JP2003521827A - 超小型電気機械的切替え式同調マトリックスを使用するテレビジョン・チューナ - Google Patents

超小型電気機械的切替え式同調マトリックスを使用するテレビジョン・チューナ

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JP2003521827A
JP2003521827A JP2000559691A JP2000559691A JP2003521827A JP 2003521827 A JP2003521827 A JP 2003521827A JP 2000559691 A JP2000559691 A JP 2000559691A JP 2000559691 A JP2000559691 A JP 2000559691A JP 2003521827 A JP2003521827 A JP 2003521827A
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アリー ローゼン，
スチュワート， エム． パーロウ，
レイモンド， エル． カミサ，
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サーノフ コーポレイション
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  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)

Abstract

(57)【要約】 同調装置（１０）は、複数の超小型電気機械的スイッチとコンデンサおよび／またはインダクタの配列とを含む切替え式同調マトリックスを各々に含む切替え可能な同調回路（２０、２４、３０、３４）を使用する。各々の切替え可能な同調回路（２０、２４、３０、３４）は、コンデンサおよび／またはインダクタの配列からコンデンサおよび／またはインダクタの１つを選択するためにそれぞれの複数の超小型電気機械的スイッチを制御する同調制御信号（ＶＣ）を受け取る。コンデンサおよび／またはインダクタの各配列ならびにそれに対応付けられる超小型電気機械的スイッチは、集積回路上または電子回路基板上に、切替え式同調マトリックスと一緒に使用される増幅器およびその他の電子素子と共に形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本願は、１９９８年７月９日出願の「ＭＩＣＲＯ−ＥＬＥＣＴＲＯ−ＭＥＣＨ
ＡＮＩＣＡＬＬＹ−ＳＷＩＴＣＨＥＤ ＣＡＰＡＣＩＴＯＲ ＭＡＴＲＩＸ」と
称する米国仮出願第６０／０９２，１７８号の利益を請求する。
【０００２】
【発明の属する技術分野】
本発明は、テレビジョン・チューナに関し、特に、超小型電気機械的切替式同
調マトリックスであって、キャパシタンスおよび／またはインダクタンス素子を
含むことができる同調マトリックスを使用するテレビジョン・チューナに関する
。
【０００３】
【従来の技術】
ラジオの草分けの時代から、同調可能な共振する電気回路の必要性は認識され
ていた。空気誘電体コンデンサおよび空芯インダクタなど大型の機械的同調素子
は結局、より小型でより効率的なコンデンサとインダクタに道を譲った。真空管
からトランジスタへ、さらに集積回路へと絶え間なく進化する中で、サイズとコ
ストはますます低下していく傾向にある。この結果、超小型電子回路および集積
電子回路は、最新の電子工学の主流になってきた。
【０００４】 例えばテレビジョン（ＴＶ）・チューナおよびその他のスーパへテロダイン受
信機の分野で、この進化は、真空管と離散的コンデンサ、インダクタ、および抵
抗器が半田付けされたマルチギャング機械的スイッチがトランジスタ化印刷配線
回路板に屈伏し、かつトランジスタ化印刷配線回路板が印刷配線基板上に実装さ
れた超小型電子および集積回路に屈伏するのを見てきた。しかし、最新の集積回
路ＴＶチューナでさえも依然として、容量性および誘導性同調素子に対し離散的
部品を使用する。
【０００５】 現在使用されている電子的に制御可能な可変同調素子は、そこに印加されるＤ
Ｃ逆方向バイアス電圧の大きさに反比例して変化するキャパシタンスを示す半導
体バラクタ・ダイオードである。バラクタ・ダイオードは、インダクタまたは誘
導性リアクタンスを有する伝送線路に結合されて共振器を形成し、これは最新の
ＴＶチューナなどの同調可能な受信機のプリセレクタ・フィルタ、ポストセレク
タ・フィルタ、および発振器に使用される。
【０００６】 例えば、図１はこの種の従来の同調可能な回路を示し、ここで共振周波数は、
バラクタ・ダイオードＤ２によって示されるキャパシタンスの値ならびにインダ
クタＬ０１およびＬ０２のインダクタンスによって決定される。ＰＩＮダイオー
ドＤ１は、電圧ＶＤ１の制御下で帯域切替えを行う。＋２０ボルトの切替え電圧
ＶＤ１で、ダイオードＤ１は開路（非導通）し、直列のインダクタＬ０１および
Ｌ０２が同調可能な回路のインダクタンスを形成し、−２０ボルトの切替え電圧
ＶＤ１で、Ｄ１は導通してインダクタＬ０１を実質的に短絡し、それによってＬ
０２は同調可能な回路のインダクタンスとして残される。バラクタ・ダイオード
Ｄ２は、約＋１ボルトと＋２０ボルトの間で変化する同調電圧ＶＤ２に応答して
、可変キャパシタンスを示す。コンデンサＣＤ１およびＣＤ２は、それぞれ制御
電圧ＶＤ１および同調電圧ＶＤ２のＤＣアイソレーションを提供するために必要
であり、同調可能な回路の共振周波数に望ましくない影響を及ぼさないように充
分に大きいキャパシタンスを持つ。したがって、離散電子部品およびＤＣアイソ
レーションのための追加部品の必要性により、これらの製品のサイズ、作製の困
難さ、およびコストが上昇する傾向があり、それは全て望ましくない。
【０００７】 残念ながら、バラクタ・ダイオードは、達成可能なその有用性および性能を制
限する、望ましくない電気的特性をも有する。第一に、バラクタ・ダイオードの
キャパシタンスは、その逆バイアス電圧の非線形関数であり、それによりバラク
タ・ダイオードに印加されまたはそれを通過する信号のひずみの発生源となる。
第二に、バラクタ・ダイオードは比較的損失が大きく、したがって比較的低いＱ
を示す。一般的ＴＶチューナの同調回路に対する低いＱの影響は、より大きい信
号損失を生じ、フィルタの鮮鋭度、選択度、および狭帯域能力を制限し、総合的
雑音指数が増加し、それによってチューナの信号対雑音比が増加することである
。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、より低いひずみ、より高いＱ、および改善されたフィルタ特性を
持つ同調可能な回路であって、より低いひずみ、改善された画像阻止および隣接
チャンネル阻止、ならびにより低い雑音指数を有するチューナを可能にする同調
可能な回路が必要である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このために、本発明のチューナは、同調制御信号に応答する共振周波数を含む
通過域を有する基板上の同調可能な帯域パスフィルタ、周波数制御信号に応答す
る制御可能な周波数信号を生成する基板上の同調可能な発振器、および通過域の
信号を受け取るのに同調可能な帯域パスフィルタに結合され、かつ制御可能な周
波数信号を受け取るのに同調可能な発振器に結合された基板上のミキサを含む。
同調可能な帯域パスフィルタは、基板上の導電層および誘電層から形成された複
数のコンデンサ、および基板上の材料層から形成される複数のスイッチを備えた
共振回路を含み、ここでスイッチは同調制御信号に応答してスイッチ・アームの
運動によって選択的に開閉し、複数のスイッチの１つが複数のコンデンサのそれ
ぞれ１つをそれぞれ基板上の導電性結線に選択的に結合する。同調制御器は、同
調制御信号および周波数制御信号を生成する。
【００１０】 本発明はまた： 基板の一部分に導電層を堆積して複数のコンデンサ・プレートを形成し、かつ
複数のスイッチ接点および複数のスイッチ接点のそれぞれ１つに対応付けられる
複数の制御導体を形成するステップと； 複数のコンデンサ・プレートの各々の上に誘電層を、各誘電層上に別の導電層
を堆積して、基板上に複数のコンデンサを形成するステップと； 複数のスイッチ接点およびそれに関連付けられる複数の制御導体の少なくとも
一部分の上に、複数の貫通穴を有しその穴の１つが各制御導体に近接している除
去可能な層を形成するステップと； 除去可能な層の上に複数の導電領域を形成する第２の導電層を堆積し、各導電
領域がそれぞれ１つの制御導体、それぞれ１つのスイッチ接点の上にあり、それ
ぞれ１つの穴を介して基板に取り付けられて複数のスイッチ接点の１つに対応付
けられるそれぞれのスイッチ・アームを形成するステップと； 除去可能な層を除去して、基板から間隔をおいて配置され一端をそれに取り付
けられかつ他端でそれに対応付けられるそれぞれのスイッチ接点から間隔をおい
て配置された複数のスイッチ・アームを残すステップと； コンデンサの１つ、スイッチ・アームの１つ、およびスイッチ接点の１つの間
に複数の導電性結線を堆積してコンデンサの１つと基板上の回路の電気機械的ス
イッチとを接続するステップと、 によって、基板上の回路に接続された複数のコンデンサおよび電気機械的スイッ
チのマトリックスを作製する方法を含む。
【００１１】 本発明の好適な実施形態の詳細な説明は、図面に関連付けて読むと、より簡単
かつよりよく理解されるであろう。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図２には、本発明を含む同調可能な回路を使用した同調可能なシステムの例示
的実施形態が示されている。具体的には、２帯域テレビジョン・チューナ１０は
、同調制御器４２によって生成されるスイッチ制御電圧ＶＳの制御下で、受信し
た着信無線周波数（ＲＦ）信号をＵＨＦ帯域チューナまたはＶＨＦ帯域チューナ
のいずれかに経路指定する単極双投（ＳＰＤＴ）スイッチ１２を含む。ＵＨＦ帯
域チューナは、選択されるＵＨFチャンネルのＲＦ搬送波信号周波数ｆRFに同調
される中心周波数およびそのようなチャンネルの帯域幅に匹敵する帯域幅、例え
ば従来のＴＶチャンネルの場合には約６ＭＨｚを有する、同調可能な帯域パスフ
ィルタ回路を含むプリセレクタ・同調回路２０を含む。ＲＦ増幅器２２は、事前
選択されたＵＨＦチャンネル信号を増幅し、それを、前置同調回路２０と同様に
選択されるＵＨＦチャンネルの搬送波信号周波数ｆRFに同調される中心周波数お
よびそのようなチャンネルの帯域幅に匹敵する帯域幅を有する、同調可能な帯域
パスフィルタ回路を含むポストセレクタ・同調回路２４に加える。同調回路２０
および２４は、同調制御器４２によって生成される制御信号ＶＣに応答して操作
可能な複数の超小型電気機械的（ＭＥＤ）スイッチを含むスイッチト・キャパシ
タンス／インダクタンス・アレイによって同調可能である。ＵＨＦミキサ２８は
その入力の１つで、同調回路２４から増幅帯域幅制限ＲＦ信号を、もう１つの入
力で、電圧制御局部発振器２６によって生成される周波数信号ｆLOを受け取る。
局部発振器２６の周波数ｆLOは、ミキサ２８の出力で、チューナの予め定められ
た固定中間周波数（ＩＦ）、例えば約４５ＭＨｚのビート周波数を生成するよう
に選択される。周知の通り、ｆRF−ｆLO＝ｆIFである。ＩＦ同調回路４０は、チ
ューナの予め定められた固定ＩＦ周波数の中心周波数およびそのチャンネルの帯
域幅に匹敵する帯域幅、例えば従来のテレビジョン・チャンネルの場合約６ＭＨ
ｚを有する帯域パスフィルタ回路である。
【００１３】 同様に、ＶＨＦ帯域チューナは、選択されるＶＨＦチャンネルのＲＦ搬送波信
号周波数ｆRFに同調される中心周波数およびそのようなチャンネルの帯域幅に匹
敵する帯域幅、例えば約６ＭＨｚを有する、同調可能な帯域パスフィルタ回路を
含むプリセレクタ・同調回路３０を含む。ＲＦ増幅器３２は事前選択されたＶＨ
Ｆチャンネル信号を増幅し、それを、前置同調回路３０と同様に、選択されるＶ
ＨＦチャンネルの搬送波信号周波数ｆRFに同調される中心周波数およびそのよう
なチャンネルの帯域幅に匹敵する帯域幅を有する、同調可能な帯域パスフィルタ
回路を含むポストセレクタ・同調回路３４に加える。同調回路３０および３４は
、例えば同調制御器４２によって生成される制御信号ＶＣに応答して操作可能な
複数の超小型電気機械的（ＭＥＭ）スイッチを含む、スイッチト・キャパシタン
ス・アレイによって同調可能である。ＶＨＦミキサ３８は、その入力の１つで、
同調回路３４からの増幅帯域幅制限ＲＦ信号を、もう１つの入力で、電圧制御局
部発振器３６によって生成される周波数信号ｆLOを受け取る。局部発振器３６の
周波数ｆLOは、ＩＦ同調回路４０に加えられる、チューナの予め定められた固定
中間周波数（ＩＦ）、例えば約４５ＭＨｚのビート周波数fIFをミキサ３８の出
力で生成するように選択される。
【００１４】 各々の同調回路２０、２４、３０および３４は、本発明に従って基板上に形成
されるスイッチト・キャパシタンス・アレイまたはスイッチト・キャパシタンス
およびインダクタンス・アレイならびに超小型電気機械的スイッチを含む。ＵＨ
Ｆ同調回路２０および２４は同時に作動し、同一ＵＨＦ周波数に同調するので、
両方に同一同調制御信号ＶＣを加えることができ、それにより同調制御信号発生
器４２が簡素化される。同様に、ＶＨＦ同調回路３０および３４は同時に作動し
、同一ＶＨＦ周波数に同調するので、両方に同一同調制御信号ＶＣを加えること
ができ、それにより同調制御信号発生器４２が簡素化される。ＵＨＦ同調回路２
０、２４はＶＨＦ同調回路３０、３４と同時には作動しないので、すなわちＵＨ
Ｆ帯域またはＶＨＦ帯域の両方ではなく、いずれかがスイッチ１２によって選択
されるので、両組の同調回路２０、２４、３０、３４に同一同調制御信号ＶＣを
使用することができ、それにより同調制御信号発生器４２はさらに簡素化される
。それに加えて、局部発振器２６および３６もまた、その出力信号の周波数ｆLO を選択するために、本発明の一態様による超小型電気機械的切替え式同調アレイ
、例えばキャパシタンス・アレイを含むことができる。局部発振器２６および３
６用の同調制御信号ＶＯもまた同調制御信号発生器４２によって生成され、同調
回路２０、２４、３０、３４を制御するために使用するものと同じ同調制御信号
ＶＣとすることができる。同調制御信号発生器４２は、使用者つまりＴＶリモー
ト・コントロールまたはＴＶ受像機上のボタンを押す人によるチャンネルの選択
に応答して、上述の制御信号を生成する。
【００１５】 図３は、例えば、上で図２に関連して述べたＴＶ同調システムの同調回路２０
、２４、３０および３４で使用することができる、本発明を含む同調回路の簡略
図である。同調回路３０で、インダクタＬ１およびＬ２を含む切替え可能なイン
ダクタンス・マトリックス４８は同調可能な共振同調回路のインダクタンスを提
供し、切替え可能なキャパシタンス・マトリックス５０はキャパシタンスを提供
する。ＭＥＭスイッチＳＷＯは、制御信号ＶＬＯによって制御され、ＴＶのＶＨ
Ｆ帯域の低周波（ＶＨＦチャンネル２−６の５７−８５ＭＨｚ）を選択するため
にインダクタＬ１を選択的に短絡しないか、またはＴＶのＶＨＦ帯域の高周波（
ＶＨＦチャンネル７−１３の１７７−２１３ＭＨｚ）部分を選択するためにイン
ダクタＬ１を選択的に短絡するために、制御信号ＶＬＯによって制御される。さ
らに、インダクタＬ１の一部分は、低い方のＶＨＦ帯域をさらに２つのサブバン
ドに分割するために、制御信号ＶＬ１に応答してＭＥＭスイッチＳＷ１を閉じる
ことによって短絡することができ、インダクタＬ２の一部分は、高い方のＶＨＦ
帯域をさらに２つのサブバンドに分割するために、制御信号ＶＬ２に応答してＭ
ＥＭスイッチＳＷ２を閉じることによって短絡することができ、それによりＶＨ
Ｆ搬送周波数の全範囲にわたって同調可能な回路３０を同調させるために必要な
キャパシタンス値の範囲が減少する。
【００１６】 同調回路３０の切替え可能なキャパシタンス・マトリックス５０は、ＭＥＭス
イッチＳ１、Ｓ２、．．．ＳＮと共に基板上に形成されるコンデンサＣ１、Ｃ２
、．．．ＣＮの配列を含む。Ｃ１、Ｃ２、．．．ＣＮは、ＭＥＭスイッチＳ１、
Ｓ２、．．．ＳＮをそれぞれ閉じることによって、切替え可能なインダクタンス
・マトリックス４８のインダクタＬ１、Ｌ２のインダクタンスと並列に接続する
ことができる。ＭＥＭスイッチＳ１、Ｓ２、．．．ＳＮはそれぞれスイッチ制御
電圧ＶＣ１、ＶＣ２、．．．ＶＣＮによって制御されて、コンデンサＣ１、Ｃ２
、．．．ＣＮのうちの、同調可能な帯域パスフィルタ３０の所望の中心周波数ｆ RF でインダクタＬ１、Ｌ２のインダクタンスと共振するために必要なものを、選
択的に閉じることによって選択する。ＭＥＭスイッチに印加される制御電圧をＭ
ＥＭスイッチ接点を通して結合される信号から分離するために、上述の制御電圧
は各々、波線ＲＬ０、ＲＬ１、ＲＬ２、ＲＳ１、．．．ＲＳＮによって示される
、抵抗器および／またはＲＦインダクタを含むことができるそれぞれのインピー
ダンスを通して印加される。
【００１７】 ＶＨＦチャンネル２ないし１３を選択するためのＭＥＭスイッチＳＷ０−ＳＷ
２およびＳ１、Ｓ２、．．．ＳＮの例示的スイッチ制御電圧状態を、下の表１に
記載する。ここで「接地」は電位が印加されず、ＭＥＭスイッチが開いているこ
とを示し、「＋Ｖ」はＭＥＭスイッチを閉じるのに充分な正の制御電圧が印加さ
れることを示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】 図４は、上の図２で示したチューナのスイッチ１２および同調回路３０部分の
例示的配置を含む基板１００の平面図である。導体１１０における受信ＲＦ信号
は、ＳＰＤＴ ＭＥＭスイッチ１２に結合される。その双極スイッチ・アーム１
１４は、ヒンジ・アーム１１４を基板１００から上に持ち上げるアンカー・ポス
ト１１２Ａ、１１２Ｂから伸長するねじりたわみ性ヒンジ１１３Ａ、１１３Ｂに
よって支持される。ＵＨＦ選択制御線１１６に正の制御電圧＋Ｖが印加されると
、スイッチ・アーム１１４は静電気でそれに引きつけられ、それが導体１２０と
接触するまでヒンジ１１３Ａ、１１３Ｂを中心に回転して、受信ＲＦ信号をＵＨ
Ｆ帯域チューナ（図４には図示せず）に結合するために導体１１０から導体１２
０への電気的接続を完了する。同様の方法で、正の制御電圧＋ＶがＶＨＦ選択制
御線１１８に印加されると、スイッチ・アーム１１４は静電気でそれに引きつけ
られ、それが導体１３２に接触するまでヒンジ１１３Ａ、１１３Ｂを中心に回転
して、受信ＲＦ信号をＶＨＦ帯域チューナの同調可能なプリセレクタ・フィルタ
１３０に結合するために導体１１０から導体１３２への電気的接続を完了する。
フィルタ１３０は、コンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５と並列のインダク
タンスＬ１、Ｌ２、Ｌ３を含み、同調可能な並列共振回路を形成する。
【００２０】 切替え可能なインダクタンス・マトリックス１４８は、コンダクタ１３２と接
地１３８、１４０との間に直列に接続される、基板１００上に形成された集積イ
ンダクタまたは基板１００上に形成されない離散インダクタのいずれかとするこ
とができるので、記号によって示されているインダクタＬ１、Ｌ２、Ｌ３を含む
。切替え可能なインダクタンス・マトリックス１４８の各インダクタＬ１、Ｌ２
、Ｌ３は、それらと並列にそれぞれ接続されたＭＥＭスイッチ１４６、１４４、
１４２を有する。インダクタＬ１は、制御線１４７を介して印加されるスイッチ
制御電圧ＶＬ１の制御下で、ＭＥＭスイッチ１４６によって選択的に一つに接続
される導体１３６と１３８との間に接続される。制御電圧ＶＬ１が印加されると
、スイッチ・アームＡＬ１は静電気により制御線１４７に引きつけられ、スイッ
チ・アームＡＬ１をアンカー・ポストＡＮ１上に支持する可撓性ヒンジＨＬ１を
、スイッチ・アームＡＬ１が導体１３６に接触してそれによりインダクタＬ１が
短絡するまで撓ませる。インダクタＬ２は、制御線１４５を介して印加されるス
イッチ制御電圧ＶＬ２の制御下で、ＭＥＭスイッチ１４４によって選択的に一つ
に接続される導体１３６と１３４との間に接続される。制御電圧ＶＬ２が印加さ
れると、スイッチ・アームＡＬ２は静電気により制御線１４５に引きつけられ、
スイッチ・アームＡＬ２をアンカー・ポストＡＮ２上に支持する可撓性ヒンジＨ
Ｌ２を、スイッチ・アームＡＬ２が導体１３４に接触してそれによりインダクタ
Ｌ２が短絡するまで撓ませる。同様に、インダクタＬ３は、制御線１４３を介し
て印加されるスイッチ制御電圧ＶＬ３の制御下で、ＭＥＭスイッチ１４２によっ
て選択的に一つに接続される導体１３４と１３２との間に接続される。制御電圧
ＶＬ３が印加されると、スイッチ・アームＡＬ３は静電気により制御線１４３に
引きつけられ、スイッチ・アームＡＬ３をアンカー・ポストＡＮ３上に支持する
可撓性ヒンジＨＬ３を、スイッチ・アームＡＬ３が導体１３２に接触してそれに
よりインダクタＬ３が短絡するまで撓ませる。
【００２１】 切替え可能なキャパシタンス・マトリックス１５０は、基板１００上に形成さ
れたコンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５の配列を含む。各々のコンデンサ
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５は、それぞれの超小型電気機械的（ＭＥＭ）スイ
ッチＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５によって、導体１３２のそれぞれの接点領域
１５１、１５２、１５３、１５４、１５５とそれぞれの接地導体１６１、１６２
、１６３、１６４、１６５との間に選択的に接続される。ＭＥＭスイッチＳ１は
、可撓性ヒンジＨ１によってアンカー・ポストＡＮ１から張り出したスイッチ・
アームＡ１を含む。制御電圧ＶＣ１が制御線１７１に印加されたときにスイッチ
・アームＡ１を制御線１７１に引きつける静電気力の影響下で、ヒンジＨ１は撓
んでスイッチ・アームＡ１を接点領域１５１に接触させ、それによりコンデンサ
Ｃ１の上部プレートから接点領域１５１への導電性接続を完了する。同様の方法
で、ＭＥＭスイッチＳ２−Ｓ５は、それぞれ可撓性ヒンジＨ２−Ｈ５によってア
ンカー・ポストＡＮ２−ＡＮ５からそれぞれ張り出したそれぞれのスイッチ・ア
ームＡ２−Ａ５を含む。制御電圧ＶＣ２−ＶＣ５がそれぞれ制御線１７２−１７
５に印加されたときにスイッチ・アームＡ２−Ａ５を制御線１７２−１７５に引
きつける静電気力の影響下で、ヒンジＨ２−Ｈ５は撓んでスイッチ・アームＡ２
−Ａ５をそれぞれの接点領域１５２−１５５にそれぞれ接触させ、それによりコ
ンデンサＣ２−Ｃ５のそれぞれの上部プレートから接点領域１５２−１５５への
導電性接続を完了する。
【００２２】 図４で、コンデンサＣ１−Ｃ５は、約１：２：４：８：１２の面積比で比例し
た大きさになっている。コンデンサのキャパシタンスはそのプレートの面積に正
比例するので、コンデンサＣ１−Ｃ５のキャパシタンスは実質的に同じ１：２：
４：８：１２の割合である。したがって、総キャパシタンス値ＣTは、コンデン
サＣ１のキャパシタンスＣC1から、ＭＥＭスイッチＳ１−Ｓ５の開位置と閉位置
の様々な組み合わせによって得ることができるそのキャパシタンスの２７倍（つ
まりＣT＝（１＋２＋４＋８＋１２）ＣC1＝２７ＣC1）までの範囲である。キャ
パシタンスの変化の増分の値は、キャパシタＣ１のキャパシタンスＣC1である。
それぞれのＭＥＭスイッチ制御線に印加される制御電圧ＶＣ１、ＶＣ２、．．．
ＶＣＮを生成するために、同調制御器４２に使用されるようなデジタル・プロセ
ッサによって生成されるデジタル制御語の簡便なインタフェーシングを促進し簡
素化するために、数字２に基づくキャパシタンス比を使用することが有利である
。各々の上記制御電圧ＶＣ１、ＶＣ２、．．．ＶＣＮの値は零または正電圧のい
ずれかであるので、各々をバイナリ・ビットとみなすことができ、制御電圧ＶＣ
１、ＶＣ２、．．．ＶＣＮの組をバイナリ・デジタル語とみなすことができる。
したがって、同調制御信号発生器４２は、同調回路２０、２４、３０、３４およ
び局部発振器２６、３６に印加される様々な個々の制御電圧ＶＣ１、ＶＣ２、．
．．ＶＣＮを含むデジタル語制御信号を生成する。
【００２３】 具体的には、上記配置の構造は、図５に示すコンデンサＣ１およびＭＥＭスイ
ッチＳ１の拡大平面図を、図６に示すそれらの対応する側面断面図と併せて考察
することにより、最もよく理解することができる。基板１００上に堆積した接地
導体２００は、コンデンサＣ１の下部プレートを形成する。コンデンサＣ１は、
導電性下部プレート２００上に堆積された窒化シリコンまたは二酸化シリコン層
などの誘電層２０２、および誘電層２０２の上に堆積された導電性上部プレート
２０４から形成される。スイッチＳ１は、基板１００上に堆積されたアンカー・
ベース２２２の頂部から張り出した矩形の薄い金属の可撓性ヒンジ部材２２０か
ら形成され、ヒンジ部材２００はスイッチ接点１５１の上にかぶさるように伸長
する。スイッチ・アーム部材２２４は、スイッチ接点１５１の上に重なるヒンジ
部材２２０の端部上に堆積される。スイッチ接点１５１は基板１００上に堆積さ
れ、ＲＦ伝送線路導体１３２は基板１００上に、スイッチ接点１５１の上にかぶ
さりそれと接触するように堆積される。導電性制御線１７１の端部２２８はスイ
ッチ・アーム２２４の下に配置され、それと一緒にコンデンサを形成する。制御
電圧ＶＣ１が制御線１７１に印加されると、電圧が静電引力を発生させ、それが
ヒンジ２２０を撓ませて、スイッチ・アーム２２４がスイッチ接点１５１に接触
するまでスイッチ・アーム２２０が基板１００の方向に動くことを可能にし、そ
れによりスイッチＳ１が閉じる。特定の適用例では、静電気制御線１７１の端部
２２８を拡大し、その上に誘電体を上に載せること、およびスイッチ・アーム２
２４も拡大してそれらが形成するコンデンサのそれぞれのプレートのサイズおよ
びキャパシタンスの両方を増加させ、それによって制御電圧ＶＣ１によって生成
されるＭＥＭスイッチＳ１を作動させるための静電引力を増加することが好まし
い。
【００２４】 追加導電性材料を堆積して、コンデンサＣ１の上部プレート２０４上に接点２
０６を形成し、アンカー・ベース２２２の上に位置するヒンジ部材２２０上に接
点２２６を形成し、それらの間にブリッジ導体２３６を形成する。同じ堆積によ
りコンデンサＣ１の下部プレート２００の遠隔端に接点１６１を形成し、基板１
００のバイア・ホール１０２を充填してバイア１０４を形成し、それによって接
地電位との接続を行うことができる。
【００２５】 図７Ａ−７Ｊは、図４−６に関連して上述した種類のＭＥＭスイッチおよび関
連付けられるコンデンサの製造工程順序を示す断面図である。図７Ａは基板３０
０、例えば下面をチタン層３０２および次いで金層３０４でメタライズしたセラ
ミック基板を示す。これらの金属層は基板３００の接地導体または接地面として
機能する。基板３００の頂面は、１層のクロム３０６および次いで１層の銅３０
８および次いでさらに１層のクロム３１０でメタライズされ、基板３００の頂面
のこれらの層の上に、ＭＥＭスイッチ用の制御線およびコンデンサの下部プレー
トを含む導電体が形成される。図７Ｂでは、上部クロム層３１０の上に厚さ３０
０ナノメートル（ｎｍ）の窒化シリコン絶縁層３２０が堆積され、この層からコ
ンデンサの誘電層など様々な絶縁部材が形成される。例えば、図７Ｃは、コンデ
ンサ（左側）の誘電層３２０およびＭＥＭスイッチ制御導体（右側）の誘電層を
残すために、窒化シリコンがエッチングされた後に残る窒化シリコン絶縁層３２
０の上にパターン化されたフォトレジスト層３２２を示す。
【００２６】 図７Ｄで、残ったフォトレジスト３２２は剥離され、上部クロム層３１０はエ
ッチングされて銅層３０８が露出する。次に、図７Ｅに示すように導電体のパタ
ーンを画定するためにパターン化フォトレジスト３２６が塗布され、金層３３０
が導電体のパターンを被覆するために銅層３０８の露出部分にメッキされ、かつ
コンデンサの第２のまたは上部のプレートを形成するために誘電層３２０の露出
部分にメッキされる。次いで、フォトレジスト３２６が剥離され、銅層３０８お
よびクロム層３０６の露出部分が、図７Ｆに示すようにエッチングされる。工程
のこのステップで、例えば図６のスイッチ接点１５１およびスイッチ制御線２２
８の構造が、コンデンサＣ１のプレート２００、２０４、２０６および誘電層２
０２を持つものとして形成される。
【００２７】 図７Ｇには、パターン化フォトレジスト３３４と、チタン・ベースおよびその
上に形成された金のメタライズ・メッキ用シード層３３６とが示されており、メ
ッキ用シード層３３６は、ＭＥＭスイッチのアンカー・ベース２２２およびコン
デンサＣ１の上部プレート２０６などのように、フォトレジスト３３４のパター
ンに穴が存在する部分で金メッキされた導体３３０と電気的に接触する。次いで
、図７Ｈに示すように、メッキ用シード層３３６の上にさらなるフォトレジスト
のパターン化層３３８が塗布され、スイッチ・アームＡ１の一部分、アンカー・
ベース２２２、およびコンデンサＣ１など、メッキ用シード層３３６の露出部分
に金のパターン化層３４０がメッキされる。図７Ｉでは、フォトレジストのパタ
ーン化層３３８の一部分が除去され（または全てのフォトレジストを除去して、
新しいフォトレジストのパターン化層３３８を塗布することができる）、メッキ
用シード層３３６の金メッキされておらず除去すべき部分を露出させ、次いで層
３３６のこれらの部分をエッチングする。最後に、基板からのダイ・ウェーハを
酸素中でプラズマ洗浄することなどによって全てのフォトレジストを除去して、
図７Ｊに示すように、ＭＥＭスイッチＳ１およびコンデンサＣ１の上部プレート
２０６とＭＥＭスイッチＳ１のアンカー２２２、２２６におけるヒンジＨ１との
間の結線２３６の完成した構造を残す。
【００２８】 こうして、ＭＥＭスイッチＳ１は、アンカー・ベース２２２から張り出しかつ
ヒンジ部材２２０の端部に拡大接点２２４を含む薄いメッキ用シード層３３６を
含む。制御線２２８はスイッチＳ１の可動端の下に位置するので、そこに印加さ
れる電圧は静電力を生成し、誘電層３２０の存在によって増強され、スイッチ接
点２２４をそれがスイッチ接点１５１に接触するまで下方に引っ張り、それによ
ってスイッチＳ１回路を閉じる。誘電層２０２を含むコンデンサＣ１は、接地に
接続された下部プレート２００およびブリッジ結線２３６によってスイッチＳ１
の接点に接続されるその上部プレート２０４、２０６を有する。
【００２９】 例えば５０オームの入出力伝送線路で２−４０ＧHｚの周波数帯域の信号を切
り替えるために作動するように意図されたＭＥＭスイッチの場合、ＦＲ信号線は
幅約４ｍｉｌである。ＭＥＭスイッチのアームは幅約２ｍｉｌ、長さ約４−６ｍ
ｉｌであり、基板から約２．５μｍ離して配置される。このＭＥＭスイッチは、
約１２μｓｅｃで約２０−２８ボルトの制御電圧で作動し、約１８μｓｅｃで解
放され、開くときは約０．０１５ｐｆ（計算）の直列キャパシタンスを、閉じる
ときは約１−５オーム（測定）の範囲の接点抵抗を示す。
【００３０】 図８Ａおよび８Ｂは、ＭＥＭスイッチ、コンデンサ、およびそれらのマトリッ
クスと一緒に基板または集積回路上に簡便に形成される種類の例示的スパイラル
・インダクタ４００を示す。スパイラル・インダクタ４００は基板４１２上に形
成されたスパイラル導体４１０を含み、スパイラル導体４１０は、その両端に接
続され基板４１２に形成された２つのリード導線４１８、４２０を有する。した
がって、リード導線４１８はその中心をスパイラル導体４１０の端部に接続する
ことができ、スパイラル導体４１０はその中にギャップを有し、その中をリード
導線４１８が通る。導電性エア・ブリッジ４１４、４１６はリード導線４１８の
上を通るように基板３００から間隔をおいて配置され、そのようなギャップ間の
スパイラル導体４１０の導通状態を達成する。
【００３１】 スパイラル・インダクタ４００は基板３００上に、その上（基板３００は、コ
ンデンサＣ１、Ｃ２、．．．およびＭＥＭスイッチＳ１、Ｓ２、．．．が形成さ
れるのと同じ基板１００であることが好ましい）のＭＥＭスイッチおよびコンデ
ンサの形成と同時に、図７Ａないし７Ｊに関連して上述したのと同じ処理工程を
利用して製造される。以下の説明では、図７Ａないし７Ｊに従って基板３００の
処理を説明する際に使用したものと一致する層の指定符号を使用し、図８に従っ
てスパイラル・インダクタ４００を説明する際に使用したものと一致する指定符
号を使用する。それぞれクロム、銅、およびクロムのベース層３０６、３０８、
３１０が堆積され、その上に窒化シリコンの層３２０が堆積される。層３１０、
３２０は、図７Ａないし７Ｄで示したようにパターン化され、かつエッチングさ
れ、中央リード導線４１８が画定される。次いでパターン化フォトレジスト層３
２６が塗布され、パターン化金メッキ層３３０が基板３００上に配置され、その
後で図７Ｅないし７Ｆに示すようにフォトレジスト３２６の剥離およびベース層
３０６、３０８、３１０のエッチングが行われ、内部にギャップおよびリード導
線４１８、４２０を有するスパイラル導体４１０が形成される。次に、特にスパ
イラル導体４１０のギャップを充填し、中央リード導線４１８上を被覆するため
に、除去可能なパターン化フォトレジスト３３４が塗布され、その上にメッキ用
シード層３３６が堆積され、その後、図７Ｇないし７Ｉに示すように、さらなる
パターン化フォトレジスト３３８の塗布およびその上のメッキ金導体３４０の堆
積が続き、導電性エア・ブリッジ４１４、４１６の導体が形成される。最後に、
基板３００から間隔をおいて配置されたエア・ブリッジ４１４、４１６を残して
、フォトレジスト層３３４、３３８およびシード層３３６の一部分が除去され、
それにより、ＭＥＭスイッチＳ１、Ｓ２、．．．およびコンデンサＣ１、Ｃ２、
．．．ならびにその他の同様のＭＥＭスイッチおよびコンデンサと同一基板上に
、スパイラル導体４１０のギャップの両端および中央リード導線４１８の上に導
電性結線が提供される。
【００３２】 図９は、上記の図２の局部発振器２６、３６として使用するのに適した種類の
例示的可変周波数発振器４２６である。可変周波数発振器４２６は、希望する発
振周波数の範囲より１以上大きい利得を有する増幅器４４０を含む。周波数決定
共振回路４３０は切替え可能なキャパシタンス・マトリックス４５０を含み、こ
れは例えば、上述のコンデンサ・マトリックス５０と同様の形および動作であり
、回路内でインダクタンスＬ４と結合されてそれと共に共振回路４３０を形成す
る。共振回路４３０は、増幅器４４０が共振回路４３０の共振周波数で発振する
ように、増幅器４４０の出力および入力端子に結合される。共振周波数は、イン
ダクタＬ４のインダクタンスおよび切替え可能なキャパシタンス・マトリックス
４５０のキャパシタンスによって決定される。こうして、様々な制御信号Ｖ０を
切替え可能なキャパシタンス・マトリックス４５０の様々なＭＥＭスイッチに変
えることによって、これらのＭＥＭスイッチは選択的に開閉され、それにより切
替え可能なキャパシタンス・マトリックス４５０のキャパシタンスおよびしたが
って増幅器４４０が発振して制御可能な周波数信号ｆLOを生成する周波数ｆLOが
変化する。
【００３３】 図１０は、同じく上記の図２の局部発振器２６、３６として使用するのに適し
た種類の別の例示的可変周波数発振器４２６´である。可変周波数発振器４２６
´は、増幅器４４０が結合された水晶４４２によって決定される希望の発振周波
数で発振するように、１より大きい利得を有する増幅器４４０を含む。周波数決
定回路４３０´は例えば、発振増幅器４４０によって生成される周波数信号を受
け取る従来型の切替え可能なプログラマブルＮカウンタ４３２を含み、周波数信
号は数値Ｎによって分割されて制御可能な周波数信号ｆLOを生成する。プログラ
マブル・カウンタ４３２は、同調制御器４２によって生成される制御信号ＶＣに
よるアドレス指定に応答して、メモリ４３４から生成されるデジタル語によって
制御される。つまり、発振器周波数制御信号ＶＯおよびフィルタ同調制御信号Ｖ
Ｃは同一である。したがって、チューナ１０の同調回路２０、２４、３０、３４
に含まれる切替え可能なリアクタンス・マトリックスの様々なＭＥＭスイッチを
制御するために使用される様々な制御信号ＶＣを生成する同調制御器４２によっ
て、同調制御器４２は、プログラマブル・カウンタ４３２の除数Ｎをも選択させ
、それにより制御可能な周波数信号ｆLOも変化する。
【００３４】 本発明を上述の例示的実施形態に関して説明したが、冒頭の請求の範囲によっ
て定義する本発明の請求と精神の範囲内での変形が当業者には明白であろう。例
えば、図４のコンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５の配列は並列に接続され
た５つのコンデンサとして示されているが、特定の適用例に望まれるキャパシタ
ンス値を提供するのに適切な直列および並列接続の任意の数のコンデンサの任意
の組合せで充分である。ＭＥＭスイッチ・コンデンサ・アレイの形成における様
々な材料および層の堆積は、チタン、クロム、金またはその他の適切な物質のシ
ード層を用いて、または用いずに、スパッタリング、真空蒸着、メッキ、電気メ
ッキ、薄膜技術、および類似物などの適切な工程によって塗布される、焼成すべ
き金属またはインクとしての銅、アルミニウム、金、銀などの適切な導電性材料
から形成することができる。同様に、キャパシタンス・マトリックス、インダク
タンス・マトリックス、およびＭＥＭスイッチは、セラミック、アルミナ、シリ
コン、シリコン・オン・サファイア、ガリウムひ素および類似物など、任意の適
切な基板上に形成することができる。
【００３５】 スパイラル・インダクタ４００は矩形または螺旋形または楕円形とすることが
でき、図８Ａに示すように実質的に方形の形状である必要はない。さらに、スパ
イラル・インダクタ４００の導電性エア・ブリッジ４１４、４１６は、上述の通
りメッキ用シード層３３６および金メッキ層３４０を含むことができ、この場合
、それらはスイッチ・アーム２２４と同様である。あるいはメッキ用シード層３
３６を含み、金メッキ層３４０を省くことができ、この場合、それらは可撓性ヒ
ンジ部材２２０と同様である。
【００３６】 さらに、直線、蛇行、またはその他の形状の抵抗器を形成するためにパターン
化およびエッチングを行うことができるクロム層３０６から、基板３００上にＭ
ＥＭスイッチ、コンデンサ、および／またはインダクタンスと共に、抵抗器を形
成することができる。このために、図７Ｆに関連して、露出した銅層３０８はエ
ッチングされてクロム層３０６を露出させる。追加のフォトマスク・ステップを
実行して、イオン・ビーム・ミリングまたはケミカル・エッチングなどによって
、クロム層３０６に希望する抵抗器のパターンを画定する。これらの抵抗器は、
例えば、金メッキ導体セグメント間の利用可能な空き空間に形成することができ
る。代替的に、ベースのクロム層３０６をチタンまたはニクロム層に置き換え、
そこに抵抗器を形成することができる。さらに、抵抗器は、ベース層３０６を堆
積する前にセーメット抵抗材料を堆積することによって抵抗器を画定することも
でき、このサーメット抵抗器は、本書で上述した工程によって形成された金メッ
キ導体によって回路に接続される。これらの代替例はいずれも、図７Ａないし７
Ｊに関連して説明した処理と一致し、必要なものはせいぜい追加のフォトマスク
・ステップだけである。
【００３７】 さらに、チューナのそれぞれの同調回路および／または発振器が同調される周
波数は、ＭＥＭスイッチを使用してその中の追加コンデンサおよび／またはイン
ダクタンスを切り替えることにより、または代替的に、例えばバラクタ・ダイオ
ードなどの小電圧可変キャパシタンスを使用する微同調回路によって、自動周波
数制御、ケーブルＴＶシステムの搬送波オフセットおよび類似物に適応するよう
に変更することができる。
【００３８】 本発明による切替え可能な同調マトリックスは、あらゆる種類のチューナ、お
よびその中に使用される発振器、信号処理装置、変調器および復調器、送信器お
よび受信器等々に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 先行技術の同調可能回路の略図である。
【図２】 本発明の実施形態を含むテレビジョン・チューナの略ブロック図である。
【図３】 本発明の一態様による実施形態を含む同調可能な回路の簡略図である。
【図４】 図３の同調可能な回路の一部分の集積回路実施形態の表面の一部分の平面図で
ある。
【図５】 図４の集積回路実施形態の一部分の詳細を示す平面図である。
【図６】 図５に示す集積回路実施形態の一部分の断面図である。
【図７Ａ】 図４−６の例示的実施形態に示した種類のスイッチの作製順序を示す一連の断
面図である。
【図７Ｂ】 図４−６の例示的実施形態に示した種類のスイッチの作製順序を示す一連の断
面図である。
【図７Ｃ】 図４−６の例示的実施形態に示した種類のスイッチの作製順序を示す一連の断
面図である。
【図７Ｄ】 図４−６の例示的実施形態に示した種類のスイッチの作製順序を示す一連の断
面図である。
【図７Ｅ】 図４−６の例示的実施形態に示した種類のスイッチの作製順序を示す一連の断
面図である。
【図７Ｆ】 図４−６の例示的実施形態に示した種類のスイッチの作製順序を示す一連の断
面図である。
【図７Ｇ】 図４−６の例示的実施形態に示した種類のスイッチの作製順序を示す一連の断
面図である。
【図７Ｈ】 図４−６の例示的実施形態に示した種類のスイッチの作製順序を示す一連の断
面図である。
【図７Ｉ】 図４−６の例示的実施形態に示した種類のスイッチの作製順序を示す一連の断
面図である。
【図７Ｊ】 図４−６の例示的実施形態に示した種類のスイッチの作製順序を示す一連の断
面図である。
【図８Ａ】 本発明の一態様によるインダクタの平面図である。
【図８Ｂ】 本発明の一態様によるインダクタの側断面図である。
【図９】 本発明の一態様による発振器回路の例示的実施形態の略ブロック図である。
【図１０】 本発明の一態様による発振器回路の代替実施形態の略図である。
【符号の説明】１２...ＵＨＦ/ＶＨＦスイッチ、２０...同調回路、２２...
ＲＦ増幅器、２４...同調回路、２６...発振器、２８...ミキサ、４０...同調回
路、４２...同調制御器、１７１...制御線、１０２...接地、１３２...ＲＦ伝送
線路、２０６...コンデンサ、２２０...ヒンジ、２２４...アーム、２２６...ア
ンカー、１００...基板、４４０...増幅器、４３４...メモリ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/44 Ｈ０４Ｎ 5/44 Ｋ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＪＰ，ＫＲ (72)発明者 カミサ， レイモンド， エル． アメリカ合衆国， ニュー ジャージー 州， イースト ウインザー， デビー レーン ５ Ｆターム(参考） 5C025 AA25 5J081 AA02 BB03 CC22 EE02 EE03 KK02 KK07 KK23 MM01 MM07 5K058 AA13 AA21 BA05 CA04 CA05 DA13 EA07 5K062 AA07 AA08 AB02 AB06 AC02 AD04 AE01 BA01 BC03 BE08

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 チューナ（１０）であって、前記チューナは： 電子回路用基板（１００）と； 同調制御信号（ＶＣ）に応答する共振周波数を含む通過帯域を有する、前
    記基板（１００）上の同調可能な帯域パスフィルタ（２０、２４、３０、３４）
    と； 周波数制御信号（ＶＯ）に応答して制御可能な周波数信号を生成する、前
    記基板（１００）上の同調可能な発振器（２６、３６）と； 前記通過帯域の信号を受け取るのに前記同調可能な帯域パスフィルタ（２
    ０、２４、３０、３４）に結合され、前記制御可能な周波数信号を受け取るのに
    前記同調可能な発振器（２６、３６）に結合された、前記基板（１００）上のミ
    キサ（２８、３８）と； 前記同調制御信号（ＶＣ）および前記周波数制御信号（ＶＯ）を生成する
    同調制御器（４２）と； を備え； 前記同調可能な帯域パスフィルタ（２０、２４、３０、３４）が共振回路
    を含み、前記共振回路は： 前記基板（１００）上の導電性結線（１３２）と； 前記基板（１００）上の導電層（２００、２０４）および誘電層（２
    ０２）から形成される複数のコンデンサ（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５）と； 前記同調制御信号（ＶＣ）に応答してそのスイッチ・アーム（Ａ１、
    Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、２２４）の運動によって選択的に開閉される、前記基
    板（１００）上の材料の層（３３０、３３６）から形成される複数のスイッチ（
    Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５）であって、前記複数のスイッチ（Ｓ１、Ｓ２、
    Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５）の１つが前記複数のコンデンサ（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、
    Ｃ５）のそれぞれ１つを前記導電性結線（１３２）に選択的に結合する、複数の
    スイッチ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５）と； を備え； それにより前記導電性結線（１３２）のキャパシタンスが前記同調制
    御信号（ＶＣ）に応答して変化する、 チューナ（１０）。
  2. 【請求項２】 前記同調可能な帯域パスフィルタ（２０、２４、３０、３４
    ）の共振回路が前記基板（１００）上の導電層（３３０、３３６）から形成され
    た複数のインダクタ（４００、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３）をさらに備え、前記複数のス
    イッチ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５）の１つが前記複数のインダクタ（４０
    ０、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３）のそれぞれ１つを前記導電性結線（１３２）に選択的に
    結合し、それによって前記導電性結線（１３２）におけるインダクタンスおよび
    キャパシタンスが前記同調制御信号（ＶＣ）に応答して変化する、請求項１記載
    のチューナ（１０）。
  3. 【請求項３】 前記同調可能な発振器（２６、３６）が、第２の共振回路を
    含み、前記第２の共振回路は： 前記基板（１００）上の第２の導電性結線（１３２）と； 前記基板（１００）上の導電層（２００、２０４）および誘電層（２
    ０２）から形成される第２の複数のコンデンサ（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５
    ）と； 前記周波数制御信号（ＶＯ）に応答してそのスイッチ・アーム（Ａ１
    、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、２２４）の運動によって選択的に開閉される、前記
    基板（１００）上の材料の層（３３０、３３６）から形成される第２の複数のス
    イッチ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５）であって、前記第２の複数のスイッチ
    （Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５）の１つが前記第２の複数のコンデンサ（Ｃ１
    、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５）のそれぞれ１つを前記第２の導電性結線（１３２）
    に選択的に結合する、第２の複数のスイッチ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５）
    と、 を備え； それにより前記第２の導電性結線（１３２）のキャパシタンスが前記
    周波数制御信号（ＶＯ）に応答して変化する、 請求項１記載のチューナ（１０）。
  4. 【請求項４】 前記チューナ（１０）がＶＨＦおよびＵＨＦテレビジョン周
    波数帯域の１つのテレビジョン信号の受信用であり、前記同調可能な帯域パスフ
    ィルタ（２０、２４、３０、３４）の共振周波数がＶＨＦおよびＵＨＦテレビジ
    ョン周波数帯域の前記１つにある、請求項１記載のチューナ（１０）。
  5. 【請求項５】 前記同調制御信号（ＶＣ）に応答する前記共振周波数を含む
    通過帯域を有する、前記基板（１００）上の第２の同調可能な帯域パスフィルタ
    （２０、３０）と； 前記第２の同調可能な帯域パスフィルタ（２０、３０）からの前記通過帯
    域の信号を前記同調可能な帯域パスフィルタ（２４、３４）に結合する増幅器（
    ２２、３２）と； をさらに備え； 前記第２の同調可能な帯域パスフィルタ（２０、３０）が、第２の共振回
    路を含み、前記第２の共振回路は： 前記基板（１００）上の第２の導電性結線（１３２）と； 前記基板上（１００）の導電層（２００、２０４）および誘電層（２
    ０２）から形成された第２の複数のコンデンサ（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５
    ）と； 前記同調制御信号（ＶＣ）に応答してそのスイッチ・アーム（Ａ１、
    Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、２２４）の運動によって選択的に開閉する、前記基板
    （１００）上の材料の層から形成された第２の複数のスイッチ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ
    ３、Ｓ４、Ｓ５）であって、前記第２の複数のスイッチ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ
    ４、Ｓ５）の１つが前記第２の複数のコンデンサ（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ
    ５）のそれぞれ１つを前記第２の導電性結線（１３２）に選択的に結合する、第
    ２の複数のスイッチ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５）と； を備え； それにより前記第２の導電性結線（１３２）のキャパシタンスが前記
    同調制御信号（ＶＣ）に応答して変化する、 請求項１記載のチューナ（１０）。
  6. 【請求項６】 前記スイッチ・アーム（Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、２
    ２４）が前記基板から間隔をおいて配置された堆積金属層（３３６）を備え、前
    記スイッチ・アーム（Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、２２４）が前記基板（１
    ００）に固着された第１の端（２２６）および前記基板（１００）に対して可動
    な第２の端を有する、請求項１記載のチューナ（１０）。
  7. 【請求項７】 前記同調制御信号（ＶＣ）が前記スイッチ・アーム（Ａ１、
    Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、２２４）の下にある前記基板（１００）上の制御導体
    （１７１、１７２、１７３、１７４、１７５、２２８）に加えられ、前記制御導
    体（１７１、１７２、１７３、１７４、１７５）が前記制御導体（１７１、１７
    ２、１７３、１７４、１７５、２２８）と前記スイッチ・アーム（Ａ１、Ａ２、
    Ａ３、Ａ４、Ａ５、２２４）との間に誘電層（３２０）を含む、請求項１記載の
    チューナ（１０）。
  8. 【請求項８】 基板（１００）上の回路に接続された複数のコンデンサ（Ｃ
    １、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５）および電気機械的スイッチ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、
    Ｓ４、Ｓ５）のマトリックスを形成する方法であって、前記方法は： 前記基板の一部分に導電層（２００）を堆積して複数のコンデンサ・プレ
    ートを形成し、かつ複数のスイッチ接点（１５１、１５２、１５３、１５４、１
    ５５）と、複数のスイッチ接点（１５１、１５２、１５３、１５４、１５５）の
    それぞれ１つに対応付けられる複数の制御導体（１７１、１７２、１７３、１７
    ４、１７５）とを形成するステップと； 前記複数のコンデンサ・プレートの各々の上に誘電層（２０２）を、各前
    記誘電層（２０２）の上に別の導電層（２０４）を堆積して、前記基板（１００
    ）上に前記複数のコンデンサ（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５）を形成するステ
    ップと； 前記複数のスイッチ接点（１５１、１５２、１５３、１５４、１５５）と
    、該複数のスイッチ接点に関連付けられる前記複数の制御導体（１７１、１７２
    、１７３、１７４、１７５）の少なくとも一部分との上に、複数の貫通穴を有し
    前記穴の１つが各前記制御導体に近接している除去可能な層（３３４）を形成す
    るステップと； 複数の導電領域（３３６）を形成する第２の導電層（３３６）を前記除去
    可能な層（３３４）の上に堆積し、各導電領域（３３６）が前記制御導体（１７
    １、１７２、１７３、１７４、１７５）のそれぞれ１つ、前記スイッチ接点（１
    ５１、１５２、１５３、１５４、１５５）のそれぞれ１つの上にあり、前記穴の
    それぞれ１つを介して前記基板（１００）に取り付けられて前記複数のスイッチ
    接点（１５１、１５２、１５３、１５４、１５５）の１つに対応付けられるそれ
    ぞれのスイッチ・アーム（Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、２２０）を形成する
    ステップと； 前記除去可能な層（３３４）を除去して、前記基板（１００）から間隔を
    おいて配置され一端（２２６）をそれに取り付けられかつ他端でそれに対応付け
    られるそれぞれのスイッチ接点（１５１、１５２、１５３、１５４、１５５）か
    ら間隔をおいて配置された前記複数のスイッチ・アーム（Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ
    ４、Ａ５）を残すことによって、前記基板（１００）上に、前記複数の電気機械
    的スイッチ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５）を形成するステップと； 前記コンデンサ（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５）の１つ、前記スイッチ
    ・アーム（Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５）の１つ、および前記スイッチ接点（
    １５１、１５２、１５３、１５４、１５５）の１つの間に複数の導電性結線（３
    ４０）を堆積して、前記コンデンサ（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５）の１つと
    前記基板上の回路の電気機械的スイッチ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５）とを
    接続するステップと、 を備える方法。
  9. 【請求項９】 前記除去可能な層（３３４）を形成する前に、前記制御導体
    （１７１、１７２、１７３、１７４、１７５）の一部分の上に誘電層（３２０）
    を堆積するステップをさらに備える、請求項８記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記導電層（２００）を堆積するステップが、前記基板上
    に中にギャップを有する少なくとも１つのスパイラル・インダクタ（４００）導
    体（４１０）をさらに形成し； 前記除去可能な層（３２４）を形成するステップが、前記スパイラル・イ
    ンダクタ導体（４１０）のギャップ上にそのような層（３３４）を形成するステ
    ップをさらに含み； 前記第２の導電層（３３６）を堆積するステップが、前記スパイラル・イ
    ンダクタ導体（４１０）のギャップの上に導電性領域（３３６）を形成して、そ
    の上にブリッジ導体（４１４、４１６）を形成するステップをさらに含み； 前記除去可能な層（３３４）を除去するステップが、前記スパイラル・イ
    ンダクタ導体（４１０）のギャップ上に、前記基板（１００）から間隔をおいて
    配置された前記ブリッジ導体（４１４、４１６）を残す、 請求項８記載の方法。
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