JPH031576A - 高周波光電変換素子用パッケージ - Google Patents
高周波光電変換素子用パッケージInfo
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- JPH031576A JPH031576A JP1135000A JP13500089A JPH031576A JP H031576 A JPH031576 A JP H031576A JP 1135000 A JP1135000 A JP 1135000A JP 13500089 A JP13500089 A JP 13500089A JP H031576 A JPH031576 A JP H031576A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フォトダイオード、半導体レーザ等に用いる
高周波光電変換素子用のメタルパッケージに関するもの
である。
高周波光電変換素子用のメタルパッケージに関するもの
である。
〔従来の技術並びに発明が解決しようとする課題〕従来
のフォトダイオード、半導体レーザ等の高周波光電変換
素子用のメタルパッケージは、第３図に示すように、高
周波信号が伝播するシグナルピン３１が、ガラスピーズ
等の絶縁物３２を介してメタルフレーム３３にろう付け
されているだけであり、実際にこのパッケージを使用す
るにはこのシグナルピン３１を非常に短く切る必要があ
った。またこのような工夫をしても、シグナルピン３１
を伝播する電気信号波形の歪を小さく抑えることは非常
に困難であった。さらにこのタイプのパッケージには、
光の入出力を光ファイバー３４で行うためのものが多く
、組立工程が非常に複雑であった。
のフォトダイオード、半導体レーザ等の高周波光電変換
素子用のメタルパッケージは、第３図に示すように、高
周波信号が伝播するシグナルピン３１が、ガラスピーズ
等の絶縁物３２を介してメタルフレーム３３にろう付け
されているだけであり、実際にこのパッケージを使用す
るにはこのシグナルピン３１を非常に短く切る必要があ
った。またこのような工夫をしても、シグナルピン３１
を伝播する電気信号波形の歪を小さく抑えることは非常
に困難であった。さらにこのタイプのパッケージには、
光の入出力を光ファイバー３４で行うためのものが多く
、組立工程が非常に複雑であった。
また第４図に示すように、チップを直接高周波同軸コネ
クタ４１上に組み込んで、ガラス、またはガラス付きの
メタルキャップ４２等で封止する方法があるが、一般的
に高周波同軸コネクタ４１は気密性に乏しいので（気密
性は必要としていないので）、信頼性に欠け、また組立
工程が煩雑になるなどの欠点があった。
クタ４１上に組み込んで、ガラス、またはガラス付きの
メタルキャップ４２等で封止する方法があるが、一般的
に高周波同軸コネクタ４１は気密性に乏しいので（気密
性は必要としていないので）、信頼性に欠け、また組立
工程が煩雑になるなどの欠点があった。
本発明は、気密性、および信頼性を保持しつつ、組立工
程を簡略化できる高周波光電変換素子用パッケージを提
供することをその目的とする。
程を簡略化できる高周波光電変換素子用パッケージを提
供することをその目的とする。
本発明は上記目的を達成すべく、上部の光電変換素子が
組み込まれる気密部分と、下部の高周波同軸コネクタが
一体となった２層構造とし、上部のシグナルピンが下部
の中心導体に直結されていることにより、高周波の電流
または電圧信号が、これに組み込まれた光電変換素子に
入力、もしくはこれから出力されるようになされたこと
を特徴とする。
組み込まれる気密部分と、下部の高周波同軸コネクタが
一体となった２層構造とし、上部のシグナルピンが下部
の中心導体に直結されていることにより、高周波の電流
または電圧信号が、これに組み込まれた光電変換素子に
入力、もしくはこれから出力されるようになされたこと
を特徴とする。
この場合、上部のシグナルピンが偏芯している場合には
、これを急に折り曲げずに斜めに折り曲げて下部の中心
導体と接続された構造を有することが好ましい。
、これを急に折り曲げずに斜めに折り曲げて下部の中心
導体と接続された構造を有することが好ましい。
また、下部の高周波コネクタに、バイアスをかけるため
の回路が付加されて、これを含んで全体が一体構造とな
されたことが好ましい。
の回路が付加されて、これを含んで全体が一体構造とな
されたことが好ましい。
更に、上部をＴＯタイプのメタルパッケージと同じ構造
することも好ましい。
することも好ましい。
本発明によれば、気密パッケージのもつ優れた気密性、
および信頼性を保持しつつ、高周波特性の優れた同軸コ
ネクタ、ケーブル等に直接接続できるので、パッケージ
内の素子に入力、またはこれから出力される信号の波形
歪を最小限に抑えることができる。またこの組立工程に
おいては、従来の組立方法をほぼそのまま用いることが
できるので、歩留まりが高く製造コストを低く抑えるこ
とができる。
および信頼性を保持しつつ、高周波特性の優れた同軸コ
ネクタ、ケーブル等に直接接続できるので、パッケージ
内の素子に入力、またはこれから出力される信号の波形
歪を最小限に抑えることができる。またこの組立工程に
おいては、従来の組立方法をほぼそのまま用いることが
できるので、歩留まりが高く製造コストを低く抑えるこ
とができる。
第１図に本発明の一実施例として、全体をメタルフレー
ム１により一体構造としたパッケージを示す（第１実施
例）。
ム１により一体構造としたパッケージを示す（第１実施
例）。
この上部は、光電変換素子であるチップ８が納まる気密
部分、下部は高周波同軸コネクタとなっている。この例
では、上部の中心にチップ８が置かれ、偏芯されて位置
しているシグナルピン２にボンディングワイヤー９で接
続されている。このようにチップ８を中心に位置させる
ことは、特に光学素子にとっては、光学的アライメント
が簡単になる点において重要なことである。また、これ
によりチップ８はメタルフレーム１上にダイボンドする
ことができるので、従来のＴＯタイプと同様に、製造工
程が簡単になり、信頼性が高いという特長を有する。
部分、下部は高周波同軸コネクタとなっている。この例
では、上部の中心にチップ８が置かれ、偏芯されて位置
しているシグナルピン２にボンディングワイヤー９で接
続されている。このようにチップ８を中心に位置させる
ことは、特に光学素子にとっては、光学的アライメント
が簡単になる点において重要なことである。また、これ
によりチップ８はメタルフレーム１上にダイボンドする
ことができるので、従来のＴＯタイプと同様に、製造工
程が簡単になり、信頼性が高いという特長を有する。
このシグナルピン２が同軸コネクタの中心導体に接続さ
れるためには、その途中でシグナルピン２を折り曲げて
中心までもってこなくてはならない。このときビンを急
に折り曲げることは高周波特性を損ねることになるので
、第１図に示すように斜めに折り曲げるのが望ましい。
れるためには、その途中でシグナルピン２を折り曲げて
中心までもってこなくてはならない。このときビンを急
に折り曲げることは高周波特性を損ねることになるので
、第１図に示すように斜めに折り曲げるのが望ましい。
また、シグナルピン２が中心に位置する部分の長さは、
これを同軸コネクタ等に接続した時に、その先端が、斜
めになっているピンの部分に当たらない程度に長くして
おかなければならない。この構造は、従来の機械加工技
術により容易に作成することができる。メタルキャップ
４をする際には、従来の、例えばＴＯタイプのメタルパ
ッケージと同様、溶接などの方法により不活性ガス中で
の封止を行うことができるので、気密性に優れ、信頼性
が高いことが大きな特長である。
これを同軸コネクタ等に接続した時に、その先端が、斜
めになっているピンの部分に当たらない程度に長くして
おかなければならない。この構造は、従来の機械加工技
術により容易に作成することができる。メタルキャップ
４をする際には、従来の、例えばＴＯタイプのメタルパ
ッケージと同様、溶接などの方法により不活性ガス中で
の封止を行うことができるので、気密性に優れ、信頼性
が高いことが大きな特長である。
またこのパッケージを同軸コネクタに接続する場合には
、常にその中心位置は一定であるので、チップ８の発光
、あるいは受光部分をパッケージの中心に位置させるこ
とにより光学的アライメントが非常に簡単になる。さら
にこのパッケージは従来技術により、光ファイバー ま
たは光コネクタによる光入出力化にすることも可能であ
る。
、常にその中心位置は一定であるので、チップ８の発光
、あるいは受光部分をパッケージの中心に位置させるこ
とにより光学的アライメントが非常に簡単になる。さら
にこのパッケージは従来技術により、光ファイバー ま
たは光コネクタによる光入出力化にすることも可能であ
る。
なお、図中３はガラスなどによる絶縁物である。
第２図は、このパッケージの後段に、素子にバイアスを
かけるためのバイアスティーを接続して、全体を一体構
造としたものを示す（第２実施例）。
かけるためのバイアスティーを接続して、全体を一体構
造としたものを示す（第２実施例）。
通常、素子にバイアスをかける場合には、市販のバイア
スティーを用いるのであるが、第２図のようにこれをパ
ッケージに組み込むことにより、バイアスティーを含め
た全体の大きさを小さくすることができ、ひいては高周
波特性を向上させることにもなる。ここで図中５は直流
バイアスをかけるための電極ピン、６はこのピンと高周
波信号用のシグナルピンとの間に設けられたコイル、７
は高周波信号用のシグナルピンに直列に挿入された、直
流カット用に用いるコンデンサ用絶縁物である。
スティーを用いるのであるが、第２図のようにこれをパ
ッケージに組み込むことにより、バイアスティーを含め
た全体の大きさを小さくすることができ、ひいては高周
波特性を向上させることにもなる。ここで図中５は直流
バイアスをかけるための電極ピン、６はこのピンと高周
波信号用のシグナルピンとの間に設けられたコイル、７
は高周波信号用のシグナルピンに直列に挿入された、直
流カット用に用いるコンデンサ用絶縁物である。
以上に示した発明によって、入出力電気信号の波形歪を
最小限に抑えることができ、本来高周波特性の優れた光
電変換素子の特性を最大限に引き出すことが可能になる
。しかも、気密性、信頼性は従来の気密パッケージと全
く変わりなく、またその組立工程においても、従来とほ
とんど同様の方法で行うことができる。
最小限に抑えることができ、本来高周波特性の優れた光
電変換素子の特性を最大限に引き出すことが可能になる
。しかも、気密性、信頼性は従来の気密パッケージと全
く変わりなく、またその組立工程においても、従来とほ
とんど同様の方法で行うことができる。
本発明によるパッケージを用いることにより、フォトダ
イオード、半導体レーザ等の高周波光電変換素子への、
高周波電気信号の入出力に伴う波形歪を最小限に抑える
ことができ、素子の高周波特性を最大限に引き出すこと
ができる。またこれを使用する際に、煩雑なハンダづけ
の手間が省けるため、取扱が簡単、取り外し再使用が可
能、再現性に優れるなど多くの利点がある。
イオード、半導体レーザ等の高周波光電変換素子への、
高周波電気信号の入出力に伴う波形歪を最小限に抑える
ことができ、素子の高周波特性を最大限に引き出すこと
ができる。またこれを使用する際に、煩雑なハンダづけ
の手間が省けるため、取扱が簡単、取り外し再使用が可
能、再現性に優れるなど多くの利点がある。
第１図は本発明の一実施例で、全体をメタルフレームに
よる一体構造としたパッケージの裁断側面図、第２図は
本発明の一実施例で、第１図に示したパッケージの後段
に、バイアスをかけるためのバイアスティーを接続し、
全体を一体構造としたパッケージの裁断側面図、第３図
は、先行技術による高周波光電変換素子用のメタルパッ
ケージの斜視図、第４図は先行技術によるチップを直接
高周波同軸コネクタ上に組み込んだ場合のメタルパッケ
ージの側面図である。 １・・・メタルフレーム、２・・・シグナルピン、３・
・・絶縁物、４・・・メタルキャップ、５・・・電極ピ
ン、６・・・コイル、７・・・コンデンサ用絶縁物、８
・・・チップ、９・・・ボンディングワイヤー
よる一体構造としたパッケージの裁断側面図、第２図は
本発明の一実施例で、第１図に示したパッケージの後段
に、バイアスをかけるためのバイアスティーを接続し、
全体を一体構造としたパッケージの裁断側面図、第３図
は、先行技術による高周波光電変換素子用のメタルパッ
ケージの斜視図、第４図は先行技術によるチップを直接
高周波同軸コネクタ上に組み込んだ場合のメタルパッケ
ージの側面図である。 １・・・メタルフレーム、２・・・シグナルピン、３・
・・絶縁物、４・・・メタルキャップ、５・・・電極ピ
ン、６・・・コイル、７・・・コンデンサ用絶縁物、８
・・・チップ、９・・・ボンディングワイヤー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、上部の光電変換素子が組み込まれる気密部分と、下
部の高周波同軸コネクタが一体となった２層構造とし、
上部のシグナルピンが下部の中心導体に直結されている
ことにより、高周波の電流または電圧信号が、これに組
み込まれた光電変換素子に入力、もしくはこれから出力
されるようになされたことを特徴とする高周波光電変換
素子用パッケージ。 ２、前記上部のシグナルピンを偏芯させて、これを斜め
に折り曲げて下部の中心導体と接続された構造を有する
ことを特徴とする請求項１記載の高周波光電変換素子用
パッケージ。 ３、前記下部の高周波コネクタに、バイアスをかけるた
めの回路が付加されて、これを含んで全体が一体構造と
なされたことを特徴とする請求項１又は２記載の高周波
光電変換素子用パッケージ。 ４、上部をＴＯタイプのメタルパッケージと同じ構造に
したことを特徴とする請求項１、２又は３記載の高周波
光電変換素子用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1135000A JPH07109899B2 (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 高周波光電変換素子用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1135000A JPH07109899B2 (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 高周波光電変換素子用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH031576A true JPH031576A (ja) | 1991-01-08 |
| JPH07109899B2 JPH07109899B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=15141592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1135000A Expired - Lifetime JPH07109899B2 (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 高周波光電変換素子用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109899B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008098193A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-24 | Hamamatsu Photonics Kk | 高周波光電変換装置 |
| CN103242084A (zh) * | 2012-02-10 | 2013-08-14 | 湖北金山磷化股份有限公司 | 一种缓释磷肥 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56164568U (ja) * | 1980-05-08 | 1981-12-07 |
-
1989
- 1989-05-29 JP JP1135000A patent/JPH07109899B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56164568U (ja) * | 1980-05-08 | 1981-12-07 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008098193A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-24 | Hamamatsu Photonics Kk | 高周波光電変換装置 |
| CN103242084A (zh) * | 2012-02-10 | 2013-08-14 | 湖北金山磷化股份有限公司 | 一种缓释磷肥 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07109899B2 (ja) | 1995-11-22 |
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Legal Events
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 14 |