 図6の可変インダクタンスLx を直交トランス
構成(主巻線12と制御巻線13とを直交結合でフェラ
イトコアに巻装したもの)とすることができる。
【図1】従来のDC−DCコンバータを示す回路図であ
る。
る。
【図2】第1の実施例のDC−DCコンバータを示す回
路図である。
路図である。
【図3】図2の各部の状態を示す波形図である。
【図4】第2の実施例のDC−DCコンバータを示す回
路図である。
路図である。
【図5】第3の実施例のDC−DCコンバータを示す回
路図である。
路図である。
【図6】第4の実施例のDC−DCコンバータを示す回
路図である。
路図である。
【図7】図6の可変インダクタンスの特性図である。
【図8】図6の各部の状態を示す波形図である。
【図9】第5の実施例のDC−DCコンバータを示す回
路図である。
路図である。
【図10】第6の実施例のDC−DCコンバータを示す
回路図である。
回路図である。
L1 インダクタンス Q1 、Q2 スイッチング素子 T トランス
Claims (4)
- 【請求項1】 直流電源と、 前記直流電源の一端と他端との間に接続された第1及び
第2のスイッチング素子の直列回路と前記第1及び第2
のスイッチング素子を介して交互に電圧が印加されるト
ランスの1次巻線とを含むインバータ回路と、 前記トランスの2次巻線と、 前記2次巻線に接続された整流回路と、 前記整流回路に接続されたチョークインプット型平滑回
路と、 前記1次巻線に直列に接続されたインダクタンス又は前
記1次巻線の漏れインダクタンスと、 前記第1及び第2のスイッチング素子を交互にオン・オ
フ制御するための信号を形成するものであり、オン・オ
フの繰返し周波数を変えることができるように形成され
た制御回路とから成るDC−DCコンバータ。 - 【請求項2】 前記トランスの1次巻線又は2次巻線に
並列に又は3次巻線を介して並列にコンデンサとインダ
クタンスとの直列共振回路が接続され、前記直列共振回
路の共振周波数が前記第1及び第2のスイッチング素子
のオン・オフ繰返し周波数の高い領域で共振するように
設定されていることを特徴とする請求項1記載のDC−
DCコンバータ。 - 【請求項3】 前記トランスの1次巻線に直列に、コン
デンサとインダクタンスとの並列共振回路が接続され、
前記並列共振回路の共振周波数が前記第1及び第2のス
イッチング素子のオン・オフ繰返し周波数の高い領域で
共振するように設定されていることを特徴とする請求項
1記載のDC−DCコンバータ。 - 【請求項4】 直流電源と、 前記直流電源の一端と他端との間に接続された第1及び
第2のスイッチング素子の直列回路と前記第1及び第2
のスイッチング素子を介して交互に電圧が印加されるト
ランスの1次巻線とを含むインバータ回路と、 前記トランスの2次巻線と、 前記2次巻線に接続された整流回路と、 前記整流回路に接続されたチョークインプット型平滑回
路と、 前記1次巻線に直列に接続された可変インダクタンス
と、 前記インバータ回路の前記第1及び第2のスイッチング
素子を交互にオン・オフ制御するスイッチ制御回路と、 前記可変インダクタンスのインダクタンス値を制御する
インダクタンス制御回路とから成るDC−DCコンバー
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05294779A JP3137155B2 (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | Dc−dcコンバ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05294779A JP3137155B2 (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | Dc−dcコンバ−タ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07123718A true JPH07123718A (ja) | 1995-05-12 |
| JP3137155B2 JP3137155B2 (ja) | 2001-02-19 |
Family
ID=17812183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05294779A Expired - Fee Related JP3137155B2 (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | Dc−dcコンバ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3137155B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002119053A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Onkyo Corp | スイッチングレギュレータ |
| KR100420962B1 (ko) * | 2001-10-20 | 2004-03-02 | 학교법인 포항공과대학교 | 고역률 하프 브리지형 컨버터 |
| US6905750B2 (en) | 1998-06-22 | 2005-06-14 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| WO2009050975A1 (ja) * | 2007-10-19 | 2009-04-23 | Sanken Electric Co., Ltd. | 直流変換装置 |
| JP2015077007A (ja) * | 2013-10-09 | 2015-04-20 | コーセル株式会社 | スイッチング電源装置 |
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1993
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