JPH0712125A - 磁気軸受制御装置 - Google Patents
磁気軸受制御装置Info
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- JPH0712125A JPH0712125A JP5150691A JP15069193A JPH0712125A JP H0712125 A JPH0712125 A JP H0712125A JP 5150691 A JP5150691 A JP 5150691A JP 15069193 A JP15069193 A JP 15069193A JP H0712125 A JPH0712125 A JP H0712125A
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- switching element
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16C—SHAFTS; FLEXIBLE SHAFTS; ELEMENTS OR CRANKSHAFT MECHANISMS; ROTARY BODIES OTHER THAN GEARING ELEMENTS; BEARINGS
- F16C32/00—Bearings not otherwise provided for
- F16C32/04—Bearings not otherwise provided for using magnetic or electric supporting means
- F16C32/0406—Magnetic bearings
- F16C32/044—Active magnetic bearings
- F16C32/0444—Details of devices to control the actuation of the electromagnets
- F16C32/0451—Details of controllers, i.e. the units determining the power to be supplied, e.g. comparing elements, feedback arrangements with P.I.D. control
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16C—SHAFTS; FLEXIBLE SHAFTS; ELEMENTS OR CRANKSHAFT MECHANISMS; ROTARY BODIES OTHER THAN GEARING ELEMENTS; BEARINGS
- F16C2360/00—Engines or pumps
- F16C2360/44—Centrifugal pumps
- F16C2360/45—Turbo-molecular pumps
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- Electromagnetism (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気軸受制御用の電磁石に流す電流のＯＮ／
ＯＦＦ時間の制御により発生電磁力を制御するスイッチ
ング方式による磁気軸受制御装置において、スイッチン
グ素子をより高電圧電源に接続して駆動可能にし、大き
な電磁力でもって磁気軸受制御を行う。 【構成】 電力制御用ＩＣとスイッチング素子との間に
絶縁素子および絶縁素子保護用ダイオードを接続する。
ＯＦＦ時間の制御により発生電磁力を制御するスイッチ
ング方式による磁気軸受制御装置において、スイッチン
グ素子をより高電圧電源に接続して駆動可能にし、大き
な電磁力でもって磁気軸受制御を行う。 【構成】 電力制御用ＩＣとスイッチング素子との間に
絶縁素子および絶縁素子保護用ダイオードを接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気浮上形ターボ分子
ポンプ、回転陽極Ｘ線管、遠心分離機などの磁気軸受の
制御装置に関する。
ポンプ、回転陽極Ｘ線管、遠心分離機などの磁気軸受の
制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ターボ分子ポンプなど回転体を有する装
置ではその回転軸を非接触で支持できる磁気軸受が使用
される。一般に磁気軸受は、回転軸を電磁力を用いて空
間に浮遊させるため、電磁力発生用の電磁石が回転体の
回転軸近傍に取り付けられ、この電磁石に流す電流値を
回転軸の変位センサからの信号でフィードバック制御す
ることで発生電磁力を調整し、軸受としての動作をする
ようにしている。
置ではその回転軸を非接触で支持できる磁気軸受が使用
される。一般に磁気軸受は、回転軸を電磁力を用いて空
間に浮遊させるため、電磁力発生用の電磁石が回転体の
回転軸近傍に取り付けられ、この電磁石に流す電流値を
回転軸の変位センサからの信号でフィードバック制御す
ることで発生電磁力を調整し、軸受としての動作をする
ようにしている。
【０００３】この電磁石の電力増幅器の方式には、大別
してドロッパ方式とスイッチング方式とがある。ドロッ
パ方式は電磁石への電流供給回路中に可変抵抗を介在さ
せ、抵抗値を可変にすることにより所望の電流を流すよ
うにするものである。 一方、スイッチング方式は電流
供給回路中にｐＭＯＳなどのスイッチング素子を介在さ
せ、ＯＮ／ＯＦＦパルス電流を形成し、ＯＮ時間とＯＦ
Ｆ時間との時間間隔を調整することにより、パルス形状
を変化させて実質的に平均電流値を変化させるものであ
る。
してドロッパ方式とスイッチング方式とがある。ドロッ
パ方式は電磁石への電流供給回路中に可変抵抗を介在さ
せ、抵抗値を可変にすることにより所望の電流を流すよ
うにするものである。 一方、スイッチング方式は電流
供給回路中にｐＭＯＳなどのスイッチング素子を介在さ
せ、ＯＮ／ＯＦＦパルス電流を形成し、ＯＮ時間とＯＦ
Ｆ時間との時間間隔を調整することにより、パルス形状
を変化させて実質的に平均電流値を変化させるものであ
る。
【０００４】現在磁気軸受制御では主にドロッパ方式が
用いられているが、ドロッパ方式は(1) 消費電力が大き
い、(2) 大型電源、大型放熱板が必要となり、制御装置
の小化が図れないなどの問題があった。
用いられているが、ドロッパ方式は(1) 消費電力が大き
い、(2) 大型電源、大型放熱板が必要となり、制御装置
の小化が図れないなどの問題があった。
【０００５】これに対し、スイッチング方式は電磁石コ
イルのインダクタンスの電磁エネルギー蓄積効果を利用
しているため、消費電力が小さく、発熱も少ないので装
置の小型化を図ることができる利点がある。
イルのインダクタンスの電磁エネルギー蓄積効果を利用
しているため、消費電力が小さく、発熱も少ないので装
置の小型化を図ることができる利点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図３は従来のスイッチ
ング方式の電力増幅器を有する磁気軸受制御回路であ
る。図において１０は磁気軸受の電磁石コイルで、１１
は電磁石コイルに電流を供給する高電圧電源、１２はコ
イル電流を検出するための電流検出器、１３はＯＦＦ時
にコイルに蓄積された電磁エネルギーを放電するための
リカバリーダイオード、２０は高電圧電源と電磁コイル
との接続をＯＮ／ＯＦＦ切り換えするｐＭＯＳなどのス
イッチング素子、３０はスイッチング素子２０のＯＮ／
ＯＦＦ切り換え制御を行うPWM ＩＣ（パルス幅変調制御
用ＩＣ）である。このスイッチング素子２とPWM ＩＣ３
０とにより電力増幅部３３が形成される。
ング方式の電力増幅器を有する磁気軸受制御回路であ
る。図において１０は磁気軸受の電磁石コイルで、１１
は電磁石コイルに電流を供給する高電圧電源、１２はコ
イル電流を検出するための電流検出器、１３はＯＦＦ時
にコイルに蓄積された電磁エネルギーを放電するための
リカバリーダイオード、２０は高電圧電源と電磁コイル
との接続をＯＮ／ＯＦＦ切り換えするｐＭＯＳなどのス
イッチング素子、３０はスイッチング素子２０のＯＮ／
ＯＦＦ切り換え制御を行うPWM ＩＣ（パルス幅変調制御
用ＩＣ）である。このスイッチング素子２とPWM ＩＣ３
０とにより電力増幅部３３が形成される。
【０００７】PWM ＩＣ３０には２つの検出器からの制御
信号が入力される。すなわち、まず、磁気軸受内の回転
軸の位置を検出する変位センサ４１からの信号がセンサ
アンプ４２によって増幅され、ＰＩＤ制御回路４３に入
力され、所定の演算式で計算された電磁石電流制御量が
出力されてPWM ＩＣ３０に正帰還される。また、PWMＩ
３０はこの信号を受けてスイッチング素子２０にＯＮ／
ＯＦＦ信号を送るが、スイッチング素子２０のＯＮ／Ｏ
ＦＦ動作により電磁石コイル１０を流れる電流は電流検
出器１２によって監視されており、出力されるべき所定
の制御値と実際の値との差を検出してPWM ＩＣ３０に負
帰還される。
信号が入力される。すなわち、まず、磁気軸受内の回転
軸の位置を検出する変位センサ４１からの信号がセンサ
アンプ４２によって増幅され、ＰＩＤ制御回路４３に入
力され、所定の演算式で計算された電磁石電流制御量が
出力されてPWM ＩＣ３０に正帰還される。また、PWMＩ
３０はこの信号を受けてスイッチング素子２０にＯＮ／
ＯＦＦ信号を送るが、スイッチング素子２０のＯＮ／Ｏ
ＦＦ動作により電磁石コイル１０を流れる電流は電流検
出器１２によって監視されており、出力されるべき所定
の制御値と実際の値との差を検出してPWM ＩＣ３０に負
帰還される。
【０００８】この２つのフィードバック信号を受けたPW
M ＩＣ３０は前述したように所定のＮ／ＯＦＦ信号をス
イッチング素子２０に送り、スイッチング素子２０の開
閉動作を行って高電圧電源１１から電磁石コイル１０へ
所定のパルスデューティの電流を流す。
M ＩＣ３０は前述したように所定のＮ／ＯＦＦ信号をス
イッチング素子２０に送り、スイッチング素子２０の開
閉動作を行って高電圧電源１１から電磁石コイル１０へ
所定のパルスデューティの電流を流す。
【０００９】このような制御においては発生電磁力は電
流のＯＮ時間の長さに依存するがこれとともに高電圧電
源の電圧値にも依存する。したがって、たとえば排気性
能向上のためターボ分子ポンプを大型化するときなどの
ように回転体の重量を大きくするような場合、磁気軸受
にはさらに大きな電磁力を発生させる必要が生じる。こ
の場合、高電圧電源の電圧値をさらに大きくすれば電磁
石コイルを流れる電流値が大きくなり発生電磁力を大き
くすることができるのであるが、この高電圧電源の電圧
はPWM ＩＣのコレクタにも接続されていることからPWM
ＩＣの最大出電圧または最大出力電流を越える問題があ
り、PWM ＩＣの定格以上の高電圧の電を使用することが
できなかった。
流のＯＮ時間の長さに依存するがこれとともに高電圧電
源の電圧値にも依存する。したがって、たとえば排気性
能向上のためターボ分子ポンプを大型化するときなどの
ように回転体の重量を大きくするような場合、磁気軸受
にはさらに大きな電磁力を発生させる必要が生じる。こ
の場合、高電圧電源の電圧値をさらに大きくすれば電磁
石コイルを流れる電流値が大きくなり発生電磁力を大き
くすることができるのであるが、この高電圧電源の電圧
はPWM ＩＣのコレクタにも接続されていることからPWM
ＩＣの最大出電圧または最大出力電流を越える問題があ
り、PWM ＩＣの定格以上の高電圧の電を使用することが
できなかった。
【００１０】本発明は上記問題を解決し、磁気軸受に大
きな電磁力を発生できるようにPWMＣの定格以上の電圧
値を有する高電圧電源を用いて制御する磁気軸受制御装
置を提供することを目的とする。
きな電磁力を発生できるようにPWMＣの定格以上の電圧
値を有する高電圧電源を用いて制御する磁気軸受制御装
置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
になされた本発明は、磁気軸受の電磁石コイルに流すパ
ルス電流を、コイル電流供給のための高電圧電源とこの
電磁石コイルとの間に設けたスイッチング素子のＯＮ／
ＯＦＦ時間比を変動することにより制御する磁気軸受制
御装置において、磁気軸受にて制御される回転軸の変位
を検出する変位センサからのフィードバック信号とコイ
ル電流を供給する回路内に設けた電流検出器からのフィ
ードバック信号とを重ね合わせた信号を受けてこれを増
幅し、スイッチング素子をＯＮ／ＯＦＦ駆動するパルス
幅変調制御用素子と、前記パルス幅変調制御用素子とス
イッチング素子との間に設けた絶縁素子と、前記絶縁素
子に直列に接続した絶縁素子保護用素子とを備え、スイ
ッチング素子に印加される高電圧がパルス幅変調制御用
素子に印加されないようにするとともに絶縁素子に高電
圧が印加されないようにしたことを特徴とする。
になされた本発明は、磁気軸受の電磁石コイルに流すパ
ルス電流を、コイル電流供給のための高電圧電源とこの
電磁石コイルとの間に設けたスイッチング素子のＯＮ／
ＯＦＦ時間比を変動することにより制御する磁気軸受制
御装置において、磁気軸受にて制御される回転軸の変位
を検出する変位センサからのフィードバック信号とコイ
ル電流を供給する回路内に設けた電流検出器からのフィ
ードバック信号とを重ね合わせた信号を受けてこれを増
幅し、スイッチング素子をＯＮ／ＯＦＦ駆動するパルス
幅変調制御用素子と、前記パルス幅変調制御用素子とス
イッチング素子との間に設けた絶縁素子と、前記絶縁素
子に直列に接続した絶縁素子保護用素子とを備え、スイ
ッチング素子に印加される高電圧がパルス幅変調制御用
素子に印加されないようにするとともに絶縁素子に高電
圧が印加されないようにしたことを特徴とする。
【００１２】以下、この構造の磁気軸受制御装置がどの
ように作用するかを説明する。
ように作用するかを説明する。
【００１３】
【作用】本発明の構成としたことにより、スイッチング
素子とPWM ＩＣとが電気的に絶分離される。したがっ
て、電磁力を大きくするためスイッチング素子に高電圧
を印加してもPWM ＩＣには高電圧が印加されず、これが
破損することはない。一方、絶縁素子には高電圧が印加
されるが絶縁素子にはこれと直列に絶縁素子保護用素子
を設けているので素子の耐電圧を越えることはない。
素子とPWM ＩＣとが電気的に絶分離される。したがっ
て、電磁力を大きくするためスイッチング素子に高電圧
を印加してもPWM ＩＣには高電圧が印加されず、これが
破損することはない。一方、絶縁素子には高電圧が印加
されるが絶縁素子にはこれと直列に絶縁素子保護用素子
を設けているので素子の耐電圧を越えることはない。
【００１４】したがって、PWM ＩＣの定格電圧とは関係
なく電磁石コイルドライブ用の高電電源の電圧値を定め
ることができる。
なく電磁石コイルドライブ用の高電電源の電圧値を定め
ることができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図を用いて説明す
る。図１は本発明による一実施例を示した磁気軸受制御
装置の配線図を示す。図において１０は磁気軸受の電磁
石コイルで、１１は電磁石コイルに電流を供給する高電
圧電源、１２はコイル電流を検出するための電流検出
器、１３はスイッチＯＦＦ時にコイルに蓄積された電磁
エネルギーを放電するためのリカバリーダイオード、２
０は高電圧電源と電磁コイルとの接続をＯＮ／ＯＦＦ切
り換えするｐＭＯＳを用いたスイッチング素子である。
る。図１は本発明による一実施例を示した磁気軸受制御
装置の配線図を示す。図において１０は磁気軸受の電磁
石コイルで、１１は電磁石コイルに電流を供給する高電
圧電源、１２はコイル電流を検出するための電流検出
器、１３はスイッチＯＦＦ時にコイルに蓄積された電磁
エネルギーを放電するためのリカバリーダイオード、２
０は高電圧電源と電磁コイルとの接続をＯＮ／ＯＦＦ切
り換えするｐＭＯＳを用いたスイッチング素子である。
【００１６】このスイッチング素子２０には図２に示す
ようにPWM ＩＣ（パルス幅変調制御ＩＣ）３０と、フォ
トカプラを用いた絶縁素子３１と、フォトカプラの二次
側に直列に接続された保護用のダイオード３２とが接続
され、これらによって電力増幅部３３が形成される。
ようにPWM ＩＣ（パルス幅変調制御ＩＣ）３０と、フォ
トカプラを用いた絶縁素子３１と、フォトカプラの二次
側に直列に接続された保護用のダイオード３２とが接続
され、これらによって電力増幅部３３が形成される。
【００１７】電力増幅部３３の入力側には、回転軸の変
位を検出する変位センサ４１とセンサ信号増幅器４２
と、この変位信号を受けて制御量を計算するＰＩＤ制御
回路４３とからなる第１のフィードバック回路、電流検
出器１２を流れる電流値を検出してフィードバックさせ
る第２のフィードバック回路が接続される。ただし、第
１のフィードバック回路と第２のフィードバック回路と
のいずれか一方が正のフィードバック、他方が負のフィ
ードバックとなるようにしてある。また、第１のフィー
ドバック回路のＰＩＤ制御回路４３には外部よりの初期
設定信号も入力される。
位を検出する変位センサ４１とセンサ信号増幅器４２
と、この変位信号を受けて制御量を計算するＰＩＤ制御
回路４３とからなる第１のフィードバック回路、電流検
出器１２を流れる電流値を検出してフィードバックさせ
る第２のフィードバック回路が接続される。ただし、第
１のフィードバック回路と第２のフィードバック回路と
のいずれか一方が正のフィードバック、他方が負のフィ
ードバックとなるようにしてある。また、第１のフィー
ドバック回路のＰＩＤ制御回路４３には外部よりの初期
設定信号も入力される。
【００１８】つぎに以上のように構成される磁気軸受制
御装置の動作を説明する。回転軸の目標位置などのＰＩ
Ｄ制御に必要な初期値を設定後、磁気軸受制御回路を動
作させる。回転軸の位置は変位センサ４１により検出さ
れ、検出信号がセンサアンプ４２で信号増幅された後、
ＰＩＤ制御回路４３に送られる。ＰＩＤ制御回路４３で
は電磁石電流制御量を計算し、その値を電力増幅部３３
に入力する。電力増幅部３３ではＰＩＤ制御回路４３か
らの信号をPWM ＩＣ３１（パルス幅変調制御用Ｃ）によ
り増幅するのであるがPWM ＩＣ３１の出力側には絶縁素
子３１としてのォトカプラが接続されているので、PWM
ＩＣ３１は高電圧電源１１から分離されいる。すなわ
ち、PWM ＩＣ３１の出力は絶縁素子３１であるフォトカ
プラの一次（発光素子側）につながれる。この一次側は
電圧がPWM ＩＣ３１の定格以下の電に接続されている。
一方、フォトカプラの二次側（受光素子側）はスイッチ
ング素子２０のドライブ電圧と同じ高電圧電源によって
ドライブされる。この高電圧電源は一次側とは絶縁され
ているため、PWM ＩＣ３１を損傷することはない。
御装置の動作を説明する。回転軸の目標位置などのＰＩ
Ｄ制御に必要な初期値を設定後、磁気軸受制御回路を動
作させる。回転軸の位置は変位センサ４１により検出さ
れ、検出信号がセンサアンプ４２で信号増幅された後、
ＰＩＤ制御回路４３に送られる。ＰＩＤ制御回路４３で
は電磁石電流制御量を計算し、その値を電力増幅部３３
に入力する。電力増幅部３３ではＰＩＤ制御回路４３か
らの信号をPWM ＩＣ３１（パルス幅変調制御用Ｃ）によ
り増幅するのであるがPWM ＩＣ３１の出力側には絶縁素
子３１としてのォトカプラが接続されているので、PWM
ＩＣ３１は高電圧電源１１から分離されいる。すなわ
ち、PWM ＩＣ３１の出力は絶縁素子３１であるフォトカ
プラの一次（発光素子側）につながれる。この一次側は
電圧がPWM ＩＣ３１の定格以下の電に接続されている。
一方、フォトカプラの二次側（受光素子側）はスイッチ
ング素子２０のドライブ電圧と同じ高電圧電源によって
ドライブされる。この高電圧電源は一次側とは絶縁され
ているため、PWM ＩＣ３１を損傷することはない。
【００１９】なお、フォトカプラの二次側には高電圧電
源からの高電圧が加わるが、これと直列に接続された保
護ダイオード３２がフォトカプラに定格以上の電圧がか
かるのを防いでいるので絶縁素子であるフォトカプラが
破壊されることもない。
源からの高電圧が加わるが、これと直列に接続された保
護ダイオード３２がフォトカプラに定格以上の電圧がか
かるのを防いでいるので絶縁素子であるフォトカプラが
破壊されることもない。
【００２０】このようにして高電源電圧に接続されたス
イッチング素子２０は絶縁素子３１、絶縁素子保護用ダ
イオード３２を含む電力増幅部３３によって駆動される
ことでPWM ＩＣの定格より大きい高電圧電源で電磁石の
ドライブが行える。
イッチング素子２０は絶縁素子３１、絶縁素子保護用ダ
イオード３２を含む電力増幅部３３によって駆動される
ことでPWM ＩＣの定格より大きい高電圧電源で電磁石の
ドライブが行える。
【００２１】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の磁気軸受
制御装置では、電力増幅部のPWM ＩＣスイッチング素子
との間に絶縁素子を介在させ、高電圧がPWM ＩＣにかか
らないうにするとともに、介在させた絶縁素子の保護素
子を備えたことにより、従来のスイッチング方式ではPW
M ＩＣの定格の問題から印加できなかったような高電圧
源をスイッチング素子のドライブ電圧とすることがで
き、大電流を電磁石コイルに流すことができて、大きな
電磁力で荷重の大きい回転体の磁気軸受制御が可能とな
る。
制御装置では、電力増幅部のPWM ＩＣスイッチング素子
との間に絶縁素子を介在させ、高電圧がPWM ＩＣにかか
らないうにするとともに、介在させた絶縁素子の保護素
子を備えたことにより、従来のスイッチング方式ではPW
M ＩＣの定格の問題から印加できなかったような高電圧
源をスイッチング素子のドライブ電圧とすることがで
き、大電流を電磁石コイルに流すことができて、大きな
電磁力で荷重の大きい回転体の磁気軸受制御が可能とな
る。
【図１】本発明の一実施例である磁気軸受制御装置の配
線図。
線図。
【図２】本発明の一実施例である磁気軸受制御装置の電
力増幅部の配線図。
力増幅部の配線図。
【図３】従来よりの磁気軸受制御装置の配線図。
１０：電磁石コイル １１：高電圧電源 １２：電流検出器 ２０：スイッチング素子 ３０：パルス幅変調制御用ＩＣ ３１：絶縁素子 ３２：絶縁素子保護用ダイオード ３３：電力増幅部 ４１：変位センサ ４３：ＰＩＤ制御回路
Claims (1)
- 【請求項１】磁気軸受の電磁石コイルに流すパルス電流
を、コイル電流供給のための高電圧電源とこの電磁石コ
イルとの間に設けたスイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦ時
間比を変動することにより制御する磁気軸受制御装置に
おいて、磁気軸受にて制御される回転軸の変位を検出す
る変位センサからのフィードバック信号とコイル電流を
供給する回路内に設けた電流検出器からのフィードバッ
ク信号とが重ね合わされた信号を受けてこれを増幅し、
スイッチング素子をＯＮ／ＯＦＦ駆動するパルス幅変調
制御用素子と、前記パルス幅変調制御用素子とスイッチ
ング素子との間に設けた絶縁素子と、前記絶縁素子に直
列に接続した絶縁素子保護用素子とを備え、スイッチン
グ素子に印加される高電圧がパルス幅変調素子に印加さ
れないようにするとともに絶縁素子に高電圧が印加され
ないようにしたことを特徴とする磁気軸受制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5150691A JPH0712125A (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 磁気軸受制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5150691A JPH0712125A (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 磁気軸受制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0712125A true JPH0712125A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15502348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5150691A Pending JPH0712125A (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 磁気軸受制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0712125A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005045266A1 (ja) * | 2003-11-05 | 2005-05-19 | Jtekt Corporation | 電力増幅装置および磁気軸受 |
| JP2008175227A (ja) * | 2007-01-16 | 2008-07-31 | Shimadzu Corp | 二象限駆動回路および磁気浮上制御装置 |
| JP2012055852A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Nippon Signal Co Ltd:The | アクチュエータの駆動装置 |
| CN106286592A (zh) * | 2016-08-15 | 2017-01-04 | 珠海格力节能环保制冷技术研究中心有限公司 | 主动磁力轴承的控制方法、装置和系统 |
| CN112196896A (zh) * | 2020-10-10 | 2021-01-08 | 珠海格力电器股份有限公司 | 一种磁悬浮控制方法、系统、控制器及存储介质 |
-
1993
- 1993-06-22 JP JP5150691A patent/JPH0712125A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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