JPH07114190A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 導電性支持体上に少なくとも感光層を設けて
なる電子写真感光体において、該感光層に末端基として
トリアリールアミンを有するポリカーボネート樹脂を含
有する。 【効果】 感光層中の低分子電荷輸送材濃度の減少によ
って耐摩耗性が向上し、且つ低分子電荷輸送材減少に伴
う電気特性劣化が上記ポリカーボネート樹脂によって防
止されるので、高感度で且つ高耐久性のものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電気特性及び耐摩耗性
に優れた、高感度で高耐久性の電子写真感光体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、有機感光体（ＯＰＣ）が複写機、
プリンターに多く使用されている。これらのＯＰＣの多
くは、電荷発生層（ＣＧＬ）、電荷移動層（ＣＴＬ）を
順次積層した構成である。ＣＴＬは低分子移動材（ＣＴ
Ｍ）をバインダー樹脂中に、ある濃度で溶かし、フィル
ムにしている。ＣＴＭの添加はバインダー樹脂本来の機
械的強度を低下させ、ＣＴＬフィルムは脆く、引張り強
度の低い膜となる。この機械的強度低下が、感光体の摩
耗、傷、剥離、クラックなどの原因となる。

【０００３】一方、ポリビニルカルバゾール、ポリビニ
ルアントラセン、ポリビニルピレン、Ｍ．Ｓｔｏｌｋａ
らが（Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．ＶＯＬ２１．９６９）
に提案した重合体、Ｊａｐａｎ Ｈａｒｄ Ｃｏｐｙ’
８９ Ｐ．６７に記載のヒドラゾンのビニル重合体な
ど、ＣＴＬの高分子量化が試みられているが、ＣＴＬフ
ィルムは依然として脆く、機械的強度の向上に至ってい
ない。また、上記高分子ＣＴＭは感度、残留電位などの
点で充分でなく、感光体としての耐久性が低い。またＣ
ＴＭをバインダー樹脂中に分散し、その後バインダー樹
脂を硬化することが提案されているが、ＣＴＭ濃度が３
０〜５０％と高いため、硬化反応が充分でなく、樹脂間
からＣＴＭが抜けて摩耗し問題の解決には至っていな
い。

【０００４】他の方法として、感光層中にシリコーン含
有ポリマーの添加（特開昭６１−２１９０４９号、同６
２−２０５３５７号各公報に記載）、フッ素含有ポリマ
ーの添加（特開昭５０−２３２３１号、同６１−１１６
３６２号、同６１−２０４６３３号、同６１−２７０７
６８号各公報に記載）、シリコーン樹脂微粒子、フッ素
樹脂微粒子の添加（特開昭６３−６５４４９号公報に記
載）、メラミン樹脂微粒子の添加（特開昭６０−１７７
３４９号公報に記載）が提案されているが、ＣＴＭある
いはバインダー樹脂との相溶性が悪く、ＣＴＬ膜中で相
分離し不透明な膜になり電気特性を悪化させ問題の解決
に至ってない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は上記
従来技術の実情に鑑みてなされたものであって、ＣＴＬ
中の低分子ＣＴＭ濃度の減少により耐摩耗性向上を計
り、また低分子ＣＴＭ減少に伴う電気特性劣化を解決
し、高感度、高耐久な電子写真感光体を提供すること
を、その目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、導電性
支持体上に少なくとも感光層を設けてなる電子写真感光
体において、該感光層に末端基としてトリアリールアミ
ンを有するポリカーボネート樹脂を含有してなることを
特徴とする電子写真感光体が提供され、また上記ポリカ
ーボネート樹脂が下記一般式化１で示されるものである
請求項１記載の電子写真感光体が提供される。

【化１】 〔式中、Ｘ、Ｙ、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ｒ¹〜Ｒ⁶及びｍはそれ
ぞれ以下のものを表わす。 Ｘ：アリーレン基、スチルベンの２価基、又はα、ω−
ジフェニアルカンの２価基、 Ｙ：単結合、アルキレン基又は−（ＣＨ₂）ｎＯ−（式
中、ｎは１〜６の整数を表わす、）、 Ａｒ¹、Ａｒ²：置換若しくは無置換のアリール基、 Ｒ¹、Ｒ²：水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、置
換若しくは未置換のアリール基、又はＲ¹とＲ²が共に結
合した炭素数４〜１２の置換基を有してもよいシクロア
ルキル基、 Ｒ³〜Ｒ⁶：水素原子、置換若しくは未置換のアルキル
基、アリール基、又はハロゲン原子、 ｍ：０〜１００の整数。〕

【０００７】即ち、本発明は、支持体上に少なくとも感
光層を設けてなる電子写真感光体において、感光層中に
末端基としてトリアリールアミンを有するポリカーボネ
ート樹脂（以降、末端トリアリールアミン誘導体ポリカ
ーボネート又は同樹脂と記すことがある、）、特に前記
一般式化１で示されるポリカーボネート樹脂、を含有し
てなるものとしたことから、感光層中、特に支持体＼Ｃ
ＧＬ＼ＣＴＬ構成の場合はＣＴＬ中、の低分子ＣＴＭ濃
度の減少によって耐摩耗性が向上し、且つ低分子ＣＴＭ
減少に伴う電気特性劣化が上記ポリカーボネート樹脂に
よって防止されるので、高感度で且つ高耐久なものとな
る。

【０００８】以下、本発明を更に詳しく説明する。本発
明の電子写真感光体は、感光層中に末端トリアリールア
ミン誘導体ポリカーボネート樹脂を含有してなることを
特徴とし、該ポリカーボネート樹脂の代表例としては、
前記一般式化１で示されるものが挙げられる。

【０００９】前記一般式化１において、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵
及びＲ⁶が水素原子、Ｘが下記一般式化２で示されるス
チルベンの２価基、Ａｒ¹及びＡｒ²がフェニル基である
場合は、例えば次のスキーム１に従って製造することが
できる。

【化２】

【００１０】

【化３】

【００１１】スキーム１で示されるルートによる末端ト
リアリールアミン誘導体ポリカーボネート樹脂の合成に
ついて説明すると、次のようになる。まず、メトキシベ
ンジルクロライドとトリエチルフォスファイトとを反応
させ、メトキシベンジルフォスフォン酸誘導体Ａを得
る。次に、該フォスフォン酸誘導体Ａとアルデヒド誘導
体Ｂとから、変性ウィティヒ反応により、４−メトキシ
−４’−ジフェニルアミノスチルベン誘導体Ｃを得る。
次に、該アミノスチルベン誘導体Ｃはシリル化合物でメ
トキシ基を加水分解され、水酸基に変換されたＤが得ら
れる。続いて、Ｄは水酸化ナトリウムとホスゲンによっ
て、ビスフェノール化合物とで末端トリアリールアミン
誘導体ポリカーボネート樹脂Ｅとなる。

【００１２】なお、Ｘが、α、ω−ジフェニールアルカ
ンの場合は、スキーム１の化合物Ｃをパラジュウム炭素
など触媒を用いて水添する。また、Ｘがアリーレン基の
場合は、下記スキーム２で示されるハロゲン置換アニソ
ールとジフェニルアミンとのウルマン反応によってメト
キシトリフェニルアミン誘導体Ｆを得る。続いて、該ト
リフェニルアミン誘導体Ｆはスキーム１と同様に加水分
解され、水酸基に変換後、ポリカーボネート樹脂へ誘導
される。

【化４】

【００１３】Ｙがアルキレン基の場合は、スキーム１、
２で得られる誘導体Ｄの水酸基と、エピクロルヒドリン
あるいはハロゲン化アルコールとの反応によって得られ
る（スキーム３）。これらスキーム３で表わされるアル
コール性ＯＨのポリカーボネート化は、ピリジン溶媒中
でホスゲンガスを作用させることによって行なわれる。

【化５】

【００１４】なお、これらの末端トリアリールアミン誘
導体ポリカーボネート樹脂の製造に用いられるビスフェ
ノール化合物としては、以下に示すビス（ヒドロキシフ
ェニル）アルカン、ビス（ヒドロキシフェニル）シクロ
アルカンなどが挙げられる。２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン、２，２−ビス（３−シクロヘキシル−
４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（３−ヒドロ
キシフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−３，５，５−トリメチルシクロヘキサ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
エタン、２，２−ビス（３，５−ジブロム−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−クロル−
４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３
−アリル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−フェニルエタ
ン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−２−フェニルエタン、ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）メタン、４，４’−ジヒドロキシトリフェニルメ
タン等。

【００１５】前記一般式化１で示されるポリカーボネー
ト樹脂の具体例としては、表１及び表２に示されるもの
が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。なお、表１及び表２においては、繰り返し単位及
び末端基は各々下記化６及び化７として表示した。

【化６】

【化７】

【００１６】

【表１−（１）】

【００１７】

【表１−（２）】

【００１８】

【表１−（３）】

【００１９】

【表１−（４）】

【００２０】

【表１−（５）】

【００２１】

【表１−（６）】

【００２２】

【表１−（７）】

【００２３】

【表２−（１）】

【００２４】

【表２−（２）】

【００２５】前記一般式化１中のビスフェノール化合物
とトリアリールアミン誘導体停止剤の重合比率は、トリ
アリールアミン誘導体停止剤／ビスフェノール化合物＝
２／１〜２／４００（ｍｏｌ比）が適切であり、好まし
くは２／１〜２／１００（ｍｏｌ比）である。重合体の
分子量は、トリアリールアミン誘導体停止剤の重合比率
で大きく異なる。即ち、トリアリールアミン誘導体停止
剤の重合比率が増加すると、前記一般式化１で示される
ビスフェノール部のｍが減少することから小さくなり、
逆にトリアリールアミン誘導体停止剤の重合比率が減少
すると、一般式化１で示されるビスフェノール部のｍが
増加することから大きくなる。このように分子量がトリ
アリールアミン誘導体停止剤の重合比率で制御される。
分子量はビスフェノールＡポリカーポネート相対粘度で
平均分子量５００〜２５，０００であり、ＧＰＣで観察
すると、一般式化１で示されるビスフェノール部のｍが
０のものから正規分布する。これらは上記したようにト
リアリールアミン誘導体停止剤の重合比率で平均分子量
（正規分布の中心値）は制御される。一般式化１で示さ
れるビスフェノール部のｍが大きくなると、ＣＴＬ中の
電荷移動サイト減少から低分子移動材濃度上昇を余儀な
くされるため、分子量３０，０００以上は好ましくな
い。

【００２６】電子写真感光体は、導電性支持体上にＣ
ＧＬ、ＣＴＬを順次積層した負帯電型、導電性支持体
上にＣＴＬ、ＣＧＬを順次積層した正帯電型、導電性
支持体上に、バインダー樹脂中にＣＧＭ、ＣＴＭを分散
させた感光層を設けた単層正帯電型、上記のＣＴＬ
上に保護層を設けた負帯電型等の層構成がとられるが、
本発明はいずれの層構成の場合にも適用される。即ち、
末端基としてトリアリールアミンを有するポリカーボネ
ート樹脂を、前記の場合はＣＴＬに、前記の場合は
ＣＧＬに、前記の場合は感光層に、前記の場合は保
護層に、それぞれ含有させることによって、電気特性劣
化を伴なうことなしに、耐摩耗性が向上する。以下、前
記の支持体＼ＣＧＬ＼ＣＴＬ構成の場合を中心に説明
する。

【００２７】本発明において、末端トリアリールアミン
誘導体ポリカーボネートと共にＣＴＬを形成する低分子
ＣＴＭとしては、オキサゾール誘導体、オキサジアゾー
ル誘導体（特開昭５２−１３９０６５号、同５２−１３
９０６６号各公報に記載）、ベンジジン誘導体（特公昭
５８−３２３７２号公報に記載）、イミダゾール誘導
体、トリフェニルアミン誘導体（特開平３−２８５９６
０号公報に記載）、α−フェニルスチルベン誘導体（特
開昭５７−７３０７５号公報に記載）、ヒドラゾン誘導
体（特開昭５５−１５４９５５号、同５５−１５６９５
４号、同５５−５２０６３号、同５６−８１８５０号な
どの公報に記載）、トリフェニルメタン誘導体（特公昭
５１−１０９８３号公報に記載）、アントラセン誘導体
（特開昭５１−９４８２９号公報に記載）、スチリル誘
導体（特開昭５６−２９２４５号、同５８−１９８０４
３号各公報に記載）、カルバゾール誘導体（特開昭５８
−５８５５２号公報に記載）、ピレン誘導体（特開平２
−９４８１２号公報に記載）などが挙げられる。

【００２８】また、末端トリアリールアミン誘導体ポリ
カーボネートと低分子ＣＴＭを結着するバインダー樹脂
としては、例えばビスフェノールＡポリカーボネート樹
脂、ビスフェノールＺポリカーボネート樹脂、ビスフェ
ノールＥポリカーボネート樹脂、ビスフェノールＡＦポ
リカーボネート樹脂、ビスフェノールＡＰポリカーボネ
ート樹脂、ビスフェノールＴＰポリカーボネート樹脂、
ビスフェノールＴＭポリカーボネート樹脂、ビスフェノ
ールＣポリカーボネート樹脂などの多種ビスフェノール
から合成されるポリカーボネート樹脂、また多種ビスフ
エノールとテレフタル酸、イソフタル酸から合成される
ポリエステル樹脂、またポリカーボネートをテレフタル
酸、イソフタル酸等で連結したポリエステルカーボネー
ト樹脂などが使用される。これらポリカーボネート樹
脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルポリカーボネート
樹脂などは、機械的強度に優れ粘り強く、耐衝撃性が良
好であり、前記末端トリアリールアミン誘導体ポリカー
ボネート、低分子ＣＴＭなどと相溶性に優れ、クリアな
透明フィルムを形成する。

【００２９】末端トリアリールアミン誘導体ポリカーボ
ネートと低分子ＣＴＭとバインダー樹脂の比率は、重量
比で１〜１５／１〜１０／１０の範囲が適切であり、好
ましくは３〜９／３〜６／１０で溶液混合され塗工され
る。ＣＴＬ中末端トリアリールアミン誘導体ポリカーボ
ネート量が少ないと、その分低分子ＣＴＭ量が増え、機
械的強度の大幅な向上が望めず、摩耗による感度劣化を
招き易いし、逆にＣＴＬ中末端トリアリールアミン誘導
体ポリカーボネート量が多いと、電気特性が充填でな
く、感度不足となり易い。従って、末端トリアリールア
ミン誘導体ポリカーボネートと低分子ＣＴＭの重量比率
は、１〜１５／１０の範囲が好ましい。

【００３０】ＣＧＬは、電荷発生材（ＣＧＭ）単独、あ
るいはＣＧＭとバインダー樹脂とから形成される。ＣＧ
Ｍとしては、例えば、Ｃ．Ｉ．Ｎｏ．５９３００バット
オレンジ３などの縮合多環キノン化合物、Ｃ．Ｉ．Ｎ
ｏ．３８００１などのペリレン化合物、カルバゾール骨
格を有するアゾ顔料（特開昭５３−９５０３３号公報に
記載）、スチルベン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３
−１３８２２９号公報に記載）、トリフェニルアミン骨
格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３２５４７号公報
に記載）、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料
（特開昭５４−２１７２８号公報に記載）、オキサジア
ゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１２７４２
号公報に記載）、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料
（特開昭５４−２２８３４号公報に記載）、ビススチル
ベン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１７７３３号
公報に記載）、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有す
るアゾ顔料（特開昭５４−２１２９号公報に記載）、ジ
スチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５
４−１７７３４号公報に記載）、カルバゾール骨格を有
するトリスアゾ顔料（特開昭５７−１９５７６７、同５
７−１９５７６８号各公報に記載）、アントラキノン骨
格を有するアゾ顔料（特開昭５７−２０２５４５号公報
に記載）、スクエリアム染料、金属あるいは無金属フタ
ロシアニン、セレン、セレン合金、ａ−シリコンなどが
使用できる。

【００３１】本発明の電子写真感光体は、導電性支持体
上に少なくとも感光層を設けた構成を有する。導電性支
持体としては、アルミニウム、銅、ニッケル、ステンレ
ス等の電気伝導性の金属及び合金並びにガラス、セラミ
ック等の無機絶縁性物質及びポリエステル、ポリイミ
ド、フェノール樹脂、ナイロン樹脂、紙等の有機絶縁性
物質の表面を、真空蒸着、スパッタリング、吹付塗装等
の方法によって、アルミニウム、銅、ニッケル、ステン
レス、カーボンブラック、酸化錫、酸化インジウム、酸
化アンチモン、導電性酸化チタン等の電気導電性物質を
被覆して導電処理を行ったドラム状、シート状及びプレ
ート状のもの等が挙げられる。

【００３２】本発明においては、前記の層構成の場
合、上記導電性支持体上に、まずＣＧＭ及び所望により
バインダー樹脂を塗工してＣＧＬを設け、更にその上に
前記末端トリアリールアミン誘導体ポリカーボネート、
低分子ＣＴＭ及びバインダー樹脂を塗工することによっ
てＣＴＬが設けられる。

【００３３】ＣＧＬは、前記ＣＧＭをメチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、テトラヒド
ロフラン、ジオキサンなどのエーテル系、酢酸エチルな
どのエステル系、ジクロルエタン、クロルベンゼンなど
のハロゲン系、トルエン、キシレンなどの芳香族等の溶
媒中でボールミル、ビーズミル、振動ミル等で粉砕、分
散し平均粒径０．３μｍ以下にして、塗布することが好
ましくい。この際バインダー樹脂を添加してもよく、樹
脂としては、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタ
ール、セルロース誘導体、フェノール樹脂、エポキシ樹
脂、アクリルポリオール等が挙げられる。また、分散液
中にバインダー樹脂を含有しない場合は、導電性支持体
からの電荷注入防止のため中間層を設ける。中間層用バ
インダー樹脂としては、ポリアミド、ポリアクリルアニ
リド、カゼイン、塩ビ／酢ビ／マレイン酸共重合体、フ
ェノール樹脂等が挙げられる。ＣＧＬの塗工法は、浸漬
法、スプレー法、ロール法などの従来公知の方法が適用
される。膜厚は０．０５〜５μｍが適当で、好ましくは
０．０５〜１μｍである。

【００３４】ＣＴＬは、前記末端トリアリールアミン誘
導体ポリカーボネート、低分子ＣＴＭ及びバインダー
を、ＣＧＬ形成の場合と同様の溶媒に溶解し、これを同
様の塗工法に従ってＣＧＬ上に塗布し、６０〜２００℃
で乾燥することによって得られる。膜厚は１０〜５０μ
ｍが適当である。

【００３５】

【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、これ
により本発明の態様が限定されるものではない。部はい
ずれも重量基準である。

【００３６】実施例１ ８０φｍｍ、３４０ｍｍストロークのアルミシリンダー
にポリアミド樹脂、（ＣＭ−８０００：東レ社製）をス
プレー塗工、乾燥して０．３μｍの中間層を設けた。こ
の上に下記化８で示される構造のアゾ顔料をシクロヘキ
サノンで粉砕分散した分散液をスプレー塗工、乾燥して
０．２μｍのＣＧＬを設けた。

【化８】

【００３７】次いで、下記ＣＴＬ液を浸漬法で塗工、１
２０℃で２０分間乾燥し、２５μｍのＣＴＬを設け、本
発明の感光体を作成した。 ポリカーボネート樹脂（Ｃ−１４００：帝人化成社製） １００部 ［ＣＴＬ液］

【化９】 具体例Ｎｏ．１のポリカーボネート樹脂 ６０部 （粘度平均分子量Ｍｖ．５，０００） シリコーンオイル（ＫＦ−５０：信越シリコーン社製） １部 ジクロルメタン ８００部

【００３８】この感光体を特開昭６０−１００１６７号
公報で示されている装置に装着し、１０００ｒｐｍに回
転させ、暗中、負の６Ｋｖの電圧を放電し、２０秒間印
加した時の電位（Ｖｍ）を求め、その後放電をやめ２０
秒間暗減衰させて、その時の電位（Ｖｏ）、更にタング
ステン光を光量２６Ｌｕｘ、スリット巾６ｍｍで照射し
てＶｏから半減する量をＥ１／２、１／１０になる量を
Ｅ１／１０として感度を求めた。また、２０秒後の電位
をＶｒとした。更に、感光体を（株）リコー製電子写真
複写機ＦＴ−４８２０に装着し、１０万枚の耐久試験を
行なった。なお、初期暗部電位（Ｖd）を８００Ｖ、明
部電位（Ｖl）を８０Ｖに設定した。結果は次の通りで
あった。 Ｖｍ：１３２０Ｖ、Ｖｏ：１０６０Ｖ、Ｅ１／２：０．
８２Ｌｕｘ・ｓｅｃ、Ｅ１／１０：２．３５Ｌｕｘ／ｓ
ｅｃ、Ｖｒ：５Ｖ １０万枚後のＶd：７８０Ｖ、Ｖl：９０Ｖ、摩耗量：
０．８μｍ

【００３９】実施例２〜９ 実施例１と同様にアルミシリンダー上に中間層、ＣＧＬ
を設けた上に、下記表３に示した末端トリアリールアミ
ン誘導体ポリカーボネート、低分子ＣＴＭ及びバインダ
ー樹脂を、実施例１と同様の比率でに塗工、乾燥して本
発明の感光体を作成した。

【００４０】

【表３−（１）】

【００４１】

【表３−（２）】

【００４２】比較例１ 実施例１と同様に中間層、ＣＧＬを設けた上に、下記Ｃ
ＴＬ液を浸漬法で塗工し、１２０℃、２０分間乾燥して
２３μｍのＣＴＬを設け、比較用の感光体を作成した。 〔ＣＴＬ液〕 ポリカーボネート樹脂（Ｃ−１４００：帝人化成社製） １００部

【化１０】 シリコーンオイル（ＫＦ−５０：信越シリコーン社製） １部 ジクロルメタン ８００部

【００４３】比較例２ 比較例１において、ＣＴＬ液中の低分子ＣＴＭとして実
施例５と同一の化合物を用い、且つバインダー樹脂とし
て実施例２と同一のビスフェノールＣポリカーボネート
樹脂を用いたこと以外は、比較例１と同様にして比較用
の感光体を作成した。

【００４４】以上の実施例２〜９及び比較例１〜２で得
られた感光体について、実施例１と同様にし感度測定及
び耐久試験を行なった。それらの結果を表４に示す（実
施例１の結果も併せ記す）。

【００４５】

【表４】

【００４６】表４から、実施例１〜９の感光体は、初期
電気特性及び１０万枚の耐久試験で摩耗量が小さく、そ
れに伴いＶd、Ｖlの変動の少ない高耐久な感光体である
ことがわかる。一方、比較例１〜２の感光体は摩耗量が
多く、それに伴い感度劣化、帯電性劣化によるＶd、Ｖl
の変動の大きいものであり、比較例１の感光体は中間調
画像濃度部で白スジ、黒スジの濃度ムラが発生した。

【００４７】実施例１０ 下記中間層塗工液、ＣＧＬ塗工液、ＣＴＬ塗工液を調整
し、０．３ｍｍのＡｌ板上にブレード塗工し、中間層が
２μｍ、ＣＧＬが０．２μｍ、ＣＴＬが２５μｍの感光
体を得た。

【００４８】 〔中間層塗工液〕 アルキド樹脂（ベッコゾール１３０７−６０−ＥＬ： １５部 大日本インキ化学工業社製） メラミン樹脂（スーパーベッカミンＧ−８２１−６０： １０部 大日本インキ化学工業社製） 酸化チタン（ＴＡ−３００：石原産業社製） ９０部 メチルエチルケトン １５０部 をボールミルで１２時間分散することにより、中間層塗
工液を作成した。

【００４９】〔ＣＧＬ塗工液〕

【化１１】 ポリビニルブチラール（エスレックＢＭ−Ｓ： １部 積水化学社製） シクロヘキサノン ２００部 以上を３０時間ボールミルしてＣＧＬ液を作成した。

【００５０】 〔ＣＴＬ塗工液〕 具体例Ｎｏ．５９のポリカーボネート ６部

【化１２】 ポリカーボネートＺ樹脂（分子量５万） １０部 シリコーンオイル（ＫＦ−５０：信越化学社製） ０．００２部 ジクロロメタン ８０部 上記塗工溶液を調整した。

【００５１】実施例１１ 下記中間層塗工液、ＣＧＬ塗工液、ＣＴＬ塗工液を調整
し、０．３ｍｍのＡｌ板上にブレード塗工し、中間層が
２μｍ、ＣＧＬが０．２μｍ、ＣＴＬが２５μｍの感光
体を得た。

【００５２】 〔中間層塗工液〕 アルキド樹脂（ベッコゾール１３０７−６０−ＥＬ： １５部 大日本インキ化学工業社製） メラミン樹脂（スーパーベッカミンＧ−８２１−６０： １０部 大日本インキ化学工業社製） メチルエチルケトン １５０部 酸化チタン（ＴＡ−３００：石原産業社製） ９０部 をボールミルで１２時間分散し塗工液を得た。

【００５３】 〔ＣＧＬ塗工液〕 Ｘ型無金属フタロシアニン（ファストゲンブルー １部 ８１１０：大日本インキ化学工業社製） ポリビニルブチラール樹脂（エスレックＢＭ−Ｓ： １部 積水化学社製） シクロヘキサノン ２０部 ４−メチル−２−ペンタノン ８０部 をボールミルで４８時間分散し塗工液を得た。

【００５４】 〔ＣＴＬ塗工液〕 具体例Ｎｏ．６５のポリカーボネート ６部

【化１３】 ポリカーボネートＣ樹脂（分子量５万） １０部 シリコーンオイル（ＫＦ−５０：信越化学社製） ０．００２部 ジクロロメタン ８０部 上記塗工溶液を調整した。

【００５５】比較例３ 下記中間層塗工液、ＣＧＬ塗工液、ＣＴＬ塗工液を調整
し、０．３ｍｍのＡｌ板上にブレード塗工し、中間層が
２μｍ、ＣＧＬが０．２μｍ、ＣＴＬが２５μｍの感光
体を得た。

【００５６】 〔中間層塗工液〕 アルキド樹脂（ベッコゾール１３０７−６０−ＥＬ： １５部 大日本インキ化学工業社製） メラミン樹脂（スーパーベッカミンＧ−８２１−６０： １０部 大日本インキ化学工業社製） 酸化チタン（ＴＡ−３００：石原産業社製） ９０部 メチルエチルケトン １５０部 をボールミルで１２時間分散することにより、中間層塗
工液を作成した。

【００５７】〔ＣＧＬ塗工液〕

【化１４】 ポリビニルブチラール（エスレックＢＭ−Ｓ： １部 積水化学社製） シクロヘキサノン ２００部 以上を３０時間ボールミルしてＣＧＬ液を作成した。

【００５８】〔ＣＴＬ塗工液〕

【化１５】 ポリカーボネートＣ樹脂（分子量５万） １０部 シリコーンオイル（ＫＦ−５０：信越化学社製） ０．００２部 ジクロロメタン ８０部 上記塗工溶液を調整した。

【００５９】比較例４ 比較例３と同様にして中間層、ＣＧＬを設けた上に、下
記ＣＴＬ液を塗工し２５μｍのＣＴＬを設け、感光体を
作成した。

【００６０】〔ＣＴＬ塗工液〕

【化１６】 ポリカーボネートＺ樹脂（分子量５万） １０部 シリコーンオイル（ＫＦ−５０：信越化学社製） ０．００２部 ジクロロメタン ８０部 上記塗工溶液を調整した。

【００６１】実施例１０、１１及び比較例３、４の感光
体を川口電気社製静電複写試験装置ＳＰ−４２８を用い
て、１，０００ｒｐｍの回転下、−５．４ＫＶのコロナ
放電を２０秒間行なって帯電させ（Ｖｍ）、２０秒間減
衰（Ｖｏ）、光量８ｌｕｘのタングステンランプを３０
秒間照射し、Ｖｏからの電位が１／２になるのをＥ１／
２（ｌｕｘ・ｓｅｃ）、１／１０になるのをＥ１／１０
（ｌｕｘ・ｓｅｃ）、光照射３０秒後の電位をＶｒとし
た。更に、上記条件の帯電、露光を同時に３０分間行な
い、感光体を疲労させた後、再び前記と同様の測定を行
なった。また、摩耗試験を東洋精機製ロータリーアブレ
ージョンテスタを用いて摩耗輪ＣＳ−１０で１，５００
回転摩耗することによって行なった。それらの結果を表
５及び表６を示す。

【００６２】

【表５】

【００６３】

【表６】

【００６４】表５及び表６の結果から、末端トリアリー
ルアミン誘導体ポリカーボネートをＣＴＬ中に有する実
施例の感光体は、電気特性、耐摩耗性に優れていること
がわかる。ＣＴＬ中に低分子ＣＴＭ量の少ない比較例３
の感光体は、摩耗量は少ないが電気特性が悪化し、また
ＣＴＬ中に低分子ＣＴＭ量が多い比較例４の感光体は、
電気特性は良好であるが摩耗量が多く、耐久性に問題が
あることがうかがえる。

【００６５】実施例１２ 下記塗工液をスプレー法で８０φ、３４０ｍｍストロー
クのアルミシリンダーに塗工、１４０℃で３０分間乾燥
して膜厚３０μｍの本発明の単層感光体を得た。

【００６６】〔感光層塗工液〕

【化１７】 ポリエチレングリコールモノステアリル ３部 （イオネット４００ＭＳ：三洋化成社製） シクロヘキサノン ４４０部 をボールミルで７２時間粉砕、分散後４００部のメチル
エチルケトン４００部を加え再度３時間分散した。具体
例Ｎｏ．１５のポリカーボネート樹脂３０部、ポリカー
ボネートＺ樹脂（帝人化成社製）３０部、シクロヘキサ
ノン５００部の溶液で分散液をレットダウンし、塗工液
とした。

【００６７】実施例１３ ８０φ、３４０ｍｍストロークのアルミシリンダーに下
記ＣＴＬ液を浸漬法で塗工し、１２０℃、２０分間乾燥
し、２０μｍのＣＴＬを設けた。 〔ＣＴＬ液〕 ポリカーボネート樹脂（Ｃ−１４００：帝人化成社製） １００部

【化１８】 シクロルメタン １０００部

【００６８】次いで、下記ＣＧＬ液をスプレー法で塗工
し、１３０℃、６０分間乾燥して３μｍのＣＧＬを設
け、次いで水銀ランプ１２０Ｗ／ｃｍ、距離８ｃｍ、速
度１ｍ／ｍｉｎでＣＧＬを硬化させ、本発明の感光体を
得た。〔ＣＧＬ液〕

【化１９】 ポリエチレングリコールモノステアリル ２部 （イオネット４００ＭＳ：三洋化成社製） シクロヘキサノン ４４０部 をボールミルで７２時間粉砕、分散後４００部のメチル
エチルケトン、具体例Ｎｏ．１９のポリカーボネート樹
脂２０部の溶液を加え再度３時間分散し、シクロヘキサ
ノン：メチルエチルケトン＝１：１重量比の混合溶媒１
０００部でレットダウンし、塗工液とした。

【００６９】実施例１４ 実施例１３と同様にしてＣＴＬを設けた上に、次いで下
記ＣＧＬ液をスプレー法で塗工し１３０℃、６０分間乾
燥して５μｍのＣＧＬを設け、本発明の感光体を得た。 〔ＣＧＬ液〕 ジブロムアントアントロン（ＩＣＩ社製） ４０部 ポリエチレングリコールモノステアリル ２部 シクロヘキサノン ４６０部 をボールミルで４８時間粉砕、分散し４００部のメチル
エチルケトンを加え再度３時間分散後、具体例Ｎｏ．１
３のポリカーボネート樹脂４０部、シクロヘキサノン５
００部、メチルエチルケトン５００部の溶液でレットダ
ウンしてＣＧＬ塗工液を得た。

【００７０】上記実施例１２〜１５で作製した感光体を
リコー社製ＦＴ−６５５０に装着し、暗部電位（Ｖｄ）
８００Ｖ、明部電位（Ｖｌ）８０Ｖに設定し、５万枚の
耐久試験を行なった。その結果、実施例の感光体につい
ては摩耗、傷による異常画像は認められず、鮮明な画像
が得られた。

【００７１】実施例１５ 比較例１の感光体を準備し、その感光体ＣＴＬ上に具体
例Ｎｏ．１５のポリカーボネート樹脂の５％シクロヘキ
サノン溶液をスプレー法で塗工して、１３０℃で４０分
間乾燥して４μｍのオーバーコート層を設けた。この感
光体を実施例１と同様にリコー社製ＦＴ−４８２０に装
着して１０万枚の耐久試験を行なったところ、初期及び
１０万枚の画像ともに鮮明であった。この様に本発明の
ポリカーボネート樹脂は、オーバーコートに使用した場
合にも電気特性、耐摩耗性がよく、高画質を形成する感
光体が得られる。

【００７２】

【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、感光層に末
端基としてトリアリールアミンを有するポリカーボネー
ト樹脂、代表的には前記一般式化１で示されるポリカー
ボネート樹脂、を含有してなるものとしたことから、感
光層中の低分子電荷輸送材濃度の減少によって耐摩耗性
が向上し、且つ低分子電荷輸送材減少に伴う電気特性劣
化が上記ポリカーボネート樹脂によって防止されるの
で、高感度で且つ高耐久性のものである。

フロントページの続き (72)発明者 佐々木 正臣 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 徳田 俊正 東京都港区西新橋１−６−21 帝人化成株 式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性支持体上に少なくとも感光層を設
   けてなる電子写真感光体において、該感光層に末端基と
   してトリアリールアミンを有するポリカーボネート樹脂
   を含有してなることを特徴とする電子写真感光体。
2. 【請求項２】 前記ポリカーボネート樹脂が下記一般式
   化１で示されるものである請求項１記載の電子写真感光
   体。 【化１】 〔式中、Ｘ、Ｙ、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ｒ¹〜Ｒ⁶及びｍはそれ
   ぞれ以下のものを表わす。 Ｘ：アリーレン基、スチルベンの２価基、又はα、ω−
   ジフェニアルカンの２価基、 Ｙ：単結合、アルキレン基又は−（ＣＨ₂）ｎＯ−（式
   中、ｎは１〜６の整数を表わす、）、 Ａｒ¹、Ａｒ²：置換若しくは無置換のアリール基、 Ｒ¹、Ｒ²：水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、置
   換若しくは未置換のアリール基、又はＲ¹とＲ²が共に結
   合した炭素数４〜１２の置換基を有してもよいシクロア
   ルキル基、 Ｒ³〜Ｒ⁶：水素原子、置換若しくは未置換のアルキル
   基、アリール基、又はハロゲン原子、 ｍ：０〜１００の整数。〕