JPH0711466Y2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH0711466Y2 JPH0711466Y2 JP15471488U JP15471488U JPH0711466Y2 JP H0711466 Y2 JPH0711466 Y2 JP H0711466Y2 JP 15471488 U JP15471488 U JP 15471488U JP 15471488 U JP15471488 U JP 15471488U JP H0711466 Y2 JPH0711466 Y2 JP H0711466Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- processing
- semiconductor wafer
- semiconductor
- vacuum chamber
- Prior art date
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この考案は半導体ウェハーの表面にプラズマ雰囲気中で
薄膜を生長させたり、或いはプラズマ雰囲気中で半導体
ウェハーの表面のエッチングやクリーニング等の処理を
行うようにしたプラズマ処理装置に関する。
薄膜を生長させたり、或いはプラズマ雰囲気中で半導体
ウェハーの表面のエッチングやクリーニング等の処理を
行うようにしたプラズマ処理装置に関する。
(従来の技術) 従来、前記の如くのプラズマ処理を行う装置には種々の
構造のものが知られている。
構造のものが知られている。
例えば真空チャンバー内に複数枚の半導体ウェハーを所
定の間隔で支持できるようにした電極組立体を設置した
プラズマCVD装置や、真空チャンバー内に複数枚の半導
体ウェハーを所定の間隔で支持できるようにしたホルダ
ーを設置したプラズマエッチング装置などである。
定の間隔で支持できるようにした電極組立体を設置した
プラズマCVD装置や、真空チャンバー内に複数枚の半導
体ウェハーを所定の間隔で支持できるようにしたホルダ
ーを設置したプラズマエッチング装置などである。
又、真空チャンバー内に半導体ウェハーの移送装置を設
置して一枚の半導体ウェハーを一つの真空チャンバー内
で複数の処理空間へ順次移送できるようにし、各処理空
間で同一の又は異るプラズマ処理を行うようにした装置
も知られている。
置して一枚の半導体ウェハーを一つの真空チャンバー内
で複数の処理空間へ順次移送できるようにし、各処理空
間で同一の又は異るプラズマ処理を行うようにした装置
も知られている。
(考案が解決しようとする課題) この考案は前記の各種装置のうち、後者、即ち複数の処
理空間へ半導体ウェハーを移送できるようにした装置の
改良に係るものである。
理空間へ半導体ウェハーを移送できるようにした装置の
改良に係るものである。
従来知られていたこの種の装置では、一枚の半導体ウェ
ハーを複数の処理空間へ順次移送するものであったの
で、一枚の半導体ウェハーおよび該半導体ウェハーを支
持するホルダーの部分の熱容量が小さく、この為、半導
体ウェハー自体の温度が一つの処理空間から別の処理空
間へ移送する間に低下し易く、半導体ウェハー表面の薄
膜に温度の上昇、降下(ヒートサイクル)による影響が
あり、膜質が変化する問題点があった。
ハーを複数の処理空間へ順次移送するものであったの
で、一枚の半導体ウェハーおよび該半導体ウェハーを支
持するホルダーの部分の熱容量が小さく、この為、半導
体ウェハー自体の温度が一つの処理空間から別の処理空
間へ移送する間に低下し易く、半導体ウェハー表面の薄
膜に温度の上昇、降下(ヒートサイクル)による影響が
あり、膜質が変化する問題点があった。
又、移送中の温度低下が大きいので、別の処理空間での
処理の際に、加熱に要する時間が長くなる問題点もあっ
た。
処理の際に、加熱に要する時間が長くなる問題点もあっ
た。
(課題を解決する為の手段) そこでこの考案は、複数枚の半導体ウェハーを同時に移
送可能として、処理の対象となる半導体ウェハーの部分
の熱容量を大きくし、移送中の温度低下を少くしたので
ある。
送可能として、処理の対象となる半導体ウェハーの部分
の熱容量を大きくし、移送中の温度低下を少くしたので
ある。
即ちこの考案のプラズマ処理装置は、真空チャンバー内
の処理空間に半導体ウェハーを配置して、該半導体ウェ
ハーをプラズマ雰囲気中で処理するプラズマ処理装置に
おいて、前記真空チャンバー内の一側に、複数の処理空
間が設けてあり、各処理空間へ挿脱可能とした複数のウ
ェハー支持体が搬送具を介して、一つの処理空間から別
の処理空間へ移動可能としてあると共に、前記ウエハー
支持体は、半導体ウエハーを支持可能とした放電用電極
板を、複数枚、所定の間隔で並列、対向させた電極組立
体で構成され、かつ、真空チャンバー内の他側に、ウエ
ハーカセットと前記ウエハー支持体の間で半導体ウエハ
ーを複数枚、同時に移送するためのキャリアロボットが
設置してあり、該キャリアロボットは、移送時の複数枚
の半導体ウエハーのピッチを変化可能に構成してあるこ
とを特徴としている。
の処理空間に半導体ウェハーを配置して、該半導体ウェ
ハーをプラズマ雰囲気中で処理するプラズマ処理装置に
おいて、前記真空チャンバー内の一側に、複数の処理空
間が設けてあり、各処理空間へ挿脱可能とした複数のウ
ェハー支持体が搬送具を介して、一つの処理空間から別
の処理空間へ移動可能としてあると共に、前記ウエハー
支持体は、半導体ウエハーを支持可能とした放電用電極
板を、複数枚、所定の間隔で並列、対向させた電極組立
体で構成され、かつ、真空チャンバー内の他側に、ウエ
ハーカセットと前記ウエハー支持体の間で半導体ウエハ
ーを複数枚、同時に移送するためのキャリアロボットが
設置してあり、該キャリアロボットは、移送時の複数枚
の半導体ウエハーのピッチを変化可能に構成してあるこ
とを特徴としている。
(作用) この考案のプラズマ処理装置によれば、複数枚の半導体
ウェハーが1グループとして扱われるので、半導体ウェ
ハーを支持するウェハー支持体も大型化されて熱容量も
大きくできるので、処理空間の間を移送する過程での半
導体ウェハーの温度低下を少くできる。又、移送後の加
熱時間も短縮できる。
ウェハーが1グループとして扱われるので、半導体ウェ
ハーを支持するウェハー支持体も大型化されて熱容量も
大きくできるので、処理空間の間を移送する過程での半
導体ウェハーの温度低下を少くできる。又、移送後の加
熱時間も短縮できる。
(実施例) 以下、この考案をプラズマCVD装置として実施した例を
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
第1図および第2図が実施例の装置の全体を表わしたも
ので、図中1が箱形の真空チャンバーで、該真空チャン
バー1の一側(第1図において右方)下部に、有底筒状
の処理室2a、2b、2cが、3個同一円周上に等間隔で設け
てある。前記処理室2a、2b、2cを配置した中央部には半
導体ウェハーWの搬送具3が設置してある。この搬送具
3は回転自在とした昇降軸4の上端に腕5、5を前記処
理室2a、2b、2cと同一間隔で放射状に設けた構造で、各
腕5、5の先端下側には、前記処理室2a、2b、2cに挿脱
可能としたウェハー支持体6、6が設けてある。この実
施例におけるウェハー支持体6は何れも第3図に示した
ようなプラズマCVD処理用の電極組立体で構成されてお
り、複数枚の電極板7、7が所定の間隔で対向するよう
に並列して組立てられて、各電極板7、7に半導体ウェ
ハーWが一枚ずつ支持できるようになっている。
ので、図中1が箱形の真空チャンバーで、該真空チャン
バー1の一側(第1図において右方)下部に、有底筒状
の処理室2a、2b、2cが、3個同一円周上に等間隔で設け
てある。前記処理室2a、2b、2cを配置した中央部には半
導体ウェハーWの搬送具3が設置してある。この搬送具
3は回転自在とした昇降軸4の上端に腕5、5を前記処
理室2a、2b、2cと同一間隔で放射状に設けた構造で、各
腕5、5の先端下側には、前記処理室2a、2b、2cに挿脱
可能としたウェハー支持体6、6が設けてある。この実
施例におけるウェハー支持体6は何れも第3図に示した
ようなプラズマCVD処理用の電極組立体で構成されてお
り、複数枚の電極板7、7が所定の間隔で対向するよう
に並列して組立てられて、各電極板7、7に半導体ウェ
ハーWが一枚ずつ支持できるようになっている。
処理室2a、2b、2cの外側にはヒータ8が嵌装されて、処
理室2a、2b、2c内に前記ウェハー支持体6を介して収容
した半導体ウェハーWが加熱できるようになっている。
理室2a、2b、2c内に前記ウェハー支持体6を介して収容
した半導体ウェハーWが加熱できるようになっている。
前記真空チャンバー1の処理室2a、2b、2cの他側(第1
図において左方)には、キャリアロボット11と、該キャ
リアロボット11の両側に配したカセットステージ12が設
置してあり、真空チャンバー1内でウェハーカセット13
から半導体ウェハーWを前記ウェハー支持体6へ装入又
は取出しができるようになっている。
図において左方)には、キャリアロボット11と、該キャ
リアロボット11の両側に配したカセットステージ12が設
置してあり、真空チャンバー1内でウェハーカセット13
から半導体ウェハーWを前記ウェハー支持体6へ装入又
は取出しができるようになっている。
又、真空チャンバー1の側壁(第1図において左壁)に
は、前記カセットステージ12と対向させて2つのゲート
バルブ14、14が設けられ、該ゲートバルブ13、13の外側
にはロードロックチャンバー15a、15bが設置してある。
は、前記カセットステージ12と対向させて2つのゲート
バルブ14、14が設けられ、該ゲートバルブ13、13の外側
にはロードロックチャンバー15a、15bが設置してある。
前記ロードロックチャンバー15a、15bは真空チャンバー
1に対する予備真空室を構成するもので、例えば一方の
ロードロックチャンバー15aに、半導体ウェハーWを収
容したウェハーカセット13を導入して、該ロードロック
チャンバー15aを真空排気した後、ゲートバルブ14を開
けることによって、ウェハーカセット13を真空チャンバ
ー1内へ導入可能とするものである。又、他方のロード
ロックチャンバー15bは、先ずゲートバルブ14を閉じた
状態でロードロックチャンバー15b内を真空排気した
後、ゲートバルブ14を開けて、真空チャンバー1内のウ
ェハーカセット13をロードロックチャンバー15b側へ移
し、次いでゲートバルブ14を閉じた後、ロードロックチ
ャンバー15b内を常圧にすれば、真空チャンバー1側の
真空に影響を与えることなく、ウェハーカセット13を外
部へ取出し可能とするものである。
1に対する予備真空室を構成するもので、例えば一方の
ロードロックチャンバー15aに、半導体ウェハーWを収
容したウェハーカセット13を導入して、該ロードロック
チャンバー15aを真空排気した後、ゲートバルブ14を開
けることによって、ウェハーカセット13を真空チャンバ
ー1内へ導入可能とするものである。又、他方のロード
ロックチャンバー15bは、先ずゲートバルブ14を閉じた
状態でロードロックチャンバー15b内を真空排気した
後、ゲートバルブ14を開けて、真空チャンバー1内のウ
ェハーカセット13をロードロックチャンバー15b側へ移
し、次いでゲートバルブ14を閉じた後、ロードロックチ
ャンバー15b内を常圧にすれば、真空チャンバー1側の
真空に影響を与えることなく、ウェハーカセット13を外
部へ取出し可能とするものである。
前記カセットステージ12は真空チャンバー1と、このロ
ードロックチャンバー15a、15bの間でウェハーカセット
13を移送する為の装置であって、図中矢示16の方向で移
動可能となっている。
ードロックチャンバー15a、15bの間でウェハーカセット
13を移送する為の装置であって、図中矢示16の方向で移
動可能となっている。
又、前記キャリアロボット11は、カセットステージ12へ
移送されたウェハーカセット13から、前記ウェハー支持
体6へ半導体ウェハーWを移送する為の装置であって、
第4図に示したような構造となっている。即ち、半導体
ウェハーWを搭載できるようにしたフィンガー17が複数
枚(図は5枚の場合を示してある。)、片持ち状に設け
られたもので、フィンガー17全体が前記カセットステー
ジ12およびウェハー支持体6側へ離接自在となっている
と共に、フィンガー17相互のピッチが変更可能となって
いる。
移送されたウェハーカセット13から、前記ウェハー支持
体6へ半導体ウェハーWを移送する為の装置であって、
第4図に示したような構造となっている。即ち、半導体
ウェハーWを搭載できるようにしたフィンガー17が複数
枚(図は5枚の場合を示してある。)、片持ち状に設け
られたもので、フィンガー17全体が前記カセットステー
ジ12およびウェハー支持体6側へ離接自在となっている
と共に、フィンガー17相互のピッチが変更可能となって
いる。
上記実施例のプラズマCVD装置の動作を説明すると次の
通りである。
通りである。
この装置では処理室2a、2b、2cで夫々条件の異るプラズ
マCVD処理が可能であるが、ここでは同一の処理を行う
場合を説明する。従って、処理の際には各処理室2a、2
b、2cへは同一の反応ガスが導入される。
マCVD処理が可能であるが、ここでは同一の処理を行う
場合を説明する。従って、処理の際には各処理室2a、2
b、2cへは同一の反応ガスが導入される。
半導体ウェハーWは、ウェハーカセット13に収容されて
ロードロックチャンバー15aを通して真空チャンバー1
内へ導入され、カセットステージ12よりウェハー支持体
6へと移送される。
ロードロックチャンバー15aを通して真空チャンバー1
内へ導入され、カセットステージ12よりウェハー支持体
6へと移送される。
ウェハー支持体6へは半導体ウェハーWが5枚毎で1グ
ループとされて移送される。ウェハーカセット13に収容
される半導体ウェハーWのピッチと、ウェハー支持体6
に収容される半導体ウェハーWのピッチは一般に異るの
で、キャリヤロボット11でこのピッチの不一致を調整す
る。
ループとされて移送される。ウェハーカセット13に収容
される半導体ウェハーWのピッチと、ウェハー支持体6
に収容される半導体ウェハーWのピッチは一般に異るの
で、キャリヤロボット11でこのピッチの不一致を調整す
る。
ウェハー支持体6へ半導体ウェハーWを移送する際に
は、搬送具3は昇降軸4を上昇させて、ウェハー支持体
6を処理室2a、2b、2cの上方へ取出して行われるのは言
うまでもない。
は、搬送具3は昇降軸4を上昇させて、ウェハー支持体
6を処理室2a、2b、2cの上方へ取出して行われるのは言
うまでもない。
ウェハー支持体6へ半導体ウェハーWの移送が完了した
ら、昇降軸4を降下させて、ウェハー支持体6を処理室
2a、2b、2c内へ夫々装入し、かつ前記電極板7、7へ高
周波等の放電々力を印加すると共に、反応ガスを供給し
て処理室2a、2b、2c内へプラズマを生成させて所定の処
理を行う(尚、半導体ウェハーが未だ搭載されないウェ
ハー支持体へは電力供給および反応ガスの供給はされな
い。又、放電々力の印加の前に、ヒータ8に通電してウ
ェハー支持体6に支持された半導体ウェハーWが所定の
温度に加熱される。)。
ら、昇降軸4を降下させて、ウェハー支持体6を処理室
2a、2b、2c内へ夫々装入し、かつ前記電極板7、7へ高
周波等の放電々力を印加すると共に、反応ガスを供給し
て処理室2a、2b、2c内へプラズマを生成させて所定の処
理を行う(尚、半導体ウェハーが未だ搭載されないウェ
ハー支持体へは電力供給および反応ガスの供給はされな
い。又、放電々力の印加の前に、ヒータ8に通電してウ
ェハー支持体6に支持された半導体ウェハーWが所定の
温度に加熱される。)。
前記所定の処理が終了したら、昇降軸4を上昇させて、
ウェハー支持体6を処理室2a、2b、2cの外部へ取出すと
共に、昇降軸4を回転させて、ウェハー支持体6を夫々
隣接する処理室側へ移動させる。即ち処理室2aで処理さ
れたウェハー支持体6は処理室2b側へ、処理室2bで処理
されたウェハー支持体は処理室2c側へ、処理室2cで処理
されたウェハー支持体は処理室2a側へと移動する。尚、
昇降軸4の回転に際しては、ロック装置9(第2図参
照)を介して位置決めおよび固定が行われる。
ウェハー支持体6を処理室2a、2b、2cの外部へ取出すと
共に、昇降軸4を回転させて、ウェハー支持体6を夫々
隣接する処理室側へ移動させる。即ち処理室2aで処理さ
れたウェハー支持体6は処理室2b側へ、処理室2bで処理
されたウェハー支持体は処理室2c側へ、処理室2cで処理
されたウェハー支持体は処理室2a側へと移動する。尚、
昇降軸4の回転に際しては、ロック装置9(第2図参
照)を介して位置決めおよび固定が行われる。
ここで再び処理室2a上にあるウェハー支持体6へ対して
前記と同様に、キャリヤロボット11を介して半導体ウェ
ハーWを移送し、ウェハー支持体6の処理室への挿入お
よびプラズマ処理を繰り返す。このようにして処理室2c
で処理されたウェハー支持体6が処理室2a側へ移動して
来たら、ウェハー支持体6に支持された半導体ウェハー
Wをキャリヤロボット11を介して取出した後、未処理の
半導体ウェハーWを移送して前記と同様の操作を繰り返
す。
前記と同様に、キャリヤロボット11を介して半導体ウェ
ハーWを移送し、ウェハー支持体6の処理室への挿入お
よびプラズマ処理を繰り返す。このようにして処理室2c
で処理されたウェハー支持体6が処理室2a側へ移動して
来たら、ウェハー支持体6に支持された半導体ウェハー
Wをキャリヤロボット11を介して取出した後、未処理の
半導体ウェハーWを移送して前記と同様の操作を繰り返
す。
処理の終了した半導体ウェハーWの移送は前記のカセッ
トステージ12からウェハー支持体6への移送と逆の動作
が行われる。即ち、キャリヤロボット11がウェハー支持
体6から半導体ウェハーWを取出した後、ピッチを変換
しながら、カセットステージ12のウェハーカセット13側
へ移し換える。この場合、ウェハー支持体6から取出し
た半導体ウェハーWの温度が高く、ウェハーカセット13
へ直ちに移し換えが不可能の場合には、カセットステー
ジ12の外側にバッファーステージ18を設けて、該部で一
旦冷却するようにすることもできる。
トステージ12からウェハー支持体6への移送と逆の動作
が行われる。即ち、キャリヤロボット11がウェハー支持
体6から半導体ウェハーWを取出した後、ピッチを変換
しながら、カセットステージ12のウェハーカセット13側
へ移し換える。この場合、ウェハー支持体6から取出し
た半導体ウェハーWの温度が高く、ウェハーカセット13
へ直ちに移し換えが不可能の場合には、カセットステー
ジ12の外側にバッファーステージ18を設けて、該部で一
旦冷却するようにすることもできる。
尚、カセットステージ12、12の中間部には、カセットキ
ャリヤ19が設けてあり、導入側のカセットステージ12で
空になったウェハーカセット13を取出し側のカセットス
テージ12へ移送できるようになっており、ウェハーカセ
ットのみをロードロックチャンバー15bから導入する必
要性を無くしている。
ャリヤ19が設けてあり、導入側のカセットステージ12で
空になったウェハーカセット13を取出し側のカセットス
テージ12へ移送できるようになっており、ウェハーカセ
ットのみをロードロックチャンバー15bから導入する必
要性を無くしている。
第5図は前記カセットステージ12を使用することなく構
成した実施例で、ロードロックチャンバー15a、15bが直
接キャリヤロボット11と対向して設けたもので、その他
の部分は前記実施例と同様である。従って半導体ウェハ
ーWは5枚が1グループとしてウェハー支持体6に移送
され、処理室2a、2b、2c間の移送もそのグループのまま
行われる。
成した実施例で、ロードロックチャンバー15a、15bが直
接キャリヤロボット11と対向して設けたもので、その他
の部分は前記実施例と同様である。従って半導体ウェハ
ーWは5枚が1グループとしてウェハー支持体6に移送
され、処理室2a、2b、2c間の移送もそのグループのまま
行われる。
尚、上記実施例では、処理室2a、2b、2cの全てにおいて
プラズマCVD処理を行う場合を説明したが、処理室2aで
はプラズマCVD処理を行い、処理室2bではプラズマエッ
チング処理を行い、次いで処理室2cでは再びプラズマCV
D処理を行うようにしたプラズマ処理も考えられる。
プラズマCVD処理を行う場合を説明したが、処理室2aで
はプラズマCVD処理を行い、処理室2bではプラズマエッ
チング処理を行い、次いで処理室2cでは再びプラズマCV
D処理を行うようにしたプラズマ処理も考えられる。
又、処理室は実施例のように垂直方向に設ける場合と、
水平方向に設ける場合があり、何れも同様に実施可能で
ある。
水平方向に設ける場合があり、何れも同様に実施可能で
ある。
(考案の効果) 以上に説明したように、この考案によれば複数の処理空
間の間を複数枚の半導体ウェハーを1グループとして移
送するようにしたので、ウェハー支持体の熱容量が大き
くなり、移送中の半導体ウェハーの温度低下をおさえ、
半導体ウェハー表面に形成された膜の劣化を防止できる
効果がある。
間の間を複数枚の半導体ウェハーを1グループとして移
送するようにしたので、ウェハー支持体の熱容量が大き
くなり、移送中の半導体ウェハーの温度低下をおさえ、
半導体ウェハー表面に形成された膜の劣化を防止できる
効果がある。
又、移送中の温度低下が小さいので、移送後の加熱時間
を短縮でき、処理能率を向上できる効果がある。
を短縮でき、処理能率を向上できる効果がある。
第1図はこの考案の実施例の横断平面図、第2図は同じ
く縦断面図、第3図は同じく実施例の処理室およびウェ
ハー支持体の断面図、第4図は同じく実施例のキャリヤ
ロボットの断面図、第5図はこの考案の他の実施例の横
断平面図である。 1…真空チャンバー、2a、2b、2c…処理室 3…搬送具、6…ウェハー支持体 7…電極板、11…キャリヤロボット 12…カセットステージ、13…ウェハーカセット 15a、15b…ロードロックチャンバー 19…カセットキャリヤ
く縦断面図、第3図は同じく実施例の処理室およびウェ
ハー支持体の断面図、第4図は同じく実施例のキャリヤ
ロボットの断面図、第5図はこの考案の他の実施例の横
断平面図である。 1…真空チャンバー、2a、2b、2c…処理室 3…搬送具、6…ウェハー支持体 7…電極板、11…キャリヤロボット 12…カセットステージ、13…ウェハーカセット 15a、15b…ロードロックチャンバー 19…カセットキャリヤ
Claims (1)
- 【請求項1】真空チャンバー内の処理空間に半導体ウエ
ハーを配置して、該半導体ウエハーをプラズマ雰囲気中
で処理するプラズマ処理装置において、前記真空チャン
バー内の一側に、複数の処理空間が設けてあり、各処理
空間へ挿脱可能とした複数のウエハー支持体が搬送具を
介して、一つの処理空間から別の処理空間へ移動可能と
してあると共に、前記ウエハー支持体は、半導体ウエハ
ーを支持可能とした放電用電極板を、複数枚、所定の間
隔で並列、対向させた電極組立体で構成され、かつ、真
空チャンバー内の他側に、ウエハーカセットと前記ウエ
ハー支持体の間で半導体ウエハーを複数枚、同時に移送
するためのキャリアロボットが設置してあり、該キャリ
アロボットは、移送時の複数枚の半導体ウエハーのピッ
チを変化可能に構成してあることを特徴としたプラズマ
処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15471488U JPH0711466Y2 (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15471488U JPH0711466Y2 (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0275724U JPH0275724U (ja) | 1990-06-11 |
JPH0711466Y2 true JPH0711466Y2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=31431692
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15471488U Expired - Lifetime JPH0711466Y2 (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0711466Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-11-28 JP JP15471488U patent/JPH0711466Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0275724U (ja) | 1990-06-11 |
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