JPH07119918B2 - Liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display

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JPH07119918B2
JPH07119918B2 JP31348290A JP31348290A JPH07119918B2 JP H07119918 B2 JPH07119918 B2 JP H07119918B2 JP 31348290 A JP31348290 A JP 31348290A JP 31348290 A JP31348290 A JP 31348290A JP H07119918 B2 JPH07119918 B2 JP H07119918B2
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JP
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liquid crystal
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transistor
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勝 樋口
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Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は液晶表示装置に関し、特に補助容量の構成に関
するものである。
The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to the structure of a storage capacitor.

(ロ)従来の技術 一般に液晶表示装置は、低消費電力大容量化が可能であ
るために開発が急ピッチに進められている。
(B) Conventional Technology In general, liquid crystal display devices are being developed at a rapid pace because low power consumption and large capacity can be achieved.

しかし画面の大型化、画素サイズの微細化を達成する
時、非常に多くの欠陥、マスクズレ等を生じ、実際の歩
留まり率は極端に低い結果を生じていた。また液晶は一
般にブラウン管の画像と比べ非常に見にくい欠点があっ
た。そのため各社がこの問題の解決のためにいろいろな
構造を提案している。その一例として第2図があり、い
かに説明してゆく。
However, when the screen size is increased and the pixel size is reduced, a large number of defects and mask shifts are generated, and the actual yield rate is extremely low. In addition, the liquid crystal generally has a drawback that it is very difficult to see as compared with an image on a cathode ray tube. Therefore, each company proposes various structures to solve this problem. An example of this is FIG. 2, which will be explained.

まず絶縁性透明基板、例えばガラス基板(50)があり、
この基板上にゲートライン(51)が設けられている。こ
のゲートライン(51)と同時に形成されたに本願の問題
とする補助容量電極(52)が、破線のように設けられて
いる。この上には、シリコン窒化膜等より成る絶縁膜が
被覆され、半導体層より成る活性層(53)が形成されて
いる。ここでこの活性層(53)は、例えばアモルファス
シリコンやポリシリコンよりなる。更には絶縁層が被覆
された後に、活性層(53)の一方の側には実線で示され
たドレイン電極(54)、他方には実線で示されたソース
電極(55)が形成され、このソース電極とコンタクトす
るITOよりなる表示電極(56)が形成されている。ここ
でこのドレイン電極は、図番(57)の画像ラインと一体
で構成されている。また前記表示電極(56)、ドレイン
電極(54)及びトランジスタ上を被覆した配向膜が形成
されている。
First, there is an insulating transparent substrate, such as a glass substrate (50),
A gate line (51) is provided on this substrate. An auxiliary capacitance electrode (52), which is formed at the same time as the gate line (51) and is a problem of the present application, is provided as shown by a broken line. An insulating film made of a silicon nitride film or the like is covered therewith to form an active layer (53) made of a semiconductor layer. Here, the active layer (53) is made of, for example, amorphous silicon or polysilicon. Further, after the insulating layer is covered, a drain electrode (54) shown by a solid line is formed on one side of the active layer (53), and a source electrode (55) shown by a solid line is formed on the other side. A display electrode (56) made of ITO is formed in contact with the source electrode. Here, the drain electrode is integrally formed with the image line of the figure number (57). Further, an alignment film covering the display electrode (56), the drain electrode (54) and the transistor is formed.

一方、ガラス基板(50)と対向するもう一つのガラス基
板の下層には、共通電極、配向膜が形成され、この2つ
のガラス基板が相対向して設けられ、間には液晶が封止
されている。
On the other hand, a common electrode and an alignment film are formed in the lower layer of another glass substrate facing the glass substrate (50), and these two glass substrates are provided so as to face each other, and a liquid crystal is sealed between them. ing.

(ハ)発明が解決しようとする課題 ここで遮光膜は、対向電極基板に形成されるのが一般的
である。しかし液晶表示装置を斜めから見た場合、視差
を生じて透過光が目視され、遮光膜本来の効果、所謂ブ
ラックマトリックス効果(色画素間の分離を行うことに
よる混色の回避)が失われることがある。
(C) Problem to be Solved by the Invention Here, the light shielding film is generally formed on the counter electrode substrate. However, when the liquid crystal display device is viewed from an oblique direction, parallax may occur and the transmitted light may be visually observed, and the original effect of the light-shielding film, the so-called black matrix effect (avoidance of color mixture by separating color pixels) may be lost. is there.

この問題を解決するために、前述した構成と逆に遮光膜
をTFT基板上に形成する構成がある。
In order to solve this problem, there is a configuration in which a light shielding film is formed on the TFT substrate, which is the reverse of the configuration described above.

どちらにしても遮光膜は表示電極(56)間に設けられる
のが一般的である。
In either case, the light shielding film is generally provided between the display electrodes (56).

さて、第2図で光を遮断する領域を考えると、破線で示
した補助容量電極(52)と表示電極(56)間に設けられ
た遮光膜が該当し、実際に表示領域となる補助容量電極
(52)と表示電極(56)の重畳しない領域の周囲には、
この遮断領域が非常に広く形成され、一般に言われるブ
ラックマトリックスの存在感が非常に顕著になる問題を
有していた。
Now, considering the light-blocking area in FIG. 2, the light-shielding film provided between the auxiliary capacitance electrode (52) and the display electrode (56) shown by the broken line corresponds to the auxiliary capacitance which actually becomes the display area. Around the area where the electrode (52) and display electrode (56) do not overlap,
This blocking area is formed very wide, and there is a problem that the generally-known presence of the black matrix becomes very remarkable.

しかもこの表示装置を液晶プロジェクターに応用した場
合、拡大されるために、更にブラックマトリックスの存
在感が顕著になる問題を有していた。
Moreover, when this display device is applied to a liquid crystal projector, there is a problem that the presence of the black matrix becomes more remarkable because it is enlarged.

(ニ)課題を解決するための手段 本発明は前述の課題に鑑みて成され、表示電極(13)か
ら隣接する他の表示電極(13)までの離間距離と実質的
に等しい幅の前記補助容量電極(14)と重畳しない前記
表示電極領域Dが実質的に等間隔となるように、前記補
助容量電極(14)を設けることで解決するものである。
(D) Means for Solving the Problems The present invention has been made in view of the above problems, and the auxiliary having a width substantially equal to the distance from the display electrode (13) to another adjacent display electrode (13). This is solved by providing the auxiliary capacitance electrode (14) so that the display electrode regions D that do not overlap with the capacitance electrode (14) are substantially evenly spaced.

(ホ)作用 前述した表示電極(13)間に形成された遮光膜のライン
と前記補助容量電極(14)のラインは、第1図に示すよ
うに、均等に格子上に配置されるため、前記補助容量電
極(14)と前記表示電極(13)が重畳しない領域、いわ
ゆる表示領域Dの周囲は均一な幅の遮光層で形成され、
また表示領域Dが複数に分割されて形成されているため
に、見かけ上、前記ブラックマトリックスの存在感が低
下する。
(E) Action The lines of the light-shielding film formed between the display electrodes (13) and the lines of the auxiliary capacitance electrodes (14) are evenly arranged on the grid as shown in FIG. A region where the auxiliary capacitance electrode (14) and the display electrode (13) do not overlap each other, that is, the periphery of a so-called display region D is formed of a light shielding layer having a uniform width,
Further, since the display region D is formed by being divided into a plurality of parts, the presence of the black matrix is apparently reduced.

(ヘ)実施例 いかに第1図を参照しながら本発明について説明する。(F) Example The present invention will be described with reference to FIG.

まず絶縁性透明基板(10)、例えばガラス基板がある。
このガラス基板(10)上にはCrのスパッタリングにより
形成されたゲート電極(11)(ゲートライン(1)と一
体に形成される。)が、形成予定の表示電極(13)の間
に左右に延在されて設けられている。またこのゲート電
極(11)と同時に補助容量電極(14)が破線の如く形成
されている。
First, there is an insulating transparent substrate (10), for example, a glass substrate.
On this glass substrate (10), a gate electrode (11) (formed integrally with the gate line (1)) formed by Cr sputtering is provided on the left and right between the display electrodes (13) to be formed. It is extended and provided. An auxiliary capacitance electrode (14) is formed at the same time as the gate electrode (11) as shown by a broken line.

また、ゲート電極(11)、補助容量電極(14)を含む基
板全面にシリコン窒化膜よりなるゲート絶縁膜が被覆さ
れている。
Further, the entire surface of the substrate including the gate electrode (11) and the auxiliary capacitance electrode (14) is covered with a gate insulating film made of a silicon nitride film.

また、ゲート電極に対応するゲート絶縁膜上には、N型
のアモルファス・シリコンよりなる半導体活性層(15)
が設けられている。
A semiconductor active layer (15) made of N-type amorphous silicon is formed on the gate insulating film corresponding to the gate electrode.
Is provided.

またゲート絶縁膜上には、ITOより成る表示電極(13)
が形成されている。
Further, on the gate insulating film, a display electrode made of ITO (13)
Are formed.

この半導体活性層(15)の両端には、N+型のアモルファ
ス・シリコンより成るコンタクト層が形成されている。
ここで図面の都合上、前記コンタクト層は図示せず。ま
た両端に形成されたコンタクト層の間には、このコンタ
クト層のエッチングの時に発生する半導体活性層のエッ
チングを防止するために、絶縁層のシリコン窒化膜が形
成されている。
Contact layers made of N + type amorphous silicon are formed on both ends of the semiconductor active layer (15).
Here, for convenience of drawing, the contact layer is not shown. Further, between the contact layers formed on both ends, a silicon nitride film of an insulating layer is formed in order to prevent the semiconductor active layer from being etched when the contact layers are etched.

更には、ソース領域に対応するコンタクト層と表示電極
間には、ソース電極(16)が形成され、ドレイン領域に
対応するコンタクト層には、ドレインライン(17)と一
体となってドレイン電極(18)が形成されている。また
セルはカラー対応のために、横に隣接する2つの表示電
極(13)、(13)と下段の表示電極(13)がトライアン
グル構造になっている。また上段の表示電極もトライア
ングル構造になっている。そのため実際は、ドレインラ
インは縦方向にジグザグに延在されている。
Further, a source electrode (16) is formed between the contact layer corresponding to the source region and the display electrode, and a drain electrode (18) is formed integrally with the drain line (17) on the contact layer corresponding to the drain region. ) Has been formed. Further, the cell has a triangle structure in which two display electrodes (13), (13) adjacent to each other and the lower display electrode (13) have a triangle structure for color correspondence. The upper display electrodes also have a triangle structure. Therefore, in reality, the drain line extends in a zigzag pattern in the vertical direction.

更に、前記表示電極、ソース電極、ドレイン電極、ドレ
インライン及びトランジスタ上を被覆した配向膜が形成
され、他方のガラス基板の下層には共通電極、配向膜が
形成され、前記一方の基板と他方の基板は相対向して設
けられ、間には液晶が封入されている。
Further, an alignment film covering the display electrode, the source electrode, the drain electrode, the drain line, and the transistor is formed, and a common electrode and an alignment film are formed under the other glass substrate, and the one substrate and the other substrate are formed. The substrates are provided so as to face each other, and a liquid crystal is sealed between them.

ここで遮光膜は、発明が解決しようとする課題の欄にも
述べたように、トランジスタが形成されたガラス基板
(10)、または対向電極が形成されたガラス基板に形成
される。主に形成領域は、表示電極(13)間に対応する
領域に設けられ、表示部分Dができるだけ大きくなるよ
うに、前記遮光膜と前記表示電極(13)の重畳領域は極
力少なくしている。
Here, as described in the section of the problem to be solved by the invention, the light shielding film is formed on the glass substrate (10) on which the transistor is formed or on the glass substrate on which the counter electrode is formed. The formation region is mainly provided in a region corresponding to the display electrode (13), and the overlapping region of the light shielding film and the display electrode (13) is made as small as possible so that the display portion D is as large as possible.

本発明の特徴は、前記補助容量電極(14)の形状にあ
る。この補助容量電極(14)は、第1図で見ると、見か
け上、表示電極(13)を複数に分割し、ここでは4分割
しており、幅は前記表示電極(13)と隣接する表示電極
(13)との間の離間距離と実質的に同一となっている。
The feature of the present invention lies in the shape of the auxiliary capacitance electrode (14). As shown in FIG. 1, the auxiliary capacitance electrode (14) apparently divides the display electrode (13) into a plurality of parts, and in this case, it is divided into four parts, and the width is adjacent to the display electrode (13). The distance from the electrode (13) is substantially the same.

前述した如く、遮光膜の形成領域は、表示電極(13)間
に設けられ、表示部分Dができるだけ大きくなるよう
に、前記遮光膜と前記表示電極(13)の重畳領域は極力
少なくしているので、表示電極(13)間で形成されるラ
インは、遮光膜で形成される領域と実質的に同一とな
り、この領域がブラックストライプの一方となる。また
補助容量電極(14)は、ゲート電極(11)と同一材料で
あるので、非透過性であり、これが前記ブラックマトリ
ックスの他方となる。従ってこの両者のブラックマトリ
ックスは、見かけ上一体の均等に形成された格子を形成
する。
As described above, the light-shielding film formation region is provided between the display electrodes (13), and the overlapping region of the light-shielding film and the display electrode (13) is made as small as possible so that the display portion D is as large as possible. Therefore, the line formed between the display electrodes (13) is substantially the same as the region formed by the light shielding film, and this region is one of the black stripes. Further, since the auxiliary capacitance electrode (14) is made of the same material as the gate electrode (11), it is impermeable, and this is the other of the black matrix. Therefore, the two black matrices form an apparently integrated and uniformly formed lattice.

ここで前記補助容量電極(14)と前記表示電極(13)の
非重畳領域Dは、図面の都合上、非常に小さく形成され
ているが、実際は、補助容量電極(14)の幅Aを1と仮
定すれば、前記非重畳領域の1辺Bが約10〜20となる。
例えば5〜30μmの幅の見かけ上のブラックマトリック
スに対して、表示領域Dの1辺が50μm〜200μmとな
る。従って、見かけ上のブラックマトリックス幅が、従
来構造よりも狭くなり、1画素が複数に分割されて形成
されているために、見かけ上、前記ブラックマトリック
スの存在感が低下する。
Here, the non-overlapping region D of the auxiliary capacitance electrode (14) and the display electrode (13) is formed to be very small for the convenience of the drawing, but in reality, the width A of the auxiliary capacitance electrode (14) is set to 1 Assuming that, one side B of the non-overlapping area is about 10 to 20.
For example, for an apparent black matrix having a width of 5 to 30 μm, one side of the display area D is 50 μm to 200 μm. Therefore, the apparent black matrix width is narrower than that of the conventional structure, and since one pixel is divided into a plurality of parts, the presence of the black matrix is apparently reduced.

ここで表示領域Dは、正方形で示してあるが、長方形等
でも良く、また分割数は、4分割に限らず、6分割、8
分割・・・でも良い。ただし見かけ上の表示領域Dは、
全て実質的に同じサイズで均等に分散されている必要が
ある。
Here, the display area D is shown as a square, but it may be a rectangle or the like, and the number of divisions is not limited to four divisions, but six divisions and eight divisions.
It may be split ... However, the apparent display area D is
All must be of substantially the same size and evenly distributed.

(ト)発明の効果 以上の説明からも明らかなように、見かけ上のブラック
マトリックス幅を小さくし、表示電極間の幅と補助容量
電極の幅を実質的に同一とし、表示領域を複数に均等に
分散させることにより、見かけ上のブラックマトリック
スの存在感を低下させることができる。
(G) Effect of the Invention As is apparent from the above description, the apparent black matrix width is made small, the width between the display electrodes and the width of the auxiliary capacitance electrode are substantially the same, and the display area is evenly divided. The presence of the black matrix can be reduced by dispersing it in the.

従って、この構造の表示装置をプロジェクターに応用し
ても、従来より遥かに存在感を無くせるために、ユーザ
ーに鮮明な画像を提供できる。
Therefore, even if the display device having this structure is applied to a projector, it is possible to provide a clear image to the user because the presence of the display device can be far removed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、本発明の液晶表示装置の平面図、第2図は、
従来の液晶表示装置の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a liquid crystal display device of the present invention, and FIG.
It is a top view of the conventional liquid crystal display device.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】マトリックス状に交差配列された複数のゲ
ートライン及び複数の画像ラインと、 この交差部に、前記ゲートラインにより制御されるトラ
ンジスタと、このトランジスタに接続され、このトラン
ジスタを介して前記画像ラインより画像信号が供給され
る表示電極とを少なくとも備えた液晶セルと、 前記表示電極の下層に、前記液晶セルを補う不透明材料
で構成された補助容量電極と、 前記表示電極と隣接する表示電極間を遮光するために設
けられた遮光膜とを少なくとも有する液晶表示装置にお
いて、 前記補助容量電極は、前記表示電極から隣接する他の表
示電極までの離間距離と実質的に等しい幅を有し、前記
表示電極の前記補助容量電極との非重畳領域が各々その
4辺においてほぼ等間隔となることを特徴とする液晶表
示装置。
1. A plurality of gate lines and a plurality of image lines cross-arranged in a matrix shape, a transistor controlled by the gate line at the intersection, and a transistor connected to the transistor, and the transistor via the transistor. A liquid crystal cell having at least a display electrode to which an image signal is supplied from an image line, an auxiliary capacitance electrode made of an opaque material that supplements the liquid crystal cell, and a display adjacent to the display electrode. In a liquid crystal display device having at least a light-shielding film provided to shield light between electrodes, the auxiliary capacitance electrode has a width substantially equal to a distance from the display electrode to another display electrode adjacent to the auxiliary capacitance electrode. A liquid crystal display device characterized in that non-overlapping regions of the display electrodes with the auxiliary capacitance electrodes are arranged at substantially equal intervals on their four sides. Place
【請求項2】マトリックス状に交差配列された複数のゲ
ートライン及び複数の画像ラインと、 この交差部に、前記ゲートラインにより制御されるトラ
ンジスタと、このトランジスタに接続され、このトラン
ジスタを介して前記画像ラインより画像信号が供給され
る表示電極とを少なくとも備えた液晶セルと、 前記表示電極の下層に、前記液晶セルを補う不透明材料
で構成された補助容量電極と、 前記表示電極と隣接する表示電極間を遮光するために設
けられた遮光膜とを少なくとも有する液晶表示装置にお
いて、 前記補助容量電極は、前記遮光膜とほぼ等しい幅に形成
されると共に前記表示電極と縦横方向で重畳されること
により、前記補助容量電極と前記遮光膜で形成される遮
光領域がほぼ幅の等しい格子状に形成され、該格子状の
目の部分に前記表示電極の前記補助容量との非重畳領域
が存在することを特徴とする液晶表示装置。
2. A plurality of gate lines and a plurality of image lines cross-arranged in a matrix form, a transistor controlled by the gate line at the intersection, and a transistor connected to the transistor, and the transistor via the transistor. A liquid crystal cell having at least a display electrode to which an image signal is supplied from an image line, an auxiliary capacitance electrode made of an opaque material that supplements the liquid crystal cell, and a display adjacent to the display electrode. In a liquid crystal display device having at least a light-shielding film provided to shield light between electrodes, the auxiliary capacitance electrode is formed to have a width substantially equal to that of the light-shielding film and is overlapped with the display electrode in vertical and horizontal directions. By this, the light-shielding region formed by the auxiliary capacitance electrode and the light-shielding film is formed in a grid shape having substantially the same width, and the grid-shaped eye A liquid crystal display device, wherein a non-overlapping region of the display electrode with the auxiliary capacitance is present in a portion.
【請求項3】前記遮光膜は、前記液晶表示装置を形成す
る一対のガラス基板の少なくとも一方に構成されること
を特徴とした請求項第1項又は第2項記載の液晶表示装
置。
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the light shielding film is formed on at least one of a pair of glass substrates forming the liquid crystal display device.
JP31348290A 1990-11-19 1990-11-19 Liquid crystal display Expired - Lifetime JPH07119918B2 (en)

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