JPH07101525B2 - 光磁気情報再生装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、磁気光学効果を利用して記録媒体に磁気的に
記録された情報を再生する光磁気情報再生装置に関す
る。

〔従来技術〕

近年、半導体レーザ光により記録再生を行なう光メモリ
は、高密度記録メモリとして、実用化への研究開発が盛
んである。この内、既に製品化されたコンパクトデイス
ク等に代表される再生専用光デイスクやDRAWタイプ光デ
イスクとともに、特に消去・書き換えが可能な光磁気デ
イスクが有望視されてきている。光磁気デイスクは、レ
ーザスポツト照射による磁性薄膜の局所的温度上昇を利
用して磁気的に情報を記録し、磁気光学効果（特にカー
効果）により情報を再生するものである。ここでカー効
果とは、光が磁気記録媒体によって反射された場合に、
偏光面が回転する現象をさす。

従来の光磁気デイスク装置の基本的構成を第９図に示
す。第９図において、１は半導体レーザ、２はコリメー
タレンズ、11はハーフミラー、４は対物レンズ、６は光
磁気記録媒体、７は検光子、８は集光レンズ、９は光検
出器で、Ｐ偏光方向は紙面に平行、Ｓ偏光方向は垂直で
ある。

次に、上記装置において、光磁気情報を再生する場合に
ついて説明する。半導体レーザ１からＰ偏光方向の直線
偏光として射出された光束は、コリメータレンズ２によ
り平行光束とされ、ハーフミラー11を通過する。Ｐ偏光
成分振幅透過率をt_P、Ｓ偏光成分振幅透過率をt_Sとすれ
ば、11においては|t_P|²＝|t_S|²＝0.5である。光束は、
対物レンズ４により、光磁気記録媒体６上に微小なスポ
ツトとして結像される。媒体６上にあらかじめ磁区（ピ
ツト）が形成されている場合には、第10図に示す様に媒
体６からの反射光は、カー効果によりスポツト照射領域
の磁化方向（上向きか又は下向きか）に応じて、各々±
θ_Ｋの偏光面の回転を受ける。ここで記録媒体６の振幅
反射率のＰ偏光成分をＲ、Ｓ偏光成分をＫとすれば、次
式が成り立つ。

光磁気変調された反射光は、対物レンズ４で再び平行光
束とされ、ハーフミラー11で反射された後、検光子７で
強度変調された光束に変換される。すなわち、第10図に
おいて反射光束は、その振幅の検光子光学軸への正射影
として検光されるので、光磁気媒体への入射光強度を
I_O、検光子の光学軸のＰ偏光方向からの角度θ_Ａを信号
光が最大となる様に45゜に設定すれば、カー回転角±θ
_Ｋに応じて、検光子を透過した光束の強度Ｉ＋θ_K,I−
θ_Ｋは各々、（２）式のようにあらわせる。

θ_Ｋ≒１゜であるから、|R|²≫|K|²が成り立つので、
（２）式は、 とあらわせる。（３）式の括弧内第２項が光磁気変調成
分、第１項が比変調成分である。このように強度変調に
変換された光束は、集光レンズ８を経て、光検出器９に
より光磁気信号として検出される。

しかしながら、このような、従来の偏光特性を持たない
ハーフミラー11を用いた光学系では、以下の様な欠点が
あった。

１）カー回転角θ_Ｋは１゜程度であり、これによる光磁
気変調成分は非常に微小な量であるので、偏光特性を持
たないハーフミラーを通過することにより、光磁気変調
成分の光量が半分以上損なわれ、検出信号のC/N（搬送
波と雑音との比）が低下する。

２）検出信号に重畳される雑音は、複数の種類があり、
それぞれ異なったθ_Ａ依存性をもつので、これらを考慮
せずに信号が最大となるθ_Ａ＝45゜に検光子光学軸を設
定したのでは、検出信号のC/Nが低下する。

３）C/Nが低いため、従来の装置は光磁気信号の検出に
複雑な検出系、例えば作動検出や増幅作用をもつ光検出
器（アバランシフオトダイオードなど）を用いた検出を
行なわなければならず、コスト面及び信頼性で不利であ
る。

〔発明の概要〕

本発明の目的は、上記従来技術の欠点を改良し、ピンフ
オートダイオードなどの増幅作用のない安価な光検出器
を用いて、簡単な構成でC/Nの良好な光磁気信号の再生
が可能な光磁気情報再生装置を提供することにある。

本発明の上記目的は、光磁気情報再生装置を、所定の方
向に偏光した光束を磁気的に情報が記録された記録媒体
上に照射する手段と、磁気光学効果により前記情報に応
じて偏光状態に変調を受けた前記記録媒体からの反射又
は透過光束を、その偏光成分に応じた所定の割合で反射
および透過する偏光ビームスプリツタと、該偏光ビーム
スプリツタで反射された光束を検光する検光手段と、該
検光手段を透過した光束を光電検出する増幅作用のない
光検出器と、前記光検出器の検出信号を増幅し前記情報
を再生する増幅手段とから構成し、前記偏光ビームスプ
リツタの偏光反射率−透過率特性及び検出手段の光学軸
方位を以下の式を満足するように設定することによって
達成される。即ち、光検出器が偏光ビームスプリツタの
反射光を検出する場合、 又、光検出器が偏光ビームスプリツタの透過光を検出す
る場合、 である。但し、ここで、前記検出手段の光学軸と前記所
定の方向とのなす角度をθ_Ａ、前記偏光ビームスプリツ
タの前記所定方向の偏光成分に対する振幅反射率及び振
幅透過率を各々r_P,t_S、前記所定方向と垂直方向の偏光
成分に対する振幅反射率及び振幅透過率を各々r_S,t_P、
前記光検出器に入射する磁気光学効果により変調を受け
ない偏光成分強度の平均を_Ｒ、光磁気信号観測周波数
におけるこの強度ゆらぎの２乗平均を△I² _R, 前記記録媒体上における入射光束の光量をI_O、前記記録
媒体の振幅反射率をＲ、前記偏光ビームスプリツタ及び
検光手段を除く記録媒体より光検出器に至る光学系の光
利用効率をε、前記光検出器の光電変換効率をｋ、光磁
気信号観測周波数における前記増幅手段の熱雑音をＴ、
検出信号のバンド幅を△Ｂ、前記検光手段の振幅透過率
をt_A、同じく検光手段の消光比η_Ａとした。

〔実施例〕

以下、本発明を図面を用いて詳細に説明する。第１図及
び第２図は、本発明に基づく光磁気情報再生装置の第１
実施例を示し、夫々第１図は光学系の概略構成図、第２
図は信号処理回路の概略構成図である。第１図におい
て、21は半導体レーザ、22はコリメータレンズ、12は偏
光ビームスプリッタ、24は対物レンズ、26は光磁気記録
媒体、27は検光子、28は集光レンズ、29はピントフオト
ダイオード等の増幅作用のない光検出器で、Ｐ偏光方向
は紙面に平行、Ｓ偏光方向は垂直である。また、13は検
光子27を透過した光束を示し、この検出光束13は第２図
の様に光検出器29で光電変換され、負荷抵抗16を含む増
幅器15によって電圧増幅されて、端子14より再生信号と
して出力される。

上記装置において、半導体レーザ21はＰ偏光光束を出射
する。この出射光束は、コリメータレンズ22で平行光と
なり、偏光ビームスプリツタを透過して、対物レンズ24
によって記録媒体26上に強度I_Oの光スポツトとして照射
される。そして、記録媒体26で反射された光束は、該記
録媒体26に磁気的に記録された情報に応じて偏光状態に
変調を受け、再び対物レンズ24を通って偏光ビームスプ
リツタ12で反射し、検光子27に導かれる。検光子27を通
過した検出光13は強度変調され、集光レンズ28を介して
光検出器29で受光される。ここで、前記偏光ビームスプ
リツタのＰ偏光及びＳ偏光の振幅透過率を各々t_P,t_P、
振幅反射率を各々r_P,r_S、前記検光子27の振幅透過率をt
_A（P,S偏光方向で同等）、消去比をη_Ａとすると、前記
検出光13の強度は、以下の（４）式で表せる。

|R|^{2 ＝}≫|K|²であることを考慮して（４）式は とあらわされる。

（５）式は括弧内第２項が光磁気変調成分、第１項が非
変調成分であり、各々の強度をI_K、I_Rとおくことにす
る。

I_R≒I_O|t_A|²|R|²|r_p|²（cos²θ_Ａ＋η_Asin²θ_Ａ）
（７） なお、入射光I_Oは所定の光量となる様に偏光ビームスプ
リツタの振幅透過率t_P,t_Sにかかわらず、半導体レーザ
の出力を調節するものとする。

このように強度変調された光束は、第２図に示す光検出
器29で光電流に変換される。光電変換効率κは、ｅを電
荷量、ｈをプランク定数、ρを光検出器の量子効率、ν
を光束の振動数として次式で与えられる。

本発明では、検出信号に重畳される雑音を多数の実験に
より詳細に検討した結果、雑音には以下に示す４種があ
り、それぞれ異なった検光子の方位角角度θ_Ａ存在性を
もつことが判明した。

１）非変調成分光I_Rの２乗平均強度ゆらぎ△I² _Rに起因
する雑音 ２）変調成分光I_Kの２乗平均強度ゆらぎ△I² _Kに起因す
る雑音 ３）光検出器のシヨツト雑音 ４）増幅器による熱雑音 １）の△I² _Rによる雑音及び２）の△I² _Kによる雑音は、
記録媒体の表面粗さや不均質性、半導体レーザーの強度
変動等により生じ、媒体や半導体レーザーなどの雑音源
によって決まる定数を各々、ξ，ζ、非変調成分、変調
成分の実効値の平均を各々_R,_Ｋとすれば、次式が成
り立つ。

但し、△Ｂは検出信号のバンド幅である。

△I² _Rに起因する雑音、△I² _Kに起因する雑音、シヨツト
雑音、熱雑音を各々F_R,F_K,S,Tとすれば次式であらわせ
る。

Ｓ＝2eκ_Ｒ△Ｂ （13） 但し、ｋはボルツマン定数、Teは等価雑音温度、R_fは負
荷抵抗16の抵抗値である。

（６），（７）式により、検光子光学軸方位角θ_Ａ及び
消光比η_Ａについて、光磁気変調成分強度I_Kは（１−η
_Ａ）sin2θ_Ａ、非変調成分強度I_Rはcos²θ_Ａ＋η_Asin²
θ_Ａの依存性をもつことから、各雑音のθ_Ａ依存性は、
次の様にあらわせる。

F_R∝（cos²θ_Ａ＋η_Asin²θ_Ａ）^２ （15） F_K∝（１−η_Ａ）sin2θ_Ａ （16） Ｓ∝cos²θ_Ａ＋η_Asin²θ_Ａ （17） Ｔ＝一定 （18） これらを用いて、C/Nをデジベル表示であらわせば、次
の様になる。

（19）式のC/Nは、偏光ビームスプリツタの振幅反射率r
_P,r_S及び検光子光学軸のＰ偏光方向からの傾きθ_Ａの関
数となるので、（19）式を各々|r_P|,|r_S|,θ_Ａで偏微分
して、極大値を求めてやればよい。

以下の条件で、C/Nを最大値とする事ができる。

０|r_p|²１ （21） |r_s|²＝１ （22） 第３図は、本発明の第２実施例を示す光学系の概略構成
図である。本実施例は前述の第１実施例を偏光ビームス
プリツタ12の透過光束を検出するように変形したもの
で、第３図において第１図と同一の部材には同一の符号
を付し、詳細な説明は省略する。また信号処理回路は第
２図に示すものと同様のものを用いることが出来る。

本実施例の場合は、半導体レーザー21の偏光方向を、紙
面に垂直なＳ偏光方向とし、第１図の説明文中で使用し
たP,S偏光方向を各々置きかえて考えれば良い。但し、
（４）〜（７）式においては、r_pをt_s,r_sをt_pと置き換
える必要がある。即ち、 I_R≒I_O|t_A|²|R|²|t_s|²（cos²θ_Ａ＋η_Asin²θ_Ａ） （2
5） （19）式のC/Nは偏光ビームスプリツタの振幅透過率t_s,
t_p及び検光子光学軸のＰ偏光方向からの傾きθ_Ａの関数
となるので、（19）式を各々|t_s|,|t_p|,θ_Ａで微分して
極大値を求めてやればよい。従って、以下の条件でC/N
を最大値とすることができる。

０|t_s|²１ （27） |t_p|²＝１ （28） 第４図は、本発明の第３実施例を示す概略構成図であ
る。第４図において第１図と同一の部材には同一の符号
を付し、詳細な説明は省略する。本実施例においても、
光検出器29以後の信号処理系は第２図示の如く構成され
る。

本実施例では、第１実施例の偏光ビームスプリツタ12の
代わりに、ビーム整形機能を有する偏光ビームスプリツ
タ23を用いたものである。これにより、楕円形の遠視野
像をもつ半導体レーザー21の光束を、記録媒体26上に効
率良く円形スポツトとして結像することができる。ま
た、面ａは光検出器29に迷光が入射しない様に所定の角
度傾けてある。

記録媒体26上にはトラツキング様の集光された溝（不図
示）が紙面に垂直方向に形成されており、対物レンズ24
により記録媒体26上に集光された光束は、この溝より回
折される。25は、トラツクずれによって生ずる±１次回
折光のアンバランスを検出するための光検出器であり、
対物レンズ24の開口周縁に固定されている。このため対
物レンズ24がトラツク溝と垂直方向に移動しても、トラ
ツキングエラー信号にオフセツトを生じない利点があ
る。

光検出器29はSi−ピンフオトダイオードなどの増幅作用
のない光検出器であり、光磁気信号及びフオーカスエラ
ー信号の検出を行う。フオーカスエラー検出には公知の
方法を用いるが、本発明との直接の関係はないので詳細
な説明は省略する。

第１図の説明においては、信号レベル低下は、記録媒体
及び光学系により生じないとしたが、実際の光学系でC/
Nを正確に予想するうえでは、考慮しなければならな
い。信号レベル低下の原因としては、次の２点が考えら
れる。

１）光量損失（吸収やケラレによる振幅の低下） ２）Ｐ−Ｓ偏光間位相差 光磁気変調成分強度の低下には１）及び２）が寄与し、
非変調成分強度の低下には１）のみが寄与する。

光磁気非変調成分強度の低下（光量の損失）を評価する
ため、光利用効率ε_Ｒを定義する。本発明では、光利用
高率として記録媒体上の光量と光検出器に到達する光量
の比に注目していることに注意されたい。本実施例では
ε_Ｒを求める際に以下の点を考慮した。

１）トラツキング用溝（ピツチ1.6μｍ、深さλ/8、λ
＝835nm）からの回折光が対物レンズ入射瞳内に入射す
る割合、これを光利用効率ε_Ｏとする。

２）記録媒体から光検出器に至る光路中にある偏光ビー
ムスプリツタ及び検光子を除くｎ個の光学素子のＰ偏光
方向振幅透過率（または反射率）の２乗の光路に沿った
積を考え、光利用効率ε_１とする。ｉ番目の光学素子の
振幅透過率をt_Pi、反射率をγ_Ｐとすれば、ε_１は次式
であらわせる。

（30）式においてｉ番目の光学素子で光束が反射される
場合には|t_Pi|²のかわりに|r_Pi|²を代入すればよい。な
お、偏光ビームスプリツタの偏光特性|r_P|²及び検光子
の透過率はC/N計算の際変化量として取り扱うので、ε
_１から除外してある。

１）,2）より光磁気非変調成分の光利用効率εＲは次式
であらわせる。

ε_Ｒ＝ε_０ε_１ （31） 次に光磁気変調成分の強度低下を考える。そのためには
光量損失の他にＰ−Ｓ偏光間の位相差について考慮しな
ければならない。例えば、第５図に示す用に記録媒体か
らの反射光は、一般的には第10図で示した様な直線偏光
ではなく、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分の間に生ずる位相差
により、長軸がカー回転角θ_Ｋだけ傾いた楕円偏光とな
ることが知られている。即ち、記録媒体の振幅反射率の
P,S偏光成分R,Kは（32）式の様にあらわせる。

但し、α₀,β_０は各振幅反射率の位相成分である。

この場合カー回転角θ_Ｋは、 とあらわせる。Δ_０＝ｎπ（ｎ＝整数）ならば記録媒体
からの反射光は直線偏光となるが、それ以外の場合には
θ_Ｋを減少させ好ましくない。

光学素子についても全く同様なことがいえて、本実施例
では光磁気変調数分の強度低下を評価するため、光利用
効率ε_Ｋを定義し、ε_Ｋを求める際以下の点を考慮し
た。

即ち、光磁気変調成分に対しては、記録媒体から光検出
器に至る光路中にある偏光ビームプリツタ及び検光子を
除くｎ個の光学素子のP,S偏光方向振幅透過率（または
反射率）の光路に沿った積を考え、光利用効率ε_２とす
る。ｉ番面の光学素子のP,S偏光方向振幅透過率を夫々t
_pi,t_Si（反射率ならr_pi,r_Si）とすれば、次式が成り立
つ。

（34）式を用いてε_２を次式の様にあらあす。

（35）式において、ｉ番目の光学素子で光束が反射され
る場合には|t_pi|,|t_Si|のかわりに、|r_pi|,|t_Si|と代入
すればよい。なお偏光ビームスプリツタの偏光特性及び
検光子の透過率はC/N計算の際に変化量として取り扱う
のでε_２から除外してある。

これより光磁気変調成分の利用効率ε_Ｋは次式であらわ
される。

ε_Ｋ＝ε_０ε_２ （36） 偏光ビームスプリツタに関しては、P,S偏光方向振幅反
射率を各々γ_P,γ_Ｓとすれば、 但し、γ，δは各振幅反射率の位相成分である。以上よ
り光磁気変調成分、非変調成分の強度を各々I_K,I_Rとす
れば、 I_R≒I_Oε_０ε_１・|r_p|²|R|²（cos²θ_Ａ＋η_Asin²θ_Ａ） ＝I_Oε_R|r_p|²|R|²（cos²θ_Ａ＋η_Asin²θ_Ａ） （39） とあらわされる。

（38），（39）式を（19）式に代入して、C/Nを最大と
する偏光ビームスプリツタの偏光特性及び検光子の光学
軸のＰ偏光方向からの角度θ_Ａを求めると次の様にな
る。

０|r_p|²１ （41） |r_s|²＝１ （42） 以下に計算条件を示す。

半導体レーザ21はＳ波長λ＝835nmであり、記録媒体26
上で入射光量I_O＝２×10^-3Wとなる様に、偏光ビームス
プリツタ透過率|t_P|²にかかわらず出力を調節されてい
る。

記録媒体26にはGdTbFeCoが用いられ、|R|²＝0.12、θ_Ｋ
＝0.74゜P,S偏光方向振幅反射率の位相成分α₀,β_０の
位相差△_０は△_０＝20゜である。

光利用効率ε_０はトラツキング用溝（ピツチ1.6μｍ、
深さλ/8）からの回折光をN.A.＝0.5の対物レンズで受
ける場合、ε_０＝0.6となる。光利用効率ε_１記録媒体
から光検出器に至る光路中にある偏光ビームスプリツタ
及び検光子を除く光学素子の透過率の積を考えε_１＝0.
79となる。

光利用効率ε_２は、記録媒体から光検出器に至る光路中
にある偏光ビームスプリツタ及び検光子を除く光学素子
のP,S振幅透過率の積を考えればよい。本実施例では透
過の際にＰ−Ｓ偏光に位相差を与える光学素子はないの
で また、|t_Pi|＝|t_Si|であるからε_２＝0.79となる。

光検出器25は、光電変換効率ｋ＝0.54のSi−ピンフオト
ダイオードである。記録媒体や半導体レーザーなどの雑
音源によって決まる定数ξ及びζは、各々以下の様に与
えられる。

ξ＝２×10^-13（R.I.N.） ζ＝１×10^-11（R.I.N.） また、熱雑音Ｔは、ボルツマン定数ｋ＝1.38×10^-23、
透過雑音温度Te＝300〔Ｋ〕、負荷抵抗R_f＝１×10
⁵〔Ω〕、信号検出のバンド幅△Ｂ＝３×10⁴〔1/Hz〕と
して、Ｔ＝５×10^-21と与えられる。なお、光検出器の
もつ容量などにより熱雑音Ｔは（14）式の様な簡単な形
で記述できないこともあるのでそのような場合はこれに
従う必要はない。検光子の透過率|t_A|²＝0.84、消光比
η_Ａ＝１×10^-3である。

第６図は（40），（41），（42）式で与えられる偏光特
性、|r_P|²＝0.18,|r_s|²＝１をもった偏光ビームスプリ
ツタを用いた本実施例（実線で示す）とハーフミラーを
用いた従来の装置（一点鎖線で示す）のC/Nを比較した
ものである。縦軸はC/N、横軸は検光子光学軸のＰ偏光
方向からの角度θ_Ａである。本実施例ではθ_Ａ＝79.9゜
でC/Nが最大となり、ハーフミラーを用い、θ_Ａ＝45゜
で信号検出を行う従来装置と比較して、12dB以上C/Nが
向上している。またハーフミラーを用いた場合も、C/N
を最大とするθ_Ａ＝83.9゜が存在するが、本実施例は、
それよりも3dB以上C/Nが向上している。θ_Ａを75゜〜85
゜とすれば、ハーフミラーを用いた従来装置と比較して
十分良好なC/Nが得られた。

第７図は、偏光ビームスプリツタの偏光特性|r_P|²とC/N
の関係を示す図である。縦軸はC/N、横軸は|r_P|²であ
り、いずれも|r_s|²＝1,θ_Ａ＝79.9゜としてある。これ
より、|r_P|²を0.08〜0.4とすればハーフミラーを用いた
従来装置と比較して、十分良好なC/Nが得られた。

なお、本実施例では偏光ビームスプリツタにより生じる
Ｐ−Ｓ偏光方向間位相差△_PBSはいずれの場合も△_PBS＝
160゜となっており、記録媒体で生ずる位相差△_０との
間に △_０＋△_PBS＝π （44） なる関係がある。これにより光磁気変調成分強度低下を
防止している。このような偏光特性の偏光ビームスプリ
ツタを作製することは容易である。

第８図（Ａ），（Ｂ）は夫々本発明の第４実施例を示す
概略図であり、（Ｂ）は（Ａ）を矢印Ａ方向から見た図
を示している。第８図（Ａ），（Ｂ）において第４図と
同一の部材には同一の符号を付し、詳細な説明は省略す
る。本実施例においても、光検出器29以後の信号処理系
は、第２図示の如く構成される。本実施例は第３実施例
の偏光ビームスプリツタ23の代わりに、偏光ビームスプ
リツタ10を用い、この偏光ビームスプリツタ10の透過光
を検出するように構成したものである。偏光ビームスプ
リツタ10の面ｂは、光検出器29に迷光が入射しない様に
所定の角度傾けてある。

本実施例では、第４図の説明文中で使用したP,S偏光方
向を、各々置き換えて考えれば良い。但し、（34），
（35）式においてはr_Pをt_S、r_Sをt_Pと置き換えてやる必
要がある。即ち、光磁気変調成分、非変調成分の強度を
各々I_K,I_Rとすれば I_R≒I_Oε_０ε₁|t_S|²|R|²（cos²θ_Ａ＋η_Asin²θ_Ａ）（4
6） とあらわせる。

（45），（46）式を（19）式に代入してC/Nを最大とす
る偏光ビームスプリツタの偏光特性及び検光子の光学軸
のＰ偏光方向からの角度は、 ０|t_s|²１ （48） |t_p|²＝１ （49） 計算条件を同一にとれば、第６図、第７図に示した結果
と同様のものが得られる。但し、横軸は|t_s|²となる。

なお、記録媒体で生ずるＰ−Ｓ偏光方向間位相差を補償
するような偏光特性をもつこのような偏光ビームスプリ
ツタを作製することは容易である。

本発明は、以上説明した実施例の他にも種々の応用が可
能である。例えば、実施例では光磁気記録媒体の反射光
を検出したが、光磁気記録媒体を透過して、フアラデー
効果によって変調を受けた光束を検出するように構成し
ても良い。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明は従来の光磁気情報再生装
置において、最適な偏光特性を持った偏光ビームスプリ
ツタを用い、検光手段の光学軸方位を最適に設定するこ
とにより、信号検出のC/Nを向上させる効果を有する。
更には、本発明により高いC/Nが得られるので、従来の
装置の様な複雑な検出系が不要となり、装置の信頼性を
高め、且つ、製造コストを低減することが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の光学系を示す概略図、第２
図は第１図示の実施例の信号処理系を示す概略図、第３
図及び第４図は夫々本発明の他の実施例を示す概略図、
第５図は光磁気記録媒体からの反射光の偏光状態を示す
図、第６図及び第７図は夫々本発明における検光子の光
学軸方位及び偏光ビームスプリツタの偏光特性とC/Nと
関係を示す図、第８図（Ａ），（Ｂ）は夫々本発明の更
に他の実施例を示す概略図、第９図は従来の光磁気情報
再生装置の例を示す概略図、第10図は一般的な光磁気信
号検出の原理を示す図である。 12……偏光ビームスプリツタ、13……検出光、 21……半導体レーザ、22……コリメータレンズ、 24……対物レンズ、26……光磁気記録媒体、 27……検光子、28……集光レンズ、 29……光検出器。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】所定の方向に偏光した光束を磁気的に情報
   が記録された記録媒体上に照射する手段と、磁気光学効
   果により前記情報に応じて偏光状態に変調を受けた前記
   記録媒体からの反射又は透過光束を、その偏光成分に応
   じた所定の割合で反射および透過する偏光ビームスプリ
   ッタと、該偏光ビームスプリッタで反射された光束を検
   光する検光手段と、該検光手段を透過した光束を光電検
   出する増幅作用のない光検出器と、前記光検出器の検出
   信号と増幅し前記情報を再生する増幅手段とから成り、
   前記光検出器に入射する磁気光学効果により変調を受け
   ない偏光成分強度の平均を_Ｒ、光磁気信号観測周波数
   におけるこの強度ゆらぎの２乗平均を 前記記録媒体上における入射光束の光量をI₀、前記記録
   媒体の振幅反射率をＲ、前記偏光ビームスプリッタ及び
   検出手段を除く記録媒体より光検出器に至る光学系の光
   利用効率をε、前記検光手段の振幅透過率をt_A、同じく
   検光手段の消光比をη_Ａ、前記光検出器の光電変換効率
   をκ、光磁気信号観測周波数における前記増幅手段の熱
   雑音をＴ、検出信号のバンド幅をΔＢとした時、前記偏
   光ビームスプリッタの前記所定方向の偏光成分に対する
   振幅反射率r_P,前記所定方向と垂直方向の偏光成分に対
   する振幅反射率r_S及び前記検光手段の光学軸と前記所定
   の方向とのなす角度θ_Ａが夫々以下の条件、 を満足することを特徴とした光磁気情報再生装置。
2. 【請求項２】所定の方向に偏光した光束を磁気的に情報
   が記録された記録媒体上に照射する手段と、磁気光学効
   果により前記情報に応じて偏光状態に変調を受けた前記
   記録媒体からの反射又は透過光束を、その偏光成分に応
   じた所定の割合で反射および透過する偏光ビームスプリ
   ッタと、該偏光ビームスプリッタを透過した光束を検光
   する検光手段と、 該検光手段を透過した光束を光電検出する増幅作用のな
   い光検出器と、前記光検出器の検出信号と増幅し前記情
   報を再生する増幅手段とから成り、前記光検出器に入射
   する磁気光学効果により変調を受けない偏光成分強度の
   平均を_Ｒ、光磁気信号観測周波数におけるこの強度ゆ
   らぎの２乗平均を 前記記録媒体上における入射光束の光料をI₀、前記記録
   媒体の振幅反射率をＲ、前記偏光ビームスプリッタ及び
   検出手段を除く記録媒体より光検出器に至る光学系の光
   利用効率をε、前記検出手段の振幅透過率をt_A、同じく
   検光手段の消光比をη_Ａ、前記光検出器の光電変換効率
   をκ、光磁気信号観測周波数における前記増幅手段の熱
   雑音をＴ、検出信号のバンド幅をΔＢとした時、前記偏
   光ビームスプリッタの前記所定方向の偏光成分に対する
   振幅反射率t_S,前記所定方向と垂直方向の偏光成分に対
   する振幅反射率t_P及び前記検光手段の光学軸と前記所定
   の方向とのなす角度θ_Ａが夫々以下の条件、 を満足することを特徴とした光磁気情報再生装置。