JPH07120309A

JPH07120309A - カメラの測光装置

Info

Publication number: JPH07120309A
Application number: JP5267147A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Iwasaki; 宏之岩崎
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1993-10-26
Filing date: 1993-10-26
Publication date: 1995-05-12

Abstract

(57)【要約】【目的】被写体からの光束の透過率を部分的に減少さ
せることにより、受光手段の受光領域のうち受光量が所
定値以上である領域への光量を制限する。【構成】液晶表示装置から成る減光部３と、ＣＣＤ受
光素子から成る受光部２と、ＣＰＵ１とを備えるカメラ
の測光装置に適用され、液晶表示装置のすべての液晶画
素を全透過させた状態で被写体光を受光し、受光量が所
定値以上である領域の液晶画素の透過率を減少させ、受
光量が所定値より小さい基準値以下である領域の透過率
を増加させて、再度被写体光を受光する。これにより、
被写界の一部に輝度の極端に高い部分があっても、受光
部２の出力がＣＣＤ受光素子の飽和電圧を越えなくな
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、被写界を複数の測光領
域に分割して測光し、各測光領域の明るさに関する情報
から露出値を演算するカメラの測光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のカメラの測光装置として、例えば
図１２に示すようなものがある。図１２は主にビデオカ
メラ等に用いられる測光装置であり、被写体からの光束
を集光する撮影レンズ１０１と、複数の異なる開口部を
有する円盤状の絞り部材１０２と、絞り部材１０２を通
過した光束を受光する受光部１０３とからなる。図１２
の測光装置では、被写体の明るさに応じて円盤状の絞り
部材１０２を回転させ、所定の開口部を光軸上に移動さ
せる。開口部を通過した光束は受光部１０３上に結像さ
れる。また、被写界を分割測光するカメラの測光装置が
知られている（例えば本出願人による特開平４−２５１
２３０号公報参照）。この種の分割測光を行うカメラの
測光装置では、撮影画面を中央部と複数の周辺部とに分
割して測光し、主要被写体とその周囲との輝度分布に基
づいて、所定のアルゴリズムにより最適な露出値を算出
する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、被写界
の輝度変化が大きい場合、すなわち図１０（ａ）に示す
ように、被写界中に太陽等の輝度の高い箇所が部分的に
存在する場合に分割測光を行うと、受光素子の性質上、
被写界中の輝度の高い箇所の影響を強く受けるという問
題がある。このため、実質的には明るい被写体だけを測
光しているのと同じ結果になり、いくら絞りを絞っても
被写界全体の明るさを変えることしかできず、被写界中
の輝度分布を変えることはできない。したがって、図１
０（ａ）に示すように、太陽の手前に人物がいるような
配置で測光を行うと、主要被写体である人物の測光が不
可能になる。また、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）
受光素子等の電荷蓄積型の受光素子を用いて測光を行う
場合、受光素子自体に測光上限があるため、高輝度領域
の測光が正確に行なえないという問題がある。

【０００４】本発明の目的は、被写体からの光束の透過
率を部分的に減少させることにより、受光手段の受光領
域のうち受光量が所定値以上である領域への光量を制限
するようにしたカメラの測光装置を提供することにあ
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】実施例を示す図１に対応
づけて本発明を説明すると、本発明は、被写体からの光
束を受光し、受光量に応じた光電変換信号を出力する受
光手段２を有するカメラの測光装置に適用され、被写体
からの光束の透過率を部分的に減少させて受光手段２へ
入射する光量を制限する減光手段３と、受光手段２の受
光領域のうち受光量が所定値以上である領域への光量を
制限するように減光手段３を制御する制御手段１と、を
備えることにより上記目的は達成される。請求項２に記
載の発明は、請求項１に記載のカメラの測光装置におい
て、受光手段２を、複数領域に分割された複数の受光部
を有するように構成し、減光手段３を、各受光部にそれ
ぞれ対応する複数の減光部を有するように構成するもの
である。請求項３に記載の発明は、請求項２に記載のカ
メラの測光装置において、レリーズスイッチの半押し時
に繰り返し測光を行うようにし、制御手段１により、先
の測光で透過率が減少された受光領域の透過率を、その
受光領域の今回の受光量が所定値より小さい基準値以下
になったときに増加するように制御するものである。

【０００６】請求項４に記載の発明は、請求項１に記載
されたカメラの測光装置において、減光手段３を、受光
領域の一部の領域に対応して設置するものである。請求
項５に記載の発明は、請求項１に記載されたカメラの測
光装置において、受光手段２を、複数領域に分割された
複数の受光部を有するように構成し、減光手段３を、複
数の受光部のうち少なくとも２つ以上の受光部が占める
領域に対応する減光部を複数有するように構成するもの
である。請求項６に記載の発明は、請求項１に記載され
たカメラの測光装置において、減光手段３を、複数領域
に分割された複数の減光部を有するように構成し、受光
手段２を、複数の減光部のうち少なくとも２つ以上の減
光部が占める領域に対応する受光部を複数有するように
構成するものである。請求項７に記載の発明は、請求項
１〜６のいずれかに記載されたカメラの測光装置におい
て、受光手段２を、電荷蓄積型光電変換素子をマトリク
ス状に配置して構成したものである。

【０００７】

【作用】請求項１に記載の発明では、受光手段２の受光
領域のうち受光量が所定値以上である領域について、制
御手段１は減光手段３に対して被写体からの光束の透過
率を部分的に減少させる。これにより、受光手段２に入
射される光量が部分的に制限される。請求項２に記載の
発明では、複数の受光部のうち所定量以上の受光量の受
光部は、それらの受光部にそれぞれ対応する複数の減光
部により減光される。請求項３に記載の発明では、制御
手段１によって繰り返し行われる作用により、受光領域
の受光量が所定値以上であれば減光手段３の透過率が減
少され、受光量が所定値より小さい基準値以下になると
透過率が増加される。請求項４に記載の発明では、減光
手段３は受光領域の一部に対応して設置されているた
め、受光手段２には減光手段３を透過した光束と透過し
ない光束とが入射される。請求項５に記載の発明では、
１つの減光部を透過した光束は少なくとも２つ以上の受
光部に入射される。請求項６に記載の発明では、すくな
くとも２つ以上の減光部を透過した光束は１つの受光部
に入射される。

【０００８】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段と作用の項では、本発明を分かり易
くするために実施例の図を用いたが、これにより本発明
が実施例に限定されるものではない。

【０００９】

【実施例】図１は本発明によるカメラの測光装置の一実
施例のブロック図である。図１において、１は後述する
カメラの測光制御を含めてカメラ内のすべての処理を行
うＣＰＵである。２はＣＰＵ１からの指示に応じて被写
界の測光を行う受光部である。この受光部２は、図２に
示すように、横２０個、縦１２個の２４０領域に均等に
分割されており、各領域にはそれぞれ、不図示のＣＣＤ
受光素子が設けられる。ＣＣＤ受光素子では、光電変
換、電荷蓄積および電荷の転送が行われ、ＣＣＤ受光素
子からの出力は、不図示のＡ／Ｄ変換器でデジタル値に
変換された後、ＣＰＵ１に送出される。図２では、受光
部の左下隅のＣＣＤ受光素子の座標を（１，１）、右上
隅の座標を（２０，１２）としている。

【００１０】図１に戻って、３は被写界中の高輝度部分
の輝度を減少させる減光部であり、不図示の被写体と受
光部２との間の受光部２の近傍に配置される。この減光
部３は、図３に示すように、受光部２の２４０領域のそ
れぞれに対応して分割されており、後述するように、２
４０画素のＴＦＴ型（Thin Film Transistor；薄膜トラ
ンジスタ）の液晶表示装置によって構成される。以下、
液晶表示装置の各領域を液晶画素と呼ぶ。各液晶画素を
透過した光束は、各液晶画素に対応する各ＣＣＤ受光素
子にそれぞれ入射される。各液晶画素には、それぞれ異
なる電圧を印加することができ、これにより、各液晶画
素ごとに光束の透過率が変化する。

【００１１】液晶表示装置の動作方式には、液晶の旋光
性を利用するツイステッドネマティック方式（以下、Ｔ
Ｎ方式と呼ぶ）や２色性の色素を液晶に混入して配向さ
せるゲストホスト方式（以下、ＧＳ方式と呼ぶ）等があ
る。図４（ａ），（ｂ）は、ＴＮ方式とＧＳ方式にお
いて、液晶に印加する電圧と液晶の透過率との関係を示
す図である。図示のように、いずれの方式も液晶に印加
する電圧を変化させることで液晶の透過率が変化する。
またＴＮ方式の方がＧＳ方式よりも光の透過率の変化幅
が大きく、高いコントラストが得られる。

【００１２】図５（ａ）は、ＴＮ方式を用いて液晶をア
クティブマトリクス駆動させるＴＦＴ型の液晶表示装置
の構造を示す図である。２枚の偏向板１１Ａ，１１Ｂ
は、偏向方向が互いに９０°異なっており、その間に２
枚のガラス基板１２Ａ，１２Ｂに挟まれた液晶層１３が
設けられる。ガラス基板１２Ｂは、複数の領域（液晶画
素）に分割されており、各液晶画素にはそれぞれＴＦＴ
と容量が配設されている。図５（ｂ）はガラス基板１２
Ｂ上の液晶画素の等価回路である。走査線に対応するゲ
ート線Ｇに電圧を印加すると、そのゲート線Ｇに接続さ
れているＴＦＴがすべてオンする。その状態で、データ
線Ｄを介してデータを入力すると、図示のＴＦＴに接続
されている容量Ｃに、そのデータが電荷の形で蓄積され
る。液晶の抵抗は十分高いため、その後ＴＦＴをオフし
ても、蓄積されたデータは保持される。このようなＴＦ
Ｔ方式の液晶表示装置では、液晶画素ごとに設けられた
ＴＦＴをそれぞれ電圧駆動するため、高いコントラスト
が得られるとともに、クロストーク（隣接画素間の影
響）を抑えることができる。

【００１３】図１に戻って、４は開放絞り値や射出瞳位
置等のカメラに装着されたレンズの各種情報が格納され
ているレンズ内ＲＯＭである。ＣＰＵ１はこのレンズ内
ＲＯＭ４に格納されているデータと受光部１での受光量
とに基づいて、所定のアルゴリズムに基づいて露出演算
を行い、その演算結果に基づいて絞り５の絞り量とシャ
ッタ６のシャッタ速度を決定する。

【００１４】図６は図１に示す測光装置の被写体光束の
光路を示すカメラの断面図である。不図示の被写体から
の光束は、撮影レンズ２１を通過してクイックリターン
ミラー２２で上方に反射され、拡散スクリーン２３上に
結像する。拡散スクリーン２３上の被写体像はコンデン
サレンズ２４を介してペンタプリズム２５へ導かれ、そ
の一部が接眼レンズ２６を通過して撮影者の目に入射さ
れ、他の一部は測光用プリズム２７で上方に反射されて
測光用レンズ２８を介して減光部３の液晶表示装置に入
射される。液晶表示装置では、入射された光束が部分的
に減衰され、受光部２の各ＣＣＤ受光素子に入射され
る。各ＣＣＤ受光素子からの受光信号はデジタル信号に
変換された後、図１に示すＣＰＵ１に入力されて以下の
処理が行われる。

【００１５】図７は図１に示すＣＰＵ１の動作を示すメ
インフローチャートであり、不図示のレリーズスイッチ
が半押しされるとカメラの不図示の電源が投入され、Ｃ
ＰＵ１はこのフローチャートの処理を開始する。ステッ
プＳ１では、レリーズスイッチが半押しされてからの経
過時間を測定するため、タイマをスタートさせる。ステ
ップＳ２では、後述する図８の処理によって、受光部２
で被写体光を受光する時間（以下、蓄積時間と呼ぶ）を
各ＣＣＤ受光素子ごとに設定する。

【００１６】ＣＣＤ受光素子の出力電圧Ｖ、感度Ｓ、Ｃ
ＣＤ受光素子上の照度Ｌおよび蓄積時間ｔとの関係は
（１）式で示される。

【数１】Ｖ＝Ｓ×Ｌ×ｔ・・・（１）（１）式に示すように、照度Ｌが大きいほど、または蓄
積時間ｔが長いほど出力電圧Ｖは大きくなるため、照度
Ｌに応じて蓄積時間ｔを変えることにより、各ＣＣＤ受
光素子の出力電圧Ｖを所定範囲内に収めることができ
る。一般に、ＣＣＤ受光素子の標準的な感度は約１０Ｖ
／Ｌｘ・Ｓ、ＣＣＤ受光素子の飽和電圧（測光上限電
圧）は２Ｖ、雑音レベル（受光素子や測光回路等が発生
する雑音の合計値；測光下限電圧）は１６ｍＶであるた
め、蓄積時間を１ｍｓとすると、受光部２で受光できる
被写体の輝度範囲は約１．６〜２００Ｌｘとなる。この
値を輝度値に換算すると約２．３〜９．３ＢＶとなり、
日中屋外の輝度範囲をほぼカバーできる。しかし、被写
界中に太陽等の輝度の極端に高い箇所がある場合、その
箇所では受光素子の出力電圧Ｖが飽和電圧に達してしま
い、正確な輝度値が算出できない。したがって、そのよ
うな場合には、後述するように（１）式に基づいて蓄積
時間ｔを小さくして、出力電圧Ｖが飽和電圧を越えない
ようにする。

【００１７】ステップＳ３では、後述する図９の処理に
よって、減光部３の液晶表示装置の透過率を液晶画素ご
とに設定する。例えば図１０（ａ）に示すように、太陽
の手前に人物がいるような配置で撮影を行う場合には、
図１０（ｂ）に示すように、太陽からの光束を受光する
領域に対応する液晶画素の透過率を減少させる。ステッ
プＳ４では、ステップＳ２，Ｓ３の条件の下で測光を行
い、ＣＣＤ受光素子からの受光信号を取得する。ステッ
プＳ５では、後述する図１１の処理によって、各受光素
子ごとに輝度値の算出を行う。ステップＳ６では、周知
のアルゴリズムに基づいて適正露出値を演算する。ステ
ップＳ７では、レリーズスイッチが全押しされたか否か
を判定する。判定が肯定されるとステップＳ８に移行
し、ステップＳ６で演算された露出値に基づいて絞り量
およびシャッタ速度を制御して撮影を行い、処理を終了
する。ステップＳ７で判定が否定されるとステップＳ９
に移行し、タイマ計測時間が所定時間を経過したか否か
を判定する。判定が肯定されると処理を終了し、判定が
否定されるとステップＳ２に戻って上記の測光を繰り返
す。

【００１８】このように、本実施例では、レリーズスイ
ッチが半押しの間は上記測光を繰り返し行うようにした
ため、信頼性の高い測光結果が得られる。

【００１９】図８はメインフローチャートのステップＳ
２で行う、ＣＣＤ受光素子の蓄積時間の設定処理を示す
フローチャートである。ステップＳ２１では、レリーズ
スイッチが半押しされた後の最初の処理か否かを判定す
る。最初の処理の場合、前回の測光データと比較して蓄
積時間を設定することができないため、ステップＳ２２
に移行して、標準的な蓄積時間である１ｍＳを蓄積時間
ｔとして選択してリターンする。最初の処理でないと判
定されるとステップＳ２３に移行し、前回測光した全デ
ータ（図２に示す２４０領域のすべて）の中から、液晶
画素を全透過させた（透過率を最大にした）状態で測光
した領域を選択し、その中で受光素子の出力電圧が最も
小さい値ＶFminを検出する。

【００２０】ステップＳ２４では、ＶFminが１６ｍＶ未
満か、すなわち雑音レベルより小さいか否かを判定す
る。受光素子の出力電圧が雑音レベルより小さいと、雑
音との区別ができなくなるため、その場合にはステップ
Ｓ２５に移行し、蓄積時間ｔを現在の蓄積時間ｔpreの
４倍、すなわち２ＥＶ分露出量を増やしてリターンす
る。これにより、例えば現在の受光素子の出力電圧の最
小値ＶFminが４ｍＶしかなくても、次回は雑音レベル以
上の電圧値にすることができる。ステップＳ２４で判定
が否定されるとステップＳ２６に移行し、被写界中の最
低輝度に対応する受光素子の出力電圧ＶFminが約２０ｍ
Ｖとなるように、（２）式に従って蓄積時間ｔを算出す
る。

【数２】ｔ＝ｔpre×２０／ＶFmin ・・・（２）前述したように、受光素子の雑音レベルは一般に１６ｍ
Ｖ未満であるため、受光素子の出力電圧が１６ｍＶ以上
であれば測光できるはずであるが、受光素子自体のばら
つき等を考慮して、余裕を見て最低電圧が２０ｍＶとな
るように、（２）式にしたがって蓄積時間ｔを設定す
る。

【００２１】図８のフローチャートによれば、最低電圧
ＶFminが１６ｍＶ未満の場合には、ステップＳ２５の処
理によって蓄積時間ｔを大きくするため、被写界中の最
低輝度部分も正確に測光を行えるようになる。また、ス
テップＳ２６では、被写界中の最低輝度部分の出力電圧
値が２０ｍＶとなるように蓄積時間ｔを設定するため、
測光上限電圧と測光下限電圧との電圧差（ダイナミック
レンジ）を広げることができ、測光精度が高くなる。

【００２２】図９は、メインフローチャートのステップ
Ｓ３で行う、減光部３に対する透過率設定処理を示すフ
ローチャートである。ステップＳ４１では、レリーズス
イッチが半押しされた後の最初の処理か否かを判定す
る。最初の処理の場合、前回の測光データと比較して減
光制御を行うことができないため、ステップＳ４２に移
行して、図５に示すＴＦＴ型の液晶表示装置内のすべて
の液晶画素をオフ状態、すなわち全透過させる。ステッ
プＳ４３では、すべての測光領域（測光領域の横方向位
置を示す変数をｉ、縦方向位置を示す変数をｊとする）
について、フラグＦ（ｉ，ｊ）を「０」にしてリターン
する。このフラグＦ（ｉ，ｊ）は、測光領域（ｉ，ｊ）
の液晶画素（以下、液晶画素（ｉ，ｊ）と呼ぶ）の透過
率を減少させるか否かを示すフラグであり、このフラグ
が「１」の場合は液晶画素の透過率を減少させ、「０」
の場合は液晶を全透過させることを示す。

【００２３】ステップＳ４１で最初の処理でないと判定
されるとステップＳ４４に移行し、変数ｉ，ｊをともに
１にする。ステップＳ４５では、測光領域（ｉ，ｊ）に
おけるＣＣＤ受光素子の出力電圧Ｖ（ｉ，ｊ）が１．８
Ｖを越えているか否かを判定する。受光素子に飽和電圧
を越えるような明るさの光が入射されると、出力電圧Ｖ
はすべて飽和電圧値になってしまい、正確な測光ができ
ない。そこで、出力電圧が２Ｖに近い１．８Ｖを越えた
と判定されるとステップＳ４６に移行し、フラグＦ
（ｉ，ｊ）を「１」に設定する。ステップＳ４７では、
液晶画素（ｉ，ｊ）をオン状態にして液晶画素（ｉ，
ｊ）の透過率を減少させ、ステップＳ５１に移行する。
この場合、ＣＣＤ受光素子の出力電圧Ｖ（ｉ，ｊ）が１
／１６倍になるように、液晶画素（ｉ，ｊ）の透過率を
減少させる。

【００２４】これにより、本来ならＣＣＤ受光素子の出
力電圧が４Ｖとなるような明るさの光束が入射された場
合、液晶画素の透過率を減少させて、光の強度を１／１
６倍、すなわち露出量を４ＥＶ分小さくして受光する。
したがって、受光素子の出力電圧は４÷１６＝２５０ｍ
Ｖ程度に減少し、問題なく測光を行えるようになる。ス
テップＳ４５において、１．８Ｖを越えていないと判定
されるとステップＳ４８に移行し、出力電圧Ｖ（ｉ，
ｊ）が６４ｍＶより小さいか否かを判定する。６４ｍＶ
より小さいと判定されるとステップＳ４９に移行し、フ
ラグＦ（ｉ，ｊ）を０とする。このように、フラグＦ
（ｉ，ｊ）をいったん「１」に設定した後は、出力電圧
Ｖ（ｉ，ｊ）が６４ｍＶより小さくなるまで、フラグ値
を変化させないようにするため、フラグ値が頻繁に切り
替わることがなく、測光結果が安定する。すなわち、フ
ラグが「１」になるような明るさの光束が入射される
と、光の強度は１／１６倍に減衰するが、それによりフ
ラグが「０」に変化することはない。

【００２５】ステップＳ５０では、液晶画素（ｉ，ｊ）
をオフ状態にしてステップＳ５１に移行する。これによ
り、液晶画素（ｉ，ｊ）は全透過されるため、測光領域
（ｉ，ｊ）の出力電圧Ｖ（ｉ，ｊ）を大きくすることが
できる。例えば、フラグＦ（ｉ，ｊ）が「１」のときの
出力電圧Ｖ（ｉ，ｊ）が６３ｍＶの場合、ステップＳ５
０の処理によって出力電圧Ｖ（ｉ，ｊ）は６３×１６＝
約１Ｖに増大するが、これによって測光上限を越えるこ
とはない。ステップＳ４８で判定が否定されるとステッ
プＳ５１に移行し、変数ｉを１加算し、ステップＳ５２
では変数ｉが２０を越えたか否かを判定する。判定が否
定されるとステップＳ４５に戻り、判定が肯定されると
ステップＳ５３に移行する。ステップＳ５３では変数ｉ
を１に設定し、ステップＳ５４では変数ｊを１加算す
る。ステップＳ５５では、変数ｊが１２を越えたか否か
を判定し、判定が否定されるとステップＳ４５に戻り、
判定が肯定されるとリターンする。

【００２６】このように、図９のフローチャートでは、
出力電圧が飽和電圧に近い値またはそれ以上になると、
フラグを「１」にして液晶画素の透過率を減少させるた
め、被写界中に輝度の高い箇所があっても、ＣＣＤ受光
素子の出力電圧が飽和電圧を越えることがなく、正確な
測光が行える。また、液晶画素の透過率の変化によって
フラグの値が変化しないようにしたため、安定した測光
結果が得られる。

【００２７】図１１は、メインフローチャートのステッ
プＳ５で行う、輝度値の算出処理を示すフローチャート
である。ステップＳ６１では、測光領域を指定する変数
ｉ，ｊをともに１に初期設定する。ステップＳ６２で
は、フラグＦ（ｉ，ｊ）が「１」か否かを判定する。
「１」でない、すなわち液晶画素（ｉ，ｊ）が全透過状
態であると判定されるとステップＳ６３に移行し、変数
ｆ１を１にしてステップＳ６５に移行する。この変数ｆ
１は液晶画素の透過率に応じて変化する値である。ステ
ップＳ６２で「１」と判定されるとステップＳ６４に移
行し、変数ｆ１を１６に設定してステップＳ６５に移行
する。ステップＳ６５では、レンズ内ＲＯＭ４からの開
放絞り値、射出瞳位置等のデータに基づいて、測光領域
（ｉ，ｊ）の補正係数ｋ（ｉ，ｊ）を算出する。

【００２８】ステップＳ６６では、（４）式に基づいて
輝度値ＢＶ（ｉ，ｊ）を算出する。

【数３】ＢＶ（ｉ，ｊ）＝ｌｏｇ｛Ｖ（ｉ，ｊ）×ｆ１×ｋ（ｉ，ｊ）／ｔ｝／ｌｏｇ２・・・（４）ステップＳ６７では、変数ｉを１加算し、ステップＳ６
８では、変数ｉが２０を越えたか否かを判定する。判定
が否定されるとステップＳ６２に戻り、判定が肯定され
るとステップＳ６９に移行して変数ｉを１にし、ステッ
プＳ７０では変数ｊを１加算する。ステップＳ７１で
は、変数ｊが１２を越えたか否かを判定し、判定が否定
されるとステップＳ６２に移行し、１２を越えたと判定
されるとリターンする。

【００２９】図１１のフローチャートでは、輝度値を算
出する際に、液晶画素の透過率を減少させて受光した領
域については、その分を変数ｆ１で補正して輝度値を算
出するようにしたため、受光素子が実際に受光した受光
量にかかわらず、実際の被写体の輝度分布に応じた輝度
値を算出できる。

【００３０】上記実施例では、液晶表示装置の透過率を
２段階に切り替えているが、透過率を多段階に切り替え
るようにしてもよい。その場合には、図４に示す液晶の
透過率特性に合わせて、液晶に印加する電圧、フラグ値
および変数ｆ１の値を複数種類用意すればよい。上記実
施例では、減光部３にＴＦＴ型の液晶表示装置を用いた
が、本発明は種々の方式の液晶表示装置を適用できる。
また、複数の液晶パネルを重ねた液晶表示装置を用い、
それぞれのパネルに印加する電圧を変えることで透過率
を変えてもよい。上記実施例では、受光素子として電荷
蓄積型の受光素子であるＣＣＤ受光素子を用いたが、電
荷を蓄積させずに光電変換によって受光素子に流れる電
流を直接検出して測光を行ってもよい。電荷蓄積型でな
い受光素子（例えば、ＳＰＤ：シリコンフォトダイオー
ド等）を用いて測光を行うと、受光素子から出力される
電流は被写体輝度によって大きく変化するため、従来は
対数圧縮処理が必要であったが、減光部３で光束を減衰
させることで、対数圧縮処理が不要となる。

【００３１】上記実施例の受光領域と減光領域はそれぞ
れ１対１に対応しているが、例えば１つの受光領域に２
つの減光領域を対応させ、その逆に２つの受光領域に１
つの減光領域を対応させる等、受光領域と減光領域との
対応関係が１対１でなくてもよい。また、受光領域の一
部だけ、例えば被写界の天側だけに減光領域を設けても
よい。上記実施例では、減光部３に液晶表示装置を用い
ているが、光束の透過率を変更できる装置であれば液晶
表示装置に限定されず、例えばエレクトロクロミック装
置等を用いてもよい。

【００３２】このように構成した実施例にあっては、受
光部２が受光手段に、減光部３が減光手段に、ＣＰＵ１
が制御手段に、それぞれ対応する。

【００３３】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、減光手段によって被写体からの光束の透過率を部
分的に減少させるため、受光領域中に輝度の高い領域が
あっても、正確な測光が行える。請求項２に記載の発明
によれば、減光手段を複数の受光部にそれぞれ対応して
設けたため、分割測光時に光束の透過率を部分的に減少
できる。請求項３に記載の発明によれば、受光領域の受
光量が所定値以上であれば減光手段の透過率を減少さ
せ、受光量が所定値より小さい基準値以下になると透過
率を増加させる処理を、レリーズスイッチの半押し時に
繰り返し行うようにしたため、信頼性の高い測光が行え
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるカメラの測光装置の一実施例のブ
ロック図である。

【図２】受光部の受光領域の詳細を示す図である。

【図３】減光部の減光領域の詳細を示す図である。

【図４】液晶に印加する電圧と液晶の透過率との関係を
示す図である。

【図５】ＴＦＴ型の液晶表示装置の構造を示す図であ
る。

【図６】カメラの測光装置の被写体光束の光路を示す図
である。

【図７】ＣＰＵの動作を示すメインフローチャートであ
る。

【図８】ＣＣＤ受光素子の蓄積時間の設定処理を示すフ
ローチャートである。

【図９】減光部に対する透過率設定処理を示すフローチ
ャートである。

【図１０】被写界の一部に輝度の高い箇所がある例を示
す図である。

【図１１】輝度値算出処理を示すフローチャートであ
る。

【図１２】従来のカメラの測光装置の概略構成図であ
る。

【符号の説明】

１ＣＰＵ２受光部３減光部４レンズ内ＲＯＭ５絞り６シャッタ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被写体からの光束を受光し、受光量に応
じた光電変換信号を出力する受光手段を有するカメラの
測光装置において、前記被写体からの光束の透過率を部分的に減少させて前
記受光手段へ入射する光量を制限する減光手段と、前記受光手段の受光領域のうち受光量が所定値以上であ
る領域への光量を制限するように前記減光手段を制御す
る制御手段と、を備えたことを特徴とするカメラの測光
装置。
【請求項２】請求項１に記載されたカメラの測光装置
において、前記受光手段は、複数領域に分割された複数の受光部を
有し、前記減光手段は、前記各受光部にそれぞれ対応する複数
の減光部を有することを特徴とするカメラの測光装置。
【請求項３】請求項２に記載されたカメラの測光装置
において、レリーズスイッチの半押し時に繰り返し測光を行うよう
にし、前記制御手段は、先の測光で透過率が減少された
受光領域の透過率を、その受光領域の今回の受光量が前
記所定値より小さい基準値以下になったときに増加する
ように制御することを特徴とするカメラの測光装置。
【請求項４】請求項１に記載されたカメラの測光装置
において、前記減光手段は、前記受光領域の一部の領域に対応して
設置されていることを特徴とするカメラの測光装置。
【請求項５】請求項１に記載されたカメラの測光装置
において、前記受光手段は、複数領域に分割された複数の受光部を
有し、前記減光手段は、前記複数の受光部のうち少なくとも２
つ以上の受光部が占める領域に対応する減光部を複数有
することを特徴とするカメラの測光装置。
【請求項６】請求項１に記載されたカメラの測光装置
において、前記減光手段は、複数領域に分割された複数の減光部を
有し、前記受光手段は、前記複数の減光部のうち少なくとも２
つ以上の減光部が占める領域に対応する受光部を複数有
することを特徴とするカメラの測光装置。
【請求項７】請求項１〜６のいずれかに記載されたカ
メラの測光装置において、前記受光手段は、電荷蓄積型光電変換素子をマトリクス
状に配置したことを特徴とするカメラの測光装置。