JPH07105859A - クライストロン - Google Patents
クライストロンInfo
- Publication number
- JPH07105859A JPH07105859A JP24964493A JP24964493A JPH07105859A JP H07105859 A JPH07105859 A JP H07105859A JP 24964493 A JP24964493 A JP 24964493A JP 24964493 A JP24964493 A JP 24964493A JP H07105859 A JPH07105859 A JP H07105859A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drift tube
- semi
- cavity
- variable mechanism
- klystron
- Prior art date
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- Granted
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- Microwave Tubes (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】クライストロンの高周波数化に伴い、ドリフト
管の最外半径と同調可変機構と相対する空胴壁とドリフ
ト管の中心の距離との差が機構限界を越えるので対策を
行った。 【構成】空胴共振器の形状が半円筒半方形状で半方形空
胴壁面２ｂに同調可変機構４が設けられており、かつ、
ドリフト管１が同調可変機構４から反対側空胴壁面つま
り、半円筒空胴壁面２ａまでの中間位置よりも同調可変
機構４側から遠ざけていることを特徴とする。
管の最外半径と同調可変機構と相対する空胴壁とドリフ
ト管の中心の距離との差が機構限界を越えるので対策を
行った。 【構成】空胴共振器の形状が半円筒半方形状で半方形空
胴壁面２ｂに同調可変機構４が設けられており、かつ、
ドリフト管１が同調可変機構４から反対側空胴壁面つま
り、半円筒空胴壁面２ａまでの中間位置よりも同調可変
機構４側から遠ざけていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はクライストロンに関し、
特に準ミリ波帯以上の大電力用直進ビーム形多空胴クラ
イストロンの空胴共振器構造に関する。
特に準ミリ波帯以上の大電力用直進ビーム形多空胴クラ
イストロンの空胴共振器構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】まず、多空胴クライストロンの従来の代
表構造を図７（ａ），（ｂ）を参照して説明する。図に
は、クライストロンの空胴共振器の断面が示されてい
る。この構造は、電子ビーム通路を持つドリフト管１と
半円筒半方形空胴壁２および、空胴共振器３の共振周波
数を変えるダイヤフラム等の同調可変機構４から構成さ
れており、この同調可変機構４が半円筒空胴壁２ａとド
リフト管１の距離よりドリフト管１側にある空胴共振器
３である。集群差のある電子ビームが空胴共振器３内の
ドリフト管１の間隙を通過する時、電子ビームと空胴共
振器３の相互作用によりドリフト管１の間隙に電界が励
起され、この電界により電子ビームが加減速される。多
空胴クライストロンは、これを各空胴毎にて繰り返し電
子ビームの集群を強めてゆくことによりマイクロ波を増
幅する（たとえば、実開昭６２−６９３６１参照）。
表構造を図７（ａ），（ｂ）を参照して説明する。図に
は、クライストロンの空胴共振器の断面が示されてい
る。この構造は、電子ビーム通路を持つドリフト管１と
半円筒半方形空胴壁２および、空胴共振器３の共振周波
数を変えるダイヤフラム等の同調可変機構４から構成さ
れており、この同調可変機構４が半円筒空胴壁２ａとド
リフト管１の距離よりドリフト管１側にある空胴共振器
３である。集群差のある電子ビームが空胴共振器３内の
ドリフト管１の間隙を通過する時、電子ビームと空胴共
振器３の相互作用によりドリフト管１の間隙に電界が励
起され、この電界により電子ビームが加減速される。多
空胴クライストロンは、これを各空胴毎にて繰り返し電
子ビームの集群を強めてゆくことによりマイクロ波を増
幅する（たとえば、実開昭６２−６９３６１参照）。
【０００３】準ミリ波帯以上の周波数帯で使用する本構
造の多空胴クライストロンを空胴共振器３で形成した場
合次のような問題点がある。準ミリ波帯以上の空胴共振
器３の内容積は小さくなるが、これに関連して、同調可
変機構４とドリフト管１の間の距離に対する共振周波数
の変化の割合は大きくなり、従って、同調可変機構４を
準ミリ波帯未満の周波数用と同じ距離を変化させると共
振周波数変化の割合が図２の従来例１の曲線に示すよう
に大きくなる。
造の多空胴クライストロンを空胴共振器３で形成した場
合次のような問題点がある。準ミリ波帯以上の空胴共振
器３の内容積は小さくなるが、これに関連して、同調可
変機構４とドリフト管１の間の距離に対する共振周波数
の変化の割合は大きくなり、従って、同調可変機構４を
準ミリ波帯未満の周波数用と同じ距離を変化させると共
振周波数変化の割合が図２の従来例１の曲線に示すよう
に大きくなる。
【０００４】このため、クライストロンを動作させた時
に発生する熱による同調可変機構４の熱膨張による共振
周波数の変化が大きくなり、安定した振幅周波数特性を
得ることができなくなる。例えば、５空胴クライストロ
ンで広帯域同調方式により、各空胴の共振周波数を配置
した場合図３に示す振幅周波数特性となるが、クライス
トロンのＲＦ出力を上げるに従って各空胴の共振周波数
が熱により変化して、実用上必要な振幅周波数特性を維
持できなくなる。
に発生する熱による同調可変機構４の熱膨張による共振
周波数の変化が大きくなり、安定した振幅周波数特性を
得ることができなくなる。例えば、５空胴クライストロ
ンで広帯域同調方式により、各空胴の共振周波数を配置
した場合図３に示す振幅周波数特性となるが、クライス
トロンのＲＦ出力を上げるに従って各空胴の共振周波数
が熱により変化して、実用上必要な振幅周波数特性を維
持できなくなる。
【０００５】上記問題点を解決するものとして従来、特
公昭５７−０２２１８４に提案されている構造がある。
図８によりその構造を説明する。空胴共振器３は、方形
状空胴壁５と同調可変機構４とドリフト管１とで形成さ
れている。方形状空胴壁５の横幅Ｗは、同調可変機構に
相対する空胴壁５ａとドリフト管１の中心との距離Ｌ１
の約２倍に設定されており、ドリフト管１の中心から同
調可変機構４との距離Ｌ２は、Ｌ１の２．５倍から５倍
に設定されている。この構造を採用することにより、同
調可変機構４の可動長対共振周波数の変化は図２の従来
例２の曲線に示されたようになだらかになり、本構造を
採用した５空胴クライストロンの振幅周波数特性の熱に
対する変化も図３の従来例２に示す通り改善される。
公昭５７−０２２１８４に提案されている構造がある。
図８によりその構造を説明する。空胴共振器３は、方形
状空胴壁５と同調可変機構４とドリフト管１とで形成さ
れている。方形状空胴壁５の横幅Ｗは、同調可変機構に
相対する空胴壁５ａとドリフト管１の中心との距離Ｌ１
の約２倍に設定されており、ドリフト管１の中心から同
調可変機構４との距離Ｌ２は、Ｌ１の２．５倍から５倍
に設定されている。この構造を採用することにより、同
調可変機構４の可動長対共振周波数の変化は図２の従来
例２の曲線に示されたようになだらかになり、本構造を
採用した５空胴クライストロンの振幅周波数特性の熱に
対する変化も図３の従来例２に示す通り改善される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、準ミリ波帯以
上の空胴共振器に本構造を採用使用とした場合次の不具
合が発生する場合がある。周波数が高くなると空胴の形
状はそれに併せて小さくなる。この為、ドリフト管１の
最外半径ＤとＬ１の差が機械加工限界の１ｍｍに近づく
ことにより、現実的にＬ１とＬ２との比が２．５倍から
５倍にとれなくなる。クライストロンの高周波数化に伴
い、ドリフト管１の最外半径Ｄと同調可変機構４と相対
する空胴壁５ａとドリフト管の中心の距離Ｌ１との差
が、機械加工限界である約１ｍｍに近づき、これが高周
波数化の阻害要因になっている。本発明の目的は、この
ような問題点を解決した多空胴クライストロンを提供す
ることである。
上の空胴共振器に本構造を採用使用とした場合次の不具
合が発生する場合がある。周波数が高くなると空胴の形
状はそれに併せて小さくなる。この為、ドリフト管１の
最外半径ＤとＬ１の差が機械加工限界の１ｍｍに近づく
ことにより、現実的にＬ１とＬ２との比が２．５倍から
５倍にとれなくなる。クライストロンの高周波数化に伴
い、ドリフト管１の最外半径Ｄと同調可変機構４と相対
する空胴壁５ａとドリフト管の中心の距離Ｌ１との差
が、機械加工限界である約１ｍｍに近づき、これが高周
波数化の阻害要因になっている。本発明の目的は、この
ような問題点を解決した多空胴クライストロンを提供す
ることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、空胴壁，ドリ
フト管および同調可変機構により構成された空胴共振器
を有するクライストロンにおいて、空胴共振器の構造
は、半円筒半方形状で半方形空胴壁側に同調可変機構４
が設けられており、かつ、ドリフト管が同調可変機構か
ら反対側空胴壁面つまり、半円筒状空胴壁までの中間位
置よりも同調可変機構側から遠ざけて設けられているこ
とを特徴とする。
フト管および同調可変機構により構成された空胴共振器
を有するクライストロンにおいて、空胴共振器の構造
は、半円筒半方形状で半方形空胴壁側に同調可変機構４
が設けられており、かつ、ドリフト管が同調可変機構か
ら反対側空胴壁面つまり、半円筒状空胴壁までの中間位
置よりも同調可変機構側から遠ざけて設けられているこ
とを特徴とする。
【０００８】
【作用】上記構造により、半円筒部の容積が、従来の構
造のものよりも小さくでき、この結果、空胴壁とドリフ
ト管の間に余裕ができ、従来以上にクライストロンの高
周波数化が可能となる。
造のものよりも小さくでき、この結果、空胴壁とドリフ
ト管の間に余裕ができ、従来以上にクライストロンの高
周波数化が可能となる。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）は本発明の第１の実施例のクライストロ
ンの共振空胴構造のドリフト管中心を通る断面図を、図
１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′断面図を示す。中心軸
に電子ビーム通路を持つドリフト管１、半円筒半方形状
空胴壁２、空胴共振器３、および同調可変機構４から構
成される。構造は、ドリフト管１と半円筒半方形状空胴
壁を一体加工した部品をＡ−Ａ′断面にて貼り合わせて
空胴共振器３を構成しており、半円筒空胴壁２ａとドリ
フト管１の中心との距離Ｌ１、同調可変機構４とドリフ
ト管１の中心との距離をＬ２とすると、Ｌ１＜Ｌ２なる
関係に配置されている。
る。図１（ａ）は本発明の第１の実施例のクライストロ
ンの共振空胴構造のドリフト管中心を通る断面図を、図
１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′断面図を示す。中心軸
に電子ビーム通路を持つドリフト管１、半円筒半方形状
空胴壁２、空胴共振器３、および同調可変機構４から構
成される。構造は、ドリフト管１と半円筒半方形状空胴
壁を一体加工した部品をＡ−Ａ′断面にて貼り合わせて
空胴共振器３を構成しており、半円筒空胴壁２ａとドリ
フト管１の中心との距離Ｌ１、同調可変機構４とドリフ
ト管１の中心との距離をＬ２とすると、Ｌ１＜Ｌ２なる
関係に配置されている。
【００１０】本構造により、半円筒空胴壁２ａとドリフ
ト管１の距離Ｌ１に余裕がある状態で、同調可変機構４
の変化量に対する共振周波数の変化は図２の本発明の曲
線に示すようになだらかになる。これにより、例えば５
空胴クライストロンの振幅周波数特性も熱による共振周
波数の変化が少なくなり、図３の本発明の曲線に示すよ
うに良好となる。
ト管１の距離Ｌ１に余裕がある状態で、同調可変機構４
の変化量に対する共振周波数の変化は図２の本発明の曲
線に示すようになだらかになる。これにより、例えば５
空胴クライストロンの振幅周波数特性も熱による共振周
波数の変化が少なくなり、図３の本発明の曲線に示すよ
うに良好となる。
【００１１】図４（ａ）は本発明の第２の実施例のクラ
イストロンの共振空胴構造のドリフト管中心を通る断面
図を、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ′断面図を示
す。中心軸に電子ビーム通路を持つドリフト管１、半円
筒半方形状空胴壁２、空胴共振器３、および同調可変機
構４から構成される。構造は、ドリフト管１と半円筒半
方形状空胴壁２を一体加工した部品をＡ−Ａ′断面にて
貼り上わせて空胴共振器３を構成しており、半円筒空胴
壁２ａとドリフト管１の中心との距離をＬ１、同調可変
機構４とドリフト管１の中心との距離をＬ２とすると、
Ｌ１＜Ｌ２なる関係に配置されていて、かつ、半円筒空
胴壁２ａの中心軸がドリフト管１の中心軸より、同調可
変機構４側に設定されている。
イストロンの共振空胴構造のドリフト管中心を通る断面
図を、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ′断面図を示
す。中心軸に電子ビーム通路を持つドリフト管１、半円
筒半方形状空胴壁２、空胴共振器３、および同調可変機
構４から構成される。構造は、ドリフト管１と半円筒半
方形状空胴壁２を一体加工した部品をＡ−Ａ′断面にて
貼り上わせて空胴共振器３を構成しており、半円筒空胴
壁２ａとドリフト管１の中心との距離をＬ１、同調可変
機構４とドリフト管１の中心との距離をＬ２とすると、
Ｌ１＜Ｌ２なる関係に配置されていて、かつ、半円筒空
胴壁２ａの中心軸がドリフト管１の中心軸より、同調可
変機構４側に設定されている。
【００１２】これにより、ドリフト管１の中心軸と半円
空胴壁２ａの中心軸の位置を変化させることにより、希
望とする同調可変機構の可動長対共振周波数の変化の比
を選ぶことができる利点がある。
空胴壁２ａの中心軸の位置を変化させることにより、希
望とする同調可変機構の可動長対共振周波数の変化の比
を選ぶことができる利点がある。
【００１３】図５（ａ）は本発明の第３の実施例のクラ
イストロンの共振空胴構造のドリフト管中心を通る断面
図を、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ′断面図を示
す。中心軸に電子ビーム通路を持つドリフト管１、半円
筒半方形状空胴壁２、空胴共振器３および同調可変機構
４から構成される。構造は、ドリフト管１と半円筒半方
形状空胴壁２を一体加工した部品をＡ−Ａ′断面にて貼
り上わせて空胴共振器３を構成しており、半円筒空胴壁
２ａとドリフト管１の中心との距離をＬ１、同調可変機
構４とドリフト管１の中心との距離をＬ２とすると、Ｌ
１＜Ｌ２なる関係に配置されていて、かつ、半円筒空胴
壁の直径Ｃが半方形空胴壁の幅Ｗより小さく、方形幅Ｗ
と円筒直径Ｃの間は円筒直径Ｃに接する直線で結ばれて
いる。
イストロンの共振空胴構造のドリフト管中心を通る断面
図を、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ′断面図を示
す。中心軸に電子ビーム通路を持つドリフト管１、半円
筒半方形状空胴壁２、空胴共振器３および同調可変機構
４から構成される。構造は、ドリフト管１と半円筒半方
形状空胴壁２を一体加工した部品をＡ−Ａ′断面にて貼
り上わせて空胴共振器３を構成しており、半円筒空胴壁
２ａとドリフト管１の中心との距離をＬ１、同調可変機
構４とドリフト管１の中心との距離をＬ２とすると、Ｌ
１＜Ｌ２なる関係に配置されていて、かつ、半円筒空胴
壁の直径Ｃが半方形空胴壁の幅Ｗより小さく、方形幅Ｗ
と円筒直径Ｃの間は円筒直径Ｃに接する直線で結ばれて
いる。
【００１４】本構造により、共振周波数の変化量を小さ
くすることを考慮しながら希望とする同調可変機構の可
動長対共振周波数の変化を半円筒直径Ｃを変えることに
より任意に設定できる。また、第２の実施例に比べて、
機械加工時の中心軸を変化しないため、加工が容易とい
う利点もある。
くすることを考慮しながら希望とする同調可変機構の可
動長対共振周波数の変化を半円筒直径Ｃを変えることに
より任意に設定できる。また、第２の実施例に比べて、
機械加工時の中心軸を変化しないため、加工が容易とい
う利点もある。
【００１５】図６（ａ）は本発明の第４の実施例のクラ
イストロンの共振空胴構造のドリフト管中心を通る断面
図を、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ′断面図を示
す。中心軸に電子ビーム通路を持つドリフト管１、半円
筒半方形状空胴壁２、空胴共振器３、および同調可変機
構４から構成される。構造は、ドリフト管１と半円筒半
方形状空胴壁２を一体加工した部品をＡ−Ａ′断面にて
貼り合わせて空胴共振器３を構成しており、半円筒空胴
壁２ａとドリフト管１の中心との距離をＬ１、同調可変
機構４とドリフト管１の中心との距離をＬ２とすると、
Ｌ１＜Ｌ２なる関係に配置されていて、かつ、半円筒空
胴壁の直径Ｃが半方形空胴壁の幅Ｗより小さく、かつ、
半円筒空胴の中心軸がドリフト管１の中心軸より同調可
変機構４側にずれていて、方形幅Ｗと円筒直径Ｃの間は
円筒直径Ｃに接する直線で結ばれている。
イストロンの共振空胴構造のドリフト管中心を通る断面
図を、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ′断面図を示
す。中心軸に電子ビーム通路を持つドリフト管１、半円
筒半方形状空胴壁２、空胴共振器３、および同調可変機
構４から構成される。構造は、ドリフト管１と半円筒半
方形状空胴壁２を一体加工した部品をＡ−Ａ′断面にて
貼り合わせて空胴共振器３を構成しており、半円筒空胴
壁２ａとドリフト管１の中心との距離をＬ１、同調可変
機構４とドリフト管１の中心との距離をＬ２とすると、
Ｌ１＜Ｌ２なる関係に配置されていて、かつ、半円筒空
胴壁の直径Ｃが半方形空胴壁の幅Ｗより小さく、かつ、
半円筒空胴の中心軸がドリフト管１の中心軸より同調可
変機構４側にずれていて、方形幅Ｗと円筒直径Ｃの間は
円筒直径Ｃに接する直線で結ばれている。
【００１６】本構造により、第２および第３実施例に比
べて共振周波数の変化量を小さくすることを考慮しなが
ら希望とする同調可変機構の可動長対共振周波数の変化
をより任意に設定できる利点がある。
べて共振周波数の変化量を小さくすることを考慮しなが
ら希望とする同調可変機構の可動長対共振周波数の変化
をより任意に設定できる利点がある。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、空胴共振
器の形状が半円筒半方形状で半方形空胴壁側に同調可変
機構が設けられており、かつ、ドリフト管が同調可変機
構から反対側空胴壁面つまり、半円筒状空胴壁面までの
中間位置よりも同調可変機構側から遠ざけて設けられて
いることを特徴とし、本発明を適用することにより、従
来、製造が困難で実現できなかった範囲の高周波数のク
ライストロンの製造が可能となった。
器の形状が半円筒半方形状で半方形空胴壁側に同調可変
機構が設けられており、かつ、ドリフト管が同調可変機
構から反対側空胴壁面つまり、半円筒状空胴壁面までの
中間位置よりも同調可変機構側から遠ざけて設けられて
いることを特徴とし、本発明を適用することにより、従
来、製造が困難で実現できなかった範囲の高周波数のク
ライストロンの製造が可能となった。
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例のクライストロ
ンの空胴共振器のドリフト管中心を通る断面図，（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
ンの空胴共振器のドリフト管中心を通る断面図，（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
【図２】同調可変機構の可動長対共振周波数の変化を示
す図である。
す図である。
【図３】５空胴クライストロンの振幅周波数特性を示す
図である。
図である。
【図４】（ａ）は本発明の第２の実施例のクライストロ
ンの空胴共振器のドリフト管中心を通る断面図，（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
ンの空胴共振器のドリフト管中心を通る断面図，（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
【図５】（ａ）は本発明の第３の実施例のクライストロ
ンの空胴共振器のドリフト管中心を通る断面図，（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
ンの空胴共振器のドリフト管中心を通る断面図，（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
【図６】（ａ）は本発明の第４の実施例のクライストロ
ンの空胴共振器のドリフト管中心を通る断面図，（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
ンの空胴共振器のドリフト管中心を通る断面図，（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
【図７】（ａ）は従来の共振空胴器のドリフト管中心を
通る断面図，（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
通る断面図，（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
【図８】（ａ）は従来の他の共振空胴器のドリフト管中
心を通る断面図，（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面図であ
る。
心を通る断面図，（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面図であ
る。
１ ドリフト管 ２ 半円筒半方形状空胴壁 ２ａ 半円筒空胴壁 ２ｂ 半方形空胴壁 ３ 空胴共振器 ４ 同調可変機構 ５ 方形状空胴壁 ５ａ 相対する空胴壁
Claims (4)
- 【請求項１】 空胴壁、ドリフト管及び同調可変機構に
より構成された空胴共振器を有するクライストロンにお
いて、空胴共振器の形状が半円筒半方形状で半方形空胴
壁側に同調可変機構が設けられており、かつ、ドリフト
管が同調可変機構から半円筒状空胴壁面までの中間位置
よりも同調可変機構側から遠ざけて設けられていること
を特徴とするクライストロン。 - 【請求項２】 半円筒状空胴の中心軸が、ドリフト管の
中心軸よりも同調可変機構側にあることを特徴とする請
求項１記載のクライストロン。 - 【請求項３】 半円筒状空胴の直径が、半方形の幅より
小さいことを特徴とする請求項１記載のクライストロ
ン。 - 【請求項４】 半円筒状空胴の中心軸が、ドリフト管の
中心軸よりも同調可変機構側にあり、かつ、半円筒状空
胴の直径が、半方形の幅より小さいことを特徴とする請
求項１記載のクライストロン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5249644A JP2551351B2 (ja) | 1993-10-06 | 1993-10-06 | クライストロン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5249644A JP2551351B2 (ja) | 1993-10-06 | 1993-10-06 | クライストロン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07105859A true JPH07105859A (ja) | 1995-04-21 |
| JP2551351B2 JP2551351B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=17196093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5249644A Expired - Lifetime JP2551351B2 (ja) | 1993-10-06 | 1993-10-06 | クライストロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2551351B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111640637A (zh) * | 2020-06-15 | 2020-09-08 | 电子科技大学 | 一种多注太赫兹同轴谐振腔反射速调管 |
-
1993
- 1993-10-06 JP JP5249644A patent/JP2551351B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111640637A (zh) * | 2020-06-15 | 2020-09-08 | 电子科技大学 | 一种多注太赫兹同轴谐振腔反射速调管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2551351B2 (ja) | 1996-11-06 |
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