JPH05199017A - 小型マイクロ波およびミリメータ波チューナ - Google Patents
小型マイクロ波およびミリメータ波チューナInfo
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- JPH05199017A JPH05199017A JP4140756A JP14075692A JPH05199017A JP H05199017 A JPH05199017 A JP H05199017A JP 4140756 A JP4140756 A JP 4140756A JP 14075692 A JP14075692 A JP 14075692A JP H05199017 A JPH05199017 A JP H05199017A
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- Japan
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- transmission line
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- tuning
- tuning stub
- electrostatically actuated
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/04—Coupling devices of the waveguide type with variable factor of coupling
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、集積回路基体上に形成され、制御
信号によって同調することのできる小型のスタブチュナ
ーを得ることを目的とする。 【構成】 基体12の表面に配置された伝送ライン16と、
この伝送ライン16上に形成され、この伝送ライン16に関
して移動可能な導電材料の同調スタブ50と、基体の表面
上に形成されて同調スタブ50に結合される静電界を生成
するために制御信号を選択的に供給される固定子制御電
極26a 〜f ，28a 〜f のような制御手段とを具備し、こ
れら制御電極26a 〜f ，28a 〜f に供給される電圧によ
って制御電極26a 〜f ，28a 〜f と同調スタブ50との間
に生成される静電界が伝送ライン16の軸に関して同調ス
タブ50を移動させて伝送ライン16を同調することを特徴
とする。
信号によって同調することのできる小型のスタブチュナ
ーを得ることを目的とする。 【構成】 基体12の表面に配置された伝送ライン16と、
この伝送ライン16上に形成され、この伝送ライン16に関
して移動可能な導電材料の同調スタブ50と、基体の表面
上に形成されて同調スタブ50に結合される静電界を生成
するために制御信号を選択的に供給される固定子制御電
極26a 〜f ，28a 〜f のような制御手段とを具備し、こ
れら制御電極26a 〜f ，28a 〜f に供給される電圧によ
って制御電極26a 〜f ，28a 〜f と同調スタブ50との間
に生成される静電界が伝送ライン16の軸に関して同調ス
タブ50を移動させて伝送ライン16を同調することを特徴
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般に電子チューナ、特
に集積回路基体上に製造されることができるタイプの小
型ダイナミックスタブチューナに関する。
に集積回路基体上に製造されることができるタイプの小
型ダイナミックスタブチューナに関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路技術により、寸法および空間は
回路設計者に厳しい制約を与える。例えば、非常に小さ
い寸法にされた、薄膜伝送ラインは誘電体基体の表面上
に直接製造される。これらの伝送ラインはそれらが結合
される回路素子と異なる特性インピーダンスを有してい
ることがかなり多い。関連した小さい寸法および回路素
子の密度のためにインピーダンス整合用の可変チューナ
を使用することは困難であるため、このようなラインは
典型的に固定インピーダンス整合で同調されている。
回路設計者に厳しい制約を与える。例えば、非常に小さ
い寸法にされた、薄膜伝送ラインは誘電体基体の表面上
に直接製造される。これらの伝送ラインはそれらが結合
される回路素子と異なる特性インピーダンスを有してい
ることがかなり多い。関連した小さい寸法および回路素
子の密度のためにインピーダンス整合用の可変チューナ
を使用することは困難であるため、このようなラインは
典型的に固定インピーダンス整合で同調されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】残念ながら、回路装置
のインピーダンスは処理される集積回路の通常の変化に
より変化する。結果的に、インピーダンス整合が失われ
る可能性が高い。典型的な伝送ライン同調の固定された
性質の結果、集積回路の結果的な動作フレキシビリティ
および特性は望ましくない影響を受ける。
のインピーダンスは処理される集積回路の通常の変化に
より変化する。結果的に、インピーダンス整合が失われ
る可能性が高い。典型的な伝送ライン同調の固定された
性質の結果、集積回路の結果的な動作フレキシビリティ
および特性は望ましくない影響を受ける。
【０００４】これらの問題は回路同調のためにアクチブ
半導体装置の使用によって解決しようと試みられてい
る。このような同調に対するアクチブ半導体装置の使用
はＩ．Ｂahl およびＰ．Ｂhartia氏らによる文献（“Mi
crowave Solid-State CircuitDesign”，John Wiley &
Sons ，1988年， 373乃至 422頁）に記載されている。
これらのタイプの装置は小さい寸法によって特徴付けら
れているが、それらは回路設計者に別の問題を与えてい
る。例えば、それらは典型的に著しい損失を導き、範囲
およびパワー処理能力が制限されている。
半導体装置の使用によって解決しようと試みられてい
る。このような同調に対するアクチブ半導体装置の使用
はＩ．Ｂahl およびＰ．Ｂhartia氏らによる文献（“Mi
crowave Solid-State CircuitDesign”，John Wiley &
Sons ，1988年， 373乃至 422頁）に記載されている。
これらのタイプの装置は小さい寸法によって特徴付けら
れているが、それらは回路設計者に別の問題を与えてい
る。例えば、それらは典型的に著しい損失を導き、範囲
およびパワー処理能力が制限されている。
【０００５】マイクロ機械加工の進歩により、薄膜集積
回路技術を使用して機械的および電気・機械装置を製造
することが行われている。いくつかの限定された例は、
Ｒ．Ｓ．Ｍuller 氏他により1988年４月26日に出願され
た米国特許第 4,740,410号明細書（“Micro Mechanical
Elements and Methods for Their Fabrication ”）に
記載されたレバー、ギア、スライダーおよびばねであ
る。さらに、回転可能なモータおよびリニアモータのよ
うな電気・機械装置は、Ｋ．Ｊ．Ｇabriel氏他により19
88年６月28日出願の米国特許第 4,754,185号明細書
（“Micro-Electrostatic Motor ”）に記載されてい
る。
回路技術を使用して機械的および電気・機械装置を製造
することが行われている。いくつかの限定された例は、
Ｒ．Ｓ．Ｍuller 氏他により1988年４月26日に出願され
た米国特許第 4,740,410号明細書（“Micro Mechanical
Elements and Methods for Their Fabrication ”）に
記載されたレバー、ギア、スライダーおよびばねであ
る。さらに、回転可能なモータおよびリニアモータのよ
うな電気・機械装置は、Ｋ．Ｊ．Ｇabriel氏他により19
88年６月28日出願の米国特許第 4,754,185号明細書
（“Micro-Electrostatic Motor ”）に記載されてい
る。
【０００６】
【課題解決のための手段】上記の問題を解決するため
に、本発明は集積回路処理技術の使用によって集積回路
チップの誘電体基体上に製造されたマイクロ機械加工さ
れ静電付勢されたダイナミックスタブチューナを提供す
る。特に、固定された伝送ラインは基体の表面上に製造
される。さらに、移動可能な同調スタブはそれが固定さ
れた伝送ラインに関して電気・機械的に移動されること
ができるように基体上に形成される。したがって、スタ
ブは伝送ラインの実効的な長さおよび特性インピーダン
スに影響を与え、それによって伝送ラインを同調し、そ
れが結合される関連した回路素子にそれを整合する。種
々の実施例は例えば分配されたスタブチューナおよび同
調可能なバンドストップフィルタを含む。
に、本発明は集積回路処理技術の使用によって集積回路
チップの誘電体基体上に製造されたマイクロ機械加工さ
れ静電付勢されたダイナミックスタブチューナを提供す
る。特に、固定された伝送ラインは基体の表面上に製造
される。さらに、移動可能な同調スタブはそれが固定さ
れた伝送ラインに関して電気・機械的に移動されること
ができるように基体上に形成される。したがって、スタ
ブは伝送ラインの実効的な長さおよび特性インピーダン
スに影響を与え、それによって伝送ラインを同調し、そ
れが結合される関連した回路素子にそれを整合する。種
々の実施例は例えば分配されたスタブチューナおよび同
調可能なバンドストップフィルタを含む。
【０００７】このようなダイナミックチューナには多数
の利点がある。特に、チューナは関連した集積回路が製
造される同じ集積回路処理技術を使用する集積回路チッ
プ上にバッチ製造されることができる。したがってその
集積回路は製造されると同時に、ウェハ上の空間をほと
んど取らず、非常に小さい重さしか付加せず、容易に複
製されるスタブチューナを製造することができる。さら
に、スタブチューナはチューナがウェハから離されて位
置された場合よりも関連した回路素子の近くに位置さ
れ、それによって長いラインの影響を軽減することがで
きる。さらに、スタブチューナはマイクロ波およびミリ
メータ波帯域において広いダイナミックレンジを有し、
同調を行ったときにパワー損失をほとんど示さない。さ
らに、スタブチューナは非常に低いパワーの制御信号に
よりウェハ上で電気・機械的に調節されることができ
る。スタブチューナはまた放射線硬化される。
の利点がある。特に、チューナは関連した集積回路が製
造される同じ集積回路処理技術を使用する集積回路チッ
プ上にバッチ製造されることができる。したがってその
集積回路は製造されると同時に、ウェハ上の空間をほと
んど取らず、非常に小さい重さしか付加せず、容易に複
製されるスタブチューナを製造することができる。さら
に、スタブチューナはチューナがウェハから離されて位
置された場合よりも関連した回路素子の近くに位置さ
れ、それによって長いラインの影響を軽減することがで
きる。さらに、スタブチューナはマイクロ波およびミリ
メータ波帯域において広いダイナミックレンジを有し、
同調を行ったときにパワー損失をほとんど示さない。さ
らに、スタブチューナは非常に低いパワーの制御信号に
よりウェハ上で電気・機械的に調節されることができ
る。スタブチューナはまた放射線硬化される。
【０００８】集積回路上にこのようなダイナミックチュ
ーナを製造することによって、製造後に回路を同調し、
それによって良好な回路の回路生産率を高め、したがっ
て製造費用を低くすることが可能になる。さらに、開示
されたチューナはマイクロ波およびミリメータ波帯域動
作においてその他の既知のチューナより広いダイナミッ
クレンジおよび低い挿入損失を有していると考えられ
る。
ーナを製造することによって、製造後に回路を同調し、
それによって良好な回路の回路生産率を高め、したがっ
て製造費用を低くすることが可能になる。さらに、開示
されたチューナはマイクロ波およびミリメータ波帯域動
作においてその他の既知のチューナより広いダイナミッ
クレンジおよび低い挿入損失を有していると考えられ
る。
【０００９】
【実施例】図面を参照にさらに詳細に説明すると図１の
上面図に示されているように、単一のスタブチューナ10
は例えばＬawrence Ｅ．Ｌarson 氏により1991年11月に
出願された米国特許出願第07/608,139号明細書（“Micr
o-Machined Switch & Method Of Fabrication ”）に記
載されたフォトレジスト、マスク、付着、めっき、選択
的エッチングおよび化学研磨技術のような薄型フィルム
集積回路製造技術を使用して基体12の表面上に製造され
る。もちろん、別の技術もスタブチューナを製造するた
めに使用されることができる。
上面図に示されているように、単一のスタブチューナ10
は例えばＬawrence Ｅ．Ｌarson 氏により1991年11月に
出願された米国特許出願第07/608,139号明細書（“Micr
o-Machined Switch & Method Of Fabrication ”）に記
載されたフォトレジスト、マスク、付着、めっき、選択
的エッチングおよび化学研磨技術のような薄型フィルム
集積回路製造技術を使用して基体12の表面上に製造され
る。もちろん、別の技術もスタブチューナを製造するた
めに使用されることができる。
【００１０】以下“薄型フィルム”という用語が使用さ
れた場合、それは単なる例示であってそれに限定される
ものではないが、典型的にめっき、スパッタリング、蒸
発または蒸着によって付着された約10ミクロン以下の典
型的な厚さを有するフィルムを意味すると理解されるべ
きである。
れた場合、それは単なる例示であってそれに限定される
ものではないが、典型的にめっき、スパッタリング、蒸
発または蒸着によって付着された約10ミクロン以下の典
型的な厚さを有するフィルムを意味すると理解されるべ
きである。
【００１１】基体12は誘電体から形成され、滑らかで平
坦な表面14を有する。基体はヒ化ガリウムガリウムから
形成されることが好ましい。それはマイクロ波およびミ
リメータ波用として優れた誘電体であり、半導体装置お
よび受動回路素子がその上に製造されることができるた
めである。例えばシリコン、サファイヤまたはインジウ
ムリン化物等の別の材料も適切であると考えられる。
坦な表面14を有する。基体はヒ化ガリウムガリウムから
形成されることが好ましい。それはマイクロ波およびミ
リメータ波用として優れた誘電体であり、半導体装置お
よび受動回路素子がその上に製造されることができるた
めである。例えばシリコン、サファイヤまたはインジウ
ムリン化物等の別の材料も適切であると考えられる。
【００１２】伝送ライン16はフォトレジスト、マスク、
選択的エッチングおよび薄型フィルム金属化プロセスを
使用して基体12の表面14上に製造される。伝送ライン16
のこのセグメントはほぼ直線であり、長方形断面を有
し、図２に最も良く示されているように平坦で滑らかな
上面18を有する。以下、相対的に説明した“上面”およ
び“下面”という用語が使用された場合、“上面”は基
体12の上部面14を示し、図１のような上面図の平面から
外に向いていると理解されるべきである。構造的に伝送
ライン16は、基体表面14上に付着された約500 オングス
トロームの厚さのチタニウムおよび約4500オングストロ
ームの厚さの金の第１の層20を含む。チタニウムは、そ
れがヒ化ガリウムガリウムに非常に良好に結合するため
使用される。例えば金のような導電材料の層22は層20の
上部上にめっきされる。この層は約１乃至２ミクロンの
厚さが可能であり、電気めっきによって付着されること
が好ましい。伝送ラインの幅は例えは50ミクロンであ
る。
選択的エッチングおよび薄型フィルム金属化プロセスを
使用して基体12の表面14上に製造される。伝送ライン16
のこのセグメントはほぼ直線であり、長方形断面を有
し、図２に最も良く示されているように平坦で滑らかな
上面18を有する。以下、相対的に説明した“上面”およ
び“下面”という用語が使用された場合、“上面”は基
体12の上部面14を示し、図１のような上面図の平面から
外に向いていると理解されるべきである。構造的に伝送
ライン16は、基体表面14上に付着された約500 オングス
トロームの厚さのチタニウムおよび約4500オングストロ
ームの厚さの金の第１の層20を含む。チタニウムは、そ
れがヒ化ガリウムガリウムに非常に良好に結合するため
使用される。例えば金のような導電材料の層22は層20の
上部上にめっきされる。この層は約１乃至２ミクロンの
厚さが可能であり、電気めっきによって付着されること
が好ましい。伝送ラインの幅は例えは50ミクロンであ
る。
【００１３】導電材料の固定子制御電極26ａ乃至26ｆお
よび28ａ乃至28ｆの２つの行はそれぞれ各固定子制御電
極の端部壁極面34が伝送ライン16の側壁から同じ距離で
横方向に配置されるように伝送ライン16の両側に沿って
配置されるため、極面は同一平面にある。これらの極面
34の幅および高さは、以降さらに詳細に説明される移動
可能な同調スタブ50とほぼ同じ幅および高さであり、そ
れらの間の間隔は例えば制御電極の幅とほぼ同じである
ことができる。制御導線は制御信号源（示されていな
い）に各制御電極26ａ乃至26ｎおよび28ａ乃至28ｎを接
続する。
よび28ａ乃至28ｆの２つの行はそれぞれ各固定子制御電
極の端部壁極面34が伝送ライン16の側壁から同じ距離で
横方向に配置されるように伝送ライン16の両側に沿って
配置されるため、極面は同一平面にある。これらの極面
34の幅および高さは、以降さらに詳細に説明される移動
可能な同調スタブ50とほぼ同じ幅および高さであり、そ
れらの間の間隔は例えば制御電極の幅とほぼ同じである
ことができる。制御導線は制御信号源（示されていな
い）に各制御電極26ａ乃至26ｎおよび28ａ乃至28ｎを接
続する。
【００１４】各制御電極26ａ乃至26ｆは、伝送ラインの
反対側の制御電極28ａ乃至28ｆの対応したものと整列さ
れるように伝送ライン16に対して直角の方向の軸に沿っ
て整列され、この反対側の制御電極１対と考えられる。
例えば制御電極26ａおよび28ａは１対と考えられる。ス
タブチューナ10の動作に関してさらに詳細に説明される
ように、各制御電極対は、異なる信号レベルの制御信号
＋Ａ1 および−Ａ1（以下参照）が供給されたときに動
作用の静電界を生成する。
反対側の制御電極28ａ乃至28ｆの対応したものと整列さ
れるように伝送ライン16に対して直角の方向の軸に沿っ
て整列され、この反対側の制御電極１対と考えられる。
例えば制御電極26ａおよび28ａは１対と考えられる。ス
タブチューナ10の動作に関してさらに詳細に説明される
ように、各制御電極対は、異なる信号レベルの制御信号
＋Ａ1 および−Ａ1（以下参照）が供給されたときに動
作用の静電界を生成する。
【００１５】図２に最も良く示されているように、26ｃ
および28ｃのような各制御電極は伝送ライン16が製造さ
れるのと同じようにチタニウムおよび金の薄い層20並び
に金の厚い層22から製造される。制御電極の厚さは同調
スタブ50の厚さとほぼ同じ厚さであることができる。ウ
ェブ部分32は基体12の表面14から突出し、各固定子電極
の極面34が同調スタブ50が表面14の上方に配置された距
離にほぼ等しい距離だけ表面14の上方に変位されるよう
に“グースネック”構造で制御電極を保持する。結果的
に、各制御電極の表面34は同調スタブの軸が制御電極対
と整列したとき同調スタブ50の端部壁と適合する。
および28ｃのような各制御電極は伝送ライン16が製造さ
れるのと同じようにチタニウムおよび金の薄い層20並び
に金の厚い層22から製造される。制御電極の厚さは同調
スタブ50の厚さとほぼ同じ厚さであることができる。ウ
ェブ部分32は基体12の表面14から突出し、各固定子電極
の極面34が同調スタブ50が表面14の上方に配置された距
離にほぼ等しい距離だけ表面14の上方に変位されるよう
に“グースネック”構造で制御電極を保持する。結果的
に、各制御電極の表面34は同調スタブの軸が制御電極対
と整列したとき同調スタブ50の端部壁と適合する。
【００１６】案内レール36および38のような同調スタブ
50用の案内手段は伝送ライン16の反両側の基体12の表面
14上に形成されている。これらのレール36および38はそ
れぞれ伝送ライン16の軸の間でそれと平行に、また制御
電極26ａ乃至26ｎおよび28ａ乃至28ｎの極面の平面と平
行な軸に沿って配置される。
50用の案内手段は伝送ライン16の反両側の基体12の表面
14上に形成されている。これらのレール36および38はそ
れぞれ伝送ライン16の軸の間でそれと平行に、また制御
電極26ａ乃至26ｎおよび28ａ乃至28ｎの極面の平面と平
行な軸に沿って配置される。
【００１７】図２に最も良く示されているように、レー
ル36および38は基体表面14上に形成され、種々の材料か
ら製造されることができる。例えば、それらはチタニウ
ムおよび金の薄層20および金の層22から構成されること
ができ、或はそれらはＳｉＯまたはＳｉＮのような誘電
体から製造されることができる。実際に、レールの表面
は滑らかであり、それらの断面は長方形、角を丸くされ
た三角形等であることができる。レール36および38の高
さはほぼ制御電極の高さであることが好ましく、幅は選
択的である。レール36および38の長さは制御電極の行の
端部を越えて十分に延在する。
ル36および38は基体表面14上に形成され、種々の材料か
ら製造されることができる。例えば、それらはチタニウ
ムおよび金の薄層20および金の層22から構成されること
ができ、或はそれらはＳｉＯまたはＳｉＮのような誘電
体から製造されることができる。実際に、レールの表面
は滑らかであり、それらの断面は長方形、角を丸くされ
た三角形等であることができる。レール36および38の高
さはほぼ制御電極の高さであることが好ましく、幅は選
択的である。レール36および38の長さは制御電極の行の
端部を越えて十分に延在する。
【００１８】レール36および38の断面領域に関して拡大
された断面領域を有する停止部材40はレール36および38
の各端部に配置される。これらの停止部材40は同調スタ
ブ50の進行を制限するように動作する。
された断面領域を有する停止部材40はレール36および38
の各端部に配置される。これらの停止部材40は同調スタ
ブ50の進行を制限するように動作する。
【００１９】同調スタブ50は、スタブの長軸が伝送ライ
ン16の長軸に直角に横断方向に向くように一般に細長く
直線的であり、基体表面14の上方に形成される。フォト
レジスト、マスク、選択的エッチングおよび金属化の使
用により、この同調タブ50は全てのフォトレジストが除
去されたときにそれが基体12または別の素子に結合され
ないで、固定された伝送ライン16に関して自由に移動す
るように構成される。
ン16の長軸に直角に横断方向に向くように一般に細長く
直線的であり、基体表面14の上方に形成される。フォト
レジスト、マスク、選択的エッチングおよび金属化の使
用により、この同調タブ50は全てのフォトレジストが除
去されたときにそれが基体12または別の素子に結合され
ないで、固定された伝送ライン16に関して自由に移動す
るように構成される。
【００２０】同調スタブ50はチタニウムおよび金の薄層
20並びに金のような導電材料の層54から製造される。ス
タブ50は例えば２乃至５ミクロンの厚さ、50ミクロンの
幅、および 200乃至 300ミクロンの長さであることがで
きる。
20並びに金のような導電材料の層54から製造される。ス
タブ50は例えば２乃至５ミクロンの厚さ、50ミクロンの
幅、および 200乃至 300ミクロンの長さであることがで
きる。
【００２１】スタブ50の端部壁は一般に平坦であり、制
御電極26ａ，28ａ等の各極面34の平面に平行な平面に配
置されている。1.0 乃至約5.0 ミクロンのエアギャップ
は極面とスタブ50の端部壁との間に存在する。制御電極
と同調スタブとの間のエアギャップが狭ければそれだけ
静電界引力は強くなる。
御電極26ａ，28ａ等の各極面34の平面に平行な平面に配
置されている。1.0 乃至約5.0 ミクロンのエアギャップ
は極面とスタブ50の端部壁との間に存在する。制御電極
と同調スタブとの間のエアギャップが狭ければそれだけ
静電界引力は強くなる。
【００２２】基体表面14に最も近いスタブ50の下面56
は、前に参照されたフォトレジストおよび選択性エッチ
ング技術によってそこに形成された１対の間隔を隔てら
れた案内スロット58および60を有する。これらの案内ス
ロットは案内レール36および38の間隔に対応するように
間隔を隔てられ、低摩擦スライド関係で案内レール上に
位置するように構成されている。同調スタブ50が案内レ
ール36および38上に位置された場合、スタブ50の上向き
に曲がった中央部分62の表面は伝送ラインの上面18に接
触し、低い摩擦力でそれに沿ってスライドするように動
作可能である。
は、前に参照されたフォトレジストおよび選択性エッチ
ング技術によってそこに形成された１対の間隔を隔てら
れた案内スロット58および60を有する。これらの案内ス
ロットは案内レール36および38の間隔に対応するように
間隔を隔てられ、低摩擦スライド関係で案内レール上に
位置するように構成されている。同調スタブ50が案内レ
ール36および38上に位置された場合、スタブ50の上向き
に曲がった中央部分62の表面は伝送ラインの上面18に接
触し、低い摩擦力でそれに沿ってスライドするように動
作可能である。
【００２３】伝送ライン16の上部にスタブチューナ50を
維持するために保持手段70は空気ブリッジ構造で伝送ラ
イン上に延在するように構成される。保持バー72は支柱
74および76によって両端で伝送ライン16に固定される。
各支柱の一端はバー72に固定され、支柱の他端は伝送ラ
イン16に固定される。各支柱74と76との間の間隔は制御
電極26ａ乃至26ｎおよび28ａ乃至28ｎの各行の長さより
長い。結果として、スタブチューナ50が制御電極を越え
て進んだとき、それは支柱74または76によって止めら
れ、スタブの移動は制限される。伝送ライン面とバー72
との間の間隔は結合を制限せずにスタブを伝送ラインに
沿って移動させるような十分な大きさである。
維持するために保持手段70は空気ブリッジ構造で伝送ラ
イン上に延在するように構成される。保持バー72は支柱
74および76によって両端で伝送ライン16に固定される。
各支柱の一端はバー72に固定され、支柱の他端は伝送ラ
イン16に固定される。各支柱74と76との間の間隔は制御
電極26ａ乃至26ｎおよび28ａ乃至28ｎの各行の長さより
長い。結果として、スタブチューナ50が制御電極を越え
て進んだとき、それは支柱74または76によって止めら
れ、スタブの移動は制限される。伝送ライン面とバー72
との間の間隔は結合を制限せずにスタブを伝送ラインに
沿って移動させるような十分な大きさである。
【００２４】図２に示されているように、保持バー72は
長方形断面を有することができ、伝送ライン16の上部に
スタブチューナを保持するのに十分な構造的な強度を提
供するのに十分な高さおよび幅を有する。保持部材70に
対して使用される材料は、チューナ10の別の素子に関し
て前に論じられた対応した層に類似したチタニウムおよ
び金の薄層78並びに金の厚い層80を含むことができる。
長方形断面を有することができ、伝送ライン16の上部に
スタブチューナを保持するのに十分な構造的な強度を提
供するのに十分な高さおよび幅を有する。保持部材70に
対して使用される材料は、チューナ10の別の素子に関し
て前に論じられた対応した層に類似したチタニウムおよ
び金の薄層78並びに金の厚い層80を含むことができる。
【００２５】動作において、制御信号対：＋Ａ1 および
−Ａ1 ；＋Ａ2 および−Ａ2 ；並びに＋Ａ3 および−Ａ
3 は順次連続的に制御電極対26ａ−28ａ，26ｂ−28ｂ，
26ｃ−28ｃ（以下参照）に供給される。実際に、制御信
号＋Ａは制御信号−Ａより高い電圧電位を有する。これ
らの制御信号は制御電極に隣接した同調スタブ50の各端
部において互いに関して逆の極性の静電画像電荷を発達
させる各制御電極上に静電界を設定する。スタブ50の端
部上の制御電極のフィールドと電荷との間の静電引力は
伝送ライン16の軸に沿って同調スタブ50を効果的に移動
する。図面に関して左から右にまたは伝送ライン16の信
号入力端部の反対側にスタブ50を移動するために、制御
信号対のシーケンスはＡ1 ，Ａ2 ，Ａ3 ，Ａ1 ，Ａ2 ，
等である。
−Ａ1 ；＋Ａ2 および−Ａ2 ；並びに＋Ａ3 および−Ａ
3 は順次連続的に制御電極対26ａ−28ａ，26ｂ−28ｂ，
26ｃ−28ｃ（以下参照）に供給される。実際に、制御信
号＋Ａは制御信号−Ａより高い電圧電位を有する。これ
らの制御信号は制御電極に隣接した同調スタブ50の各端
部において互いに関して逆の極性の静電画像電荷を発達
させる各制御電極上に静電界を設定する。スタブ50の端
部上の制御電極のフィールドと電荷との間の静電引力は
伝送ライン16の軸に沿って同調スタブ50を効果的に移動
する。図面に関して左から右にまたは伝送ライン16の信
号入力端部の反対側にスタブ50を移動するために、制御
信号対のシーケンスはＡ1 ，Ａ2 ，Ａ3 ，Ａ1 ，Ａ2 ，
等である。
【００２６】例えば、同調スタブ50が制御電極対26ａお
よび28ａと整列していると仮定すると、制御信号対シー
ケンスＡ1 ，Ａ2 ，Ａ3 により同調スタブ50は、その軸
が図１に示されているような固定子制御電極対26ｃおよ
び28ｃと整列している位置に右方向に効果的にステップ
される。しかしながら、同調スタブ50が右端から左にス
テップされた場合、固定子制御電極に供給される制御信
号対のシーケンスはＡ3 ，Ａ2 ，Ａ1 ，Ａ3 に反転され
る。静電界および引力の結果、同調スタブ50は図１に示
されたように制御電極対26ｃおよび28ｃと整列して止ま
るように右から左に移動される。
よび28ａと整列していると仮定すると、制御信号対シー
ケンスＡ1 ，Ａ2 ，Ａ3 により同調スタブ50は、その軸
が図１に示されているような固定子制御電極対26ｃおよ
び28ｃと整列している位置に右方向に効果的にステップ
される。しかしながら、同調スタブ50が右端から左にス
テップされた場合、固定子制御電極に供給される制御信
号対のシーケンスはＡ3 ，Ａ2 ，Ａ1 ，Ａ3 に反転され
る。静電界および引力の結果、同調スタブ50は図１に示
されたように制御電極対26ｃおよび28ｃと整列して止ま
るように右から左に移動される。
【００２７】スタブ50の微同調はまた多くの方法で行わ
れることができる。例えば、同調スタブが隣接した制御
電極対の間の中間の位置に移動されることができる補助
効果が得られる。これは電極26ｂおよび28ｂに＋Ａ2 お
よび−Ａ2 のような２つの制御信号対を、また電極26ｃ
および28ｃに＋Ａ3 および−Ａ3 を同時に供給すること
によって行われる。したがって、制御電極と同調スタブ
50との間の静電引力に対する平衡点は隣接した制御電極
対の間である。結果として、同調スタブ50はこのような
隣接した制御電極間の中間に位置する。
れることができる。例えば、同調スタブが隣接した制御
電極対の間の中間の位置に移動されることができる補助
効果が得られる。これは電極26ｂおよび28ｂに＋Ａ2 お
よび−Ａ2 のような２つの制御信号対を、また電極26ｃ
および28ｃに＋Ａ3 および−Ａ3 を同時に供給すること
によって行われる。したがって、制御電極と同調スタブ
50との間の静電引力に対する平衡点は隣接した制御電極
対の間である。結果として、同調スタブ50はこのような
隣接した制御電極間の中間に位置する。
【００２８】スタブ50の微同調は隣接した制御電極対に
異なる振幅の制御信号＋Ａおよび−Ａを選択的に供給す
ることによっても行われることができる。その結果、静
電界の等価な点は別の隣接した対より近くに隣接した制
御電極対の一方に位置される。例えば、制御信号＋Ａ3
および−Ａ3 が制御信号＋Ａ2 および−Ａ2 より高い振
幅を有している場合、平衡点は高い振幅の制御信号＋Ａ
3 および−Ａ3 が供給される制御電極に近接している。
異なる振幅の制御信号＋Ａおよび−Ａを選択的に供給す
ることによっても行われることができる。その結果、静
電界の等価な点は別の隣接した対より近くに隣接した制
御電極対の一方に位置される。例えば、制御信号＋Ａ3
および−Ａ3 が制御信号＋Ａ2 および−Ａ2 より高い振
幅を有している場合、平衡点は高い振幅の制御信号＋Ａ
3 および−Ａ3 が供給される制御電極に近接している。
【００２９】したがって、スタブ50は伝送ライン16の軸
に沿って移動されて再度位置されるため、伝送ラインの
特性インピーダンスおよび実効的な長さは伝送ライン16
が結合される回路のインピーダンスにもっと厳密に整合
するように同調される。
に沿って移動されて再度位置されるため、伝送ラインの
特性インピーダンスおよび実効的な長さは伝送ライン16
が結合される回路のインピーダンスにもっと厳密に整合
するように同調される。
【００３０】別のスタブチューナはここに示された原理
を利用して製造されることができる。例えば、図３およ
び図４に示された二重スタブチューナ100 は基体106 の
平面104 上に製造された伝送ライン102 を含む。動作に
おいて、各同調スタブ108 および110 は各スタブ108 お
よび110 の効果的な長さを変化するように伝送ライン10
2 の軸に直角に長い軸に沿って独立的に移動される。結
果的に、伝送ライン102 の実効的な長さおよび特性イン
ピーダンスは製造後に集積回路上でダイナミックに同調
されることができる。
を利用して製造されることができる。例えば、図３およ
び図４に示された二重スタブチューナ100 は基体106 の
平面104 上に製造された伝送ライン102 を含む。動作に
おいて、各同調スタブ108 および110 は各スタブ108 お
よび110 の効果的な長さを変化するように伝送ライン10
2 の軸に直角に長い軸に沿って独立的に移動される。結
果的に、伝送ライン102 の実効的な長さおよび特性イン
ピーダンスは製造後に集積回路上でダイナミックに同調
されることができる。
【００３１】図３および図４をさらに詳細に参照する
と、導電材料の伝送ライン102 は伝送ライン16が図１お
よび図２において製造されたのと同じ方法で表面104 上
に製造される。
と、導電材料の伝送ライン102 は伝送ライン16が図１お
よび図２において製造されたのと同じ方法で表面104 上
に製造される。
【００３２】ほぼ直線的な構造であり、各同調スタブ10
8 および110 の一部分をそれぞれ形成する２つの間隔を
隔てられた固定スタブ112 および114 は伝送ライン102
の一端上に配置され、そこから長軸に直角に突出する。
これらの固定スタブ112 および114 は伝送ライン102 と
一体であり、同じ材料であり、パターン化され、それと
共に製造される。それらはまた伝送ライン102 と同じ厚
さである。さらに、伝送ライン102 の露出された上面お
よび固定スタブ112 および114 は滑らかで平坦であり、
同一平面であることが好ましい。
8 および110 の一部分をそれぞれ形成する２つの間隔を
隔てられた固定スタブ112 および114 は伝送ライン102
の一端上に配置され、そこから長軸に直角に突出する。
これらの固定スタブ112 および114 は伝送ライン102 と
一体であり、同じ材料であり、パターン化され、それと
共に製造される。それらはまた伝送ライン102 と同じ厚
さである。さらに、伝送ライン102 の露出された上面お
よび固定スタブ112 および114 は滑らかで平坦であり、
同一平面であることが好ましい。
【００３３】導電材料の移動可能なスタブ116 および11
8 は固定スタブ112 および114 の平面の上方に製造され
る。これらの移動可能なスタブ116 および118 はほぼ直
線的な構造であり、それぞれ同調スタブ108 および110
の一部として動作する。固定スタブ112 および114 並び
に移動可能なスタブ116 および118 の両者の接触面は滑
らかであり、それらの間における低摩擦移動を可能にす
る。
8 は固定スタブ112 および114 の平面の上方に製造され
る。これらの移動可能なスタブ116 および118 はほぼ直
線的な構造であり、それぞれ同調スタブ108 および110
の一部として動作する。固定スタブ112 および114 並び
に移動可能なスタブ116 および118 の両者の接触面は滑
らかであり、それらの間における低摩擦移動を可能にす
る。
【００３４】移動可能なスタブ112 および114 は、伝送
ラインの長軸に直角である通路に沿って伝送ラインに向
かって進退するようにそれらの長い軸に沿って移動す
る。図１の案内レール36および38と構造で類似した案内
レール117 は移動可能なスタブ116 および118 の長軸に
平行な通路に沿って基体106 上に製造される。１対の間
隔を隔てられた案内スロット119 （図４）は移動可能な
スタブ116 および118 の下面に形成され、基体106 の表
面に対して移動可能なスタブ面を動作可能に維持し、そ
れらを軸に沿って案内するように案内レール117 を受け
る。
ラインの長軸に直角である通路に沿って伝送ラインに向
かって進退するようにそれらの長い軸に沿って移動す
る。図１の案内レール36および38と構造で類似した案内
レール117 は移動可能なスタブ116 および118 の長軸に
平行な通路に沿って基体106 上に製造される。１対の間
隔を隔てられた案内スロット119 （図４）は移動可能な
スタブ116 および118 の下面に形成され、基体106 の表
面に対して移動可能なスタブ面を動作可能に維持し、そ
れらを軸に沿って案内するように案内レール117 を受け
る。
【００３５】スタブ116 および118 の長軸に関して側壁
から横方向に突出する一連の均等に間隔を隔てられたタ
ブ120 ，122 ，124 および126 は移動可能なスタブ116
および114 の各側壁に沿って配置される。タブ120 およ
びタブ122 は移動可能なスタブ116 と関連され、タブ12
4 およびタブ126 は移動可能なスタブ118 と関連され
る。これらのタブはここにおいて参照されているような
集積回路処理技術を使用して移動可能なスタブの一部分
として製造される。
から横方向に突出する一連の均等に間隔を隔てられたタ
ブ120 ，122 ，124 および126 は移動可能なスタブ116
および114 の各側壁に沿って配置される。タブ120 およ
びタブ122 は移動可能なスタブ116 と関連され、タブ12
4 およびタブ126 は移動可能なスタブ118 と関連され
る。これらのタブはここにおいて参照されているような
集積回路処理技術を使用して移動可能なスタブの一部分
として製造される。
【００３６】固定子制御電極 130ａ乃至 130ｅ， 132ａ
乃至 132ｅ， 134ａ乃至 134ｅおよび 136ａ乃至 136ｅ
の行は移動可能なスタブ116 および114 の各側に沿って
間隔を隔てて配置されている。制御電極 130ａ乃至 130
ｅ並びに 132ａ乃至 132ｅは移動可能なスタブ116 と関
連され、一方制御電極 134ａ乃至 134ｅ並びに 136ａ乃
至 136ｅは移動可能なスタブ118 と関連される。
乃至 132ｅ， 134ａ乃至 134ｅおよび 136ａ乃至 136ｅ
の行は移動可能なスタブ116 および114 の各側に沿って
間隔を隔てて配置されている。制御電極 130ａ乃至 130
ｅ並びに 132ａ乃至 132ｅは移動可能なスタブ116 と関
連され、一方制御電極 134ａ乃至 134ｅ並びに 136ａ乃
至 136ｅは移動可能なスタブ118 と関連される。
【００３７】図３のライン４−４における断面図である
図４を参照すると、 130ｄおよび 132ｄのような各制御
電極は基体106 の表面104 上に形成されたベース140 を
有するほぼ“Ｕ”に成形された断面である。ベース140
の厚さは、移動可能なスタブ6 および118 の下面が基体
106 の表面の上方に変位される距離より小さい。ウェブ
142 は基体106 と離れる方向にベース140 から上方に延
在する。ウェブ142 の上端から舌部144 がタブ120 およ
び122 上に突出している。この構造はタブと極面との間
にエアギャップを有してタブ120 および122 と部分的に
重なる“Ｕ”形状の極面146 を形成する。このような重
なり、および隣接したタブ120 ，122 ，124 ，または12
6 間の間隔の５／４の隣接した制御電極間の間隔の結
果、少なくとも２対の制御電極が任意の時点でタブ120
，122 ，124 ，または126 の２対と重なる。例えば、
図３において制御電極対 130ａ、 132ａはそれぞれタブ
120および 122と重なり、一方制御電極対 130ｄ、 132
ｄはタブ 120および 122と重なる。タブ 120および 122
は制御電極中に“Ｕ”形状の極面によって形成されたチ
ャンネルを通って自由に移動する。
図４を参照すると、 130ｄおよび 132ｄのような各制御
電極は基体106 の表面104 上に形成されたベース140 を
有するほぼ“Ｕ”に成形された断面である。ベース140
の厚さは、移動可能なスタブ6 および118 の下面が基体
106 の表面の上方に変位される距離より小さい。ウェブ
142 は基体106 と離れる方向にベース140 から上方に延
在する。ウェブ142 の上端から舌部144 がタブ120 およ
び122 上に突出している。この構造はタブと極面との間
にエアギャップを有してタブ120 および122 と部分的に
重なる“Ｕ”形状の極面146 を形成する。このような重
なり、および隣接したタブ120 ，122 ，124 ，または12
6 間の間隔の５／４の隣接した制御電極間の間隔の結
果、少なくとも２対の制御電極が任意の時点でタブ120
，122 ，124 ，または126 の２対と重なる。例えば、
図３において制御電極対 130ａ、 132ａはそれぞれタブ
120および 122と重なり、一方制御電極対 130ｄ、 132
ｄはタブ 120および 122と重なる。タブ 120および 122
は制御電極中に“Ｕ”形状の極面によって形成されたチ
ャンネルを通って自由に移動する。
【００３８】制御信号がパッド 150から導線を介して制
御電極に供給された場合、著しい静電引力がその縦軸に
沿って移動可能なスタブを移動させるように制御電極と
タブ上に誘導されたイメージ電荷との間に生成される。
例えば、制御信号シーケンス＋Ａ1 および−Ａ1 ，＋Ａ
2 および−Ａ2 ，＋Ａ3 および−Ａ3 等は伝送ライン10
2 の方向に移動可能なスタブ116 または118 を移動す
る。これは同調スタブ108 または110 の長さを短くす
る。反対に、＋Ａ3 および−Ａ3 ，＋Ａ2 および−Ａ2
，＋Ａ1 および−Ａ1 等に対する逆の制御信号のシー
ケンスは同調スタブ108 および、または110 を長くする
ように移動可能なスタブ116 または118 を伝送ライン10
2 と反対方向に移動させる。このような同調スタブ108
および110 の長さの変化はその特性インピーダンスおよ
び実効的な長さを変化することによって伝送ライン102
を動作可能に同調する。
御電極に供給された場合、著しい静電引力がその縦軸に
沿って移動可能なスタブを移動させるように制御電極と
タブ上に誘導されたイメージ電荷との間に生成される。
例えば、制御信号シーケンス＋Ａ1 および−Ａ1 ，＋Ａ
2 および−Ａ2 ，＋Ａ3 および−Ａ3 等は伝送ライン10
2 の方向に移動可能なスタブ116 または118 を移動す
る。これは同調スタブ108 または110 の長さを短くす
る。反対に、＋Ａ3 および−Ａ3 ，＋Ａ2 および−Ａ2
，＋Ａ1 および−Ａ1 等に対する逆の制御信号のシー
ケンスは同調スタブ108 および、または110 を長くする
ように移動可能なスタブ116 または118 を伝送ライン10
2 と反対方向に移動させる。このような同調スタブ108
および110 の長さの変化はその特性インピーダンスおよ
び実効的な長さを変化することによって伝送ライン102
を動作可能に同調する。
【００３９】図５において、スタブチューナの別の実施
例は同調可能なバンドストップフィルタ168 として構成
される。このバンドストップフィルタは168 において、
同調可能なスタブ170 は伝送ライン172 の軸に直角な長
軸に沿って移動される。固定スタブ174 は固定スタブ17
4 の一端178 と伝送ライン172 の側壁との間のギャップ
を有して基体176 上に形成される。図３のスタタブチュ
ーナにおけるように、移動可能なスタブ180 は同調可能
なスタブ170 を実効的に長くし、短くするように固定ス
タブ174 の上部をスライドするように案内レール117 上
に乗るように製造される。スタブの長さのこのような変
化はギャップ上の電界を変化し、したがって伝送ライン
172 の特性インピーダンスを変化することによって伝送
ライン172 に結合される。
例は同調可能なバンドストップフィルタ168 として構成
される。このバンドストップフィルタは168 において、
同調可能なスタブ170 は伝送ライン172 の軸に直角な長
軸に沿って移動される。固定スタブ174 は固定スタブ17
4 の一端178 と伝送ライン172 の側壁との間のギャップ
を有して基体176 上に形成される。図３のスタタブチュ
ーナにおけるように、移動可能なスタブ180 は同調可能
なスタブ170 を実効的に長くし、短くするように固定ス
タブ174 の上部をスライドするように案内レール117 上
に乗るように製造される。スタブの長さのこのような変
化はギャップ上の電界を変化し、したがって伝送ライン
172 の特性インピーダンスを変化することによって伝送
ライン172 に結合される。
【００４０】図５のバンドストップフィルタ168 の同調
可能なスタブ170 の一般的な電気・機械動作は図３の二
重スタブチューナの同調可能なスタブ50の動作に類似し
ているため、同じ構造上の素子は両図中において同じ参
照符号を使用している。したがって、同調可能なスタブ
170 を短くし、長くする動作はこの詳細な説明の前の部
分を参照することによって理解されることができる。
可能なスタブ170 の一般的な電気・機械動作は図３の二
重スタブチューナの同調可能なスタブ50の動作に類似し
ているため、同じ構造上の素子は両図中において同じ参
照符号を使用している。したがって、同調可能なスタブ
170 を短くし、長くする動作はこの詳細な説明の前の部
分を参照することによって理解されることができる。
【００４１】前に述べられたように、ここに示された全
ての実施態様は示された同じ材料によって集積回路プロ
セスによって製造される。例えば、伝送ライン、同調可
能なスタブおよび固定子制御電極はそれぞれチタニウム
および金の薄層並びに金の厚い層のような導電材料から
製造されることが好ましく、それぞれマスクによってパ
ターン化されたフォトレジストの層、露光、選択的エッ
チングおよび金属化を使用して基体上でパターン化され
る。
ての実施態様は示された同じ材料によって集積回路プロ
セスによって製造される。例えば、伝送ライン、同調可
能なスタブおよび固定子制御電極はそれぞれチタニウム
および金の薄層並びに金の厚い層のような導電材料から
製造されることが好ましく、それぞれマスクによってパ
ターン化されたフォトレジストの層、露光、選択的エッ
チングおよび金属化を使用して基体上でパターン化され
る。
【００４２】さらに、金は構造的な素子に好ましい材料
であるが、別の導電材料も使用できると考えられる。し
たがって、ステンレス鋼、ドープされたシリコンおよび
ロジウムを使用することが可能であるが、これは単なる
例示であり、それに限定されるものではない。さらに、
基体に対してヒ化ガリウム以外の材料を使用することも
できる。
であるが、別の導電材料も使用できると考えられる。し
たがって、ステンレス鋼、ドープされたシリコンおよび
ロジウムを使用することが可能であるが、これは単なる
例示であり、それに限定されるものではない。さらに、
基体に対してヒ化ガリウム以外の材料を使用することも
できる。
【００４３】特定の実施例を参照して顕著な特徴が示さ
れてきたが、本発明の技術的範囲を逸脱することなく多
数の変形および修正を行うことができる。したがって、
本発明の技術的範囲は添付された特許請求の範囲の技術
的範囲によってのみ限定されるものである。
れてきたが、本発明の技術的範囲を逸脱することなく多
数の変形および修正を行うことができる。したがって、
本発明の技術的範囲は添付された特許請求の範囲の技術
的範囲によってのみ限定されるものである。
【図１】伝送ラインおよび伝送ラインを同調するために
制御信号によって伝送ラインの長軸に沿って動作可能に
移動された同調スタブを示す単一スタブチューナの上面
図。
制御信号によって伝送ラインの長軸に沿って動作可能に
移動された同調スタブを示す単一スタブチューナの上面
図。
【図２】同調スタブ、伝送ラインおよび１対の固定子制
御電極間の関係を示す図１の２−２の平面における図１
のチューナの断面図。
御電極間の関係を示す図１の２−２の平面における図１
のチューナの断面図。
【図３】スタブを動作可能に長くおよび短くし、それに
よって伝送ラインを同調するように同調スタブが伝送ラ
インの軸に関して横方向にそれらの長軸に沿って移動さ
れる二重スタブチューナの上面図。
よって伝送ラインを同調するように同調スタブが伝送ラ
インの軸に関して横方向にそれらの長軸に沿って移動さ
れる二重スタブチューナの上面図。
【図４】移動可能なスタブ、固定スタフブおよび１対の
制御電極間の関係を示す図３の４−４の平面における拡
大された側断面図。
制御電極間の関係を示す図３の４−４の平面における拡
大された側断面図。
【図５】スタブ長を実効的に変化し、したがって伝送ラ
インのバンドパスを同調するように伝送ラインの長軸に
関して横方向に動作可能に移動する移動可能なスタブを
有する同調可能なバンドストップフィルタの上面図。
インのバンドパスを同調するように伝送ラインの長軸に
関して横方向に動作可能に移動する移動可能なスタブを
有する同調可能なバンドストップフィルタの上面図。
Claims (15)
- 【請求項１】 静電的に付勢される同調可能な小型回路
において、 表面に配置された伝送ラインを有する基体と、 前記伝送ライン上に形成され、前記伝送ラインに関して
移動可能である導電材料の少なくとも１つの同調スタブ
手段と、 前記基体の表面上に形成され、前記同調スタブに結合さ
れる静電界を生成するために制御信号を選択的に受信す
るように動作可能であり、その静電界が前記伝送ライン
の軸に関して前記同調スタブ手段を移動するように動作
可能であり、前記伝送ラインを動作可能に同調する制御
手段とを具備していることを特徴とする静電的に付勢さ
れる同調可能な小型回路。 - 【請求項２】 前記制御手段は、静電引力を高めるよう
に前記同調スタブ手段上にイメージ電荷を誘導するのに
十分な狭いエアギャップを有して配置されている請求項
１記載の静電的に付勢される同調可能な小型回路。 - 【請求項３】 前記制御手段は前記伝送ラインの少なく
とも１側において分布された複数の分離した制御電極を
含んでいる請求項１記載の静電的に付勢される同調可能
な小型回路。 - 【請求項４】 前記分離した制御電極は前記伝送ライン
の両側に沿って分配され、前記伝送ラインを動作可能に
同調するように前記伝送ラインの軸に沿って前記同調ス
タブ手段を移動するように動作可能である請求項３記載
の静電的に付勢される同調可能な小型回路。 - 【請求項５】 前記分離した制御電極は前記伝送ライン
の軸に対してある角度で通路に沿って分配され、前記ス
タブの長さを変化して前記伝送ラインを動作可能に同調
するように前記通路に沿って前記同調スタブを移動する
ように動作可能である請求項３記載の静電的に付勢され
る同調可能な小型回路。 - 【請求項６】 前記同調スタブ手段は前記伝送ラインに
関する位置が固定された第１のスタブと、前記同調スタ
ブ手段の長さを変化するように前記固定スタブの上面に
沿って前記伝送ラインに関して移動可能である第２のス
タブとを含んでいる請求項５記載の静電的に付勢される
同調可能な小型回路。 - 【請求項７】 前記固定スタブは前記伝送ラインの一側
に接続れされ、ある角度でそこから突出している請求項
６記載の静電的に付勢される同調可能な小型回路。 - 【請求項８】 前記同調スタブ手段はそれぞれ前記伝送
ラインに沿って分離した位置に配置されている２つの間
隔を隔てられた同調スタブ手段を具備している請求項６
記載の静電的に付勢される同調可能な小型回路。 - 【請求項９】 前記制御手段は複数の個々の制御電極を
含み、それら制御電極は前記同調スタブ手段の上および
下面に重なる部材を具備し、それぞれ前記制御電極と前
記同調スタブ手段との間に静電引力を与えて前記同調ス
タブ手段が前記部材間の空間を通って移動することを可
能にしている請求項１記載の静電的に付勢される同調可
能な小型回路。 - 【請求項１０】 前記固定スタブは前記伝送ラインから
間隔を隔てられている請求項６記載の静電的に付勢され
る同調可能な小型回路。 - 【請求項１１】 前記同調スタブは細長く、前記基体の
表面にほぼ平行に配置されている請求項１記載の静電的
に付勢される同調可能な小型回路。 - 【請求項１２】 前記移動可能な第２の同調スタブは各
側壁から突出した複数の間隔を隔てられたタブを含み、
それらのタブは前記制御電極によって生成された静電界
によって動作可能に静電的に吸引される請求項６記載の
静電的に付勢される同調可能な小型回路。 - 【請求項１３】 前記制御手段は前記伝送ラインの各側
に沿って間隔を隔てられた通路に配置されている請求項
３記載の静電的に付勢される同調可能な小型回路。 - 【請求項１４】 前記同調スタブの長軸は前記伝送ライ
ンを横切って配置されている請求項12記載の静電的に付
勢される同調可能な小型回路。 - 【請求項１５】 前記同調スタブおよび制御手段は集積
回路材料および処理技術を使用して製造される請求項１
記載の静電的に付勢される同調可能な小型回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/708,955 US5164688A (en) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | Miniature microwave and millimeter wave tuner |
| US708955 | 1991-05-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05199017A true JPH05199017A (ja) | 1993-08-06 |
| JPH07105651B2 JPH07105651B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=24847863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4140756A Expired - Lifetime JPH07105651B2 (ja) | 1991-05-31 | 1992-06-01 | 小型マイクロ波およびミリメータ波チューナ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5164688A (ja) |
| EP (1) | EP0516174B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07105651B2 (ja) |
| DE (1) | DE69222977T2 (ja) |
| IL (1) | IL102040A (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2704357B1 (fr) * | 1993-04-20 | 1995-06-02 | Thomson Csf | Eléments électroniques intégrés à caractéristiques électriques variables, en particulier pour hyperfréquences. |
| US5619061A (en) * | 1993-07-27 | 1997-04-08 | Texas Instruments Incorporated | Micromechanical microwave switching |
| US5467068A (en) * | 1994-07-07 | 1995-11-14 | Hewlett-Packard Company | Micromachined bi-material signal switch |
| US5757319A (en) * | 1996-10-29 | 1998-05-26 | Hughes Electronics Corporation | Ultrabroadband, adaptive phased array antenna systems using microelectromechanical electromagnetic components |
| US5808527A (en) * | 1996-12-21 | 1998-09-15 | Hughes Electronics Corporation | Tunable microwave network using microelectromechanical switches |
| US6043727A (en) * | 1998-05-15 | 2000-03-28 | Hughes Electronics Corporation | Reconfigurable millimeterwave filter using stubs and stub extensions selectively coupled using voltage actuated micro-electro-mechanical switches |
| US7570973B1 (en) | 1998-09-25 | 2009-08-04 | Palm, Inc. | Programmable mobile radiotelephone terminal |
| US6329738B1 (en) | 1999-03-30 | 2001-12-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Precision electrostatic actuation and positioning |
| US6724125B2 (en) | 1999-03-30 | 2004-04-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus for diffractive optical processing using an actuatable structure |
| US6215644B1 (en) | 1999-09-09 | 2001-04-10 | Jds Uniphase Inc. | High frequency tunable capacitors |
| US6229684B1 (en) | 1999-12-15 | 2001-05-08 | Jds Uniphase Inc. | Variable capacitor and associated fabrication method |
| US6373682B1 (en) | 1999-12-15 | 2002-04-16 | Mcnc | Electrostatically controlled variable capacitor |
| US6496351B2 (en) | 1999-12-15 | 2002-12-17 | Jds Uniphase Inc. | MEMS device members having portions that contact a substrate and associated methods of operating |
| WO2002012117A1 (de) * | 2000-08-09 | 2002-02-14 | Fraunhofer Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E. V. | Anordnung mit variabler kapazität |
| US6485273B1 (en) | 2000-09-01 | 2002-11-26 | Mcnc | Distributed MEMS electrostatic pumping devices |
| US6590267B1 (en) | 2000-09-14 | 2003-07-08 | Mcnc | Microelectromechanical flexible membrane electrostatic valve device and related fabrication methods |
| US6377438B1 (en) | 2000-10-23 | 2002-04-23 | Mcnc | Hybrid microelectromechanical system tunable capacitor and associated fabrication methods |
| US20020167695A1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-11-14 | Senturia Stephen D. | Methods and apparatus for diffractive optical processing using an actuatable structure |
| US7046410B2 (en) | 2001-10-11 | 2006-05-16 | Polychromix, Inc. | Actuatable diffractive optical processor |
| AU2003259906A1 (en) | 2002-08-20 | 2004-03-11 | Lockheed Martin Corporation | Method and apparatus for modifying a radio frequency response |
| WO2006012509A2 (en) | 2004-07-23 | 2006-02-02 | Afa Controls, Llc | Methods of operating microvalve assemblies and related structures and related devices |
| JP2006287619A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Tdk Corp | 分布定数回路及びインピーダンス調整方法 |
| US20070194239A1 (en) * | 2006-01-31 | 2007-08-23 | Mcallister Abraham | Apparatus and method providing a hand-held spectrometer |
| TW200940437A (en) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | Sunonwealth Electr Mach Ind Co | Miniaturized motor |
| US9326819B2 (en) * | 2009-04-15 | 2016-05-03 | Medwaves, Inc. | Electrically tunable tissue ablation system and method |
| US10079135B1 (en) | 2018-04-18 | 2018-09-18 | Consolidated Nuclear Security, LLC | Gas-sealed stub tuner for microwave systems |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3963998A (en) * | 1975-03-13 | 1976-06-15 | Rca Corporation | Variable bandwidth tunable directional filter |
| US4096453A (en) * | 1977-05-19 | 1978-06-20 | Gte Automatic Electric Laboratories Incorporated | Double-mode tuned microwave oscillator |
| US4472690A (en) * | 1982-06-14 | 1984-09-18 | Rockwell International Corporation | Universal transistor characteristic matching apparatus |
| US4754185A (en) * | 1986-10-16 | 1988-06-28 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Micro-electrostatic motor |
| US4716389A (en) * | 1986-10-20 | 1987-12-29 | Honeywell Inc. | Millimeter wave microstrip surface mounted attenuator |
| US4906956A (en) * | 1987-10-05 | 1990-03-06 | Menlo Industries, Inc. | On-chip tuning for integrated circuit using heat responsive element |
| US4922253A (en) * | 1989-01-03 | 1990-05-01 | Westinghouse Electric Corp. | High attenuation broadband high speed RF shutter and method of making same |
| US5043043A (en) * | 1990-06-22 | 1991-08-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for fabricating side drive electrostatic micromotor |
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1991
- 1991-05-31 US US07/708,955 patent/US5164688A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-05-28 IL IL10204092A patent/IL102040A/en active IP Right Grant
- 1992-05-29 EP EP92109139A patent/EP0516174B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-05-29 DE DE69222977T patent/DE69222977T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-01 JP JP4140756A patent/JPH07105651B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IL102040A0 (en) | 1992-12-30 |
| DE69222977D1 (de) | 1997-12-11 |
| US5164688A (en) | 1992-11-17 |
| EP0516174A3 (en) | 1994-06-08 |
| DE69222977T2 (de) | 1998-06-10 |
| EP0516174A2 (en) | 1992-12-02 |
| JPH07105651B2 (ja) | 1995-11-13 |
| IL102040A (en) | 1995-11-27 |
| EP0516174B1 (en) | 1997-11-05 |
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