JPH07105651B2 - 小型マイクロ波およびミリメータ波チューナ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は一般に電子チューナ、特
に集積回路基体上に製造することができるタイプの小型
ダイナミックスタブチューナに関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路技術により、寸法および空間は
回路設計者に厳しい制約を与える。例えば、非常に小さ
い寸法にされた、薄膜伝送ラインは誘電体基体の表面上
に直接製造される。これらの伝送ラインはそれらが結合
される回路素子と異なる特性インピーダンスを有してい
ることがかなり多い。回路素子に関連した小さい寸法お
よび密度のためにインピーダンス整合用の可変チューナ
を使用することは困難であるため、このようなラインは
典型的に固定インピーダンス整合で同調されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】残念ながら、回路装置
のインピーダンスは加工された集積回路の通常の変化に
より変化する。結果的に、インピーダンス整合が失われ
る可能性が高い。典型的な伝送ライン同調の固定された
性質の結果、集積回路の結果的な動作フレキシビリティ
および特性は望ましくない影響を受ける。

【０００４】これらの問題は回路同調のためのアクチブ
半導体装置の使用によって解決しようと試みられてい
る。このような同調に対するアクチブ半導体装置の使用
はＩ，ＢａｈｌおよびＰ．Ｂｈａｒｔｉａ氏らによる文
献（“Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ
Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｄｅｓｉｇｎ”，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅ
ｙ ＆ Ｓｏｎｓ，１９８８年，３７３乃至４２２頁）
に記載されている。これらのタイプの装置は小さい寸法
によって特徴付けられているが、それらは回路設計者に
別の問題を与えている。例えば、それらは典型的に著し
い損失を導き、範囲およびパワー処理能力が制限されて
いる。

【０００５】マイクロ機械加工の進歩により、薄膜集積
回路技術を使用して機械的および電気・機械装置を製造
することが行われている。いくつかの限定された例は、
Ｒ．Ｓ．Ｍｕｌｌｅｒ氏他により１９８８年４月２６日
に出願された米国特許第４，７４０，４１０号明細書
（“Ｍｉｃｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｅｌｅｍｅｎ
ｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ Ｔｈｅｉｒ
Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ”）に記載されたレバー、ギ
ア、スライダーおよびバネである。さらに、回転可能な
モータおよびリニアモータのような電気・機械装置は、
Ｋ．Ｊ．Ｇａｂｒｉｅｌ氏他により１９８８年６月２８
日出願の米国特許第４，７５４，１８５号明細書（“Ｍ
ｉｃｒｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ Ｍｏｔｏ
ｒ”）に記載されている。

【０００６】

【課題解決のための手段】上記の問題を解決するため
に、本発明は集積回路処理技術の使用によって集積回路
チップの誘電体基体上に製造された、マイクロ機械加工
され静電付勢されるダイナミックスタブチューナを提供
する。特に、固定された伝送ラインは基体の表面上に製
造される。さらに、移動可能な同調スタブはそれが固定
された伝送ラインに関して電気・機械的に移動されるこ
とができるように基体上に形成される。したがって、ス
タブは伝送ラインの実効長および特性インピーダンスに
影響を与え、これによって伝送ラインを同調し、伝送ラ
インが結合される関連した回路素子に伝送ラインを整合
する。種々の実施例は例えば分配されたスタブチューナ
および同調可能なバンドストップフィルタを含む。

【０００７】このようなダイナミックチューナには多数
の利点がある。特に、チューナは関連した集積回路が製
造されるのと同じ集積回路処理技術を使用する集積回路
チップ上にバッチ製造されることができる。したがって
その集積回路は製造されると同時に、ウェハ上の空間を
ほとんと取らず、非常に小さい重さしか付加せず、容易
に複製されるスタブチューナを製造することができる。
さらに、スタブチューナはチューナがウェハから離され
て位置された場合よりも関連した回路素子の近くに位置
され、それによって長いラインの影響を軽減することが
できる。さらに、スタブチューナはマイクロ波およびミ
リメータ波帯域において広いダイナミックレンジを有
し、同調を行ったときにパワー損失をほとんど示さな
い。さらに、スタブチューナは非常に低いパワーの制御
信号によりウェハ上で電気・機械的に調節されることが
できる。スタブチューナはまた放射線硬化される。

【０００８】集積回路上にこのようなダイナミックチュ
ーナを製造することによって、製造後に回路を同調し、
それによって良好な回路の回路生産率を高め、したがっ
て製造費用を低くすることが可能になる。さらに、開示
されたチューナはマイクロ波およびミリメータ波帯域動
作においてその他の既知のチューナより広いダイナミッ
クレンジおよび低い挿入損失を有していると考えられ
る。

【０００９】

【実施例】図面を参照にさらに詳細に説明すると図１の
上面図に示されているように、単一のスタブチューナ１
０は例えばＬａｗｒｅｎｃｅ Ｅ．Ｌａｒｓｏｎ氏によ
り１９９１年１１月に出願された米国特許出願第０７／
６０８，１３９号明細書（“Ｍｉｃｒｏ−Ｍａｃｈｉｎ
ｅｄ Ｓｗｉｔｃｈ ＆ Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｆａｂ
ｒｉｃａｔｉｏｎ”）に記載されたフォトレジスト、マ
スク、付着、メッキ、選択的エッチングおよび化学研磨
技術のような薄膜集積回路製造技術を使用して基体１２
の表面上に製造される。もちろん、別の技術もスタブチ
ューナを製造するために使用されることができる。

【００１０】以下“薄膜”という用語が使用された場
合、それは単なる例示であってそれに限定されるもので
はないが、典型的にメッキ、スパッタリング、蒸発また
は蒸着によって付着された約１０ミクロン以下の典型的
な厚さを有する膜を意味すると理解されるべきである。

【００１１】基体１２は誘電体から形成され、滑らかで
平坦な表面１４を有する。基体はガリウム砒素から形成
されることが好ましい。それはマイクロ波およびミリメ
ータ波用として優れた誘電体であり、半導体装置および
受動回路素子がその上に製造されることができるためで
ある。例えばシリコン、サファイヤまたはリン化インジ
ウム等の別の材料も適切であると考えられる。

【００１２】伝送ライン１６はフォトレジスト、マス
ク、選択的エッチングおよび薄膜金属被覆法加工を使用
して基体１２の表面１４上に製造される。伝送ライン１
６のこのセグメントはほぼ直線であり、長方形断面を有
し、図２に最も良く示されているように平坦で滑らかな
上面１８を有する。以下、相対的に説明した“上面”お
よび“下面”という用語が使用された場合、“上面”は
基体１２の上部面１４を示し、図１のような上面図の平
面から外に向いていると理解されるべきである。構造的
に伝送ライン１６は、基体表面１４上に付着された約５
００オングストロームの厚さのチタニウムおよび約４５
００オングストロームの厚さの金の第１の層２０を含
む。チタニウムは、それがガリウム砒素に非常に良好に
結合するため使用される。例えば金のような導電材料の
層２２は層２０の上部上にメッキされる。この層は約１
乃至２ミクロンの厚さが可能であり、電気メッキによっ
て付着されることが好ましい。伝送ラインの幅は例えは
５０ミクロンである。

【００１３】導電材料の固定子制御電極２６ａ乃至２６
ｆおよび２８ａ乃至２８ｆの２つの行は、それぞれ各固
定子制御電極の端部壁極面３４が伝送ライン１６の側壁
から同じ距離で横方向に配置されるように伝送ライン１
６の両側に沿って配置されるため、極面は同一平面にあ
る。これらの極面３４の幅および高さは、以降さらに詳
細に説明される移動可能な同調スタブ５０とほぼ同じ幅
および高さであり、これらの極面３４の間の間隔は例え
ば制御電極の幅とほぼ同じであることができる。制御導
線は制御信号源（示されていない）に各制御電極２６ａ
乃至２６ｎおよび２８ａ乃至２８ｎを接続する。

【００１４】各制御電極２６ａ乃至２６ｆは、伝送ライ
ンの反対側の制御電極２８ａ乃至２８ｆの対応したもの
と整列されるように、伝送ライン１６に対して直角の方
向の軸に沿って整列され、この反対側の制御電極と１対
と考えられる。例えば制御電極２６ａおよび２８ａは１
対と考えられる。スタブチューナ１０の動作に関してさ
らに詳細に説明されるように、各制御電極対は、異なる
信号レベルの制御信号＋Ａ１および−Ａ１（以下参照）
が供給されたときに動作用の静電界を生成する。

【００１５】図２に最も良く示されているように、２６
ｃおよび２８ｃのような各制御電極は、伝送ライン１６
が製造されるのと同じようにチタニウムおよび金の薄い
層２０並びに金の厚い層２２から製造される。制御電極
の厚さは同調スタブ５０の厚さとほぼ同じ厚さであるこ
とができる。ウェブ部分３２は、基体１２の表面１４か
ら突出し、また、同調スタブ５０が表面１４の上方に配
置された距離にほぼ等しい距離だけ各固定子電極の極面
３４が表面１４の上方に変位されるように“グースネッ
ク”構造で制御電極を保持する。結果的に、各制御電極
の極面３４は同調スタブの軸が制御電極対と整列したと
き同調スタブ５０の端部壁と適合する。

【００１６】案内レール３６および３８のような同調ス
タブ５０用の案内手段は、基体１２の表面１４上のそれ
ぞれ伝送ライン１６の反対側に形成されている。これら
のレール３６および３８は、それぞれ伝送ライン１６の
軸と制御電極２６ａ乃至２６ｎおよび２８ａ乃至２８ｎ
の極面の平面との間でそれと平行な軸に沿って配置され
る。

【００１７】図２に最も良く示されているように、レー
ル３６および３８は基体表面１４上に形成され、種々の
材料から製造されることができる。例えば、それらはチ
タニウムおよび金の薄層２０および金の層２２から構成
されることができ、或はそれらはＳｉＯまたはＳｉＮの
ような誘電体から製造されることができる。実際に、レ
ールの表面は滑らかであり、それらの断面は長方形、角
を丸くされた三角形等であることができる。レール３６
および３８の高さはほぼ制御電極の高さであることが好
ましく、幅は選択的である。レール３６および３８の長
さは制御電極の行の端部を越えて十分に延在する。

【００１８】レール３６および３８の断面領域に関して
拡大された断面領域を有する停止部材４０はレール３６
および３８の各端部に配置される。これらの停止部材４
０は同調スタブ５０の進行を制限するように動作する。

【００１９】同調スタブ５０は、スタブの長軸が伝送ラ
イン１６の長軸に直角に横断方向に向くように一般に細
長く直線的であり、基体表面１４の上方に形成される。
フォトレジスト、マスク、選択的エッチングおよび金属
化の使用により、この同調スタブ５０は全てのフォトレ
ジストが除去されたときにそれが基体１２またはチュー
ナの別の素子に結合されないで、固定された伝送ライン
１６に関して自由に移動するように構成される。

【００２０】同調スタブ５０はチタニウムおよび金の薄
層２０並びに金のような導電材料の層５４から製造され
る。スタブ５０は例えば２乃至５ミクロンの厚さ、５０
ミクロンの幅、および２００乃至３００ミクロンの長さ
であることができる。

【００２１】スタブ５０の端部壁は一般に平坦であり、
制御電極２６ａ，２８ａ等の各極面３４の平面に平行な
平面に配置されている。１．０乃至約５．０ミクロンの
エアギャップは極面とスタブ５０の端部壁との間に存在
する。制御電極と同調スタブとの間のエアギャップが狭
ければそれだけ静電界引力は強くなる。

【００２２】基体表面１４に最も近いスタブ５０の下面
５６は、前に参照されたフォトレジストおよび選択性エ
ッチング技術によってそこに形成された１対の開隔を隔
てられた案内スロット５８および６０を有する。これら
の案内スロットは案内レール３６および３８の間隔に対
応するように間隔を隔てられ、低摩擦スライド関係で案
内レール上に位置するように構成されている。同調スタ
ブ５０が案内レール３６および３８上に位置された場
合、スタブ５０の上向きに曲がった中央部分６２の表面
は伝送ラインの上面１８に接触し、低い摩擦力でそれに
沿ってスライドするように動作可能である。

【００２３】伝送ライン１６の上部にスタブチューナ５
０を維持するために、保持手段７０は空気ブリッジ構造
で伝送ライン上に延在するように構成される。保持バー
７２は支柱７４および７６によって両端で伝送ライン１
６に固定される。各支柱の一端はバー７２に固定され、
支柱の他端は伝送ライン１６に固定される。各支柱７４
と７６との間の間隔は制御電極２６ａ乃至２６ｎおよび
２８ａ乃至２８ｎの各行の長さより長い。結果として、
スタブチューナ５０が制御電極を越えて進んだとき、そ
れは支柱７４または７６によって止められ、スタブの移
動は制限される。伝送ライン面とバー７２との間の間隔
は結合を制限せずにスタブを伝送ラインに沿って移動さ
せるような十分な大きさである。

【００２４】図２に示されているように、保持バー７２
は長方形断面を有することができ、伝送ライン１６の上
部にスタブチューナを保持するのに十分な構造的な強度
を提供するのに十分な高さおよび幅を有する。保持部材
７０に対して使用される材料は、チューナ１０の別の素
子に関して前に論じられた対応した層に類似したチタニ
ウムおよび金の薄層７８並びに金の厚い層８０を含むこ
とができる。

【００２５】動作において、制御信号対：＋Ａ１および
−Ａ１；＋Ａ２および−Ａ２；並びに＋Ａ３および−Ａ
３は順次連続的に制御電極対２６ａ−２８ａ，２６ｂ−
２８ｂ，２６ｃ−２８ｃ（以下参照）に供給される。実
際に、制御信号＋Ａは制御信号−Ａより高い電圧電位を
有する。これらの制御信号は、制御電極に隣接した同調
スタブ５０の各端部において互いに関して逆の極性の静
電イメージ電荷を発達させる静電界を各制御電極上に設
定する。制御電極の電界とスタブ５０の端部上の電荷と
の間の静電引力は、伝送ライン１６の軸に沿って同調ス
タブ５０を効果的に移動する。図面に関して左から右に
すなわち伝送ライン１６の信号入力端部の反対側にスタ
ブ５０を移動するために、制御信号対のシーケンスはＡ
１，Ａ２，Ａ３，Ａ１，Ａ２，等である。

【００２６】例えば、同調スタブ５０が制御電極対２６
ａおよび２８ａと整列していると仮定すると、制御信号
対シーケンスＡ１，Ａ２，Ａ３により同調スタブ５０
は、その軸が図１に示されているような固定子制御電極
対２６ｃおよび２８ｃと整列している位置に右方向に効
果的にステップされる。しかしながら、同調スタブ５０
が右端から左にステップされた場合、固定子制御電極に
供給される制御信号対のシーケンスはＡ３，Ａ２，Ａ
１，Ａ３に反転される。静電界および引力の結果、同調
スタブ５０は図１に示されたように制御電極対２６ｃお
よび２８ｃと整列して止まるように右から左に移動され
る。

【００２７】スタブ５０の微同調はまた多くの方法で行
われることができる。例えば、同調スタブが隣接した制
御電極対の間の中間の位置に移動されることができる補
助効果が得られる。これは電極２６ｂおよび２８ｂに＋
Ａ２および−Ａ２、また電極２６ｃおよび２８ｃに＋Ａ
３および−Ａ３のような２つの制御信号対を同時に供給
することによって行われる。したがって、制御電極と同
調スタブ５０との間の静電引力に対する平衡点は隣接し
た制御電極対の間である。結果として、同調スタブ５０
はこのような隣接した制御電極間の中間に位置する。

【００２８】スタブ５０のさらに精密な微同調は、隣接
した制御電極対に異なる振幅の制御信号＋Ａおよび−Ａ
を選択的に供給することによっても行われることができ
る。その結果、静電界の平衡点は、別の隣接した対より
ももう一方の隣接した制御電極対により近付いた場所に
位置される。例えば、制御信号＋Ａ３および−Ａ３が制
御信号＋Ａ２および−Ａ２より高い振幅を有している場
合、平衡点は高い振幅の制御信号＋Ａ３および−Ａ３が
供給される制御電極に近づく。

【００２９】したがって、スタブ５０は伝送ライン１６
の軸に沿って移動されて再度位置されるため、伝送ライ
ンの特性インピーダンスおよび実効長は、伝送ライン１
６が結合される回路のインピーダンスにもっと厳密に整
合するように同調される。

【００３０】別のスタブチューナはここに示された原理
を利用して製造されることができる。例えば、図３およ
び図４に示された二重スタブチューナ１００は基体１０
６の平面１０４上に製造された伝送ライン１０２を含
む。動作において、各同調スタブ１０８および１１０は
各スタブ１０８および１１０の実効長を変化するように
伝送ライン１０２の軸に直角に長い軸に沿って独立的に
移動される。結果的に、伝送ライン１０２の実効長およ
び特性インピーダンスは製造後に集積回路上でダイナミ
ックに同調されることができる。

【００３１】図３および図４をさらに詳細に参照する
と、導電材料の伝送ライン１０２は伝送ライン１６が図
１および図２において製造されたのと同じ方法で表面１
０４上に製造される。

【００３２】ほぼ直線的な構造であり、各同調スタブ１
０８および１１０の一部分をそれぞれ形成する２つの間
隔を隔てられた固定スタブ１１２および１１４は伝送ラ
イン１０２の一端上に配置され、そこから長軸に直角に
突出する。これらの固定スタブ１１２および１１４は伝
送ライン１０２と一体であり、同じ材料であり、パター
ン化され、それと共に製造される。それらはまた伝送ラ
イン１０２と同じ厚さである。さらに、伝送ライン１０
２の露出された上面および固定スタブ１１２および１１
４は滑らかで平坦であり、同一平面であることが好まし
い。

【００３３】導電材料の移動可能なスタブ１１６および
１１８は固定スタブ１１２および１１４の平面の上方に
製造される。これらの移動可能なスタブ１１６および１
１８はほぼ直線的な構造であり、それぞれ同調スタブ１
０８および１１０の一部として動作する。固定スタブ１
１１および１１４並びに移動可能なスタブ１１６および
１１８の両者の接触面は滑らかであり、それらの間にお
ける低摩擦移動を可能にする。

【００３４】移動可能なスタブ１１６および１１８は、
伝送ラインの長軸に直角である通路に沿って伝送ライン
に向かって進退するようにそれらの長い軸に沿って移動
する。図１の案内レール３６および３８と構造で類似し
た案内レール１１７は、移動可能なスタブ１１６および
１１８の長軸に平行な通路に沿って基体１０６上に製造
される。１対の間隔を隔てられた案内スロット１１９
（図４）は移動可能なスタブ１１６および１１８の下面
に形成され、基体１０６の表面に対して移動可能なスタ
ブ面を動作可能に維持し、それらを軸に沿って案内する
ように案内レール１１７を受ける。

【００３５】スタブ１１６および１１８の長軸に関して
側壁から横方向に突出する一連の均等に間隔を隔てられ
たタブ１２０，１２２，１２４および１２６は、移動可
能なスタブ１１６および１１４の各側壁に沿って配置さ
れる。タブ１２０およびタブ１２２は移動可能なスタブ
１１６と関連され、タブ１２４およびタブ１２６は移動
可能なスタブ１１８と関連される。これらのタブはここ
において参照されているような集積回路処理技術を使用
して移動可能なスタブの一部分として製造される。

【００３６】固定子制御電極１３０ａ乃至１３０ｅ，１
３２ａ乃至１３２ｅ，１３４ａ乃至１３４ｅおよび１３
６ａ乃至１３６ｅの行は移動可能なスタブ１１６および
１１４の各側に沿って間隔を隔てて配置されている。制
御電極１３０ａ乃至１３０ｅ並びに１３２ａ乃至１３２
ｅは移動可能なスタブ１１６と関連され、一方制御電極
１３４ａ乃至１３４ｅ並びに１３６ａ乃至１３６ｅは移
動可能なスタブ１１８と関連される。

【００３７】図３のライン４−４における断面図である
図４を参照すると、１３０ｄおよび１３２ｄのような各
制御電極は、基体１０６の表面１０４上に形成されたベ
ース１４０を有するほぼ“Ｕ”に成形された断面であ
る。ベース１４０の厚さは、移動可能なスタブ６および
１１８の下面が基体１０６の表面の上方に変位される距
離より小さい。ウェブ１４２は基体１０６と離れる方向
にベース１４０から上方に延在する。ウェブ１４２の上
端から舌部１４４がタブ１２０および１２２上に突出し
ている。この構造はタブと極面との間にエアギャップを
有してタブ１２０および１２２と部分的に重なる“Ｕ”
形状の極面１４６を形成する。このような重なり、およ
び隣接した制御電極間の間隔が、隣接したタブ１２０，
１２２，１２４，または１２６間の間隔の５／４の間隔
とされている結果、少なくとも２対の制御電極が任意の
時点でタブ１２０，１２２，１２４，または１２６の２
対と重なる。例えば、図３において制御電極対１３０
ａ、１３２ａはそれぞれタブ１２０および１２２と重な
り、一方制御電極対１３０ｄ、１３２ｄはタブ１２０お
よび１２２と重なる。タブ１２０および１２２は制御電
極中に“Ｕ”形状の極面によって形成されたチャンネル
を通って自由に移動する。

【００３８】制御信号がパッド１５０から導線を介して
制御電極に供給された場合、著しい静電引力がその縦軸
に沿って移動可能なスタブを移動させるように制御電極
とタブ上に誘導されたイメージ電荷との間に生成され
る。例えば、制御信号シーケンス＋Ａ１および−Ａ１，
＋Ａ２および−Ａ２，＋Ａ３および−Ａ３等は伝送ライ
ン１０２の方向に移動可能なスタブ１１６または１１８
を移動させる。これは同調スタブ１０８または１１０の
長さを短くする。反対に、＋Ａ３および−Ａ３，＋Ａ２
および−Ａ２，＋Ａ１および−Ａ１等に対する逆の制御
信号のシーケンスは同調スタブ１０８および、または１
１０を長くするように移動可能なスタブ１１６または１
１８を伝送ライン１０２と反対方向に移動させる。この
ような同調スタブ１０８および１１０の長さの変化はそ
の特性インピーダンスおよび実効長を変化することによ
って伝送ライン１０２を動作可能に同調する。

【００３９】図５において、スタブチューナの別の実施
例は同調可能なバンドストップフィルタ１６８として構
成される。このバンドストップフィルタは１６８におい
て、同調可能なスタブ１７０は伝送ライン１７２の軸に
直角な長軸に沿って移動される。固定スタブ１７４は、
固定スタブ１７４の一端１７８と伝送ライン１７２の側
壁との間のギャップを有して基体１７６上に形成され
る。図３のスタブチューナにおけるように、移動可能な
スタブ１８０は、同調可能なスタブ１７０を実効的に長
くし、短くするように、固定スタブ１７４の上部をスラ
イドするように案内レール１１７上に乗るように製造さ
れる。スタブの長さのこのような変化は、ギャップ上の
電界を変化し、したがって伝送ライン１７２の特性イン
ピーダンスを変化することによって、伝送ライン１７２
に結合される。

【００４０】図５のバンドストップフィルタ１６８の同
調可能なスタブ１７０の一般的な電気・機械動作は図３
の二重スタブチューナの同調可能なスタブ５０の動作に
類似しているため、同じ構造上の素子は両図中において
同じ参照符号を使用している。したがって、同調可能な
スタブ１７０を短くし、長くする動作はこの詳細な説明
の前の部分を参照することによって理解されることがで
きる。

【００４１】前に述べられたように、ここに示された全
ての実施態様は示された同じ材料によって集積回路プロ
セスによって製造される。例えば、伝送ライン、同調可
能なスタブおよび固定子制御電極はそれぞれチタニウム
および金の薄層並びに金の厚い層のような導電材料から
製造されることが好ましく、それぞれマスキング、露
光、選択的エッチングおよび金属被覆法によってパター
ン化されたフォトレジストの層を使用して基体上でパタ
ーン化される。

【００４２】さらに、金は構造的な素子に好ましい材料
であるが、別の導電材料も使用できると考えられる。し
たがって、ステンレス鋼、ドープされたシリコンおよび
ロジウムを使用することが可能であるが、これは単なる
例示であり、それに限定されるものではない。さらに、
基体に対してガリウム砒素以外の材料を使用することも
できる。

【００４３】特定の実施例を参照して顕著な特徴が示さ
れてきたが、本発明の技術的範囲を逸脱することなく多
数の変形および修正を行うことができる。したがって、
本発明の技術的範囲は添付された特許請求の範囲の技術
的範囲によってのみ限定されるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】伝送ラインおよび伝送ラインを同調するために
制御信号によって伝送ラインの長軸に沿って動作可能に
移動された同調スタブを示す単一スタブチューナの上面
図。

【図２】同調スタブ、伝送ラインおよび１対の固定子制
御電極間の関係を示す図１の２−２の平面における図１
のチューナの断面図。

【図３】スタブを動作可能に長くおよび短くし、それに
よって伝送ラインを同調するように同調スタブが伝送ラ
インの軸に関して横方向にそれらの長軸に沿って移動さ
れる二重スタブチューナの上面図。

【図４】移動可能なスタブ、固定スタフブおよび１対の
制御電極間の関係を示す図３の４−４の平面における拡
大された側断面図。

【図５】スタブ長を実効的に変化し、したがって伝送ラ
インのバンドパスを同調するように伝送ラインの長軸に
関して横方向に動作可能に移動する移動可能なスタブを
有する同調可能なバンドストップフィルタの上面図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｐ 11/00 Ｆ

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 静電的に付勢される同調可能な小型回路
   において、 表面に配置された伝送ラインを有する基体と、 前記伝送ライン上に形成され、前記伝送ラインに関して
   移動可能で導電材料からなる少なくとも１つの同調スタ
   ブ手段と、 前記基体の表面上に形成され、前記同調スタブに結合さ
   れる静電界を生成するために制御信号を選択的に受信す
   るように動作可能であり、その静電界が前記伝送ライン
   の軸に関して前記同調スタブ手段を移動するように動作
   可能であり、前記伝送ラインを動作可能に同調する制御
   手段とを具備していることを特徴とする静電的に付勢さ
   れる同調可能な小型回路。
2. 【請求項２】 前記制御手段は、静電引力を高めるよう
   に前記同調スタブ手段上にイメージ電荷を誘導するのに
   十分な狭いエアギャップを有して配置されている請求項
   １記載の静電的に付勢される同調可能な小型回路。
3. 【請求項３】 前記制御手段は前記伝送ラインの両側に
   沿って分布された複数の分離した制御電極を含んでいる
   請求項１記載の静電的に付勢される同調可能な小型回
   路。
4. 【請求項４】 前記分離した制御電極は前記伝送ライン
   の両側に沿って分配され、前記伝送ラインを動作可能に
   同調するように前記伝送ラインの軸に沿って前記同調ス
   タブ手段を移動するように動作可能である請求項３記載
   の静電的に付勢される同調可能な小型回路。
5. 【請求項５】 前記分離した制御電極は前記伝送ライン
   の軸に対してある角度を有して配置されている通路に沿
   って分配され、前記スタブの長さを変化して前記伝送ラ
   インを動作可能に同調するように前記通路に沿って前記
   同調スタブを移動するように動作可能である請求項３記
   載の静電的に付勢される同調可能な小型回路。
6. 【請求項６】 前記同調スタブ手段は前記伝送ラインに
   関する位置が固定された第１のスタブと、前記同調スタ
   ブ手段の長さを変化するように前記固定スタブの上面に
   沿って前記伝送ラインに関して移動可能である第２のス
   タブとを含んでいる請求項５記載の静電的に付勢される
   同調可能な小型回路。
7. 【請求項７】 前記固定スタブは前記伝送ラインの一側
   に接続され、ある角度でそこから突出している請求項６
   記載の静電的に付勢される同調可能な小型回路。
8. 【請求項８】 前記同調スタブ手段はそれぞれ前記伝送
   ラインに沿って分離した位置に配置されている間隔を隔
   てられた２つの同調スタブ手段を具備している請求項６
   記載の静電的に付勢される同調可能な小型回路。
9. 【請求項９】 前記制御手段は複数の個々の制御電極を
   含み、それら制御電極は前記同調スタブ手段の上および
   下面に重なる部材を具備し、それぞれ前記制御電極と前
   記同調スタブ手段との間に静電引力を与えて前記同調ス
   タブ手段が前記部材間の空間を通って移動することを可
   能にしている請求項１記載の静電的に付勢される同調可
   能な小型回路。
10. 【請求項１０】 前記固定スタブは前記伝送ラインから
    間隔を隔てられている請求項６記載の静電的に付勢され
    る同調可能な小型回路。
11. 【請求項１１】 前記同調スタブは細長く、前記基体の
    表面にほぼ平行に配置されている請求項１記載の静電的
    に付勢される同調可能な小型回路。
12. 【請求項１２】 前記移動可能な第２の同調スタブは各
    側壁から突出した複数の間隔を隔てられたタブを含み、
    それらのタブは前記制御電極によって生成された静電界
    によって動作可能に静電的に吸引される請求項６記載の
    静電的に付勢される同調可能な小型回路。
13. 【請求項１３】 前記制御手段は前記伝送ラインの各側
    に沿って間隔を隔てられた通路に配置されている請求項
    ３記載の静電的に付勢される同調可能な小型回路。
14. 【請求項１４】 前記同調スタブの長軸は前記伝送ライ
    ンを横切って配置されている請求項１２記載の静電的に
    付勢される同調可能な小型回路。
15. 【請求項１５】 前記同調スタブおよび制御手段は集積
    回路材料および処理技術を使用して製造される請求項１
    記載の静電的に付勢される同調可能な小型回路。