JPH07105523B2 - フォト・トランジスタ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光吸収特性の優れたフ
ォト・トランジスタに関するものである。特に、本発明
は、セミアモルファス半導体膜の上に多数のフォト・ト
ランジスタを設けることができるフォト・トランジスタ
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図示されていないフォト・トランジスタ
は、たとえばＰＮＰ構造にベース電極を付けずに、エミ
ッタとコレクタに端子が付けられる。そして、前記エミ
ッタとコレクタ間にバイアス電圧を印加する。このよう
な構成のフォト・トランジスタにおけるベース領域に光
を照射すると、ＰＮ接合部分で光電流が発生する。ま
た、フォト・トランジスタは、トランジスタ効果によっ
て、前記光電流を増幅してエミッタ−コレクタ間に大き
な電流を得ることができる。

【０００３】図１は従来の絶縁ゲート型電界効果半導体
装置の縦断面図である。すなわち、従来、アモルファス
半導体を用いた絶縁ゲート型電界効果半導体装置は、絶
縁基板（１）と、当該絶縁基板（１）上に形成されたゲ
ート電極（３）、（１３）と、当該ゲート電極（３）お
よび（１３）上に形成されたゲート絶縁膜（１１）と、
当該ゲート絶縁膜（１１）を介してゲート電極（３）お
よび（１３）に対向するように配置されたチャネル形成
領域（５）および（１０）と、当該チャネル形成領域
（５）および（１０）を挟むように形成されたソース領
域（６）、（９）およびドレイン領域（７）、（８）と
から構成されている。なお、絶縁基板（１）上に形成さ
れたゲート電極（３）と（１３）とは、耐熱性材料、た
とえばモリブデンから作られている。

【０００４】ゲート絶縁膜（１１）は、たとえばＣＶＤ
法により珪素を０．１μｍないし０．５μｍの厚さに設
けられる。次に、ゲート絶縁膜（１１）の上面には、ア
モルファス半導体が形成され、選択エッチングにより、
ゲート電極（３）および（１３）上の対応する位置にチ
ャネル形成領域（５）、（１０）が形成される。さら
に、Ｎチャネル絶縁ゲート型電界効果半導装置（１２）
は、Ｎ型の半導体層からなるソース領域（６）、ドレイ
ン領域（７）が選択的にフォトエッチング法を用いて形
成される。また、Ｐチャネル型絶縁ゲート型電界効果半
導体装置（２）は、たとえばアルミュームを真空蒸着法
で形成した後、選択エッチングを行い、ソース領域
（９）、ドレイン領域（８）を形成し、図１に示すＣ／
ＭＯＳ・ＦＥＴを完成させている。

【０００５】また、絶縁基板上に設けられた５Åないし
２００Åの大きさの微結晶性を有するセミアモルファス
シリコン半導体は、本出願人の以下の文献に発表されて
いる。たとえば、特願昭５５−１２０３２２号、特開昭
５５−１５１３２９号公報、特願昭５６−６５８２６
号、Appl. Phys. Lett. 38 [3] p.142-143 (1981-2-1)
がある。そして、セミアモルファス半導体は、その電気
−光伝導度がＡＭ１（１００ｍｗ／ｃｍ²）の光エネル
ギーを与えた場合、１×１０^-3（Ωｃｍ）^-1ないし８×
１０^-2（Ωｃｍ）^-1を有し、これらの値は、単結晶珪素
半導体の１／２ないし１／１０ときわめてすぐれた特性
を有していることが実験的に見出された。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記従来例におけるフ
ォト・トランジスタは、全体の形状を小型化すると、光
吸収部分も小さくなり、微弱な光を検出する際に誤動作
の原因になる。また、フォト・トランジスタを集積化し
て撮像用半導体装置とする場合、基板上に多数のＰＮＰ
構造を設ける必要がある。しかし、ガラス基板等の上に
ＰＮＰ構造を、たとえば水平の一方向に配置すると、エ
ミッタおよびコレクタ部分に光が入射しても、この部分
から光電流が発生しない。すなわち、光電流を発生する
部分は、フォト・トランジスタのベース領域だけであ
る。このため、フォト・トランジスタの光吸収領域は、
比較的大きな面積を必要とし、特に、撮像用半導体装置
とする場合に不利であった。

【０００７】さらに、図１に示す絶縁ゲート型電界効果
半導体装置は、ゲート絶縁膜（１１）がＣＶＤ法で形成
されるため、高密度にならず、結果としてゲート電極
（３）とチャネル形成領域（５）とがショートし易い。
そのため、従来例における絶縁ゲート型電界効果半導体
装置のゲート絶縁膜（１１）は、通常０．３μｍ以上と
厚くしなければならなかった。その結果として、絶縁ゲ
ート型電界効果半導体装置を駆動するゲート電圧は、２
０Ｖないし６０Ｖと大きな電圧が必要となり、いわゆる
１．５Ｖないし５Ｖ程度の低い電圧とすることが不可能
であった。しかも、絶縁ゲート型電界効果半導体装置
は、ゲート電極（１５）の両端とチャネル形成領域
（５）の両端と、ソース領域（６）およびドレイン領域
（７）の一端とを精密に位置合わせすることが必要であ
る。

【０００８】しかし、絶縁基板（１）上に凸凹がある状
態で１μｍ以上の高精度での位置合わせが不可能であっ
た。その結果として、従来例における絶縁ゲート型電界
効果半導体装置の位置合わせには、２０μｍないし３０
μｍものトレランスを作っていた。そのため、絶縁ゲー
ト型電界効果半導体装置におけるドレイン電圧は、５０
Ｖないし７０Ｖと高くなるため、１．５Ｖないし１０Ｖ
程度の低圧駆動とすることが不可能であった。

【０００９】さらに、構造敏感性を有するいわゆるチャ
ネル形成領域（５）と接する表面（１７）には、Ｐ型ま
たはＮ型の導電型の不純物を０．５％ないし２％もの多
量にドープされた半導体が密着されている。したがっ
て、この不純物を含む半導体は、チャネル形成領域
（５）の表面（１７）において、完全にエッチング除去
されない限り、この部分でソース領域（６）とドレイン
領域（７）とがショートしてしまう。

【００１０】しかし、上記不純物を含む半導体は、その
下側のチャネル形成領域（５）と同一主成分であるた
め、選択エッチングがきわめて困難であった。さらに、
図１において、４回のフォトマスクを用いて作るが、ゲ
ート電極（３）とソース領域（６）およびドレイン領域
（７）とは、異種材料であり、絶縁基板（１）上にリー
ド配線を抵抗の小さい金属で作ろうとすると、さらに、
この上面に２回のフォトマスクを必要とし、合計６回に
なるにもかかわらず単層配線しかできないという欠点を
有する。また、セミアモルファス半導体は、従来より知
られた薄膜型の絶縁ゲート型電界効果半導体装置、すな
わち図１に示す縦断面の構造に適用した場合、本来のセ
ミアモルファス半導体としての特性を有さず満足した特
性が得られなかった。

【００１１】本発明は、以上のような課題を解決するた
めのもので、ソース領域およびドレイン領域領域の前面
に照射された光も光電流の発生に寄与することができる
フォト・トランジスタを提供することを目的とする。ま
た、本発明は、ゲート電極によって光電流を制御するこ
とができるフォト・トランジスタを提供することを目的
とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のフォト・トランジスタは、平坦な透光性を
有する基板（１）と、当該基板（１）上に形成される素
子の全域にわたって、水素または弗素のごときハロゲン
元素が再結合中心中和用として０．０１モル％ないし５
モル％添加された微結晶性を有すると共に、真性または
実質的に真性の導電型を有する半導体を形成してなる光
吸収領域（１９）と、前記半導体からなる光吸収領域
（１９）上で、光照射方向から見て背部に形成された高
濃度に添加された不純物領域からなるソース領域（２
９）およびドレイン領域（３０）と、上記光吸収領域上
でソース領域（２９）およびドレイン領域（３０）間に
形成された絶縁膜（３３）を介して設けられたゲート電
極（３５）とから構成される。また、本発明のフォト・
トランジスタにおける光吸収領域（１９）には、絶縁膜
（３３）を介して電流を制御するゲート電極（３５）が
形成されていることを特徴とする。

【００１３】

【作 用】平坦な透光性を有する基板上に形成される
素子の全域にわたって、水素または弗素のごときハロゲ
ン元素が再結合中心中和用として０．０１モル％ないし
５モル％添加された微結晶性を有すると共に、真性また
は実質的に真性の導電型を有するセミアモルファス半導
体が形成され、この半導体が光吸収領域となっている。
当該半導体からなる光吸収領域上には、光照射方向から
見て背部に高濃度に添加された不純物領域からなるソー
ス領域およびドレイン領域が形成される。また、上記光
領域上でソース領域およびドレイン領域間に形成された
絶縁膜を介してゲート電極が配置されている。

【００１４】そして、上記ソース領域およびドレイン領
域間には、バイアス電圧が印加されている。このような
フォト・トランジスタにおける透光性の基板を透過した
光は、セミアモルファス半導体によって吸収されると共
に、光電流を発生せしめる。その後、光の励起によって
発生した電流は、たとえばソース領域からドレイン領域
に流れる。また、光吸収領域には、従来のものより一桁
薄い絶縁膜を介してゲート電極が形成されている。した
がって、ゲート電極に低い電圧を印加しても、前記ソー
ス領域−ドレイン領域間の電流を制御することができ
る。

【００１５】本発明のフォト・トランジスタは、光吸収
領域にセミアモルファス半導体を用いたため、アモルフ
ァス半導体と比較して、この部分における光吸収による
エネルギーの損失を減少させることができると共に、電
子・ホールの移動度を向上させることができた。また、
本発明のフォト・トランジスタは、ソース領域およびド
レイン領域が光の照射方向から見て光吸収領域の背後に
設けられているため、基板を透過した光の殆どが光吸収
領域に吸収される。したがって、本発明のフォト・トラ
ンジスタは、一つの素子として光吸収領域が広いため、
狭い領域に多数のフォト・トランジスタを集積する撮像
用半導体装置に有利である。

【００１６】本発明は、セミアモルファスからなるチャ
ネル形成領域上に、従来例より一桁厚さの薄い３００Å
ないし２０００Åの厚さからなるゲート絶縁膜と、当該
ゲート絶縁膜を挟んで一対の高濃度に添加された不純物
領域からなるソース領域およびドレイン領域が形成され
ている。そのため、セミアモルファスからなるチャネル
形成領域と、高濃度に添加された不純物領域からなるソ
ース領域およびドレイン領域とは、従来のものと比較し
て高い電気導電度を有する。すなわち、本発明の絶縁ゲ
ート型電界効果半導体装置において、ソース領域および
ドレイン領域間は、チャネル形成領域をセミアモルファ
スとしたり、あるいはソース領域およびドレイン領域に
不純物を高濃度に添加することで、従来のものよりも電
流が流れ易くなる。その結果、絶縁ゲート型電界効果半
導体装置のゲート絶縁膜は、従来のものより一桁薄くし
ても、チャネル形成領域とゲート電極との間で電気的に
短絡しない。

【００１７】そして、本発明は、ゲート絶縁膜を従来の
ものと比較して一桁薄くすることができたので、従来よ
り低い電圧によって絶縁ゲート型電界効果半導体装置を
駆動することができる。また、本発明は、基板特にその
上面の半導体と反応を起こさない基板たとえばガラスま
たはセラミック基板また導電性基板において、オーム接
触をする基板上にプラズマＣＶＤ法によりセミアモルフ
ァス半導体を形成し、このセミアモルファス半導体の特
性を積極的に絶縁ゲート型電界効果半導体装置に用いん
としたものである。

【００１８】さらに、本発明は、チャネル形成領域にセ
ミアモルファス半導体を用い、その下側、上側、側部の
すべてを絶縁物または高不純物濃度を有する半導体で覆
っており、この半導体としての構造敏感性を利用してゲ
ート電極を制御することができる。そのため、駆動電圧
は、従来の４０Ｖないし８０Ｖというのではなく、ゲー
ト電圧、ドレイン電圧とも５Ｖないし１０Ｖとなり、さ
らに１．５Ｖとすることも可能である。本発明は、以上
の効果のみならず半導体装置として集積化しやすいこ
と、他の重要な要素である抵抗、キャパシタも同時に一
体化して作り易い。また、本発明は、チャネル形成領域
をセミアモルファス半導体で作るということに加えてデ
バイスとして作製する際にも有利である。

【００１９】

【実 施 例】以下、図２を参照しつつ本発明の一実施
例を説明する。図２は本発明の絶縁ゲート型電界効果半
導体装置の製造工程を示す縦断面図である。図２（Ａ）
において、基板（１）は、絶縁性部材であり、かつ透光
性基板であるガラス、または導電性基板であるステンレ
スからなり、この上に形成される素子の全域にわたっ
て、セミアモルファス半導体（２０）が０．１μｍない
し１μｍの厚さにプラズマ気相法で形成された。このセ
ミアモルファス半導体（２０）は、シラン（モノシラン
またはポリシラン）またはフッ化珪素をヘリュームまた
は水素で希釈し、０．０１ｔｏｒｒないし１０ｔｏｒ
ｒ、たとえば０．３ｔｏｒｒの反応炉内に導き、１００
℃ないし４００℃、たとえば３００℃に加熱された基板
（１）上に前記反応性気体に直流、高周波（５００ＫＨ
Ｚないし５０ＭＨＺ、たとえば１３．５６ＭＨＺ）また
はマイクロ波（１ＧＨＺないし１０ＧＨＺ、たとえば
２．４５ＧＨＺ）の磁場エネルギーを２０Ｗないし２０
０Ｗの出力を加えて、グロー放電またはアーク放電を行
わしめ、これら反応性気体およびキャリアガスをプラズ
マ化し、分解、反応せしめ、基板（１）上に微結晶性を
有する真性または実質的に真性のセミアモルファス半導
体（２０）を形成させるものである。

【００２０】このセミアモルファス半導体（２０）は、
５Åないし２００Åのショートレンジオーダの大きさの
結晶性を有するのみならず、珪素の不対結合手を中和さ
せる水素、フッ素の如きハロゲン元素による再結合中心
中和剤に０．０１モル％ないし５モル％添加されてい
る。さらに、このセミアモルファス半導体（２０）のこ
れらの中和剤で相殺できていない不対結合手を１０¹³ｃ
ｍ^-3ないし１０¹⁵ｃｍ^-3の濃度に中和するため、リチュ
ーム、ナトリュームまたはカリュームの如きアルカリ金
属を１０¹⁴ｃｍ^-3ないし１０¹⁷ｃｍ^-3の濃度にしてもよ
い。

【００２１】このセミアモルファス半導体（２０）は、
暗伝導度１×１０^-5（Ωｃｍ）^-1ないし３×１０^-3（Ω
ｃｍ）^-1を有し、アモルファス半導体の１０^-9（Ωｃ
ｍ）^-1ないし１０^-6（Ωｃｍ）^-1に比べても１０² ない
し１０⁴ 倍も大きい。光伝導度がＡＭ１の条件下にて１
×１０^-3（Ωｃｍ）^-1ないし８×１０^-2（Ωｃｍ）^-1を
実験的に有し、特にアモルファス半導体の１０^-6（Ωｃ
ｍ）^-1ないし３×１０^-4（Ωｃｍ）^-1に比べて１０ない
し１０³ 倍も大きい。そのため、このセミアモルファス
半導体（２０）を流れる電子・ホールの移動度もアモル
ファス半導体の１０² ないし１０⁴ 倍も大きく、このセ
ミアモルファス半導体（２０）を絶縁ゲート型電界効果
半導体装置のチャネル形成領域用の半導体として用いる
ことは、高速応答用の半導体装置を作る上にきわめて重
要である。

【００２２】さらに、図２（Ａ）は、マスク（２１）を
１μｍないし５μｍの厚さに選択的に形成して、ここに
第１のフォトマスクを用いた。これは減圧プラズマ気
相法により酸化珪素または耐熱性有機樹脂であるポリイ
ミド樹脂膜（ＰＩＱ）であってもよい。図２において、
絶縁ゲート型電界効果半導体装置の領域（２２）は、ソ
ース領域（２６）と、ドレイン領域（２７）と、チャネ
ル形成領域（２４）とから構成されている。この後、こ
の上面に再びアモルファス半導体またはセミアモルファ
ス半導体の半導体層（２５）を０．１μｍないし１μｍ
の厚さでセミアモルファス半導体（２０）と同様の方法
にて形成した。この時、Ｎチャネルまたは、Ｐチャネル
絶縁ゲート型電界効果半導体装置を作るため、Ｎ型また
はＰ型の半導体層のそれぞれに対し、５価の不純物であ
るリン、３価の不純物であるホウ素を０．２％ないし２
％添加した。かくして、図２（Ａ）に示す被膜構成を得
た。

【００２３】図２（Ｂ）は、図２（Ａ）の構造にてマス
ク（２１）を超音波を軽く加えてエッチング液に浸し溶
去した。すると、ソース領域（２６）とドレイン領域
（２７）に一対を構成して一導電型の半導体層（２
９）、（３０）がソース、ドレインとして形成される。
さらに、この上面にフィールド絶縁膜（３１）を酸化珪
素またはポリイミド樹脂膜により０．１μｍないし１μ
ｍの厚さに形成して図２（Ｂ）を得た。次に、チャネル
形成領域（２４）に相当する部分および電極用コンタク
ト用開穴（３２）のフィールド絶縁膜（３１）を選択的
に第２のフォトマスクにより除去した。

【００２４】この後、ゲート絶縁膜（３３）は、プラズ
マ酸化法によって、３００Åないし２０００Åの厚さに
形成された。すなわち、酸素または酸化性気体を２．４
５ＧＨZ （出力１００Ｗないし５００Ｗ）のマイクロ波
により分解、活性化し、この活性化した酸化性気体中に
基板を３００℃ないし５００℃の温度にて設置して、こ
の表面に酸化物特にセミアモルファス半導体（２０）が
珪素であった時は、酸化珪素膜を作製した。上記酸化性
気体の代わりにアンモニア等の窒化性気体であってもよ
い。もちろんプラズマ気相法により酸化珪素、窒化珪素
等の絶縁膜を３００Åないし２０００Åの厚さに形成し
てもよい。

【００２５】さらに、不揮発性メモリとするには、この
ゲート絶縁膜中に半導体または金属の塊状のクラスタま
たは薄膜を形成し、電荷捕獲中心とすると有効である。
また、ＭＮＯＳ構造にしてもよい。これらはこの絶縁ゲ
ート型電界効果半導体装置を応用することによってきめ
られる自由度を有する。かくの如くにして、ゲート絶縁
膜（３３）を形成した第３のフォトマスクによりソー
ス領域（２９）またはドレイン領域（３０）に開口（３
２）を設けた後、ゲート電極（３５）、ドレイン電極
（３４）、リード（３６）を金属膜を選択的に第４のフ
ォトマスクを用いて作製した。

【００２６】これらの電極、リード線は、アルミニュー
ム等の真空蒸着法およびフォトエッチング法を用いるの
が有効である。信頼性上それらの金属がその下側の絶縁
膜または半導体層にしみこむことがないようにするに
は、リフトオフ法と無電界メッキ法を組み合わせた方法
が好ましかった。すなわち、図２（Ｄ）において、ゲー
ト電極（３５）、リード（３６）が設けられていない部
分に図２（Ａ）と同様にマスク用レジストを設け、この
上面およびその太陽電池一面に金属のみを選択的に溶
去、除去する方法である。

【００２７】以上の如くにして、図２（Ｄ）に示される
縦断面図の構造を有する絶縁ゲート型電界効果半導体装
置を得た。この時一対の不純物領域は、ソース領域（２
９）、ドレイン領域（３０）として機能し、チャネル形
成領域（１９）は、そのチャネル長を０．３μｍないし
２０μｍ、特に２μｍないし３μｍとすることができ、
従来のアモルファス半導体を用いた図１の構造に比べて
１０³ ないし１０⁶ 倍もの高い周波数応答を得ることが
できた。さらに、駆動電圧は、１．５Ｖないし１０Ｖ、
代表的には５Ｖないし１０Ｖで可能であり、従来の１／
２ないし１／５にまで下げることができた。

【００２８】図２よりあきらかな如く、チャネル形成領
域（１９）を構成するセミアモルファス半導体（２０）
は、その上側をゲート絶縁膜（３３）で覆われており、
下側電極を有する薄い基板（１）上に形成されている。
特に、チャネル形成領域（１９）は、その全ての面を絶
縁膜、または半導体で覆われており、大気に触れること
による劣化がない。また、本発明において、セミアモル
ファス半導体は、アモルファス半導体にくらべてきわめ
て構造敏感性を有し、このセミアモルファス半導体を基
板上に何らかの凸部、特に金属電極が設けられているの
ではなく、平坦なガラス基板等セミアモルファス半導体
と反応をしない材料上に形成されている。

【００２９】また、このセミアモルファス半導体からな
るチャネル形成領域上には、不純物が添加された半導体
層（２５）を積層し、この不純物がドープされてリーク
が発生してしまう等の問題がない等の特徴を有する。本
発明は、単にひとつの絶縁ゲート型電界効果半導体装置
を示したが、これは複数の絶縁ゲート型電界効果半導体
装置を同一基板上に集積化して設けることも容易であ
り、さらにリード（３６）上に層間絶縁物を設け第２の
リードを多層配列して設けることも容易である。

【００３０】次に、本発明の第２の実施例を説明する。
第２の実施例は、図２における絶縁ゲート型電界効果半
導体装置の基板（１）を透光性部材とすると共に、当該
透光性部材のほぼ全域にわたって、セミアモルファス半
導体を光吸収領域として形成し、この光吸収領域上にゲ
ート電極（３５）、ソース領域（２９）およびドレイン
領域（３０）を第１の実施例と同じに設けた。すなわ
ち、第２実施例は、ゲート電極によって光電流を制御で
きるフォト・トランジスタとなる。このような構成のフ
ォト・トランジスタにおいて、基板（１）を透光性のガ
ラスとした時、この部分より照射された光は、セミアモ
ルファス半導体（２０）からなる光吸収領域により吸収
される。そして、この光によって励起された電子・ホー
ルは、光の照射方向から見て光吸収領域の背部に形成さ
れたソース領域あるいはドレイン領域に流れる。そし
て、上記ソース−ドレイン電流は、ゲート電極（３５）
に印加される電圧によって制御することができる。

【００３１】本実施例におけるフォト・トランジスタ
は、光の照射方向から見て光吸収領域の背部にソース領
域およびドレイン領域が設けられているため、従来例に
おけるエミッタ、ベース、コレクタを水平に一方向に並
べたものと比較して、光を多く吸収することができる。
したがって、本実施例のフォト・トランジスタは、集積
化して撮像用半導体装置とする際に有利である。以上、
本実施例を詳述したが、前記本実施例に限定されるもの
ではない。そして、特許請求の範囲に記載された本発明
を逸脱することがなければ、種々の設計変更を行なうこ
とが可能である。本実施例は、珪素を中心に記載した
が、ＳｉＣ₁₆（０＜Ｘ＜１）、Ｓｉ₃ Ｎ_4-x （０＜Ｘ＜
４）であっても、またゲルマニューム、３−５価化合物
であってもよい。

【００３２】

【発明の効果】本発明によれば、透光性基板上に形成さ
れた素子の全域にわたって、半導体からなる光吸収領域
が形成され、光の照射方向から見て光吸収領域の背後に
形成された高濃度に添加された不純物領域からなるソー
ス領域およびドレイン領域とが所定の間隔をおいて配置
されているので、アモルファス半導体と比較して、光吸
収によるエネルギーの損失を減少させることができると
共に、電子・ホールの移動度を向上させることができ
た。本発明によれば、ソース領域およびドレイン領域が
光の照射方向から見て光吸収領域の背後に設けられてい
るため、基板を透過した光の殆どが光吸収領域に吸収さ
れ、狭い領域に多数のフォト・トランジスタを集積する
ことができる。本発明によれば、光吸収領域とゲート電
極との間の絶縁膜を従来のものより一桁薄くすることが
できるので、ゲート電極に低い電圧を印加することによ
っても、ソースードレイン間に流れる電流を制御するこ
とができるので、撮像用半導体装置として好適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の半導体装置の縦断面図である。

【図２】本発明の絶縁ゲート型電界効果半導体装置の製
造工程を示す縦断面図である。

【符号の説明】

１・・・基板 １９（２４）・・・チャネル形成領域 ２０・・・セミアモルファス半導体 ２１・・・マスク ２２・・・絶縁ゲート型電界効果半導体装置の領域 ２５・・・半導体層 ２６（２９）・・・ソース領域 ２７（３０）・・・ドレイン領域 ３１・・・フィールド絶縁膜 ３２・・・穴 ３３・・・ゲート絶縁膜 ３４・・・電極 ３５・・・ゲート電極 ３６・・・リード

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 平坦な透光性を有する基板と、 当該基板上に形成される素子の全域にわたって、水素ま
   たは弗素のごときハロゲン元素が再結合中心中和用とし
   て０．０１モル％ないし５モル％添加された微結晶性を
   有すると共に、真性または実質的に真性の導電型を有す
   る半導体を形成してなる光吸収領域と、 前記半導体からなる光吸収領域上で、光照射方向から見
   て背部に形成された高濃度に添加された不純物領域から
   なるソース領域およびドレイン領域と、上記光吸収領域上でソース領域およびドレイン領域間に
   形成された絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、 から構成されていることを特徴とするフォト・トランジ
   スタ。
2. 【請求項２】 上記光吸収領域には、絶縁膜を介して電
   流を制御するゲート電極が形成されていることを特徴と
   する請求項１記載のフォト・トランジスタ。