JPH07106113A - ボンド磁石用フェライト粒子粉末材料及びその製造法 - Google Patents
ボンド磁石用フェライト粒子粉末材料及びその製造法Info
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- JPH07106113A JPH07106113A JP5268123A JP26812393A JPH07106113A JP H07106113 A JPH07106113 A JP H07106113A JP 5268123 A JP5268123 A JP 5268123A JP 26812393 A JP26812393 A JP 26812393A JP H07106113 A JPH07106113 A JP H07106113A
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- ferrite
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高飽和磁化値を有するマグネトプランバイト
型フェライト粒子粉末からなるボンド磁石用フェライト
粒子粉末材料及び該ボンド磁石用フェライト粒子粉末材
料を工業的に得られる製造法を提供する。 【構成】 高飽和磁化値を有したマグネトプランバイト
型フェライト粒子粉末からなるボンド磁石用フェライト
粒子粉末材料は、Ｌａ化合物をＬａ2 Ｏ3 換算で０．３
〜１．０重量％配合したマグネトプランバイト型フェラ
イト原料混合物を調製した後、該原料混合物に融剤を混
在させ１０００℃以上で焼成した焼成物にＢｉ化合物を
配合した後、微粉砕処理し、続いて熱処理を施して得ら
れる。
型フェライト粒子粉末からなるボンド磁石用フェライト
粒子粉末材料及び該ボンド磁石用フェライト粒子粉末材
料を工業的に得られる製造法を提供する。 【構成】 高飽和磁化値を有したマグネトプランバイト
型フェライト粒子粉末からなるボンド磁石用フェライト
粒子粉末材料は、Ｌａ化合物をＬａ2 Ｏ3 換算で０．３
〜１．０重量％配合したマグネトプランバイト型フェラ
イト原料混合物を調製した後、該原料混合物に融剤を混
在させ１０００℃以上で焼成した焼成物にＢｉ化合物を
配合した後、微粉砕処理し、続いて熱処理を施して得ら
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ボンド磁石に用いられ
るボンド磁石用フェライト粒子粉末材料及びその製造法
に関するものである。
るボンド磁石用フェライト粒子粉末材料及びその製造法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】周知の通り、ボンド磁石は、焼結磁石に
比べ、軽量で、寸法精度が良く、複雑な形状も容易に量
産化できる等の利点がある為、玩具用、事務用具用、音
響機器用等の各種用途に広く使用されている。
比べ、軽量で、寸法精度が良く、複雑な形状も容易に量
産化できる等の利点がある為、玩具用、事務用具用、音
響機器用等の各種用途に広く使用されている。
【０００３】近年、各分野における用具や機器の小型軽
量化に伴って、これに使用されるボンド磁石の高性能化
による磁石自体の小型化が強く要望されている。
量化に伴って、これに使用されるボンド磁石の高性能化
による磁石自体の小型化が強く要望されている。
【０００４】ボンド磁石は、一般に、ゴム又はプラスチ
ックス材料と磁性粉末材料とを混練した後、磁場中で成
形するか、或いは機械的手段により成形することにより
製造されている。
ックス材料と磁性粉末材料とを混練した後、磁場中で成
形するか、或いは機械的手段により成形することにより
製造されている。
【０００５】磁場中で成形される磁場配向成形品は、特
に形状の複雑化した部品に用いられ、しかも高い残留磁
束密度Ｂｒ、最大エネルギー積ＢＨｍａｘが要求されて
いる分野で用いられている。
に形状の複雑化した部品に用いられ、しかも高い残留磁
束密度Ｂｒ、最大エネルギー積ＢＨｍａｘが要求されて
いる分野で用いられている。
【０００６】一方、機械的手段により成形される機械配
向成形品は、複雑な形状をした部品には適してはいない
が、加工が容易であるという理由で、特にマイクロモー
タの分野において汎用されている。
向成形品は、複雑な形状をした部品には適してはいない
が、加工が容易であるという理由で、特にマイクロモー
タの分野において汎用されている。
【０００７】また、ボンド磁石の残留磁束密度Ｂｒは、
非磁性のゴム又はプラスチックス材料を含むために、そ
の体積分だけ焼結磁石に比べて低いので、その向上が要
求されている。
非磁性のゴム又はプラスチックス材料を含むために、そ
の体積分だけ焼結磁石に比べて低いので、その向上が要
求されている。
【０００８】そして、ボンド磁石の残留磁束密度Ｂｒ
は、用いる磁性粉末の飽和磁化値の大きさ、配向度及び
充填率に左右される。現在までに配向度及び充填率に関
しては多くの提案がされてきているが、それらの向上に
関しては極限状態にあるのが現状である。
は、用いる磁性粉末の飽和磁化値の大きさ、配向度及び
充填率に左右される。現在までに配向度及び充填率に関
しては多くの提案がされてきているが、それらの向上に
関しては極限状態にあるのが現状である。
【０００９】即ち、 磁性粉末材料のゴム又はプラスチ
ック材料への配合割合において、磁性粉末の充填率を高
めて磁気特性の向上を計った場合には、ゴム又はプラス
チック材料との混練物の溶融粘度が高くなって磁性粉末
の配向度が低下する傾向にあり、一方、配向度を高めよ
うとすれば磁性粉末の充填率を低く設定すればよいが、
この場合には、磁性粉末の配向度は向上しても磁性粉末
含有量の絶対量が少ない為に磁気特性、特に残留磁束密
度Ｂｒ値を高めるには限度がある。従って、残留磁束密
度Ｂｒをより向上させるためには、飽和磁化値を高める
必要がある。
ック材料への配合割合において、磁性粉末の充填率を高
めて磁気特性の向上を計った場合には、ゴム又はプラス
チック材料との混練物の溶融粘度が高くなって磁性粉末
の配向度が低下する傾向にあり、一方、配向度を高めよ
うとすれば磁性粉末の充填率を低く設定すればよいが、
この場合には、磁性粉末の配向度は向上しても磁性粉末
含有量の絶対量が少ない為に磁気特性、特に残留磁束密
度Ｂｒ値を高めるには限度がある。従って、残留磁束密
度Ｂｒをより向上させるためには、飽和磁化値を高める
必要がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】高い残留磁束密度Ｂ
ｒ、エネルギー積ＢＨｍａｘを有するボンド磁石は、現
在最も要求されているところであるが、前述した通り、
残留磁束密度Ｂｒの向上を、配向度及び充填率の改善の
みで果たすことは非常に困難となつてきており、必然的
に飽和磁化値の向上が必要となつてくるのである。
ｒ、エネルギー積ＢＨｍａｘを有するボンド磁石は、現
在最も要求されているところであるが、前述した通り、
残留磁束密度Ｂｒの向上を、配向度及び充填率の改善の
みで果たすことは非常に困難となつてきており、必然的
に飽和磁化値の向上が必要となつてくるのである。
【００１１】従来、飽和磁化値を向上させて高い残留磁
束密度Ｂｒを得る技術が幾つか提案がなされている。例
えば、特開平４−１７９２０１号公報には、基本組成と
してＳｒＯ・２ＺｎＯ・８Ｆｅ2 Ｏ3 となるような配合
して調製した原料混合物を仮焼成した後、粉砕時にＳｒ
含有化合物粉末を添加して焼成を行い極めて高い飽和磁
化値σｓを有したストロンチウム系Ｗ相型六方晶フェラ
イト磁石を製造する方法が開示されている。また、特開
昭６２−２５２３２５号公報には、Ｌａ、Ｆｅ2+を添加
した後共沈−水熱処理を施すことによってバリウムの一
部をＬａで置換した飽和磁化値σｓの高い六角板状をな
す六方晶系フェライト微粉末が開示されている。
束密度Ｂｒを得る技術が幾つか提案がなされている。例
えば、特開平４−１７９２０１号公報には、基本組成と
してＳｒＯ・２ＺｎＯ・８Ｆｅ2 Ｏ3 となるような配合
して調製した原料混合物を仮焼成した後、粉砕時にＳｒ
含有化合物粉末を添加して焼成を行い極めて高い飽和磁
化値σｓを有したストロンチウム系Ｗ相型六方晶フェラ
イト磁石を製造する方法が開示されている。また、特開
昭６２−２５２３２５号公報には、Ｌａ、Ｆｅ2+を添加
した後共沈−水熱処理を施すことによってバリウムの一
部をＬａで置換した飽和磁化値σｓの高い六角板状をな
す六方晶系フェライト微粉末が開示されている。
【００１２】しかしながら、特開平４−１７９２０１号
公報記載の技術は、焼結磁石に係わるものであって高配
向、高充填が達成できるボンド磁石用フェライト粉末で
はない。また、特開昭６２−２５２３２５号公報記載の
技術は、最終的に得られる六方晶系フェライト微粉末が
０．１５〜０．２０μｍとボンド磁石用のフェライト粉
末としては小さすぎて材料としては好ましいものではな
い。
公報記載の技術は、焼結磁石に係わるものであって高配
向、高充填が達成できるボンド磁石用フェライト粉末で
はない。また、特開昭６２−２５２３２５号公報記載の
技術は、最終的に得られる六方晶系フェライト微粉末が
０．１５〜０．２０μｍとボンド磁石用のフェライト粉
末としては小さすぎて材料としては好ましいものではな
い。
【００１３】従って、当業界では、残留磁束密度Ｂｒの
高いボンド磁石を得るため、高配向性、高充填性を備
え、しかも高飽和磁化値を有したボンド磁石用フェライ
ト粒子粉末材料を得ることが最大の技術的課題となって
いる。
高いボンド磁石を得るため、高配向性、高充填性を備
え、しかも高飽和磁化値を有したボンド磁石用フェライ
ト粒子粉末材料を得ることが最大の技術的課題となって
いる。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ボンド磁
石用フェライト粒子粉末材料を製造するに際して、飽和
磁化値が大きいボンド磁石用フェライト粒子粉末を得る
ことにより、前記技術的課題を解決すべく種々検討を重
ねた結果、本発明を完成するに至ったのである。
石用フェライト粒子粉末材料を製造するに際して、飽和
磁化値が大きいボンド磁石用フェライト粒子粉末を得る
ことにより、前記技術的課題を解決すべく種々検討を重
ねた結果、本発明を完成するに至ったのである。
【００１５】即ち、本発明は、Ｌａ2 Ｏ3 を０．３〜
１．０重量％含有しており、且つ飽和磁化化値（σｓ）
が７１．５ｅｍｕ／ｇ以上であるマグネトプランバイト
型フェライト粒子粉末からなるボンド磁石用フェライト
粒子粉末材料、及び、Ｌａ化合物をＬａ2 Ｏ3 換算で
０．３〜１．０重量配合したマグネトプランバイト型フ
ェライト原料混合物を調製した後、該原料混合物に融剤
を混在させ１０００℃以上で焼成したマグネトプランバ
イト型フェライト粒子粉末に対して、Ｂｉ化合物をＢｉ
2 Ｏ3 換算で０．２〜０．６重量％配合した後、微粉砕
処理を行ってから、７００〜９５０℃の温度範囲で熱処
理することによってマグネトプランバイト型フェライト
粒子粉末を得ることを特徴とするボンド磁石用フェライ
ト粒子粉末材料の製造法である。
１．０重量％含有しており、且つ飽和磁化化値（σｓ）
が７１．５ｅｍｕ／ｇ以上であるマグネトプランバイト
型フェライト粒子粉末からなるボンド磁石用フェライト
粒子粉末材料、及び、Ｌａ化合物をＬａ2 Ｏ3 換算で
０．３〜１．０重量配合したマグネトプランバイト型フ
ェライト原料混合物を調製した後、該原料混合物に融剤
を混在させ１０００℃以上で焼成したマグネトプランバ
イト型フェライト粒子粉末に対して、Ｂｉ化合物をＢｉ
2 Ｏ3 換算で０．２〜０．６重量％配合した後、微粉砕
処理を行ってから、７００〜９５０℃の温度範囲で熱処
理することによってマグネトプランバイト型フェライト
粒子粉末を得ることを特徴とするボンド磁石用フェライ
ト粒子粉末材料の製造法である。
【００１６】次に、本発明実施にあたっての諸条件につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１７】本発明におけるＬａ化合物としては、Ｌａ
2 Ｏ3 、Ｌａ2(ＳＯ4)3 、Ｌａ( ＮＯ3)3 ・6 Ｈ2 Ｏ及
びＬａＣｌ3 等が使用できる。
2 Ｏ3 、Ｌａ2(ＳＯ4)3 、Ｌａ( ＮＯ3)3 ・6 Ｈ2 Ｏ及
びＬａＣｌ3 等が使用できる。
【００１８】Ｌａ化合物の添加量は、生成するマグネト
プランバイト型フェライト粒子粉末に対して、Ｌａ2 Ｏ
3 換算で０．３〜１．０重量％である。０．３重量％未
満である場合には、本発明における効果が発現できな
い。一方、１．０重量％を越える場合には、高飽和磁化
値を有したフェライト粒子粉末が得られるが、反面、ゴ
ム又はプラスチック材料と混練して磁場配向すると残留
磁束密度Ｂｒが減少し始める。従って高残留磁束密度Ｂ
ｒを得るためには１．０重量％未満が望ましい。
プランバイト型フェライト粒子粉末に対して、Ｌａ2 Ｏ
3 換算で０．３〜１．０重量％である。０．３重量％未
満である場合には、本発明における効果が発現できな
い。一方、１．０重量％を越える場合には、高飽和磁化
値を有したフェライト粒子粉末が得られるが、反面、ゴ
ム又はプラスチック材料と混練して磁場配向すると残留
磁束密度Ｂｒが減少し始める。従って高残留磁束密度Ｂ
ｒを得るためには１．０重量％未満が望ましい。
【００１９】Ｌａ化合物を添加する時点は、焼成前が適
当である。即ち、原料配合→焼成→微粉砕処理→熱処理
の各工程からなるマグネトプランバイト型フェライト粒
子粉末の製造工程において、焼成前の原料配合の時点で
添加することが好ましい。
当である。即ち、原料配合→焼成→微粉砕処理→熱処理
の各工程からなるマグネトプランバイト型フェライト粒
子粉末の製造工程において、焼成前の原料配合の時点で
添加することが好ましい。
【００２０】また、Ｌａ化合物を焼成前の原料配合時に
添加し、Ｌａ化合物を含む原料混合物を調製後、該原料
混合物に融剤を混在させておく。融剤、例えばＢａＣｌ
2 を原料混合時に添加混在させた場合には、ＳｒＣＯ3
＋ＢａＣｌ2 →ＢａＣＯ3 ＋ＳｒＣｌ2 の置換反応が一
部で起こり、融剤として添加したＢａＣｌ2 は焼成時ス
トロンチウムフェライトの一部となり、ＢａＣｌ2 と置
換されたＳｒＣｌ2 が除去される。この反応がどこで律
速されているか未だ明らかではないが原料混合時に添加
した方が上記の反応が起こりやすいことは、焼成、粉砕
後、融剤を除去する際の廃液の分析結果から推測でき
る。高い残留磁束密度を有するボンド磁石用フェライト
粒子粉末を得る場合には、Ｂａの置換をある程度抑制す
る必要があり、この理由から、融剤はＬａ化合物を含む
原料混合物を調製後、添加混在させることが必要といえ
る。
添加し、Ｌａ化合物を含む原料混合物を調製後、該原料
混合物に融剤を混在させておく。融剤、例えばＢａＣｌ
2 を原料混合時に添加混在させた場合には、ＳｒＣＯ3
＋ＢａＣｌ2 →ＢａＣＯ3 ＋ＳｒＣｌ2 の置換反応が一
部で起こり、融剤として添加したＢａＣｌ2 は焼成時ス
トロンチウムフェライトの一部となり、ＢａＣｌ2 と置
換されたＳｒＣｌ2 が除去される。この反応がどこで律
速されているか未だ明らかではないが原料混合時に添加
した方が上記の反応が起こりやすいことは、焼成、粉砕
後、融剤を除去する際の廃液の分析結果から推測でき
る。高い残留磁束密度を有するボンド磁石用フェライト
粒子粉末を得る場合には、Ｂａの置換をある程度抑制す
る必要があり、この理由から、融剤はＬａ化合物を含む
原料混合物を調製後、添加混在させることが必要といえ
る。
【００２１】融剤としては、ＢａＣｌ2 ・２Ｈ2 ０、Ｎ
ａ2 Ｂ4 Ｏ7 等が使用できる。これらの融剤の混在量
は、生成フェライト粒子粉末に対して１．５〜５．０重
量％である。
ａ2 Ｂ4 Ｏ7 等が使用できる。これらの融剤の混在量
は、生成フェライト粒子粉末に対して１．５〜５．０重
量％である。
【００２２】本発明におけるＬａ2 Ｏ3 を含有したマグ
ネトプランバイト型フェライト粒子粉末は、酸化鉄、含
水酸化鉄等の鉄原料と炭酸ストロンチウムの副原料とＬ
ａ化合物とを所定組成に配合した原料混合物に融剤を混
在させた後１０００℃以上の温度で焼成して得られるマ
グネトプランバイト型フェライト粒子粉末に対してＢｉ
化合物を配合した後、微粉砕処理を行ってから熱処理す
るこにより得ることができる。
ネトプランバイト型フェライト粒子粉末は、酸化鉄、含
水酸化鉄等の鉄原料と炭酸ストロンチウムの副原料とＬ
ａ化合物とを所定組成に配合した原料混合物に融剤を混
在させた後１０００℃以上の温度で焼成して得られるマ
グネトプランバイト型フェライト粒子粉末に対してＢｉ
化合物を配合した後、微粉砕処理を行ってから熱処理す
るこにより得ることができる。
【００２３】焼成温度が１０００℃以下の場合には、フ
ェライト化反応を十分生起させることができない。
ェライト化反応を十分生起させることができない。
【００２４】本発明におけるＢｉ化合物としては、Ｂｉ
2 Ｏ3 、ＮａＢｉＯ3 等が使用できる。Ｂｉ化合物の配
合量は、生成フェライト粒子粉末に対してＢｉ2 Ｏ3 換
算で０．２〜０．６重量％である
2 Ｏ3 、ＮａＢｉＯ3 等が使用できる。Ｂｉ化合物の配
合量は、生成フェライト粒子粉末に対してＢｉ2 Ｏ3 換
算で０．２〜０．６重量％である
【００２５】本発明における微粉砕処理後の熱処理の温
度は７００〜９５０℃の範囲が望ましい。７００℃以下
である場合には、本発明の目的を十分に達成することが
できない。９５０℃以上である場合には、粒子相互間で
軽い焼結をひき起こしてしまうため好ましくない。
度は７００〜９５０℃の範囲が望ましい。７００℃以下
である場合には、本発明の目的を十分に達成することが
できない。９５０℃以上である場合には、粒子相互間で
軽い焼結をひき起こしてしまうため好ましくない。
【００２６】
【作用】本発明において最も重要な点は、Ｌａ2 Ｏ3 が
０．３〜１．０重量％含有しているマグネトプランバイ
ト型フェライト粒子粉末は、７１．５ｅｍｕ／ｇ以上の
高飽和磁化値を有している点である。
０．３〜１．０重量％含有しているマグネトプランバイ
ト型フェライト粒子粉末は、７１．５ｅｍｕ／ｇ以上の
高飽和磁化値を有している点である。
【００２７】本発明におけるマグネトプランバイト型フ
ェライト粒子粉末の飽和磁化値が向上した理由につい
て、本発明者は、Ｌａ2 Ｏ3 が多く含まれた場合には、
斜方晶構造を有する相（ＬａＦｅＯ3 ）が形成される
が、本発明においてはＬａ2 Ｏ3の含有量が異相の発生
しにくい範囲内を特定していることと融剤をマグネトプ
ランバイト型フェライト原料混合物を調製した後に該原
料混合物に混在させるという添加時点を採っていること
との相乗効果によるものと考えている。
ェライト粒子粉末の飽和磁化値が向上した理由につい
て、本発明者は、Ｌａ2 Ｏ3 が多く含まれた場合には、
斜方晶構造を有する相（ＬａＦｅＯ3 ）が形成される
が、本発明においてはＬａ2 Ｏ3の含有量が異相の発生
しにくい範囲内を特定していることと融剤をマグネトプ
ランバイト型フェライト原料混合物を調製した後に該原
料混合物に混在させるという添加時点を採っていること
との相乗効果によるものと考えている。
【００２８】尚、従来、希土類化合物を添加してＳｒ系
フェライト磁石を得る技術としては、特開平１−２８３
８０２号公報記載の技術がある。この技術は、Ｌａ2 Ｏ
3 単独添加（４．２重量％）よりもＬａ2 Ｏ3 −Ｎｄ2
Ｏ3 −Ｐｒ6 Ｏ11系の複合希土類酸化物、通常「粗ラン
タン」を添加（１．５〜４重量％）した方が磁気特性、
経済面で有利なＳｒ系フェライト磁石が得られるという
ものであり、少量のＬａ2 Ｏ3 を含有する高飽和磁化値
を有したボンド磁石用フェライト粒子粉末を得る本発明
とは、その目的、構成及び効果において相違するもので
ある。
フェライト磁石を得る技術としては、特開平１−２８３
８０２号公報記載の技術がある。この技術は、Ｌａ2 Ｏ
3 単独添加（４．２重量％）よりもＬａ2 Ｏ3 −Ｎｄ2
Ｏ3 −Ｐｒ6 Ｏ11系の複合希土類酸化物、通常「粗ラン
タン」を添加（１．５〜４重量％）した方が磁気特性、
経済面で有利なＳｒ系フェライト磁石が得られるという
ものであり、少量のＬａ2 Ｏ3 を含有する高飽和磁化値
を有したボンド磁石用フェライト粒子粉末を得る本発明
とは、その目的、構成及び効果において相違するもので
ある。
【００２９】
【実施例】次に、実施例並びに比較例により本発明を説
明する。
明する。
【００３０】尚、以下の実施例並びに比較例における飽
和磁化（σｓ）値は、フェライト粒子粉末と樹脂とを混
練した後、磁場中で成形した磁場配向成形体を円柱（φ
５．５ｍｍ×３ｍｍ）状に加工し、ＶＳＭ（東英工業
（株）製）を用い、磁場配向の磁場方向と測定の磁場配
向を一致させ、室温で測定磁場１５ＫＯｅで測定した。
和磁化（σｓ）値は、フェライト粒子粉末と樹脂とを混
練した後、磁場中で成形した磁場配向成形体を円柱（φ
５．５ｍｍ×３ｍｍ）状に加工し、ＶＳＭ（東英工業
（株）製）を用い、磁場配向の磁場方向と測定の磁場配
向を一致させ、室温で測定磁場１５ＫＯｅで測定した。
【００３１】実施例１ α−Ｆｅ2 Ｏ3 １２００ｇ、ＳｒＣＯ3 １８２．８ｇと
Ｌａ2 Ｏ3 ６．９ｇとを湿式混合した後、濾過・乾燥し
てストロンチウムフェライト原料混合物を得、該原料混
合物にＢａＣｌ2 ・２Ｈ2 Ｏ ２８ｇ及びＮａ2 Ｂ4 Ｏ
7 ２．８ｇ（生成フェライト粒子粉末に対して、それぞ
れ、２．０重量％及び０．２重量％に相当する。）を添
加した後、１１４０℃で 時間焼成し、続いて、粉砕し
て、焼成物粉末を得た。この焼成物粉末１０００ｇに対
して酸化ビスマス（Ｂｉ2 Ｏ3 ）４ｇ（マグネトプラン
バイト型フェライト粒子粉末に対して０．４重量％に相
当する。）を配合し、アトライターを用い微粉砕を施し
た後、水洗・乾燥し、次いで、８５０℃で１．５時間熱
処理してボンド磁石用フェライト粒子粉末材料を得た。
Ｌａ2 Ｏ3 ６．９ｇとを湿式混合した後、濾過・乾燥し
てストロンチウムフェライト原料混合物を得、該原料混
合物にＢａＣｌ2 ・２Ｈ2 Ｏ ２８ｇ及びＮａ2 Ｂ4 Ｏ
7 ２．８ｇ（生成フェライト粒子粉末に対して、それぞ
れ、２．０重量％及び０．２重量％に相当する。）を添
加した後、１１４０℃で 時間焼成し、続いて、粉砕し
て、焼成物粉末を得た。この焼成物粉末１０００ｇに対
して酸化ビスマス（Ｂｉ2 Ｏ3 ）４ｇ（マグネトプラン
バイト型フェライト粒子粉末に対して０．４重量％に相
当する。）を配合し、アトライターを用い微粉砕を施し
た後、水洗・乾燥し、次いで、８５０℃で１．５時間熱
処理してボンド磁石用フェライト粒子粉末材料を得た。
【００３２】得られたフェライト粒子粉末は、組成分析
の結果、Ｆｅ2 Ｏ3 ／ＳｒＯ＋ＢａＯ＋ＬａＯ＝５．８
９であった。
の結果、Ｆｅ2 Ｏ3 ／ＳｒＯ＋ＢａＯ＋ＬａＯ＝５．８
９であった。
【００３３】ここに得られたボンド磁石用フェライト粒
子粉末材料１１７ｇ、ＥＶＡ（エチレン−酢酸ビニル共
重合体樹脂：三井デュポンポリケミカル（株）製）１３
ｇ及びステアリン酸亜鉛０．５ｇを混合した後、８０℃
に加熱して混練し、次いで、冷却固化した後、粉砕し
た。該粉砕物を加熱溶融して１００００ Ｏｅの磁場を
印加した後、冷却固化してボンド磁石を得た。
子粉末材料１１７ｇ、ＥＶＡ（エチレン−酢酸ビニル共
重合体樹脂：三井デュポンポリケミカル（株）製）１３
ｇ及びステアリン酸亜鉛０．５ｇを混合した後、８０℃
に加熱して混練し、次いで、冷却固化した後、粉砕し
た。該粉砕物を加熱溶融して１００００ Ｏｅの磁場を
印加した後、冷却固化してボンド磁石を得た。
【００３４】得られたボンド磁石は、残留磁束密度Ｂｒ
は２７９０Ｇａｕｓｓ、保磁力I Ｈｃ２９００Ｏｅであ
った。また、飽和磁化σｓは７１．８ｅｍｕ／ｇであっ
た。
は２７９０Ｇａｕｓｓ、保磁力I Ｈｃ２９００Ｏｅであ
った。また、飽和磁化σｓは７１．８ｅｍｕ／ｇであっ
た。
【００３５】実施例２〜７、比較例１〜４ Ｓｒ原料の量、Ｌａ化合物の量、融剤の量、焼成温度、
Ｂｉ化合物の配合量及び熱処理温度を種々変更させた以
外は実施例１と同様にしてボンド磁石用フェライト粒子
粉末材料を製造し、更に、該粒子粉末材料を用いてボン
ド磁石を製造した。
Ｂｉ化合物の配合量及び熱処理温度を種々変更させた以
外は実施例１と同様にしてボンド磁石用フェライト粒子
粉末材料を製造し、更に、該粒子粉末材料を用いてボン
ド磁石を製造した。
【００３６】この時の主要製造条件及び諸特性を表１に
示す。尚、比較例３における融剤の添加混在させた時点
は、焼成前の原料混合時である。
示す。尚、比較例３における融剤の添加混在させた時点
は、焼成前の原料混合時である。
【００３７】
【表１】
【００３８】
【発明の効果】以上説明した通りの本発明に係るマグネ
トプランバイト型フェライト粒子粉末からなるボンド磁
石用フェライト粒子粉末材料は、前出実施例に示した通
り、所定量のＬａ化合物を配合したマグネトプランバイ
ト型フェライト原料混合物を調製した後、該原料混合物
に融剤を混在させ焼成して得たマグネトプランバイト型
フェライト粒子粉末に対してＢｉ化合物を配合し、続い
て微粉砕処理後、熱処理を施すことによって、飽和磁化
値を向上させたものであり、ボンド磁石用の磁性粒子粉
末として最適なものである。
トプランバイト型フェライト粒子粉末からなるボンド磁
石用フェライト粒子粉末材料は、前出実施例に示した通
り、所定量のＬａ化合物を配合したマグネトプランバイ
ト型フェライト原料混合物を調製した後、該原料混合物
に融剤を混在させ焼成して得たマグネトプランバイト型
フェライト粒子粉末に対してＢｉ化合物を配合し、続い
て微粉砕処理後、熱処理を施すことによって、飽和磁化
値を向上させたものであり、ボンド磁石用の磁性粒子粉
末として最適なものである。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｌａ2 Ｏ3 を０．３〜１．０重量％含有
しており、且つ飽和磁化化値（σｓ）が７１．５ｅｍｕ
／ｇ以上であるマグネトプランバイト型フェライト粒子
粉末からなるボンド磁石用フェライト粒子粉末材料。 - 【請求項２】 Ｌａ化合物をＬａ2 Ｏ3 換算で０．３〜
１．０重量配合したマグネトプランバイト型フェライト
原料混合物を調製した後、該原料混合物に融剤を混在さ
せ１０００℃以上で焼成したマグネトプランバイト型フ
ェライト粒子粉末に対して、Ｂｉ化合物をＢｉ2 Ｏ3 換
算で０．２〜０．６重量％配合した後、微粉砕処理を行
ってから、７００〜９５０℃の温度範囲で熱処理するこ
とを特徴とする請求項１記載のボンド磁石用フェライト
粒子粉末材料の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5268123A JPH07106113A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | ボンド磁石用フェライト粒子粉末材料及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5268123A JPH07106113A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | ボンド磁石用フェライト粒子粉末材料及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106113A true JPH07106113A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17454209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5268123A Pending JPH07106113A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | ボンド磁石用フェライト粒子粉末材料及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07106113A (ja) |
-
1993
- 1993-09-29 JP JP5268123A patent/JPH07106113A/ja active Pending
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