JPH07105043B2 - 磁気ディスク基板の製造方法 - Google Patents
磁気ディスク基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH07105043B2 JPH07105043B2 JP20767987A JP20767987A JPH07105043B2 JP H07105043 B2 JPH07105043 B2 JP H07105043B2 JP 20767987 A JP20767987 A JP 20767987A JP 20767987 A JP20767987 A JP 20767987A JP H07105043 B2 JPH07105043 B2 JP H07105043B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- temperature
- synthetic resin
- flatness
- magnetic disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はコンピューターの外部記憶装置等に用いる磁気
ディスク用の基板の製造方法に関し、詳しくは合成樹脂
からなる磁気ディスク基板の製造方法に関する。
ディスク用の基板の製造方法に関し、詳しくは合成樹脂
からなる磁気ディスク基板の製造方法に関する。
［従来の技術］ 従来、硬質の磁気ディスク基板は、アルミニウム合金の
円盤が用いられている。該円盤は、熱処理により歪を矯
正したアルミニウム合金の円盤の表面をダイヤモンド切
削、または砥粒によるラッピング、およびポリッシング
等により鏡面研摩して仕上げ、すぐれた平滑性、平面性
を得ていた。
円盤が用いられている。該円盤は、熱処理により歪を矯
正したアルミニウム合金の円盤の表面をダイヤモンド切
削、または砥粒によるラッピング、およびポリッシング
等により鏡面研摩して仕上げ、すぐれた平滑性、平面性
を得ていた。
近年、磁気ディスク装置の小型化、記憶容量の高密度化
等の要求が益々高まりつつある。それに伴い基板も、よ
りすぐれた平滑性、平滑性等が要求されている。更に、
軽量化に対する要求も益々高まりつつある。
等の要求が益々高まりつつある。それに伴い基板も、よ
りすぐれた平滑性、平滑性等が要求されている。更に、
軽量化に対する要求も益々高まりつつある。
特に、軽量化の要求に対応する目的で特開昭59−135133
号公報、特開昭62−8327号公報、特開昭62−9921号公報
等に記載されているように、磁気ディスク基板を合成樹
脂で形成することが検討さている。
号公報、特開昭62−8327号公報、特開昭62−9921号公報
等に記載されているように、磁気ディスク基板を合成樹
脂で形成することが検討さている。
［発明が解決しようとする問題点］ アルミニウム合金に替わり、合成樹脂に基板に用いる場
合には、アルミニウム合金に比べて軽量であり、しかも
射出成形法などにより一工程ですぐれた平滑性、平面性
の磁気ディスク基板を安定に量産できる等の利点がある
が、その表面に磁性層を形成する際の加熱処理に対して
耐熱性が不足し、射出成形法などにより高精度に形成さ
れた平面性が悪化する等の欠点があった。これは用いる
合成樹脂の耐熱性が不十分であるため、加わる熱により
基板が変形したり、あるいは成形された基板に残留する
歪が、加わる熱により解放され基板を変形させること等
が原因とされている。
合には、アルミニウム合金に比べて軽量であり、しかも
射出成形法などにより一工程ですぐれた平滑性、平面性
の磁気ディスク基板を安定に量産できる等の利点がある
が、その表面に磁性層を形成する際の加熱処理に対して
耐熱性が不足し、射出成形法などにより高精度に形成さ
れた平面性が悪化する等の欠点があった。これは用いる
合成樹脂の耐熱性が不十分であるため、加わる熱により
基板が変形したり、あるいは成形された基板に残留する
歪が、加わる熱により解放され基板を変形させること等
が原因とされている。
かかる欠点を解決するため、特開昭62−8327号公報記載
の発明では無機質充填材を添加することが提案さている
が、無機充填材を添加すると成形品の耐熱性は改善され
るが、平滑性が著しく悪くなり、微小な窪み、突起等の
表面欠陥が多数発生し、その表面にスパッタリング等に
より磁性層を形成した磁気ディスクの磁性層表面が粗
く、ヘッドが衝突したりする危惧があった。
の発明では無機質充填材を添加することが提案さている
が、無機充填材を添加すると成形品の耐熱性は改善され
るが、平滑性が著しく悪くなり、微小な窪み、突起等の
表面欠陥が多数発生し、その表面にスパッタリング等に
より磁性層を形成した磁気ディスクの磁性層表面が粗
く、ヘッドが衝突したりする危惧があった。
また、特開昭62−9921号公報記載の発明では無機充填材
を添加した合成樹脂を射出成形する際、金型の表面のみ
を高周波誘導加熱装置を用い加熱して、表層に無機充填
材が混入しない基板を成形し、平滑性と耐熱性を改善す
ることが提案されている。この方法では特殊な加熱手段
を用いており、射出成形のサイクルが長くなるばかりで
なく、その表層に無機充填材が混入しないよう安定して
量産することは困難であった。
を添加した合成樹脂を射出成形する際、金型の表面のみ
を高周波誘導加熱装置を用い加熱して、表層に無機充填
材が混入しない基板を成形し、平滑性と耐熱性を改善す
ることが提案されている。この方法では特殊な加熱手段
を用いており、射出成形のサイクルが長くなるばかりで
なく、その表層に無機充填材が混入しないよう安定して
量産することは困難であった。
また、特開昭59−135133号公報記載の発明では比較的耐
熱性がすぐれた樹脂を用い、すぐれた平滑性と平面性を
同時に具備した磁気ディスク基板を提供することが提案
されているが、射出成形法では溶融した合成樹脂を金型
内に注入し賦形し、冷却する際、または成形品を金型か
ら取り出す際、成形品に歪を僅かでも残留させないよう
成形することは著しく困難であり、何らかの歪が残留す
るものである。そのため、磁性層を形成させるため基板
に磁性材料をスパッタリングする際、または磁性塗料を
塗布し加熱硬化する際、基板に加わる熱により、この残
留した歪が解放され基板を変形せしめ、平面性を悪化さ
せる。
熱性がすぐれた樹脂を用い、すぐれた平滑性と平面性を
同時に具備した磁気ディスク基板を提供することが提案
されているが、射出成形法では溶融した合成樹脂を金型
内に注入し賦形し、冷却する際、または成形品を金型か
ら取り出す際、成形品に歪を僅かでも残留させないよう
成形することは著しく困難であり、何らかの歪が残留す
るものである。そのため、磁性層を形成させるため基板
に磁性材料をスパッタリングする際、または磁性塗料を
塗布し加熱硬化する際、基板に加わる熱により、この残
留した歪が解放され基板を変形せしめ、平面性を悪化さ
せる。
また、特開昭61−20719号公報記載の発明では光ディス
ク用基板の耐熱性を改善し、アルミニウム蒸着の際にグ
ルーブの形状変化なしに平面性の変化を小さくするた
め、基板材料のガラス転移温度より30〜50℃低い温度で
アニーリングすることが提案されている。一般に、平面
性は光ディスク基板では100μ前後以下の値が要求され
るのに対し、磁気ディスク基板では30μ前後以下の高精
度なレベルが要求される。該提案の方法では磁気ディス
ク基板に要求される高精度なレベルの平面性を安定して
得ることは困難であった。また、該提案のアニーリング
は、基板が次工程で高温度の環境下におかれたときに、
平面性等が悪くなるのを抑える効果を提案しているもの
であり、アニーリングそのものにより平面性等を改善す
る効果を望むことはできなかった。
ク用基板の耐熱性を改善し、アルミニウム蒸着の際にグ
ルーブの形状変化なしに平面性の変化を小さくするた
め、基板材料のガラス転移温度より30〜50℃低い温度で
アニーリングすることが提案されている。一般に、平面
性は光ディスク基板では100μ前後以下の値が要求され
るのに対し、磁気ディスク基板では30μ前後以下の高精
度なレベルが要求される。該提案の方法では磁気ディス
ク基板に要求される高精度なレベルの平面性を安定して
得ることは困難であった。また、該提案のアニーリング
は、基板が次工程で高温度の環境下におかれたときに、
平面性等が悪くなるのを抑える効果を提案しているもの
であり、アニーリングそのものにより平面性等を改善す
る効果を望むことはできなかった。
本発明は、上述の従来法では同時に解決することが困難
であったすぐれた平滑性と平面性を同時に具備し、微小
な窪み、突起等の表面欠陥が殆ど無く、かつ磁性層を形
成する際に加熱処理してもその平面性が殆ど変わらない
合成樹脂からなる磁気ディスク基板の製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
であったすぐれた平滑性と平面性を同時に具備し、微小
な窪み、突起等の表面欠陥が殆ど無く、かつ磁性層を形
成する際に加熱処理してもその平面性が殆ど変わらない
合成樹脂からなる磁気ディスク基板の製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、すぐれた平滑性と平面性を同時に具備し、微
小な窪み、突起等の表面欠陥が殆ど無く、かつ磁性層を
形成する際に加熱処理しても平面性が殆ど変わらない合
成樹脂からなる磁気ディスク基板を得るために、その要
旨は、合成樹脂からなる磁気ディスク基板を金型を使用
して成形するに際し、金型温度（Td:単位＝℃）を Tg−60≦Td≦Tg−20 （ここでTgとは、用いる合成樹脂のガラス転移温度を示
す。） に設定して基板を成形し、次いで得られた基板をTd＋10
以上、Tg−10以下の温度でアニーリングすることにあ
る。
小な窪み、突起等の表面欠陥が殆ど無く、かつ磁性層を
形成する際に加熱処理しても平面性が殆ど変わらない合
成樹脂からなる磁気ディスク基板を得るために、その要
旨は、合成樹脂からなる磁気ディスク基板を金型を使用
して成形するに際し、金型温度（Td:単位＝℃）を Tg−60≦Td≦Tg−20 （ここでTgとは、用いる合成樹脂のガラス転移温度を示
す。） に設定して基板を成形し、次いで得られた基板をTd＋10
以上、Tg−10以下の温度でアニーリングすることにあ
る。
本発明に用いる合成樹脂としては、ポリエーテルイミ
ド、ポリエーテルサルホン、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポ
リカーボネート等の耐熱性にすぐれた合成樹脂を好適に
用いることができる。また、必要に応じて無機質充填
材、例えば、チタン酸カリウムウィスカ、炭素繊維、Si
−Ｃ繊維、アルミナ繊維等のセラミック繊維、ガラス繊
維、金属繊維等の繊維状物質、ガラスビーズ、セラミッ
ク粉末、カーボン、マイカ等々を適宜添加してもよい。
ド、ポリエーテルサルホン、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポ
リカーボネート等の耐熱性にすぐれた合成樹脂を好適に
用いることができる。また、必要に応じて無機質充填
材、例えば、チタン酸カリウムウィスカ、炭素繊維、Si
−Ｃ繊維、アルミナ繊維等のセラミック繊維、ガラス繊
維、金属繊維等の繊維状物質、ガラスビーズ、セラミッ
ク粉末、カーボン、マイカ等々を適宜添加してもよい。
本発明において、金型温度は、用いる合成樹脂のガラス
転移温度より60℃低い温度以上で、該合成樹脂のガラス
転移温度より20℃低い温度以下である。好適には、用い
る合成樹脂のガラス転移温度より40℃低い温度以上で、
該合成樹脂のガラス転移温度より20℃低い温度以下であ
る。
転移温度より60℃低い温度以上で、該合成樹脂のガラス
転移温度より20℃低い温度以下である。好適には、用い
る合成樹脂のガラス転移温度より40℃低い温度以上で、
該合成樹脂のガラス転移温度より20℃低い温度以下であ
る。
上記金型温度が該合成樹脂のガラス転移温度より60℃低
い温度未満の温度では、射出成形法による場合は溶融し
て流動状態になった合成樹脂が金型内に注入されたとき
に、金型表面に接触した合成樹脂が急激に冷却されるた
め、成形された基板の表面が粗い凹凸状態となるばかり
でなく、微小な窪み、突起等の表面欠陥が多数発生す
る。該基板の表面に磁性層を形成しても磁性層の表面は
粗い凹凸の状態となりヘッドが衝突したり、所定の信号
を書き込み、次いで読み出す場合に出力が安定せず、さ
らにビットエラーが多数発生する。
い温度未満の温度では、射出成形法による場合は溶融し
て流動状態になった合成樹脂が金型内に注入されたとき
に、金型表面に接触した合成樹脂が急激に冷却されるた
め、成形された基板の表面が粗い凹凸状態となるばかり
でなく、微小な窪み、突起等の表面欠陥が多数発生す
る。該基板の表面に磁性層を形成しても磁性層の表面は
粗い凹凸の状態となりヘッドが衝突したり、所定の信号
を書き込み、次いで読み出す場合に出力が安定せず、さ
らにビットエラーが多数発生する。
また、上記金型温度をガラス転移温度より20℃低い温度
を越えて成形すると、微小な窪み、突起等の表面欠陥は
殆ど無いが、金型から成形された基板を取り出すとき
に、変形が大きく、平面性の悪い基板しか得らず、該基
板をアニーリングしても所望の平面性が得られない。
を越えて成形すると、微小な窪み、突起等の表面欠陥は
殆ど無いが、金型から成形された基板を取り出すとき
に、変形が大きく、平面性の悪い基板しか得らず、該基
板をアニーリングしても所望の平面性が得られない。
また、本発明において合成樹脂からなる磁気ディスク基
板を得る成形法としては、射出成形法、圧縮成形法また
はそれらの複合された成形法が用いられ、適宜選択され
る。
板を得る成形法としては、射出成形法、圧縮成形法また
はそれらの複合された成形法が用いられ、適宜選択され
る。
また、本発明においては、上記の温度範囲に設定された
金型により成形された基板を金型温度より10℃高い温度
以上で、該合成樹脂のガラス転移温度より10℃低い温度
以下の温度でアニーリングを施す。
金型により成形された基板を金型温度より10℃高い温度
以上で、該合成樹脂のガラス転移温度より10℃低い温度
以下の温度でアニーリングを施す。
かくして得られた基板は、成形の際その内部に残留した
歪が殆ど解放され、成形により得られた平面性が向上す
る。さらに、耐熱性も改善され、磁性層を形成する際に
加わる熱によっても、その平面性は殆ど変わらなくな
る。
歪が殆ど解放され、成形により得られた平面性が向上す
る。さらに、耐熱性も改善され、磁性層を形成する際に
加わる熱によっても、その平面性は殆ど変わらなくな
る。
上記アニーリング温度が金型温度より10℃高い温度未満
の温度では、成形の際に基板に残留した歪が十分に解放
されないため、金型温度が比較的低いときは耐熱性が改
善されない。また、金型温度が比較的高いときは平面性
が改善されない。
の温度では、成形の際に基板に残留した歪が十分に解放
されないため、金型温度が比較的低いときは耐熱性が改
善されない。また、金型温度が比較的高いときは平面性
が改善されない。
また、該合成樹脂のガラス転移温度より10℃低い温度を
越えてアニーリングすると、耐熱性は著しく改善される
が、平面性は反対に悪くなる。
越えてアニーリングすると、耐熱性は著しく改善される
が、平面性は反対に悪くなる。
本発明におけるアニーリングとは、射出成形法等で得ら
れた基板を所定の温度に設定した恒温槽内に所定時間放
置させる熱処理を示す。この恒温槽としては熱風式の恒
温槽の他、熱水、油等の溶媒を使用したものでもよい。
また、放置の際、基板は水平または垂直状態いずれの状
態でも放置させることができる。
れた基板を所定の温度に設定した恒温槽内に所定時間放
置させる熱処理を示す。この恒温槽としては熱風式の恒
温槽の他、熱水、油等の溶媒を使用したものでもよい。
また、放置の際、基板は水平または垂直状態いずれの状
態でも放置させることができる。
［作用］ 本発明では、まず用いる合成樹脂のガラス転移温度より
60℃低い温度以上で、該合成樹脂のガラス転移温度より
20℃低い温度以下の温度範囲に設定した金型で所定の形
状に賦形されるため、平滑性がすぐれ、微小な窪み、突
起等の表面欠陥が殆ど無いが、平面性が若干不足した基
板が成形される。これは、金型内では所定の平面度を有
するよう賦形されるが、成形品を金型から取り出す際に
加わる僅かな外力による変形が発生したり、取り出し後
放置して室温まで冷却させる際に基板の表裏に僅かな温
度差が生じて反りが発生したりするためである。その結
果として、基板内に歪が残留する。次工程で該変形、反
りが発生した温度を十分上回る温度でアニーリング処理
することにより、基板内に残留する歪を解放し、変形、
反りを解消させ、金型内で賦与された平面性まで回復さ
せることができる。
60℃低い温度以上で、該合成樹脂のガラス転移温度より
20℃低い温度以下の温度範囲に設定した金型で所定の形
状に賦形されるため、平滑性がすぐれ、微小な窪み、突
起等の表面欠陥が殆ど無いが、平面性が若干不足した基
板が成形される。これは、金型内では所定の平面度を有
するよう賦形されるが、成形品を金型から取り出す際に
加わる僅かな外力による変形が発生したり、取り出し後
放置して室温まで冷却させる際に基板の表裏に僅かな温
度差が生じて反りが発生したりするためである。その結
果として、基板内に歪が残留する。次工程で該変形、反
りが発生した温度を十分上回る温度でアニーリング処理
することにより、基板内に残留する歪を解放し、変形、
反りを解消させ、金型内で賦与された平面性まで回復さ
せることができる。
［実施例］ 以下実施例を示し、本発明を更に詳細に説明する。
実施例１ ポリエーテルイミド樹脂（ガラス転移温度:215℃）を、
金型温度を表１に示した条件に設定した射出成形機によ
り成形し、厚さ1.9mm、内径40mm、外径130mmのドーナツ
円盤状の基板を得た。
金型温度を表１に示した条件に設定した射出成形機によ
り成形し、厚さ1.9mm、内径40mm、外径130mmのドーナツ
円盤状の基板を得た。
得られた基板を表１に示した温度条件に設定した熱風循
環式の恒温槽内に２時間放置してアニーリング処理をし
た。得られた基板をフィゾー型光干渉平面度計（ニデッ
ク社製）を用いて平面性を測定した。また、微分干渉顕
微鏡で表面の状態を観察して、直径20μ以上の凹凸の個
数を調べ、その個数を表面欠陥の数とした。
環式の恒温槽内に２時間放置してアニーリング処理をし
た。得られた基板をフィゾー型光干渉平面度計（ニデッ
ク社製）を用いて平面性を測定した。また、微分干渉顕
微鏡で表面の状態を観察して、直径20μ以上の凹凸の個
数を調べ、その個数を表面欠陥の数とした。
その結果を表２に示した。
実施例２ ポリエーテルサルホン樹脂（ガラス転移温度:217℃）を
金型温度を170℃に設定した射出成形機により成形し、
厚さ1.9mm、内径40mm、外径130mmのドーナツ円盤状の基
板を得た。次いで195℃の温度に設定した熱風循環式の
恒温槽で２時間アニーリング処理した。アニーリング前
の平面性は90μであったが、アニーリング後の平面性は
30μとなった。また、表面欠陥は20個であった。
金型温度を170℃に設定した射出成形機により成形し、
厚さ1.9mm、内径40mm、外径130mmのドーナツ円盤状の基
板を得た。次いで195℃の温度に設定した熱風循環式の
恒温槽で２時間アニーリング処理した。アニーリング前
の平面性は90μであったが、アニーリング後の平面性は
30μとなった。また、表面欠陥は20個であった。
実施例３ 実施例１、２で得られた基板にγ−Fe2O3を磁性材料と
する磁性塗料をスピンコート法により均一に塗布した
後、200℃で２時間加熱硬化処理を施し、磁気ディスク
を作成した。
する磁性塗料をスピンコート法により均一に塗布した
後、200℃で２時間加熱硬化処理を施し、磁気ディスク
を作成した。
得られた磁気ディスクの平面性を測定し、表３に示し
た。
た。
［効果］ 以上のように、本発明は合成樹脂からなる磁気ディスク
基板を特定の金型温度とアニーリング温度を組み合わせ
て成形することにより、アニーリングにより平面性が向
上し、さらに耐熱性が改善され、平滑性、平滑性にすぐ
れ、微小な窪み、突起等の表面欠陥が殆ど無い磁気ディ
スク基板を得ることができるのみならず、磁性層を形成
し磁気ディスクとなす際の加熱処理によっても殆ど平面
性が変わらない磁気ディスク基板を得ることができる。
基板を特定の金型温度とアニーリング温度を組み合わせ
て成形することにより、アニーリングにより平面性が向
上し、さらに耐熱性が改善され、平滑性、平滑性にすぐ
れ、微小な窪み、突起等の表面欠陥が殆ど無い磁気ディ
スク基板を得ることができるのみならず、磁性層を形成
し磁気ディスクとなす際の加熱処理によっても殆ど平面
性が変わらない磁気ディスク基板を得ることができる。
Claims (1)
- 【請求項１】合成樹脂からなる磁気ディスク基板を金型
を使用して成形するに際し、金型温度を、該合成樹脂の
ガラス転移温度より60℃低い温度以上で、該合成樹脂の
ガラス転移温度より20℃低い温度以下の温度に設定して
基板を成形し、次いで得られた基板を該金型温度より10
℃高い温度以上で、該合成樹脂のガラス転移温度より10
℃低い温度以下の温度でアニーリングすることを特徴と
する磁気ディスク基板の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20767987A JPH07105043B2 (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20767987A JPH07105043B2 (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6450236A JPS6450236A (en) | 1989-02-27 |
| JPH07105043B2 true JPH07105043B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=16543776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20767987A Expired - Lifetime JPH07105043B2 (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105043B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6127017A (en) * | 1997-04-30 | 2000-10-03 | Hitachi Maxell, Ltd. | Substrate for information recording disk, mold and stamper for injection molding substrate, and method for making stamper, and information recording disk |
-
1987
- 1987-08-20 JP JP20767987A patent/JPH07105043B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6450236A (en) | 1989-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100329004B1 (ko) | 정보기억매체용 글라스세라믹 기판 | |
| US4254189A (en) | Disc having substrate, intermediate layer and magnetically sensitive layer wherein intermediate layer has melting point less than annealing temperature of substrate but higher than processing temperature of magnetically sensitive layer | |
| JP2516553B2 (ja) | 磁気ディスク用結晶化ガラスおよびその製造方法 | |
| US20110102945A1 (en) | Magnetic disk substrate, method for manufacturing the same, and magnetic disk | |
| CN102030459B (zh) | 制造用于信息记录介质的基板的玻璃毛坯的方法及设备 | |
| JPS6035333A (ja) | 磁気ディスク用基板 | |
| JPH07105043B2 (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
| US20010007723A1 (en) | Glass substrate for magnetic recording medium, manufacturing method thereof, and magnetic recording medium incorporating the glass substrate | |
| JP2001167430A (ja) | 磁気ディスク用基板およびその製造方法 | |
| US5268071A (en) | Process of producing a magnetic disk substrate | |
| JPH0814890B2 (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
| JPH10194763A (ja) | 肉薄板状ガラスの製造方法 | |
| JPS5938649B2 (ja) | 磁気記憶体およびその製造方法 | |
| CN109712648B (zh) | 研磨用的坯体及其制造方法、金刚石研磨坯的制造方法 | |
| JPH03122007A (ja) | 炭素材の製造方法 | |
| JPS5835726A (ja) | 磁気デイスク | |
| JPS58151222A (ja) | 光デイスク用プラスチツク基板成形法 | |
| JPH01230471A (ja) | 炭素材及びそ製造方法 | |
| JPS6278716A (ja) | ジルコニア製磁気デイスク基板及びその製法 | |
| JPS62234232A (ja) | 磁気デイスク基板およびその製造方法 | |
| JPS63255816A (ja) | 磁気デイスク用基板の製造方法 | |
| JP3335262B2 (ja) | 磁気記録媒体用基板及びその製造方法 | |
| JPH11189423A (ja) | ガラス基板の作製方法 | |
| JP2594532B2 (ja) | 磁気デイスク及びその製造方法 | |
| EP0404741A1 (en) | Low wear closure glass for magnetic tape heads |