JPH07120319A - 電波シールド性を有する赤外線透過構造体 - Google Patents
電波シールド性を有する赤外線透過構造体Info
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- JPH07120319A JPH07120319A JP5287488A JP28748893A JPH07120319A JP H07120319 A JPH07120319 A JP H07120319A JP 5287488 A JP5287488 A JP 5287488A JP 28748893 A JP28748893 A JP 28748893A JP H07120319 A JPH07120319 A JP H07120319A
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- thin layer
- infrared transmitting
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 優れた赤外線透過性を有すると同時に、赤外
線検出機器のセンサー部や処理部等を電磁波から保護し
て誤動作を防止することのできる、赤外線透過構造体を
提供する。 【構成】 赤外線透過材２の上又はその上に設けた反射
防止膜３の上に、導電性物質の薄層を形成した赤外線透
過構造体１であり、導電性物質の薄層は導電性物質を格
子状に形成した導電性格子状薄層４であるか、又は膜状
に形成した導電性膜状薄層である。
線検出機器のセンサー部や処理部等を電磁波から保護し
て誤動作を防止することのできる、赤外線透過構造体を
提供する。 【構成】 赤外線透過材２の上又はその上に設けた反射
防止膜３の上に、導電性物質の薄層を形成した赤外線透
過構造体１であり、導電性物質の薄層は導電性物質を格
子状に形成した導電性格子状薄層４であるか、又は膜状
に形成した導電性膜状薄層である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、赤外線センサー等の赤
外線検出機器に光学窓等として用いられる赤外線の透過
性に優れた構造体、特に電波シールド性を具えた赤外線
透過構造体に関する。
外線検出機器に光学窓等として用いられる赤外線の透過
性に優れた構造体、特に電波シールド性を具えた赤外線
透過構造体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、物体から放射又は放散される熱に
よる赤外線を検知する各種の赤外線検出機器が発達し、
例えば防犯検知装置等として対象物の位置を確認する赤
外線センサー、暗闇で対象物を見ることの出来る暗視装
置、対象物の温度及び温度分布を測定する温度計等が普
及している。又、最近では、赤外線センサーを利用した
自動車等の衝突防止装置の開発が進められている。
よる赤外線を検知する各種の赤外線検出機器が発達し、
例えば防犯検知装置等として対象物の位置を確認する赤
外線センサー、暗闇で対象物を見ることの出来る暗視装
置、対象物の温度及び温度分布を測定する温度計等が普
及している。又、最近では、赤外線センサーを利用した
自動車等の衝突防止装置の開発が進められている。
【０００３】これらの赤外線検出機器に用いられる光学
窓、レンズ、プリズム等の赤外線透過構造体は、必要な
波長帯の赤外線を透過する材料で作製することが要求さ
れる。かかる赤外線透過材として従来から使用されてい
る材料には、フッ化カルシウム(ＣａＦ2)、フッ化バリ
ウム(ＢａＦ2)、フッ化マグネシウム(ＭｇＦ2)等のフッ
化物のほか、セレン化亜鉛(ＺｎＳｅ)、硫化亜鉛(Ｚｎ
Ｓ)等がある。
窓、レンズ、プリズム等の赤外線透過構造体は、必要な
波長帯の赤外線を透過する材料で作製することが要求さ
れる。かかる赤外線透過材として従来から使用されてい
る材料には、フッ化カルシウム(ＣａＦ2)、フッ化バリ
ウム(ＢａＦ2)、フッ化マグネシウム(ＭｇＦ2)等のフッ
化物のほか、セレン化亜鉛(ＺｎＳｅ)、硫化亜鉛(Ｚｎ
Ｓ)等がある。
【０００４】又、これらの赤外線透過材のなかでも、屈
折率が高い材料は表面反射損失が多いために直線透過率
はそれほど高くなく、例えば厚さ３ｍｍの試料において
ＺｎＳｅで約７０％及びＺｎＳで約７３％程度の直線透
過率が最大である。従って、これらを光学窓等として使
用する場合には、表面にＭｇＦ2等のフッ化物やＳｉＯ
等の酸化物を単層又は複層にコーティングした反射防止
膜を設けることが一般に行われている。
折率が高い材料は表面反射損失が多いために直線透過率
はそれほど高くなく、例えば厚さ３ｍｍの試料において
ＺｎＳｅで約７０％及びＺｎＳで約７３％程度の直線透
過率が最大である。従って、これらを光学窓等として使
用する場合には、表面にＭｇＦ2等のフッ化物やＳｉＯ
等の酸化物を単層又は複層にコーティングした反射防止
膜を設けることが一般に行われている。
【０００５】ところで、最近の赤外線検出機器はセンサ
ー部から処理部に集積回路を多用しているため、電磁波
により誤動作する危険が指摘されている。しかるに、光
学窓等として赤外線検出機器のセンサー部等を保護する
赤外線透過構造体は誘電体物質からなっているため、電
磁波に対しても透過性を有し、センサー部等を電磁波か
ら守ることが困難である。一方、電磁波を透過しない電
波シールド性を具えた赤外線透過構造体も存在するが、
それらは赤外線透過性を持たないものに限られている現
状である。
ー部から処理部に集積回路を多用しているため、電磁波
により誤動作する危険が指摘されている。しかるに、光
学窓等として赤外線検出機器のセンサー部等を保護する
赤外線透過構造体は誘電体物質からなっているため、電
磁波に対しても透過性を有し、センサー部等を電磁波か
ら守ることが困難である。一方、電磁波を透過しない電
波シールド性を具えた赤外線透過構造体も存在するが、
それらは赤外線透過性を持たないものに限られている現
状である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
の事情に鑑み、優れた赤外線透過性を有すると同時に、
赤外線検出機器のセンサー部や処理部等を電磁波から保
護して誤動作を防止することのできる、赤外線透過構造
体を提供することを目的とする。
の事情に鑑み、優れた赤外線透過性を有すると同時に、
赤外線検出機器のセンサー部や処理部等を電磁波から保
護して誤動作を防止することのできる、赤外線透過構造
体を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明が提供する赤外線透過構造体は、赤外線透過
材の上に導電性物質の薄層を具えたことを特徴とする。
尚、導電性物質の薄層とは、通常の平坦な薄い膜状の層
のほか、導電性物質を格子状に設けた場合をも含むもの
である。
め、本発明が提供する赤外線透過構造体は、赤外線透過
材の上に導電性物質の薄層を具えたことを特徴とする。
尚、導電性物質の薄層とは、通常の平坦な薄い膜状の層
のほか、導電性物質を格子状に設けた場合をも含むもの
である。
【０００８】本発明で用いる赤外線透過材は従来から使
用されている材料で良く、例えばフッ化カルシウム(Ｃ
ａＦ2)、フッ化バリウム(ＢａＦ2)、フッ化マグネシウ
ム(ＭｇＦ2)、セレン化亜鉛(ＺｎＳｅ)、硫化亜鉛(Ｚｎ
Ｓ)、酸化イットリウム(Ｙ2Ｏ3)、ＭｇＡｌ2Ｏ3等があ
り、これらはいずれも誘電体である。
用されている材料で良く、例えばフッ化カルシウム(Ｃ
ａＦ2)、フッ化バリウム(ＢａＦ2)、フッ化マグネシウ
ム(ＭｇＦ2)、セレン化亜鉛(ＺｎＳｅ)、硫化亜鉛(Ｚｎ
Ｓ)、酸化イットリウム(Ｙ2Ｏ3)、ＭｇＡｌ2Ｏ3等があ
り、これらはいずれも誘電体である。
【０００９】又、導電性物質としては、金(Ａｕ)、銀
(Ａｇ)、銅(Ｃｕ)、チタン(Ｔｉ)、白金(Ｐｔ)等の金属
からなる良導体が好ましいが、酸化インジウム(Ｉｎ2Ｏ
3)、酸化錫(ＳｎＯ2)、酸化亜鉛(ＺｎＯ)等の半導体的
性質の物質であっても良く、これらに不純物を添加して
導電性を改良したものであっても良い。しかし、本発明
で用いる導電性物質は、薄層とした時に赤外線を十分に
透過する必要があることは当然である。
(Ａｇ)、銅(Ｃｕ)、チタン(Ｔｉ)、白金(Ｐｔ)等の金属
からなる良導体が好ましいが、酸化インジウム(Ｉｎ2Ｏ
3)、酸化錫(ＳｎＯ2)、酸化亜鉛(ＺｎＯ)等の半導体的
性質の物質であっても良く、これらに不純物を添加して
導電性を改良したものであっても良い。しかし、本発明
で用いる導電性物質は、薄層とした時に赤外線を十分に
透過する必要があることは当然である。
【００１０】尚、本発明においても、赤外線透過材は通
常のごとく反射防止膜を具えることができる。反射防止
膜の種類は特に限定されず、従来から用いられている材
料、例えばＬａＦ3、ＭｇＦ2、ＹＦ3、ＣｅＦ3、ＢａＦ
2、ＣａＦ2、Ｎａ3ＡｌＦ3等のフッ化物、ＭｇＯ、Ｙ2
Ｏ3、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の酸化物等を光学理論に従っ
て単層又は複層に形成して用いることができる。
常のごとく反射防止膜を具えることができる。反射防止
膜の種類は特に限定されず、従来から用いられている材
料、例えばＬａＦ3、ＭｇＦ2、ＹＦ3、ＣｅＦ3、ＢａＦ
2、ＣａＦ2、Ｎａ3ＡｌＦ3等のフッ化物、ＭｇＯ、Ｙ2
Ｏ3、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の酸化物等を光学理論に従っ
て単層又は複層に形成して用いることができる。
【００１１】反射防止膜を具える場合、導電性物質の薄
層は赤外線透過材上に設けた反射防止膜の表面に形成す
るか、又は赤外線透過材と反射防止膜との間に形成され
る。その場合、反射防止膜は赤外線透過材の両面に設け
ることが好ましいが、導電性物質の薄層は赤外線透過材
の少なくとも片方の面に設ければ十分である。
層は赤外線透過材上に設けた反射防止膜の表面に形成す
るか、又は赤外線透過材と反射防止膜との間に形成され
る。その場合、反射防止膜は赤外線透過材の両面に設け
ることが好ましいが、導電性物質の薄層は赤外線透過材
の少なくとも片方の面に設ければ十分である。
【００１２】
【作用】本発明の赤外線透過構造体では、赤外線透過性
を有すると同時に電磁波も透過する赤外線透過材の上
に、導電性物質からなる薄膜が設けてあるので、外部か
らの電磁波は導電性物質の薄膜により反射され、赤外線
透過構造体を透過して内部に侵入することがなくなる。
即ち、本発明の赤外線透過構造体は電波シールド性を有
し、赤外線検出機器のセンサー部等を電磁波から保護す
ることができる。
を有すると同時に電磁波も透過する赤外線透過材の上
に、導電性物質からなる薄膜が設けてあるので、外部か
らの電磁波は導電性物質の薄膜により反射され、赤外線
透過構造体を透過して内部に侵入することがなくなる。
即ち、本発明の赤外線透過構造体は電波シールド性を有
し、赤外線検出機器のセンサー部等を電磁波から保護す
ることができる。
【００１３】導電性物質の薄層が厚いほど良好な電波シ
ールド性が得られるが、導電性物質の薄層が厚すぎると
赤外線透過率が低下して光学窓等としての使用に支障を
来すので、導電性物質の薄膜の厚さは赤外線透過材上に
設けた反射防止膜の表面にあるときは０.５μｍ以下で
あり、又赤外線透過材と反射防止膜との間にあるときは
０.０５μｍ以下であることが好ましい。
ールド性が得られるが、導電性物質の薄層が厚すぎると
赤外線透過率が低下して光学窓等としての使用に支障を
来すので、導電性物質の薄膜の厚さは赤外線透過材上に
設けた反射防止膜の表面にあるときは０.５μｍ以下で
あり、又赤外線透過材と反射防止膜との間にあるときは
０.０５μｍ以下であることが好ましい。
【００１４】本発明の赤外線透過構造体の１つの具体例
として図１及び図２に示す構造を挙げることができる。
この赤外線透過構造体１は、赤外線透過材２の両方の表
面上に反射防止膜３を具え、その片方の反射防止膜３の
表面上に導電性物質を格子状に形成した薄層、即ち導電
性格子状薄層４を具えている。
として図１及び図２に示す構造を挙げることができる。
この赤外線透過構造体１は、赤外線透過材２の両方の表
面上に反射防止膜３を具え、その片方の反射防止膜３の
表面上に導電性物質を格子状に形成した薄層、即ち導電
性格子状薄層４を具えている。
【００１５】この赤外線透過構造体１においては、導電
性格子状薄層４による赤外線の反射を最小限にして良好
な赤外線透過率を確保するため、導電性格子状薄層４の
厚さを０.５μｍ以下とする以外に、格子の間隔を１ｍ
ｍ程度以上及び格子の幅を０.２ｍｍ以下にすることが
好ましい。
性格子状薄層４による赤外線の反射を最小限にして良好
な赤外線透過率を確保するため、導電性格子状薄層４の
厚さを０.５μｍ以下とする以外に、格子の間隔を１ｍ
ｍ程度以上及び格子の幅を０.２ｍｍ以下にすることが
好ましい。
【００１６】本発明の赤外線透過構造体の他の具体例と
して、図３に示すように、赤外線透過材２の片方の表面
上に導電性物質を平滑な膜状に形成した薄層、即ち導電
性膜状薄層５を具え、その導電性膜状薄層５の表面上及
び赤外線透過材２の反対側の表面上に反射防止膜３を具
えたものがある。この場合の導電性膜状薄層５の厚さは
０.０５μｍ以下とする。
して、図３に示すように、赤外線透過材２の片方の表面
上に導電性物質を平滑な膜状に形成した薄層、即ち導電
性膜状薄層５を具え、その導電性膜状薄層５の表面上及
び赤外線透過材２の反対側の表面上に反射防止膜３を具
えたものがある。この場合の導電性膜状薄層５の厚さは
０.０５μｍ以下とする。
【００１７】又、導電性物質の薄層の端部を直接接地し
たり、又は導電性物質の薄膜の端部を赤外線透過構造体
を取り付けた金属製基部に機械的に密着させ若しくは導
電性接着剤を用いて接続し、更にその金属製基部を接地
することによって、電波シールド性を確実にすることが
できる。
たり、又は導電性物質の薄膜の端部を赤外線透過構造体
を取り付けた金属製基部に機械的に密着させ若しくは導
電性接着剤を用いて接続し、更にその金属製基部を接地
することによって、電波シールド性を確実にすることが
できる。
【００１８】
【実施例】厚さ３〜６ｍｍのＺｎＳからなるドーム状の
赤外線透過材の内側及び外側表面上に、ＭｇＦ2のよう
なフッ化物又はＭｇＯのような酸化物等からなる複層の
反射防止膜を通常のごとく形成し、次に外側の反射防止
膜の表面上にＡｕをマスクを用いて格子状に蒸着するこ
とによって、図１に示す構造の導電性格子状薄膜を具え
たドーム状の赤外線透過構造体を得た。尚、導電性格子
状薄膜の格子間隔は１ｍｍ及び格子幅は０.２ｍｍと
し、その厚さは０.５０μｍとした。
赤外線透過材の内側及び外側表面上に、ＭｇＦ2のよう
なフッ化物又はＭｇＯのような酸化物等からなる複層の
反射防止膜を通常のごとく形成し、次に外側の反射防止
膜の表面上にＡｕをマスクを用いて格子状に蒸着するこ
とによって、図１に示す構造の導電性格子状薄膜を具え
たドーム状の赤外線透過構造体を得た。尚、導電性格子
状薄膜の格子間隔は１ｍｍ及び格子幅は０.２ｍｍと
し、その厚さは０.５０μｍとした。
【００１９】又、厚さ３〜６ｍｍのＺｎＳからなるドー
ム状の赤外線透過材の外側の表面上に、Ａｕを一様に厚
さ０.０５μｍの膜状に蒸着し、その後この赤外線透過
材の内側の表面上と外側の導電性膜状薄膜の表面上に、
ＭｇＦ2のようなフッ化物又はＭｇＯのような酸化物等
からなる複層の反射防止膜を通常のごとく形成して、図
３に示す構造の導電性膜状薄膜を具えたドーム状の赤外
線透過構造体を製造した。
ム状の赤外線透過材の外側の表面上に、Ａｕを一様に厚
さ０.０５μｍの膜状に蒸着し、その後この赤外線透過
材の内側の表面上と外側の導電性膜状薄膜の表面上に、
ＭｇＦ2のようなフッ化物又はＭｇＯのような酸化物等
からなる複層の反射防止膜を通常のごとく形成して、図
３に示す構造の導電性膜状薄膜を具えたドーム状の赤外
線透過構造体を製造した。
【００２０】得られた両方の赤外線透過構造体を評価し
たところ、波長３〜５μｍの赤外域における赤外線透過
率は、図１の赤外線透過構造体が及び図３の赤外線透過
構造体共に８０％以上であった。又、電磁波の減衰率
は、図１の赤外線透過構造体が２０ｄＢ以上及び図３の
赤外線透過構造体が１０ｄＢ以上であった。
たところ、波長３〜５μｍの赤外域における赤外線透過
率は、図１の赤外線透過構造体が及び図３の赤外線透過
構造体共に８０％以上であった。又、電磁波の減衰率
は、図１の赤外線透過構造体が２０ｄＢ以上及び図３の
赤外線透過構造体が１０ｄＢ以上であった。
【００２１】次に、図４に示すごとく、各赤外線透過構
造体１を導電性接着剤６を用いて金属製基部７に接続固
定し、この金属製基部７を接地して赤外線センサー保護
用のドームとして使用した。実際に周囲に電磁波を発生
させてセンサー部や処理部等に与える影響を調べたとこ
ろ、全く誤動作を生じることがなかった。
造体１を導電性接着剤６を用いて金属製基部７に接続固
定し、この金属製基部７を接地して赤外線センサー保護
用のドームとして使用した。実際に周囲に電磁波を発生
させてセンサー部や処理部等に与える影響を調べたとこ
ろ、全く誤動作を生じることがなかった。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、優れた赤外線透過性を
有すると同時に電波シールド性を具えた赤外線透過構造
体を提供することができる。従って、この赤外線透過構
造体を光学窓等として用いることにより、赤外線検出機
器のセンサー部や処理部等を電磁波から保護して誤動作
を防止することが可能である。
有すると同時に電波シールド性を具えた赤外線透過構造
体を提供することができる。従って、この赤外線透過構
造体を光学窓等として用いることにより、赤外線検出機
器のセンサー部や処理部等を電磁波から保護して誤動作
を防止することが可能である。
【００２３】よって、本発明の赤外線透過構造体は、電
波環境下にさらされる飛行体等の赤外線検出機器用の光
学窓やドーム等として有用である。又、自動車や船舶等
の衝突防止装置又は形状認識装置等においても、電波妨
害対策が必要であるため、本発明の赤外線透過構造体を
搭載することが有効である。
波環境下にさらされる飛行体等の赤外線検出機器用の光
学窓やドーム等として有用である。又、自動車や船舶等
の衝突防止装置又は形状認識装置等においても、電波妨
害対策が必要であるため、本発明の赤外線透過構造体を
搭載することが有効である。
【図１】格子状に形成した導電性物質の薄層を有する本
発明の赤外線透過構造体の一具体例を示す要部の概略断
面図である。
発明の赤外線透過構造体の一具体例を示す要部の概略断
面図である。
【図２】格子状に形成した導電性物質の薄層を有する本
発明の赤外線透過構造体の一具体例を示す全体の概略平
面図である。
発明の赤外線透過構造体の一具体例を示す全体の概略平
面図である。
【図３】膜状に形成した導電性物質の薄層を有する本発
明の赤外線透過構造体の一具体例を示す要部の概略断面
図である。
明の赤外線透過構造体の一具体例を示す要部の概略断面
図である。
【図４】本発明の赤外線透過構造体を金属製基部に取り
付けて接地した赤外線検出機器用ドームの一部を切り欠
いた概略側面図である。
付けて接地した赤外線検出機器用ドームの一部を切り欠
いた概略側面図である。
１ 赤外線透過構造体 ２ 赤外線透過材 ３ 反射防止膜 ４ 導電性格子状薄層 ５ 導電性膜状薄層 ６ 導電性接着剤 ７ 金属製基部
Claims (4)
- 【請求項１】 赤外線透過材の上に導電性物質の薄層を
具えたことを特徴とする、電波シールド性を有する赤外
線透過構造体。 - 【請求項２】 導電性物質の薄層が、赤外線透過材上に
設けた反射防止膜の表面か、又は赤外線透過材と反射防
止膜との間に形成されていることを特徴とする、請求項
１に記載の電波シールド性を有する赤外線透過構造体。 - 【請求項３】 導電性物質の薄層の厚さが、赤外線透過
材上に設けた反射防止膜の表面にあるときは０.５μｍ
以下であり、又赤外線透過材と反射防止膜との間にある
ときは０.０５μｍ以下であることを特徴とする、請求
項１又は２に記載の電波シールド性を有する赤外線透過
構造体。 - 【請求項４】 導電性物質の薄層の端部を接地したこと
を特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の電波シ
ールド性を有する赤外線透過構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5287488A JPH07120319A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 電波シールド性を有する赤外線透過構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5287488A JPH07120319A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 電波シールド性を有する赤外線透過構造体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07120319A true JPH07120319A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17717996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5287488A Pending JPH07120319A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 電波シールド性を有する赤外線透過構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120319A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11337702A (ja) * | 1998-05-21 | 1999-12-10 | Kyodo Printing Co Ltd | 電磁波シールド付き光学フィルタ |
| JP2000058884A (ja) * | 1998-06-05 | 2000-02-25 | Fujitsu Ltd | 赤外線検出器 |
| JP2001512578A (ja) * | 1996-12-05 | 2001-08-21 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド | ガラス上のマトリクス成形不透明低反射被膜 |
| JP2003004942A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-08 | Hashimoto Forming Ind Co Ltd | 赤外線センサーカバー及びこれを用いた赤外線センサーユニット |
| JP2016505876A (ja) * | 2012-11-26 | 2016-02-25 | セレックス・イーエス・リミテッドＳｅｌｅｘ ＥＳ Ｌｔｄ | 保護用のハウジング |
| JP2019036732A (ja) * | 2017-08-18 | 2019-03-07 | グッドリッチ コーポレイション | Ｍｗｉｒ／ｌｗｉｒ透明伝導性コーティング |
| JP2019219690A (ja) * | 2016-08-24 | 2019-12-26 | 豊田合成株式会社 | 近赤外線センサ用カバー |
-
1993
- 1993-10-22 JP JP5287488A patent/JPH07120319A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001512578A (ja) * | 1996-12-05 | 2001-08-21 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド | ガラス上のマトリクス成形不透明低反射被膜 |
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| JP2016505876A (ja) * | 2012-11-26 | 2016-02-25 | セレックス・イーエス・リミテッドＳｅｌｅｘ ＥＳ Ｌｔｄ | 保護用のハウジング |
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