JPH07109899B2 - 高周波光電変換素子用パッケージ - Google Patents
高周波光電変換素子用パッケージInfo
- Publication number
- JPH07109899B2 JPH07109899B2 JP1135000A JP13500089A JPH07109899B2 JP H07109899 B2 JPH07109899 B2 JP H07109899B2 JP 1135000 A JP1135000 A JP 1135000A JP 13500089 A JP13500089 A JP 13500089A JP H07109899 B2 JPH07109899 B2 JP H07109899B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- conversion element
- package
- high frequency
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、フォトダイオード、半導体レーザ等に用いる
高周波光電変換素子用のメタルパッケージに関するもの
である。
高周波光電変換素子用のメタルパッケージに関するもの
である。
従来のフォトダイオード、半導体レーザ等の高周波光電
変換素子用のメタルパッケージは、第３図に示すよう
に、高周波信号が伝播するシグナルピン31が、ガラスビ
ーズ等の絶縁物32を介してメタルフレーム33にろう付け
されているだけであり、実際にこのパッケージを使用す
るにはこのシグナルピン31を非常に短く切る必要があっ
た。またこのような工夫をしても、シグナルピン31を伝
播する電気信号波形の歪を小さく抑えることは非常に困
難であった。さらにこのタイプのパッケージには、光の
入出力を光ファイバー34で行うためのものが多く、組立
工程が非常に複雑であった。
変換素子用のメタルパッケージは、第３図に示すよう
に、高周波信号が伝播するシグナルピン31が、ガラスビ
ーズ等の絶縁物32を介してメタルフレーム33にろう付け
されているだけであり、実際にこのパッケージを使用す
るにはこのシグナルピン31を非常に短く切る必要があっ
た。またこのような工夫をしても、シグナルピン31を伝
播する電気信号波形の歪を小さく抑えることは非常に困
難であった。さらにこのタイプのパッケージには、光の
入出力を光ファイバー34で行うためのものが多く、組立
工程が非常に複雑であった。
また第４図に示すように、チップを直接高周波同軸コネ
クタ41上に組み込んで、ガラス、またはガラス付きのメ
タルキャップ42等で封止する方法があるが、一般的に高
周波同軸コネクタ41は気密性に乏しいので（気密性は必
要としていないので、）信頼性に欠け、また組立工程が
煩雑になるなどの欠点があった。
クタ41上に組み込んで、ガラス、またはガラス付きのメ
タルキャップ42等で封止する方法があるが、一般的に高
周波同軸コネクタ41は気密性に乏しいので（気密性は必
要としていないので、）信頼性に欠け、また組立工程が
煩雑になるなどの欠点があった。
本発明は、気密性を有する構造とし、高周波特性を改善
し、また信頼性を保持しつつ、組立工程を簡略化できる
高周波光電変換素子用パッケージを提供することをその
目的とする。
し、また信頼性を保持しつつ、組立工程を簡略化できる
高周波光電変換素子用パッケージを提供することをその
目的とする。
本願発明の高周波光電変換素子用パッケージは、上部の
光電変換素子が組み込まれる気密部分と、下部のメタル
フレームを備える高周波同軸コネクタが一体となった２
層構造であって、気密部分は、高周波同軸コネクタに備
えられるメタルフレーム上にメタルキャプを接着するこ
とにより形成され、この気密部分から延びるシグナルピ
ンを偏芯させてこれを斜めに折り曲げて下部の中心導体
に直結させると共に、シグナルピンに接続され光電変換
素子にバイアスをかける回路を高周波コネクタに備え、
高周波の電流または電圧信号が光電変換素子に入力、も
しくは光電変換素子から出力されることを特徴とする。
光電変換素子が組み込まれる気密部分と、下部のメタル
フレームを備える高周波同軸コネクタが一体となった２
層構造であって、気密部分は、高周波同軸コネクタに備
えられるメタルフレーム上にメタルキャプを接着するこ
とにより形成され、この気密部分から延びるシグナルピ
ンを偏芯させてこれを斜めに折り曲げて下部の中心導体
に直結させると共に、シグナルピンに接続され光電変換
素子にバイアスをかける回路を高周波コネクタに備え、
高周波の電流または電圧信号が光電変換素子に入力、も
しくは光電変換素子から出力されることを特徴とする。
本発明によれば、気密性を有する一体構造としたことに
より、高周波特性を改善し、また信頼性を保持しつつ、
高周波特性の優れた同軸コネクタ、ケーブル等に直接接
続できるので、パッケージ内の素子に入力、またはこれ
から出力される信号の波形歪を最小限に抑えることがで
きる。またこの組立工程においては、従来の組立方法を
ほぼそのまま用いることができるので、歩留まりが高く
製造コストを低く抑えることができる。
より、高周波特性を改善し、また信頼性を保持しつつ、
高周波特性の優れた同軸コネクタ、ケーブル等に直接接
続できるので、パッケージ内の素子に入力、またはこれ
から出力される信号の波形歪を最小限に抑えることがで
きる。またこの組立工程においては、従来の組立方法を
ほぼそのまま用いることができるので、歩留まりが高く
製造コストを低く抑えることができる。
第１図に本発明の一実施例として、全体のメタルフレー
ム１により一体構造としたパケージを示す（第１実施
例）。
ム１により一体構造としたパケージを示す（第１実施
例）。
この上部は、光電変換素子であるチップ８が納まる気密
部分、下部は高周波同軸コネクタとなっている。この例
では、上部の中心にチップ８が置かれ、偏芯されて位置
しているシグナルピン２にボンディングワイヤー９で接
続されている。このようにチップ８を中心に位置させる
ことは、特に光学素子にとっては、光学的アライメント
が簡単になる点において重要なことである。また、これ
によりチップ８はメタルフレーム１上にダイボンドする
ことができるので、従来のTOタイプと同様に、製造工程
が簡単になり、信頼性が高いという特長を有する。
部分、下部は高周波同軸コネクタとなっている。この例
では、上部の中心にチップ８が置かれ、偏芯されて位置
しているシグナルピン２にボンディングワイヤー９で接
続されている。このようにチップ８を中心に位置させる
ことは、特に光学素子にとっては、光学的アライメント
が簡単になる点において重要なことである。また、これ
によりチップ８はメタルフレーム１上にダイボンドする
ことができるので、従来のTOタイプと同様に、製造工程
が簡単になり、信頼性が高いという特長を有する。
このシグナルピン２が同軸コネクタの中心導体に接続さ
れるためには、その途中でシグナルピン２を折り曲げて
中心までもってこなくてはならない。このときピンを急
に折り曲げることは高周波特性を損ねることになるの
で、第１図に示すように斜めに折り曲げるのが望まし
い。また、シグナルピン２が中心に位置する部分の長さ
は、これを同軸コネクタ等に接続した時に、その先端
が、斜めになっているピンの部分に当たらない程度に長
くしておかなければならない。この構造は、従来の機会
加工技術により容易に作成することができる。メタルキ
ャップ４をする際には、従来の、例えばTOタイプのメタ
ルパッケージと同様、溶接などの方法により不活性ガス
中での封止を行うことができるので、気密性に優れ、信
頼性が高いことが大きな特長である。
れるためには、その途中でシグナルピン２を折り曲げて
中心までもってこなくてはならない。このときピンを急
に折り曲げることは高周波特性を損ねることになるの
で、第１図に示すように斜めに折り曲げるのが望まし
い。また、シグナルピン２が中心に位置する部分の長さ
は、これを同軸コネクタ等に接続した時に、その先端
が、斜めになっているピンの部分に当たらない程度に長
くしておかなければならない。この構造は、従来の機会
加工技術により容易に作成することができる。メタルキ
ャップ４をする際には、従来の、例えばTOタイプのメタ
ルパッケージと同様、溶接などの方法により不活性ガス
中での封止を行うことができるので、気密性に優れ、信
頼性が高いことが大きな特長である。
またこのパッケージを同軸コネクタに接続する場合に
は、常にその中心位置は一定であるので、チップ８の発
光、あるいは受光部分をパッケージの中心に位置させる
ことにより光学的アライメントが非常に簡単になる。さ
らにこのパッケージは従来技術により、光ファイバー、
または光コネクタによる光入出力化にすることも可能で
ある。
は、常にその中心位置は一定であるので、チップ８の発
光、あるいは受光部分をパッケージの中心に位置させる
ことにより光学的アライメントが非常に簡単になる。さ
らにこのパッケージは従来技術により、光ファイバー、
または光コネクタによる光入出力化にすることも可能で
ある。
なお、図中３はガラスなどによる絶縁物である。
第２図は、このパッケージの後段に、素子にバイアスを
かけるためのバイアス回路を接続して、全体を一体構造
としたものを示したものである（第２実施例）。
かけるためのバイアス回路を接続して、全体を一体構造
としたものを示したものである（第２実施例）。
通常、素子にバイアスをかける場合には、市販のバイア
スティーを用いるのであるが、第２図のようにこれをパ
ッケージに組み込むことにより、バイアス回路を含めた
全体の大きさを小さくすることができ、ひいては高周波
特性を向上させることにもなる。ここで図中５は直流バ
イアスをかけるための電極ピン、６はこのピンと高周波
信号用のシグナルピンとの間に設けられたコイル、７は
高周波信号用のシグナルピンに直列に挿入された、直流
カット用に用いるコンデンサ用絶縁物である。
スティーを用いるのであるが、第２図のようにこれをパ
ッケージに組み込むことにより、バイアス回路を含めた
全体の大きさを小さくすることができ、ひいては高周波
特性を向上させることにもなる。ここで図中５は直流バ
イアスをかけるための電極ピン、６はこのピンと高周波
信号用のシグナルピンとの間に設けられたコイル、７は
高周波信号用のシグナルピンに直列に挿入された、直流
カット用に用いるコンデンサ用絶縁物である。
以上に示した発明によって、入出力電気信号の波形歪を
最小限に抑えることができ、本来高周波特性の優れた光
電変換素子の特性を最大限に引き出すことが可能にな
る。しかも、気密性、信頼性は従来の気密パッケージと
全く変わりなく、またその組立工程においても、従来と
ほとんど同様の方法で行うことができる。
最小限に抑えることができ、本来高周波特性の優れた光
電変換素子の特性を最大限に引き出すことが可能にな
る。しかも、気密性、信頼性は従来の気密パッケージと
全く変わりなく、またその組立工程においても、従来と
ほとんど同様の方法で行うことができる。
本発明によるパッケージを用いることにより、フォトダ
イオード、半導体レーザ等の高周波光電変換素子への、
高周波電気信号の入出力に伴う波形歪を最小限に抑える
ことができ、素子の高周波特性を最大限に引き出すこと
ができる。またこれを使用する際に、ピンの切断や煩雑
なハンダづけの手間が省けるため、取扱が簡単、取り外
し再使用が可能、再現性に優れるなど多くの利点があ
る。
イオード、半導体レーザ等の高周波光電変換素子への、
高周波電気信号の入出力に伴う波形歪を最小限に抑える
ことができ、素子の高周波特性を最大限に引き出すこと
ができる。またこれを使用する際に、ピンの切断や煩雑
なハンダづけの手間が省けるため、取扱が簡単、取り外
し再使用が可能、再現性に優れるなど多くの利点があ
る。
第１図は本発明の一実施例で、全体をメタルフレームに
よる一体構造としたパッケージの裁断側面図、第２図は
本発明の一実施例で、第１図に示したパッケージの後段
に、バイアスをかけるためのバイアス回路を接続し、全
体を一体構造としたパッケージの裁断側面図、第３図
は、先行技術による高周波光電変換素子用のメタルパッ
ケージの斜視図、第４図は先行技術によるチップを直接
高周波同軸コネクタ上に組み込んだ場合のメタルパッケ
ージの側面図である。 １……メタルフレーム、２……シグナルピン、３……絶
縁物、４……メタルキャップ、５……電極ピン、６……
コイル、７……コンデンサ用絶縁物、８……チップ、９
……ボンディングワイヤー。
よる一体構造としたパッケージの裁断側面図、第２図は
本発明の一実施例で、第１図に示したパッケージの後段
に、バイアスをかけるためのバイアス回路を接続し、全
体を一体構造としたパッケージの裁断側面図、第３図
は、先行技術による高周波光電変換素子用のメタルパッ
ケージの斜視図、第４図は先行技術によるチップを直接
高周波同軸コネクタ上に組み込んだ場合のメタルパッケ
ージの側面図である。 １……メタルフレーム、２……シグナルピン、３……絶
縁物、４……メタルキャップ、５……電極ピン、６……
コイル、７……コンデンサ用絶縁物、８……チップ、９
……ボンディングワイヤー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯田 孝 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 藁料 禎久 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 杉本 賢一 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 鈴木 智子 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 菅 博文 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (56)参考文献 実開 昭56−164568（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】上部の光電変換素子が組み込まれる気密部
分と、下部のメタルフレームを備える高周波同軸コネク
タが一体となった２層構造であって、前記気密部分は、
前記高周波同軸コネクタに備えられた前記メタルフレー
ム上にメタルキャプを接着することにより形成され、こ
の気密部分から延びるシグナルピンを偏芯させてこれを
斜めに折り曲げて下部の中心導体に直結させると共に、
前記シグナルピンに接続され前記光電変換素子にバイア
スをかける回路を前記高周波コネクタに備え、高周波の
電流または電圧信号が前記光電変換素子に入力、もしく
は前記光電変換素子から出力されることを特徴とする高
周波光電変換素子用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1135000A JPH07109899B2 (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 高周波光電変換素子用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1135000A JPH07109899B2 (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 高周波光電変換素子用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH031576A JPH031576A (ja) | 1991-01-08 |
| JPH07109899B2 true JPH07109899B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=15141592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1135000A Expired - Lifetime JPH07109899B2 (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 高周波光電変換素子用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109899B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4926638B2 (ja) * | 2006-10-05 | 2012-05-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 高周波光電変換装置 |
| CN103242084B (zh) * | 2012-02-10 | 2015-02-11 | 湖北金山磷化股份有限公司 | 一种缓释磷肥 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56164568U (ja) * | 1980-05-08 | 1981-12-07 |
-
1989
- 1989-05-29 JP JP1135000A patent/JPH07109899B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH031576A (ja) | 1991-01-08 |
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