JPH07105643B2 - ノッチフィルタ - Google Patents

ノッチフィルタ

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JPH07105643B2
JPH07105643B2 JP4191626A JP19162692A JPH07105643B2 JP H07105643 B2 JPH07105643 B2 JP H07105643B2 JP 4191626 A JP4191626 A JP 4191626A JP 19162692 A JP19162692 A JP 19162692A JP H07105643 B2 JPH07105643 B2 JP H07105643B2
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博 畠中
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】カラ−テレビジョン放送装置にお
いては、定インピ−ダンスノッチダイプレクサ(以下、
CINダイプレクサと略記する)を用いてスプリアスを吸
収除去すると共に、映像搬送波及び映像カラ−副搬送波
と音声搬送波との合成を行っているが、本発明は、この
ような不要波の吸収除去及び所要波の合成を行う CINダ
イプレクサの構成素子等に好適なノッチフィルタに関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】図9は、超短波(VHF)帯における放
送装置等の大電力用CINダイプレクサの構成素子とし
て従来用いられている半同軸共振器より成るノッチフィ
ルタの要部を示す断面図で、13は外部導体、14は半
同軸共振素子、15は入出力結合ループ、16は外部回
路との結合用同軸線路、17は立ち上り又は立ち下がり
特性補償用スタブである。図10は、極超短波(UH
F)帯における放送装置等の大電力用CINダイプレク
サの構成素子として従来用いられている矩形導波管型共
振器より成るノッチフィルタの要部を示す断面図で、1
8は導波管壁で、他の符号は図9と同様である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】図9及び図10に示し
た従来のノッチフィルタは、何れも外部回路との結合用
同軸線路16が外部導体13又は導波管壁18の外部に設けら
れると共に、立ち上り又は立ち下がり特性補償用スタブ
17が同軸線路16に対して直角方向に突出するように設け
られているため、形状が複雑大型となる。又、これらの
ノッチフィルタを用いて CINダイプレクサを構成する場
合には、ノッチフィルタを2個縱続接続したものを2
組、合計4個のノッチフィルタを、2個のハイブリッド
結合回路の各分配出力端子間に挿入接続しているため、
全体の構成が極めて複雑大型となる。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、共通のシール
ドケース内を導体より成る隔壁によって2個のシールド
ケースに分割し、一方のシールドケースに半同軸共振素
子及び共振周波数微調整素子を内装し、他方のシールド
ケースにTE01デルタモード誘電体共振素子及び共振
周波数微調整素子を内装すると共に、共通の入出力結合
線路を、隔壁を貫いて分割形成された2個のシールドケ
ースに内装し、共通の入出力結合線路のうち、半同軸共
振素子と結合する入出力結合線路部分の長手方向の中心
点と、半同軸共振素子と結合する入出力結合線路部分の
長手方向とほぼ直交する半同軸共振素子の中心軸とがほ
ぼ同一平面に含まれ、半同軸共振素子と結合する入出力
結合線路部分の長さを、電気長で、半同軸共振素子より
成る共振器の共振波長の1/2以下に形成すると共に、
半同軸共振素子と結合する入出力結合線路部分の特性イ
ンピーダンスを外部回路の特性インピーダンスに比し低
く形成し、共通の入出力結合線路のうち、TE
01デルタ モード誘電体共振素子と結合する入出力結合
線路部分の長手方向の中心点と、TE 01デルタ モード
誘電体共振素子と結合する入出力結合線路部分の長手方
向とほぼ直交するTE 01デルタ モード誘電体共振素子
の中心軸とがほぼ同一平面に含まれ、TE 01デルタ
ード誘電体共振素子と結合する入出力結合線路部分の長
さを、電気長で、TE 01デルタ モード誘電体共振素子
より成る共振器の共振波長の1/2以下に形成すると共
に、TE 01デルタ モード誘電体共振素子と結合する入
出力結合線路部分の特性インピーダンスを外部回路の特
性インピーダンスに比し高く形成したノッチフィルタを
実現することにより、従来の欠点を除こうとするもので
ある。
【0005】
【実施例】図1(a)は、本発明の一実施例を示す断面
図[図1(b)のB−B断面図]、図1(b)は、図1
(a)のA−A断面図で、両図において、1は共通のシ
ールドケース、2は導体より成る隔壁で、共通のシール
ドケース1の内部をほぼ2等分する。3は軸長が共振波
長のほぼ1/4の棒状導体より成る半同軸共振素子、4
は共振周波数微調整用電極板、5はその駆動螺子、6は
TE01デルタモード誘電体共振素子、7はその支持
体、8は棒状誘電体より成る共振周波数微調整素子、9
はその駆動螺子、10及び11は外部回路との接続端子
で、例えば同軸接栓より成る。12は共通の入出力結合
線路で、隔壁2の一部に穿った孔隙13を貫いて共通の
シールドケース1内に設け、両端を同軸接栓10及び1
1の各内部導体に接続すると共に、入出力結合線路12
のうち、共通のシールドケース1の左側(図1に向かっ
て)の端壁と隔壁2との間に設けられ、半同軸共振素子
3と結合する入出力結合線路部分の長さを、電気長で、
半同軸共振素子3より成る共振器の共振波長の1/2以
下に形成し、半同軸共振素子3と結合する入出力結合線
路部分の長手方向の中心点と、半同軸共振素子3と結合
する入出力結合線路部分の長手方向とほぼ直交する半同
軸共振素子3の中心軸とがほぼ同一平面に含まれ、入出
力結合線路12のうち、共通のシールドケース1の右側
の端壁と隔壁2との間に設けられ、TE 01デルタ モー
ド誘電体共振素子6と結合する入出力結合線路部分の長
さを、電気長で、TE 01デルタ モード誘電体共振素子
6より成る共振器の共振波長の1/2以下に形成し、T
01デルタ モード誘電体共振素子6と結合する入出力
結合線路部分の長手方向の中心点と、TE 01デルタ
ード誘電体共振素子6と結合する入出力結合線路部分の
長手方向とほぼ直交するTE 01デルタ モード誘電体共
振素子6の中心軸とがほぼ同一平面に含まれるように形
成してある尚、本発明ノッチフィルタを、例えばハイ
ブリッド回路と組み合わせて、カラーテレビジョン放送
装置におけるCINダイプレクサを構成するような場合
には、半同軸共振素子3より成る共振器の共振周波数
を、伝送周波数より低い周波数、即ち、カラービートの
中心周波数、例えば596.67MHzに選定すると共
に、カラービートの帯域幅に応じて中程度の負荷Qを有
し、適当な阻止帯域幅を有する半同軸共振器より成るノ
ッチフィルタに形成し、TE 01デルタ モード誘電体共
振素子6より成る共振器の共振周波数を、伝送周波数よ
り高い周波数、即ち、音声搬送波f の周波数、例えば
604.75MHzに選定すると共に、音声搬送波f
に近接する映像カラー副搬送波f を反射させるおそれ
を除くために、負荷Qの高い阻止帯域幅の狭いTE
01デルタ モード誘電体共振器より成るノッチフィルタ
に形成する。又、共通の入出力結合線路12は丸棒状の
導体、角棒状の導体、板状の導体又はマイクロストリッ
プ線路等の何れによって形成しても本発明を実施するこ
とができる。
【0006】図2は、本発明ノッチフィルタの電磁界分
布を示す略図で、図2(a)は、図1(a)に対応する
断面図、図2(b)は、図2(a)のA−A端面図、図
2(c)は、図2(a)のB−B端面図で、図2(a)
及び図2(b)において矢印を付した実線は電界を、矢
印を付した破線は磁界を、丸印の中に黒点又は×を付し
た記号(以下、丸印と略記する)は磁界を、それぞれ表
し、図2(c)において矢印を付した破線は磁界を、矢
印を付した実線及び丸印は電界を、それぞれ表す。図2
から明らかなように、共通の入出力結合線路12と半同軸
共振素子3との結合は電界結合で、共通の入出力結合線
路12とTE01テ゛ルタ モ−ド誘電体共振素子6との結合は磁
界結合である。
【0007】図3(a)は、図1における半同軸共振器
より成るノッチフィルタ部分(図1に向かって隔壁2か
ら左側の部分)の等価回路図、図3(b)は、図1にお
けるTE01デルタモード誘電体共振器より成るノッチ
フィルタ部分(図1に向かって隔壁2から右側の部分)
の等価回路図、図3(c)は、図1に示したノッチフィ
ルタ全体の等価回路図で、YCCは半同軸共振器回路の
アドミタンス、YMMはTE01デルタモード誘電体共
振器回路のアドミタンス、12は図1における共通の
入出力結合線路12のうち、隔壁2と同軸接栓10との
間の部分、Lはその1/2の長さ、12は共通の入
出力結合線路12のうち、隔壁2と同軸接栓11との間
の部分、Lはその1/2の長さである。
【0008】図4は、本発明ノッチフィルタの反射特性
の一例を示す図で、横軸は伝送周波数F(MHz)、縦
軸は減衰量−ATT(dB)である。図4において、周
波数600MHzより低い周波数領域における曲線のピ
ークの周波数位置は、図1における半同軸共振器の共振
周波数に対応するが、図1における共通の入出力結合線
路12のうち、共通のシールドケース1の左側(図1に
向かって)の端壁から隔壁2までの間に設けられ、半同
軸共振素子3と結合する入出力結合線路部分の例えば直
径を適宜大にして、その特性インピーダンスを外部回路
の特性インピーダンスに比し適宜低くして容量性の結合
線路とすると、図3(a)に示した等価回路図は、図3
(d)で示すことができる。 図3(d)に示すように、
隔壁2の左側におけるノッチフィルタは、共通のシール
ドケース1の左側の端壁と隔壁2の間に設けられ、半同
軸共振素子3と結合する入出力結合線路部分の長手方向
の中心点に、共振周波数が伝送周波数より低い半同軸共
振素子3より成る共振器が接続された誘導m形高域ろ波
器より成る。 共通のシールドケース1の左側の端壁と隔
壁2の間に設けられ、半同軸共振素子3と結合する入出
力結合線路部分の長さは、前記のように、半同軸共振素
子3より成る共振器の共振波長の1/2以下に形成して
あるから、半同軸共振素子3と結合する入出力結合線路
部分の中心点から、共通のシールドケース1の左側の端
壁までの長さ及び中心点から隔壁2までの長さは、何れ
も共振波長の1/4以下となる。 1/4波長線路におい
ては、その長さが1/4波長以下であるか、1/4波長
以上であるかに応じて、線路のリアクタンスが誘導性か
ら容量性へ、逆に容量性から誘導性へ転ずるが、半同軸
共振素子3と結合する入出力結合線路部分は中心点から
左右何れの長さも1/4波長以下であるから、線路のリ
アクタンスは容量性に保たれ、共振器回路における誘導
性リアクタンスと半同軸共振素子3と結合する入出力結
合線路部分における容量性リアクタンスとが互いに打ち
消し合って、半同軸共振素子3より成る共振器の共振周
波数より高い周波数領域における曲線の立ち下がりを急
峻にすることができる。又、周波数600MHzより高
い周波数領域における曲線のピークの周波数位置は、図
1におけるTE01デルタモード誘電体共振器の共振周
波数に対応するが、図1における共通の入出力結合線路
12のうち、共通のシールドケース1の右側(図1に向
かって)の端壁から隔壁2までの間に設けられ、TE
01デルタ モード誘電体共振素子6と結合する入出力結
合線路部分の例えば直径を適宜小にして、その特性イン
ピーダンスを外部回路の特性インピーダンスに比し適宜
高くして誘導性の結合線路とすると、図3(b)に示し
た等価回路図は、図3(e)で示すことができる。 図3
(e)に示すように、隔壁2の右側におけるノッチフィ
ルタは、共通のシールドケース1の右側の端壁と隔壁2
の間に設けられ、TE 01デルタ モード誘電体共振素子
6と結合する入出力結合線路部分の長手方向の中心点
に、共振周波数が伝送周波数より高いTE 01デルタ
ード誘電体共振素子6より成る共振器が接続された誘導
m形低域ろ波器より成る。 共通のシールドケース1の右
側の端壁と隔壁2の間に設けられ、TE 01デルタ モー
ド誘電体共振素子6と結合する入出力結合線路部分の長
さは、前記のように、TE 01デルタ モード誘電体共振
素子6より成る共振器の共振波長の1/2以下に形成し
てあるから、TE 01デルタ モード誘電体共振素子6と
結合する入出力結合線路部分の中心点から、共通のシー
ルドケース1の右側の端壁までの長さ及び中心点から隔
壁2までの長さは、何れも共振波長の1/4以下である
から、線路のリアクタンスは誘導性に保たれ、共振器回
路における容量性リアクタンスとTE 01デルタ モード
誘電体共振素子6と結合する入出力結合線路部分におけ
る誘導性リアクタンスとが互いに打ち消し合って、TE
01デルタ モード誘電体共振素子6より成る共振器の共
振周波数より低い周波数領域における曲線の立ち下がり
を急峻にすることができる。 尚、図3(f)は、図3
(c)の変換等価回路図である。図5は、本発明ノッチ
フィルタの減衰特性及び群遅延時間特性の一例を示す図
で、横軸は伝送周波数F(MHz)、縦軸は減衰量−A
TT(dB)又は群遅延時間t(ns)、実線は減衰特
性、破線は群遅延時間特性である。
【0009】本発明ノッチフィルタにおける各部の基本
マトリクスを計算によって求めると
【数1】 λ:共振波長 LC:図3に示した入出力結合線路12C1/2 の長さ ZC:図3に示した入出力結合線路12C の特性インピ−ダ
ンス YCC :共振回路のアドミタンス YC:図3に示した入出力結合線路12C のアドミタンス TE01テ゛ルタ モ−ド誘電体共振器より成るノッチフィルタ
部分の基本マトリクス
【数2】 上式において、 LM:図3に示した入出力結合線路12M1/2 の長さ ZM:図3に示した入出力結合線路12M の特性インピ−ダ
ンス YMM :共振回路のアドミタンス YM:図3に示した入出力結合線路12M のアドミタンス 半同軸共振器より成るノッチフィルタとTE01テ゛ルタ モ−
ド誘電体共振器より成る
【数3】
【0010】以上は、図1に示したように共通のシ−ル
ドケ−ス1内を隔壁2によって2分し、一方の分割シ−
ルドケ−ス側に半同軸共振器より成るノッチフィルタ
を、他方の分割シ−ルドケ−ス側にTE01テ゛ルタ モ−ド誘
電体共振器より成るノッチフィルタを、それぞれ構成し
た場合について説明したが、使用周波数帯に応じて、例
えば使用周波数帯が比較的低い超短波帯の場合には、隔
壁2の両側に半同軸共振器より成るノッチフィルタを構
成し、使用周波数帯が比較的高い極超短波帯の場合に
は、隔壁2の両側にTE01テ゛ルタ モ−ド誘電体共振器より
成るノッチフィルタを構成するようにしてもよい。又、
以上は、隔壁の両側にノッチフィルタを構成した複合ノ
ッチフィルタに本発明を実施した場合について説明した
が、隔壁2から左側の部分のみによって単独の半同軸共
振器より成るノッチフィルタを独立して構成し、隔壁2
から右側の部分のみによって単独のTE01テ゛ルタ モ−ド誘
電体共振器より成るノッチフィルタを独立して構成して
もよい。
【0011】図6は、図1に示した本発明ノッチフィル
タをハイブリッド結合回路と組合わせて構成した CINダ
イプレクサの一例を示す平面図、図7は、その正面図
で、両図において、HYB1及びHYB2は例えば分配出力信号
間に90°の位相差を生じ、分配出力信号のレベル低下が
3dBである90°ハイブリッド結合回路、NF1 及びNF2
本発明ノッチフィルタである。図8は、上記 CINダイプ
レクサの系統図で、NF1M及びNF2MはTE01テ゛ルタ モ−ド誘
電体共振器より成るノッチフィルタ部分、NF1C及びNF2C
は半同軸共振器より成るノッチフィルタ部分、TV及びTA
は入力端子、TVA は出力端子、TISLはアイソレ−ション
端子で、他の符号は図6と同様である。図8におけるノ
ッチフィルタNF1M及びNF2Mを構成するTE01テ゛ルタ モ−ド
誘電体共振器の共振周波数を、それぞれ例えばカラ−テ
レビジョン放送波における音声搬送波fAに、ノッチフィ
ルタNF1C及びNF2Cを構成する半同軸共振器の共振周波数
を、それぞれfV−3.58MHz (fVは映像搬送波、fV−3.58
MHz は送信機において発生する不要波)に、それぞれ設
定すると、入力端子TVに映像搬送波fVとfV−3.58MHz が
加えられ、入力端子TAに音声搬送波fAが加えられた場
合、出力端子TVA から映像搬送波fVと音声搬送波fAの合
成波が出力され、アイソレ−ション端子TISLからfV−3.
58MHz が出力して無反射終端器に吸収される。
【0012】
【発明の効果】本発明ノッチフィルタは、共振周波数微
調整素子の駆動螺子の外端部が共通のシ−ルドケ−スの
外部に突出しているのみで、従来のように立ち上がり又
は立ち下がり特性補償用のスタブの必要がなく、共通の
入出力結合線路を共通のシ−ルドケ−スに内装してある
から形状が極めて簡潔小型となり、したがって、本発明
ノッチフィルタを用いて構成した CINダイプレクサもま
た全体を極めて簡潔小型化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図2】本発明ノッチフィルタの電磁界分布を示す略図
である。
【図3】本発明ノッチフィルタの等価回路図である。
【図4】本発明ノッチフィルタの反射特性の一例を示す
図である。
【図5】本発明ノッチフィルタの減衰特性及び群遅延時
間特性の一例を示す図である。
【図6】本発明ノッチフィルタを用いて構成したダイプ
レクサを示す平面図である。
【図7】本発明ノッチフィルタを用いて構成したダイプ
レクサを示す正面図である。
【図8】本発明ノッチフィルタを用いて構成したダイプ
レクサの系統図である。
【図9】従来のノッチフィルタの要部を示す断面図であ
る。
【図10】従来のノッチフィルタの要部を示す断面図で
ある。
【符号の説明】
1 共通のシ−ルドケ−ス 2 隔壁 3 半同軸共振素子 4 共振周波数微調整用電極板 5 駆動螺子 6 TE01テ゛ルタ モ−ド誘電体共振素子 7 支持体 8 共振周波数微調整素子 9 駆動螺子 10 同軸接栓 11 同軸接栓 12 共通の入出力結合線路 12C 共通の入出力結合線路の一部 12M 共通の入出力結合線路の一部 HYB1 ハイブリッド結合回路 HYB2 ハイブリッド結合回路 NF1 本発明ノッチフィルタ NF2 本発明ノッチフィルタ NF1M 本発明ノッチフィルタ NF2M 本発明ノッチフィルタ NF1C 本発明ノッチフィルタ NF2C 本発明ノッチフィルタ TV 入力端子 TA 入力端子 TVA 出力端子 TISL アイソレ−ション端子 13 外部導体 14 半同軸共振素子 15 入出力結合ル−プ 16 外部回路との結合用同軸線路 17 スタブ 18 導波管壁

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】共通のシールドケース内を導体より成る隔
    壁によって2個のシールドケースに分割し、一方のシー
    ルドケースに半同軸共振素子及び共振周波数微調整素子
    を内装し、他方のシールドケースにTE01デルタモー
    ド誘電体共振素子及び共振周波数微調整素子を内装する
    と共に、共通の入出力結合線路を、前記隔壁を貫いて前
    記分割形成された2個のシールドケースに内装して構成
    したことを特徴とするノッチフィルタ。
  2. 【請求項2】隔壁によって分割形成された2個のシール
    ドケースに、隔壁を貫いて内装された共通の入出力結合
    線路のうち、半同軸共振素子と結合する入出力結合線路
    部分の長手方向の中心点と、半同軸共振素子と結合する
    入出力結合線路部分の長手方向とほぼ直交する半同軸共
    振素子の中心軸とがほぼ同一平面に含まれ、半同軸共振
    素子と結合する入出力結合線路部分の長さを、電気長
    で、半同軸共振素子より成る共振器の共振波長の1/2
    以下に形成すると共に、半同軸共振素子と結合する入出
    力結合線路部分の特性インピーダンスを外部回路の特性
    インピーダンスに比し低く形成し、TE 01デルタ モー
    ド誘電体共振素子と結合する入出力結合線路部分の長手
    方向の中心点と、TE 01デルタ モード誘電体共振素子
    と結合する入出力結合線路部分の長手方向とほぼ直交す
    るTE 01デルタ モード誘電体共振素子の中心軸とがほ
    ぼ同一平面に含まれ、TE 01デルタ モード誘電体共振
    素子と結合する入出力結合線路部分の長さを、電気長
    で、TE 01デルタ モード誘電体共振素子より成る共振
    器の共振波長の1/2以下に形成すると共に、TE
    01デルタ モード誘電体共振素子と結合する入出力結合
    線路部分の特性インピーダンスを外部回路の特性インピ
    ーダンスに比し高く形成した請求項1に記載のノッチフ
    ィルタ。
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