JPH07120734B2 - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
Method for manufacturing semiconductor deviceInfo
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- JPH07120734B2 JPH07120734B2 JP62242113A JP24211387A JPH07120734B2 JP H07120734 B2 JPH07120734 B2 JP H07120734B2 JP 62242113 A JP62242113 A JP 62242113A JP 24211387 A JP24211387 A JP 24211387A JP H07120734 B2 JPH07120734 B2 JP H07120734B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体素
子の電極と外部導出線とを金属導線で結合した後に、上
記半導体素子表面に保護膜を被覆する方法に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a protective film formed on the surface of the semiconductor element after the electrode of the semiconductor element and an external lead wire are joined by a metal lead wire. A coating method.
一般に、半導体装置は外部環境からの熱的，化学的およ
び物理的な影響を受けて、半導体素子の電気的特性の変
動等信頼性上の問題を生じている。特に樹脂封止型半導
体装置における半導体素子の電極と金属配線との接続部
での電極の腐食が深刻な問題を引き起こしている。その
ため、半導体素子の電極と外部導出線とを金属導線で結
合（ボンディング）した後に、上記半導体素子表面に40
0℃以下の低温で保護膜を形成することが提案されてい
る。Generally, a semiconductor device is affected by thermal, chemical, and physical influences from the external environment, which causes reliability problems such as variations in electrical characteristics of semiconductor elements. In particular, the corrosion of the electrodes at the connection between the electrodes of the semiconductor element and the metal wiring in the resin-sealed semiconductor device causes a serious problem. Therefore, after the electrode of the semiconductor element and the external lead wire are joined (bonded) with a metal lead wire, 40
It has been proposed to form the protective film at a low temperature of 0 ° C. or lower.
従来、この種の保護膜形成技術としては、モノシラン
（SiH4）とオゾン（O3）の気相成長法によりシリコン酸
化膜（SiO2）を形成する方法［例えば、特公昭49-33914
号公報参照］、あるいは、モノシラン（SiH4）およびア
ンモニア（NH3）に水銀（Hg）を光増感剤として添加し
た混合ガスに紫外光を照射してシリコン窒化膜（Si
3N4）を気相成長する方法がある［例えば、Peter et a
l.著、Solid State Technol./Sep.1980 121〜126頁］。Conventionally, as a protective film forming technique of this kind, a method of forming a silicon oxide film (SiO 2 ) by a vapor phase growth method of monosilane (SiH 4 ) and ozone (O 3 ) [eg, Japanese Patent Publication No. 49-33914
Or, a mixed gas of mercury (Hg) added to monosilane (SiH 4 ) and ammonia (NH 3 ) as a photosensitizer is irradiated with ultraviolet light to expose a silicon nitride film (Si
3 N 4 ) can be vapor-deposited [eg Peter et a
L., Solid State Technol./Sep. 1980 121-126].
上述したモノシランとオゾンの気相成長法においては、
形成されたシリコン酸化膜の緻密性、耐湿性が悪く保護
膜としての機能に耐えないという欠点がある。また、モ
ノシランとアンモニアの水銀増感光化学気相成長法で
は、シリコン窒化膜の形成を行う反応炉内へ紫外光を照
射するため反応炉体に取付けられた窓に、シリコン窒化
膜の付着が起こり、反応炉内へ照射される紫外光強度が
短時間で減衰してしまうという欠点がある。さらに、モ
ノシラン等の無機シラン類は爆発性，毒性に富み、安全
対策上種々の問題がある。In the vapor phase growth method of monosilane and ozone described above,
The formed silicon oxide film has poor density and moisture resistance, and has the drawback that it cannot withstand the function as a protective film. Further, in the mercury-sensitized chemical vapor deposition method of monosilane and ammonia, the silicon nitride film is attached to the window attached to the reactor body to irradiate the inside of the reactor for forming the silicon nitride film with ultraviolet light. However, there is a drawback that the intensity of ultraviolet light radiated into the reaction furnace is attenuated in a short time. Furthermore, inorganic silanes such as monosilane are highly explosive and toxic, and have various problems in terms of safety measures.
本発明の半導体装置の製造方法は、有機シランとオゾン
により形成される二酸化シリコン膜により半導体素子を
被覆する被覆工程と、その後に被覆した前記二酸化シリ
コン膜を酸素雰囲気中において紫外光を照射しつつ熱処
理する熱処理工程とを含み、前記熱処理工程において前
記二酸化シリコン膜が緻密化されることを特徴とする。A method for manufacturing a semiconductor device of the present invention comprises a coating step of coating a semiconductor element with a silicon dioxide film formed of organic silane and ozone, and subsequently irradiating the coated silicon dioxide film with ultraviolet light in an oxygen atmosphere. A heat treatment step of heat treatment, wherein the silicon dioxide film is densified in the heat treatment step.
この化学気相成長において、有機シランとオゾンと共に
ドーピングガスとしてフォスフィン（PH3）あるいはト
リメチルフォスフェート等を反応炉に流せば、ゲッタリ
ング効果の期待できるPSG（リンガラス）膜を形成する
ことも可能である。In this chemical vapor deposition, if phosphine (PH 3 ) or trimethyl phosphate as a doping gas is allowed to flow into the reaction furnace together with organic silane and ozone, it is possible to form a PSG (phosphorus glass) film that is expected to have a gettering effect Is.
さらに、上記シリコン酸化膜を形成した上記半導体素子
を、酸化雰囲気中にて波長300nm以下の紫外光を照射し
つつ300℃以下の温度にてアニールし、化学気相成長に
より形成されたシリコン酸化膜を緻密化することにより
より耐湿性の優れた半導体装置が得られる。Further, the semiconductor element formed with the silicon oxide film is annealed at a temperature of 300 ° C. or lower while irradiating ultraviolet light having a wavelength of 300 nm or less in an oxidizing atmosphere, and a silicon oxide film formed by chemical vapor deposition. By densifying the semiconductor device, a semiconductor device having more excellent moisture resistance can be obtained.
次に、本発明の前提技術について図面を参照して説明す
る。Next, a prerequisite technique of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は、本発明の前提技術であるところの気相成長装
置の概略図である。101は反応炉、102は試料、103は試
料102を設置するサセプター、104は試料102を加熱する
ヒータ、105は反応ガス導入管、106は反応ガス排気管で
ある。また、107は酸素ガス供給管、108は窒素ガス供給
管、109はバルブ、110は流量計である。111はオゾン発
生器であり、酸素ガス供給管107から導入された酸素（O
2）はオゾン（O3）に変換され、反応ガス導入管105に送
られる。また、112は有機シランであるTEOS（テトラエ
トキシシラン,Si（OC2H5）４）の入ったエバポレーヌ、
113はリンを含んだ有機化合物TMP（トリメチルフォスフ
ィート）の入ったエバポレータであり、窒素ガス供給管
108からの窒素（N2）をキャリアガスとして、それぞれT
EOS,TMPを反応ガス導入管105へ送り込み、O3と混合後、
反応炉101内へ導入される。114は配管を加熱するための
ヒータであり、TEOSおよびTMPの液体原料が配管内にお
いて折出することを防ぐ役割をする。FIG. 1 is a schematic diagram of a vapor phase growth apparatus which is a prerequisite technique of the present invention. Reference numeral 101 is a reaction furnace, 102 is a sample, 103 is a susceptor for mounting the sample 102, 104 is a heater for heating the sample 102, 105 is a reaction gas introduction pipe, and 106 is a reaction gas exhaust pipe. Further, 107 is an oxygen gas supply pipe, 108 is a nitrogen gas supply pipe, 109 is a valve, and 110 is a flow meter. Reference numeral 111 denotes an ozone generator, which is an oxygen (O 2
2 ) is converted into ozone (O 3 ) and sent to the reaction gas introduction pipe 105. In addition, 112 is an evaporation containing TEOS (tetraethoxysilane, Si (OC 2 H 5 ) 4 ) which is an organic silane,
Reference numeral 113 denotes an evaporator containing an organic compound TMP (trimethylphosphite) containing phosphorus, which is a nitrogen gas supply pipe.
Nitrogen (N 2 ) from 108 as carrier gas
After sending EOS and TMP to the reaction gas introducing pipe 105 and mixing with O 3 ,
It is introduced into the reaction furnace 101. Reference numeral 114 is a heater for heating the pipe, and plays a role of preventing the liquid raw materials of TEOS and TMP from breaking out in the pipe.
このような化学気相装置の反応炉101の中に、ヒータ104
により加熱した試料102を置き、オゾン（O3）と有機シ
ランTEOSの反応によりシリコン酸化膜（SiO2を形成する
ことができる。この場合、科学的に活性なオゾン（O3）
を用いているため、常圧および減圧いずれの圧力下にお
いても、300℃以下の低温で充分高速なSiO2成長を行う
ことができる。例えば、250℃の常圧下において120nm/m
inの成長速度が得られた。O3とTEOSの他に、ドーピング
ガスとしてTMPを添加すると成長速度はさらに増加す
る。例えば、250℃において、180nm/minの成長速度でリ
ンドープのSiO2（PSG）を成長することが可能である。A heater 104 is provided in the reaction furnace 101 of the chemical vapor phase apparatus.
The sample 102 heated by the above is placed, and the silicon oxide film (SiO 2 can be formed by the reaction of ozone (O 3 ) and the organic silane TEOS. In this case, chemically active ozone (O 3 )
Therefore, SiO 2 can be grown at a low temperature of 300 ° C. or lower at a sufficiently high speed under both normal pressure and reduced pressure. For example, 120nm / m under normal pressure of 250 ℃
The growth rate of in was obtained. In addition to O 3 and TEOS, the growth rate is further increased by adding TMP as a doping gas. For example, it is possible to grow phosphorus-doped SiO 2 (PSG) at a growth rate of 180 nm / min at 250 ° C.
第２図（ａ）〜（ｃ）に本発明の前提技術の主な工程を
示す。第２図（ａ）は第１図の反応炉101に入れるべき
試料102の断面図であり、リードフレーム202上に半導体
素子203がマウントされ、金線205によりボンディングさ
れている様子を示す。201,202はリードフレームであ
り、201はその外部導出線となるべき部分、202は半導体
素子をマウントすべき部分である。203は半導体素子
（チップ）であり、204は半導体素子上に形成された電
極を示す。また、205は電極204および外部導出線201を
接続する金線（ボンディングワイヤー）である。2 (a) to (c) show the main steps of the prerequisite technique of the present invention. FIG. 2A is a cross-sectional view of the sample 102 to be put in the reaction furnace 101 of FIG. 1, and shows a state in which the semiconductor element 203 is mounted on the lead frame 202 and bonded by the gold wire 205. 201 and 202 are lead frames, 201 is a portion to be an external lead wire, and 202 is a portion to mount a semiconductor element. Reference numeral 203 denotes a semiconductor element (chip), and 204 denotes an electrode formed on the semiconductor element. Further, 205 is a gold wire (bonding wire) that connects the electrode 204 and the external lead wire 201.
第２図（ｂ）は、第２図（ａ）の半導体装置表面に、上
記第１図の化学気相成長装置を用いて、SiO2206が被覆
された様子を示す。SiO2206成長時に適当な治具をマス
クとして用いることにより、同図に示すように外部導出
線201の一部のみに成膜を行うことができる。FIG. 2B shows a state where the surface of the semiconductor device of FIG. 2A is coated with SiO 2 206 by using the chemical vapor deposition apparatus of FIG. By using an appropriate jig as a mask during the growth of SiO 2 206, it is possible to form a film only on a part of the external lead wire 201 as shown in the figure.
次に、第２図（ｃ）に樹脂封止後、リードフレーム201
を切断・整形し、製品として完成した半導体装置を示
す。ここで、207は封入樹脂である。Next, as shown in FIG. 2 (c), after the resin sealing, the lead frame 201
A semiconductor device that has been cut and shaped to complete the product. Here, 207 is a sealing resin.
この図に示されるように、半導体素子203表面および電
極204はSiO2206に被覆・保護されているため、封入樹脂
207とは直接接していない。その結果、半導体素子203お
よび電極204の耐湿性は飛躍的に向上し、信頼性の優れ
た半導体装置を得ることが可能となる。しかしながら、
このような製造方法によっても緻密化され、充分な耐湿
性及び信頼性を有するSiO2を得ることは困難であった。
そこで、本願発明では、十分に緻密化されたSiO2を得る
ために以下のような工程を用いるものである。As shown in this figure, since the surface of the semiconductor element 203 and the electrode 204 are covered and protected by SiO 2 206, the encapsulation resin
It is not in direct contact with 207. As a result, the moisture resistance of the semiconductor element 203 and the electrode 204 is dramatically improved, and it becomes possible to obtain a highly reliable semiconductor device. However,
It was difficult to obtain SiO 2 which was densified by such a manufacturing method and had sufficient moisture resistance and reliability.
Therefore, in the present invention, the following steps are used to obtain sufficiently densified SiO 2 .
第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例を示す工程の流
れ図である。この実施例においても第１図に示した化学
気相成長装置を使用した。3 (a) to 3 (d) are flow charts of steps showing an embodiment of the present invention. Also in this example, the chemical vapor deposition apparatus shown in FIG. 1 was used.
第３図（ａ）は、本発明の前提技術における第２図
（ａ）と同じく、リードフレーム201上にマウントされ
た半導体素子203が、電極204と外部導出線部202とボン
ディングワイヤー205で接続された様子を示した断面図
である。Similar to FIG. 2 (a) in the prerequisite technique of the present invention, FIG. 3 (a) shows that the semiconductor element 203 mounted on the lead frame 201 is connected to the electrode 204, the external lead wire portion 202 and the bonding wire 205. It is sectional drawing which showed the mode that it was done.
初めに第３図（ｂ）に示すように、本発明の前提技術に
おける第２図（ｂ）と同じく、有機シランであるTEOSと
O3の反応によりSiO2膜206を半導体素子203上に形成す
る。First, as shown in FIG. 3 (b), as in FIG. 2 (b) in the prerequisite technique of the present invention, TEOS which is an organic silane and
A SiO 2 film 206 is formed on the semiconductor element 203 by the reaction of O 3 .
次に、第３図（ｃ）に示すように上記SiO2膜206により
被覆された半導体装置を酸素雰囲気に放置し、紫外光照
射を行う。図において、301は紫外光、302は酸素ガス
（O2）、303はヒータである。ここで例えば、１気圧の
酸素ガス雰囲気にSiO2膜206により被覆された半導体装
置を放置し280℃に昇温した後、低圧水銀灯からの紫外
光を照射し、30分間のアニールを行うことにより、上記
SiO2膜206の膜質を著しく向上できる。Next, as shown in FIG. 3C, the semiconductor device covered with the SiO 2 film 206 is left in an oxygen atmosphere and irradiated with ultraviolet light. In the figure, 301 is ultraviolet light, 302 is oxygen gas (O 2 ), and 303 is a heater. Here, for example, after leaving the semiconductor device covered with the SiO 2 film 206 in an oxygen gas atmosphere of 1 atm and raising the temperature to 280 ° C., ultraviolet light from a low pressure mercury lamp is irradiated and annealing is performed for 30 minutes. ,the above
The film quality of the SiO 2 film 206 can be significantly improved.
最後に、第３図（ｄ）に示すように、上記半導体装置を
樹脂封止し、リードフレームを切断・整形し、製品とし
て完成した半導体装置が製造される。ここで、207は封
入樹脂、208は整形された外部導出電極（ピン）であ
る。この図に示されるように、半導体素子203表面およ
び電極204は、紫外光照射下における熱処理により緻密
化されたSiO2膜206により被覆・保護されているため、
封入樹脂207とは直接接してる。その結果、半導体素子2
03および電極204の耐湿性は飛躍的に向上し、信頼性の
優れた半導体装置を得ることが可能となる。Finally, as shown in FIG. 3D, the semiconductor device is resin-sealed, the lead frame is cut and shaped, and a semiconductor device completed as a product is manufactured. Here, 207 is a sealing resin, and 208 is a shaped external lead-out electrode (pin). As shown in this figure, the surface of the semiconductor element 203 and the electrode 204 are covered and protected by the SiO 2 film 206 densified by the heat treatment under the irradiation of ultraviolet light,
It is in direct contact with the encapsulating resin 207. As a result, the semiconductor element 2
The moisture resistance of 03 and the electrode 204 is dramatically improved, and it is possible to obtain a highly reliable semiconductor device.
第４図に、本発明により製造した半導体装置について耐
湿性実験を行った結果を示す。試料としては、（１）ボ
ンディング後にSiO2膜の被覆をせず樹脂封止した従来の
半導体装置、（２）ボンディング後にTEOSとO3の化学気
相成長法によりSiO2膜を被覆し樹脂封止した本発明の本
発明の前提技術で述べた半導体装置、および（３）ボン
ディング後TEOSとO3の化学気相成長法によりSiO2膜を被
覆した後、１気圧のO2雰囲気において紫外線を照射し、
240℃でアニールを30分行い樹脂封止した本発明の第１
の実施例で述べた半導体装置の３種類各々50個ずつにつ
いて調べた。耐湿性試験は、150℃２気圧の水蒸気釜に
試料を入れ不良数を調べるPCT（プレッシャー・ワッカ
ー・テスト）を行った。ボンディング後にSiO2膜の被覆
を行われない従来の半導体装置に対して、ボンディング
後にSiO2膜の被覆を行った本発明による半導体装置は耐
湿性において優れていることが示される。また、ボンデ
ィング後にSiO2膜を被覆した後紫外線を照射しO2雰囲気
にてアニールした本発明による半導体装置は耐温性にお
いてより優れていることが示される。FIG. 4 shows the result of a moisture resistance experiment conducted on the semiconductor device manufactured according to the present invention. As a sample, (1) the conventional semiconductor device sealed with a resin without a coating of SiO 2 film after bonding, (2) coating the SiO 2 film by chemical vapor deposition of TEOS and O 3 after bonding with resin The semiconductor device described in the premise technique of the present invention which has been stopped, and (3) after bonding, the SiO 2 film is coated by the chemical vapor deposition method of TEOS and O 3 , and then ultraviolet rays are emitted in an O 2 atmosphere of 1 atm. Irradiate,
First of the present invention in which resin is sealed by annealing at 240 ° C. for 30 minutes
Each of the three types of semiconductor devices described in the above example was examined by 50 pieces. For the humidity resistance test, a PCT (Pressure Wacker Test) was carried out by placing the sample in a steam pot at 150 ° C and 2 atm to check the number of defects. The conventional semiconductor device is not performed a coating of SiO 2 film after bonding, the semiconductor device according to the invention was coated in SiO 2 film after bonding is shown to be superior in moisture resistance. Further, it is shown that the semiconductor device according to the present invention, which is covered with a SiO 2 film after bonding and then irradiated with ultraviolet rays and annealed in an O 2 atmosphere, is more excellent in temperature resistance.
また、以上の実施例においてはシランとしてTEOS（Si
（OC2H5）４）を用いたが、その代わりにジエルシラン
（C2H5）2SiH2、ヘキサメチルジシランC6H18Si2O、ヘキ
サメチルシクロトリシロキサン（CH3）2SiO3、３−ヒド
ロキシプロピルトリメチルシランC6H16SiO、メチルトリ
エトキシシランCH3Si（OC2H5）３、フェニルトリメトキ
シシランC6H5Si（OCH3）３、テトラブトキシシランSi
（OC4H9）４、テトラブチルシランSi（C4H9）４、テト
ラエチルシランSi（C2H5）４、テトライソプロポキシシ
ランSi（OC3H7）４、1,3,5,7−テトラメチルシクロテト
ラシオキサンC4H16Si4O4、テトラメチルシランSi（C
H3）４、トリエトキシビニルシランC8H18SiO3、トリメ
チルシラン（CH3）3SiH、トリメチルシランC3H10SiO、
トリエトキシシランHSi（OC2H5）３、テトラメトキシシ
ランSi（OCH3）４、テトラフェノキシジシランSi（OC6H
5）４、ジメチルジエチルシラン（CH3）２（C2H5）2S
i、テトラフェニルシラン（C6H5）4Si、トリフェニルメ
チルシラン（C6H5）3CH3Si、ジフェニルジメチルシラン
（C6H5）２（CH3）2Si、フェニルトリメチルシランC6H5
（CH3）3Si、ジメチルシラン（CH3）2SiH2、ジアセトオ
キジターシアリブトキシシラン（CH3COO）２（ｔ−C4H9
O）2Siのいずれか１つあるいは２つ以上の組合せを用い
ても同様の結果が得られた。In the above examples, TEOS (Si
(OC 2 H 5 ) 4 ) was used, but instead of this, diersilane (C 2 H 5 ) 2 SiH 2 , hexamethyldisilane C 6 H 18 Si 2 O, hexamethylcyclotrisiloxane (CH 3 ) 2 SiO 3 , 3-hydroxypropyl trimethyl silane C 6 H 16 SiO, methyltriethoxysilane CH 3 Si (OC 2 H 5 ) 3, phenyltrimethoxysilane C 6 H 5 Si (OCH 3 ) 3, tetrabutoxysilane Si
(OC 4 H 9 ) 4 , tetrabutylsilane Si (C 4 H 9 ) 4 , tetraethylsilane Si (C 2 H 5 ) 4 , tetraisopropoxysilane Si (OC 3 H 7 ) 4 , 1,3,5, 7-tetramethylcyclotetracioxane C 4 H 16 Si 4 O 4 , tetramethylsilane Si (C
H 3 ) 4 , triethoxyvinylsilane C 8 H 18 SiO 3 , trimethylsilane (CH 3 ) 3 SiH, trimethylsilane C 3 H 10 SiO,
Triethoxysilane HSi (OC 2 H 5 ) 3 , Tetramethoxysilane Si (OCH 3 ) 4 , Tetraphenoxydisilane Si (OC 6 H
5 ) 4 , dimethyldiethylsilane (CH 3 ) 2 (C 2 H 5 ) 2 S
i, tetraphenylsilane (C 6 H 5 ) 4 Si, triphenylmethylsilane (C 6 H 5 ) 3 CH 3 Si, diphenyldimethylsilane (C 6 H 5 ) 2 (CH 3 ) 2 Si, phenyltrimethylsilane C 6 H 5
(CH 3 ) 3 Si, dimethylsilane (CH 3 ) 2 SiH 2 , diacetooxyditersialybtoxysilane (CH 3 COO) 2 (t-C 4 H 9
Similar results were obtained using any one or a combination of two or more of O) 2 Si.
以上説明したように本発明は、半導体素子の電極と外部
導出線とを金属導線でホンディングした後に、300℃以
下で有機シランとオゾンとの化学気相成長法により良好
なSiO2膜を被覆することにより、半導体装置の耐湿性を
飛躍的に向上させることができる。As described above, according to the present invention, after bonding the electrode of the semiconductor element and the external lead wire with a metal lead wire, a good SiO 2 film is coated by a chemical vapor deposition method of organic silane and ozone at 300 ° C. or less. By doing so, the moisture resistance of the semiconductor device can be dramatically improved.
また、上記実施例においては、SiO2膜のドーピングガス
として、TMOPのみを示したが、一般にリンやボロンを含
む分子からなるガスおよび液体，固体を用いることが可
能である。具体的には、PH3（ホスフィン）、B2H6（ジ
ボラン）、TMB-ate（トリ・メチル・ボレート）等が挙
げられる。Further, in the above-mentioned embodiments, only TMOP is shown as the doping gas for the SiO 2 film, but in general, it is possible to use a gas, a liquid or a solid which is composed of molecules containing phosphorus or boron. Specific examples include PH 3 (phosphine), B 2 H 6 (diborane), TMB - ate (tri-methyl borate) and the like.
第１図は本発明の前提技術及び実施例において用いられ
る化学気相成長装置の概略図、第２図は本発明の前提技
術の主な工程を示す断面図、第３図は本発明の実施例を
主な工程を示す断面図、第４図は本発明の効果を示すた
めの信頼性試験の結果を示す図である。 101……反応炉、102……試料、103……サセプター、104
……ヒータ、105……反応ガス、106……反応ガス排気
管、107……酸素ガス供給管、108……窒素ガス供給管、
109……バルブ、110……流量計、111……オーブン発生
器、112……エバポレータ、113……エバポレータ、114
……ヒータ、201……リードフレーム外部導出線部、202
……リードフレーム素子マウント部、203……半導体素
子、204……電極、205……ボンディング・ワイヤー、20
6……SiO2膜、207……封入樹脂、301……紫外光、302…
…O2ガス、303……ヒータ。FIG. 1 is a schematic view of a chemical vapor deposition apparatus used in the prerequisite technique and examples of the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing main steps of the prerequisite technique of the present invention, and FIG. 3 is an implementation of the present invention. An example is a cross-sectional view showing the main steps, and FIG. 4 is a view showing the results of a reliability test for showing the effect of the present invention. 101 ... Reactor, 102 ... Sample, 103 ... Susceptor, 104
...... Heater, 105 …… Reaction gas, 106 …… Reaction gas exhaust pipe, 107 …… Oxygen gas supply pipe, 108 …… Nitrogen gas supply pipe,
109 …… Valve, 110 …… Flowmeter, 111 …… Oven generator, 112 …… Evaporator, 113 …… Evaporator, 114
...... Heater, 201 …… Lead frame external lead wire part, 202
...... Lead frame element mount, 203 …… Semiconductor element, 204 …… Electrode, 205 …… Bonding wire, 20
6 ... SiO 2 film, 207 ... Encapsulating resin, 301 ... UV light, 302 ...
… O 2 gas, 303 …… heater.
Claims (1)
化シリコン膜により半導体素子を被覆する被覆工程と、
その後に被覆した前記二酸化シリコン膜を酸素雰囲気中
において紫外光を照射しつつ熱処理する熱処理工程とを
含み、前記熱処理工程において前記二酸化シリコン膜が
緻密化されることを特徴とする半導体装置の製造方法。1. A coating step of coating a semiconductor element with a silicon dioxide film formed of organic silane and ozone,
And a heat treatment step of subjecting the coated silicon dioxide film to heat treatment in an oxygen atmosphere while irradiating with ultraviolet light, wherein the silicon dioxide film is densified in the heat treatment step. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62242113A JPH07120734B2 (en) | 1987-09-25 | 1987-09-25 | Method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62242113A JPH07120734B2 (en) | 1987-09-25 | 1987-09-25 | Method for manufacturing semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6482634A JPS6482634A (en) | 1989-03-28 |
| JPH07120734B2 true JPH07120734B2 (en) | 1995-12-20 |
Family
ID=17084491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62242113A Expired - Lifetime JPH07120734B2 (en) | 1987-09-25 | 1987-09-25 | Method for manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120734B2 (en) |
Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS59111333A (en) * | 1982-12-09 | 1984-06-27 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | Method of forming sio2 by converting sio region into sio2 region |
-
1987
- 1987-09-25 JP JP62242113A patent/JPH07120734B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6482634A (en) | 1989-03-28 |
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