JPH0698355B2 - 水路内の錆および/またはスケールの発生を防止する方法 - Google Patents

水路内の錆および/またはスケールの発生を防止する方法

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JPH0698355B2 JP63255498A JP25549888A JPH0698355B2 JP H0698355 B2 JPH0698355 B2 JP H0698355B2 JP 63255498 A JP63255498 A JP 63255498A JP 25549888 A JP25549888 A JP 25549888A JP H0698355 B2 JPH0698355 B2 JP H0698355B2
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Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は水路内の錆および/またはスケールの発生を防
止する方法に係り、更に詳しくは水の濃縮を伴う循環水
路系、あるいは伴わない非循環水路系における水路内の
錆および/またはスケール発生を防止する簡単な方法に
関するものである。
従来技術 水の濃縮を伴う循環水路系、例えば冷却搭からの冷却水
をポンプ送りで熱交換器に送り、更に冷却搭へ循環する
循環水路、あるいは水の濃縮を伴わない非循環水路系、
例えば受水槽から水をポンプ送りで高所の水槽へ送り、
各階へ飲料水などを供給する高層ビル等での飲料給水系
ライン;軟水器から給水タンクを経て、ポンプ送りでボ
イラーに水を供給するボイラー系統ライン等の非循環水
路では、水を送るライン内、特に熱交換器・ボイラー・
冷却搭・給水管等の内部での錆および/またはスケール
の発生が常に問題とされ、従来これを防止するため各種
の防錆剤・清缶剤が提供されてきた。しかしながら、こ
れらはランニングコストが高く、適性管理に多大の熟練
を要し、また一部清缶剤(ヒドラジン)では発ガン性が
問われ、また飲料水等では保健上の理由からその使用に
は各種の法的制約も加えられ、有効な錆・スケールの防
止法が見出されていない。
近時、磁場・電子場装置が各種導入され水処理に利用さ
れようとしているが、水質が一定していないこと、使用
せられる磁場・電子場装置の理論や強度等が必ずしも明
確でないことなどと共に、その効果自身に疑問を抱き、
例えば国立公衆衛生院研究グループが厚生省から委囑を
受けた研究報告(昭和61年度建築物内給排水管の衛生管
理に係る新技術適用性評価に関する研究報告書、給水管
赤水防止に係る新技術適用性評価に関する研究委員会)
に於いても、実験で適用した程度の強度では磁場・電子
場が少なくとも分子の構造に影響を与えるようなレベル
にはなく、もしこれらが錆こぶの生成、あるいは赤水の
生成の防止に関与するとすれば、コロイド粒子レベルで
の影響と考えざるを得ないし、錆こぶの形態あるいは固
着性、剥離性等への影響を見極めるには相当長期間の注
意深い観察が必要と、未だその効果に疑念を表明してい
るのである。尚、磁場・電子場装置による水の錆こぶ、
赤水防止効果をみるに際し水質の試験項目として上記研
究報告では、水温、濁度、色度、pH、アルカリ度、電気
伝導率、一般細菌、大腸菌群などと共に、過マンガン酸
カリ消費量、残留塩素、アンモニア性窒素、亜硝酸性窒
素、硝酸性窒素、陰イオン界面活性剤濃度を調べ、更に
鉄、マンガン、塩素、硫酸等のイオン量、硬度、遊離炭
酸、溶存酸素、リン酸イオン、蒸発残留物をチェックし
ている。
発明が解決しようとする問題点 そこで、飲料水、冷却水、ボイラー水等の錆、スケール
の発生防止に対する磁場・電子場装置の有効性を見極
め、これが有効な手段であれば、それにより水路内の錆
および/またはスケールの発生を防止するための有効且
つ容易な方法を確立することが本発明目的である。
問題点を解決するための手段 本発明に従えば、上記発明目的が、水の濃縮を伴わない
非循環水路系に於いては該水路への供給水あるいは貯水
槽水のシリカ濃度(ケイ酸イオン濃度)を20mg/l〜50mg
/lに制御し、また水の濃縮を伴う循環水路系に於いては
該循環水のシリカ濃度(ケイ酸イオン濃度)を50mg/l以
上に制御すると共に、前記水路内あるいは循環水路内に
磁場・電子場装置を位置せしめ、水に磁場・電子場の作
用を及ぼすことを特徴とする水路内の錆および/または
スケールの発生を防止する方法により達成せられる。
本発明者は従来の磁場・電子場装置による給水管等の赤
水防止効果が極めて区々で流動的である事実に着目し、
水質試験項目、試験条件等の何らかの見落としに帰因す
るものではなかろうかとの疑念を抱き、種々研究を続け
た結果、以外にもこれまで全く顧みられることのなかっ
た水のケイ酸イオン濃度(シリカ濃度)が水の防錆、ス
ケール発生防止に重要な関わりを有することを見出し、
さらに検討を加えた結果、本発明を完成するに至った。
即ち本発明者は、磁場・電子場処理さるべき水と、防
錆、スケール発生防止効果との関係を詳細に調べてゆく
うちに、被処理水のケイ酸イオン濃度がある程度の高濃
度に存在している場合にのみ磁場・電子場装置による効
果が認められる事実を見出し、更に検討を加え、驚くべ
きことに被処理水のケイ酸イオン濃度が飲料水給水ライ
ン、ボイラー給水ラインの如く、水の濃縮を伴う循環系
の水路ではない場合には20mg/l〜50mg/lの範囲内に、ま
た冷却搭に供給される循環水の如く、水の濃縮を伴う循
環水路の場合には50mg/l以上に制御される場合に磁場・
電子場装置による処理で水路内の錆、スケールの発生が
確実に防止せられることを見出した。
この効果に関して、未だ充分にそのメカニズムが解明さ
れているわけではないが、本発明者は現時点で次のよう
に考えている。即ち、天然水中に溶けているシリカの状
態はSiH4と考えられ、イオン化(Si4+)しているが、そ
の固有振動数は914ν/cm-1または2191ν/cm-1であ
り、磁場・電子場装置での処理により同装置から出る電
磁波で共振を起こし、大きなエネルギーを得てシリカ
(Si4+)が化学的に活性化され、モノマーがポリマー化
し、その過程で被処理水中の金属イオンと可溶性の錯塩
を作り、また解膠作用により安定した懸濁液を作り、更
に金属表面に被膜を形成し、結果として錆、錆こぶ、ス
ケールの発生を防止することによるものであろう。これ
はちょうど赤水防止のため利用されているケイ酸塩系防
錆剤、例えばポリケイ酸ナトリウムの作用(給水用防錆
剤の手引き、日本給水用防錆剤協会刊行、昭和62年3
月、51〜52頁)と同様のものであろうと推定している。
従来、天然水中に存在するケイ酸塩には赤水防止作用は
ないとされていたのであるが、磁場・電子場を与えるこ
とによりシリカの活性化でケイ酸塩系防錆剤であるポリ
ケイ酸ナトリウム等と同様の作用効果を示し、なお天然
水中のケイ酸イオン濃度の不足を補うことにより水路内
での確実な錆発生、スケール発生を防止しうるものと考
えられる。
本発明で使用せられる磁場・電子場装置としては、10〜
40AT/mの範囲内の磁界の強さを持ち、電磁波を与えうる
装置であれば、水処理用として近時提供されている任意
の装置を用いることが出来、例えばハイドロトリーター
(シーエムシー・インターナショナル社製、登録商
標)、アクアトロン(房森工業社、商品名)、イオンク
リーン(サンワード社、登録商標名),ポーラ・ウォー
タ・コンディショナー(日本ポーラ(株)販売)等の各
種市販装置が挙げられる。
磁場・電子場装置は処理さるべき水の水路の任意場所に
設置することが出来るが、飲料水給水ラインにあって
は、添付図第1図に示される如く、受水槽(1)からポ
ンプ(2)送りで屋上など高位置に置かれる高置貯水槽
(3)に供給された水槽内の水を処理するため、(4)
に位置せしめられ、ポンプ(5)で同貯水槽(3)の水
が磁場・電子場装置(4)を通り、再び貯水槽(3)に
戻され、このように処理された水が各階の給水蛇口
(6)へと送られ、またシリカ濃度(ケイ酸イオン濃
度)の制御が貯水槽(3)で行われ、給水管内の錆発
生、スケール発生を防止することが実用的であり好まし
い。また、ボイラーの給水ラインにあっては、第2図に
示される如く軟水器(1)を通じ給水タンク(2)へと
供給された水が、同タンク(2)からポンプ(3)によ
りボイラー(4)へと送られる迄に、給水タンク(2)
内の水を処理すべく、ポンプ(5)により磁場・電子場
装置(6)を通り、再び同タンク(2)に戻るよう位置
せしめられ、またシリカ濃度(ケイ酸イオン濃度)の制
御が給水タンク(2)で行われ給水管、就中ボイラー内
のスケール、錆発生を防止するようにすることが実用上
好ましい。
次に、水の濃縮が行われる水路系の代表例として、第3
図に示される冷却水系統ラインにおいては、補給水が循
環冷却水と共に冷却搭底部(1)らポンプ(2)により
熱交換器(3)を経て、冷却搭上部(4)へと送られ、
散水される間に水の濃縮が行われ、この様に循環水濃度
が順次高められ、磁場・電子場装置をこの水路のどこに
設置しても、該装置で処理さるべき水は順次濃縮せられ
るのである。かかる系に於いては、シリカ濃度(ケイ酸
イオン濃度)の制御は補給水あるいは唯一の開放部位で
ある冷却搭の循環水貯水部で行われるが、磁場・電子場
装置(5)はポンプ(2)と熱交換器(3)の間の水路
に設けられることが最も実用的である。これにより熱交
換器部および水路内の錆、スケールの発生が有効に防止
せられる。
磁場・電子場装置を通過せしめるべき水のシリカ濃度
(ケイ酸イオン濃度)は既に述べた如く、水の濃縮を伴
わない非循環水路系にあっては、20mg/l〜50mg/lの範囲
内に、また水の濃縮を伴う循環水路系にあっては50mg/l
以上の値に制御せられねばならない。我が国の河川水中
のシリカ溶存量は日本河川の水質調査資料(小林純 著
「水の健康診断」岩波新書)によれば、最低2.9mg/lか
ら最高54.6mg/lの間にあり、また井水の場合最高80.0mg
/lに達することが報告されている。
従って、用水によってはシリカ濃度(ケイ酸イオン濃
度)の調整が必要であり、シリカ濃度(ケイ酸イオン濃
度)を増大せしめるためにはケイ酸イオン源として、例
えばケイ酸ナトリウム(JIS K 1408)等のケイ酸塩を添
加するとか、天然井水でシリカ濃度(ケイ酸イオン濃
度)の高いものを適宜添加してシリカ濃度(ケイ酸イオ
ン濃度)の調整を行う必要がある。
このように本発明にあっては、水路内に磁場・電子場装
置を設け、該装置を通過する水のシリカ濃度(ケイ酸イ
オン濃度)をある所定値内に制御するという簡単な方法
で、確実且つ有効に錆の発生、スケールの発生を防止す
ることが出来、極めて実用的な赤水防止法を提供するも
のである。
以下、実施例および比較例により本発明を説明する。
《実施例1》 添付図の第1図に示される飲料水給水ラインで深井戸か
ら供給せられる下記特性の水(高置貯水槽(3)から採
取せる水の分析結果)を使用した。
pH(ガラス電極法) 6.9/15℃ 導電率(電気伝導率) 370μs/cm 塩素イオン(硝酸銀滴定法) 29mg/l 硫酸イオン(クロム酸バリウム法) 16mg/l Mアルカリ度(酸消費量) 110mg/l カルシウム硬度(キレート滴定法)38mg/l ケイ酸イオン(モリブデン酸黄法) 40mg/l 全鉄(原子吸光法) 0.54mg/l 蒸留残留物(重量法) 260mg/l 遊離炭酸 30ppm Naイオン この飲料水はケイ酸イオン濃度が比較的大で、また鉄分
も比較的大であった。
磁場・電子場装置としてCMCインターナショナルのハイ
ドロトリーターを第1図の4に位置せしめ、流速約2m/
秒で貯水槽(3)からの水を処理した。
約1ケ月後の流水の組成を調べた結果、全鉄が0.3以下
に減少しており、更に期間を延ばすことにより全鉄量が
比例的に減少し、鉄分の溶出にかかわらず、飲料水の全
鉄濃度は赤水発生の目安とされる0.3以上を完全にクリ
ヤーし、著しく減少を示すことが判った。
《比較例1》 実施例1と同様の試験を、但し下記組成の上水道水を用
い、繰り返し実施した。
約3ケ月後、流水中の全鉄は0.3以上になり、赤水発生
が認められた。
《実施例2》 比較例1の実験で、飲料水の全鉄濃度が0.3以上となっ
た時点に於いて、実施例1の深井戸からの水を受水槽
(1)に導き、上水道水と深井戸からの水のブレンドに
より、高置貯水槽(3)内の水のケイ酸イオン濃度を約
30mg/lになるよう調整し、実施例1と同様の試験を続行
した。
1ケ月後の飲料水の組成を調べた結果は次の通りであっ
た。
pH 6.9/25℃ 導電率 310μs/cm 塩素イオン 18mg/l 硫酸イオン 29mg/l Mアルカリ度 76mg/l 全硬度 110mg/l ケイ酸イオン 23mg/l 全鉄 0.12mg/l 蒸発残留物 190mg/l 遊離炭酸 36ppm 全鉄濃度は著しく減少を示し、錆発生防止効果が認めら
れた。
《実施例3》 第2図に示されたボイラー系ラインにおいて、軟水器
(1)を通じカルシウム、マグネシウム等を除去した工
業用水を給水タンク(2)に送り、約2m/秒の流速にて
(6)の磁場・電子場装置ハイドロトリーターにより給
水タンク(2)内の水を処理すると共に、ポンプ(3)
により2m/秒の流速で給水タンク(2)の水をボイラー
(4)に支給した。
作動開始より約1ケ月経過後に給水タンク(2)の水
と、ボイラー缶水とを採取し水質分析を行い、下記の結
果を得た。
上記の如く、平均濃縮倍数に比し、缶水のケイ酸イオン
濃度の濃縮倍数は大差なく、ケイ酸スケールの発生は認
められず(ボイラーを開缶して調査)、また全鉄濃度も
0.3以下で給水よりむしろ低下しており、ボイラー缶水
の錆発生、スケール発生は認められなかった。(清缶剤
は一切使用せずに実験を行った。) 《比較例2》 ケイ酸イオン濃度が20〜50mg/lの範囲内にある水を使用
し、但しハイドロトリーターを作動させることなく、実
施例3と同様の試験を行った。
1ケ月後の給水タンク(2)とボイラー(4)の水を分
析し、下記の結果を得た。(清缶剤は一切使用せずに実
験を行った。) 全硬度がボイラー水で0になっていることは明らかにカ
ルシウム、マグネシウム等のスケール化を意味し、また
平均濃縮倍数18に比しケイ酸イオンの濃縮倍数が著しく
小であることはケイ酸スケールの発生を意味している。
更に全鉄は0.3の水準を大幅に上回り、錆発生も認めら
れる。
《比較例3》 添付図第3図の冷却水ラインに於いて、補給水として通
常の水道水(組成は下表のA)を用い、磁場・電子場装
置(5)を使用せず、約2m/秒の流速で水を循環させた
場合、約半月後の冷却循環水の組成は下記表のBに示す
通りであった。
平均濃縮倍数の対比から明らかな通り、磁場・電子場装
置を用いず、且つケイ酸イオン濃度の低い水道水を用い
た場合、約半月の操作でケイ酸スケールの発生が認めら
れた。ケイ酸イオンの濃縮倍数が平均濃縮倍数に比し、
極端に低いことでよく判る。
《比較例4》 比較例3と同様方法を、磁場・電子場装置(5)を作動
させた場合と、作動させぬ場合を対比実施した結果を下
表に示す。(循環冷却水の場合) 同表より明らかな通り、ケイ酸イオン濃度の低い補給水
を用いた場合、循環冷却水のケイ酸イオン濃度を50mg/l
以上に制御しない場合は、磁場・電子場装置を作動させ
ても、作動させずとも殆ど同じ結果で、従って磁場・電
子場装置を用いる特段の効果は認められなかった。
《実施例4》 添付図の第3図に示される冷却水ラインに於いて、下記
Aに示される水を補給水として供給し、約2m/秒の流速
でポンプ(2)により熱交換器(3)に水を送り、その
間にハイドロトリーター(5)を通過するようにし、熱
交換器(3)からの水を冷却搭(4)へ供給し、この水
を循環するようにして、冷却を行った。
約半月の運転後、冷却水(1)を採取し分析した結果を
下記Bに示した。
同表より明らかな通り、循環冷却水のケイ酸イオン濃度
を50mg/l以上に制御した場合、錆発生、ケイ酸スケール
発生は認められず、磁場・電子場装置の効果は顕著であ
った。
【図面の簡単な説明】 添付図の第1図は飲料水給水ラインで、本発明方法を実
施するためのフローシート;第2図はボイラー系統ライ
ンでのフローシート;第3図は冷却水系統ラインでのフ
ローシート。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 F28G 13/00 Z

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】水の濃縮を伴わない非循環水路系に於いて
    は該水路への供給水あるいは貯水槽水のシリカ濃度(ケ
    イ酸イオン濃度)を20mg/l〜50mg/lに制御し、また水の
    濃縮を伴う循環水路系に於いては、該循環水のシリカ濃
    度(ケイ酸イオン濃度)を50mg/l以上に制御すると共
    に、シリカ濃度(ケイ酸イオン濃度)の制御された水を
    前記水路内あるいは循環水路内に位置せしめた磁場・電
    子場装置を通過せしめることにより、水に磁場・電子場
    の作用を及ぼすことを特徴とする、水路内の錆および/
    またはスケールの発生を防止する方法。
  2. 【請求項2】非循環水路系が飲料水給水系ラインであ
    り、磁場・電子場装置が高置貯水槽内の水を処理するた
    めに設けられる、請求項第1項記載の方法。
  3. 【請求項3】非循環水路系が給水タンクとボイラーから
    なるボイラー系ラインであり、磁場・電子場装置が給水
    タンク内の水を処理するために設けられる、請求項第1
    項記載の方法。
  4. 【請求項4】循環水路系が冷却搭、ポンプ、および熱交
    換器を順次結合し、再度冷却搭に循環せられる冷却水ラ
    インであって、磁場・電子場装置がポンプと熱交換器の
    間の水を処理するために設けられる、請求項第1項記載
    の方法。
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