JPH0697304A - Ｅｐ−ｒｏｍパッケージ用窓ガラス - Google Patents
Ｅｐ−ｒｏｍパッケージ用窓ガラスInfo
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- JPH0697304A JPH0697304A JP8348992A JP8348992A JPH0697304A JP H0697304 A JPH0697304 A JP H0697304A JP 8348992 A JP8348992 A JP 8348992A JP 8348992 A JP8348992 A JP 8348992A JP H0697304 A JPH0697304 A JP H0697304A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ガラス中の放射性同位元素に起因するＥＰ−Ｒ
ＯＭのソフトエラー発生がないＥＰ−ＲＯＭパッケージ
用窓ガラスを提供する。 【構成】ガラス中のＦｅ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＰｂＯ，Ｚ
ｒＯ2 含有量を各１００ｐｐｍ以下とし、かつ放射性同
位元素の含有量の合計を１００ｐｐｂ以下とすることに
より、ガラスからのα線放出量を０．１ｃ／ｃｍ2 ・ｈ
以下とし、α線によるＥＰ−ＲＯＭの誤動作をなくす。
また、肉厚１ｍｍに研磨したガラスの波長２５３．７ｎ
ｍにおける透過率を７０％以上としてＥＰ−ＲＯＭの消
去効率を高める。
ＯＭのソフトエラー発生がないＥＰ−ＲＯＭパッケージ
用窓ガラスを提供する。 【構成】ガラス中のＦｅ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＰｂＯ，Ｚ
ｒＯ2 含有量を各１００ｐｐｍ以下とし、かつ放射性同
位元素の含有量の合計を１００ｐｐｂ以下とすることに
より、ガラスからのα線放出量を０．１ｃ／ｃｍ2 ・ｈ
以下とし、α線によるＥＰ−ＲＯＭの誤動作をなくす。
また、肉厚１ｍｍに研磨したガラスの波長２５３．７ｎ
ｍにおける透過率を７０％以上としてＥＰ−ＲＯＭの消
去効率を高める。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置（ＥＰ−Ｒ
ＯＭ）のパッケージ窓用として用いられるガラスに関
し、特にガラスに起因するソフトエラー発生を低減させ
たＥＰ−ＲＯＭパッケージ用窓ガラスに関する。
ＯＭ）のパッケージ窓用として用いられるガラスに関
し、特にガラスに起因するソフトエラー発生を低減させ
たＥＰ−ＲＯＭパッケージ用窓ガラスに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＥＰ−ＲＯＭは、紫外線照射によりプロ
グラムのメモリー消去が可能である読みだし専用記憶半
導体であり、従来これらの支持体としてはアルミナセラ
ミックパッケージが使用され、これに紫外線照射用のガ
ラス窓が取り付けられている。ここで用いられるカバー
ガラスは、アルミナセラミックパッケージとの気密封着
によりＬＳＩチップを保護するだけではなく受光面へ効
率的に紫外光を導入するため、内部欠陥の少ない光学的
に均質な材料特性と高い紫外線透過率特性が要求され
る。また、アルミナセラミックパッケージとの熱膨張係
数とのマッチングも要求される。
グラムのメモリー消去が可能である読みだし専用記憶半
導体であり、従来これらの支持体としてはアルミナセラ
ミックパッケージが使用され、これに紫外線照射用のガ
ラス窓が取り付けられている。ここで用いられるカバー
ガラスは、アルミナセラミックパッケージとの気密封着
によりＬＳＩチップを保護するだけではなく受光面へ効
率的に紫外光を導入するため、内部欠陥の少ない光学的
に均質な材料特性と高い紫外線透過率特性が要求され
る。また、アルミナセラミックパッケージとの熱膨張係
数とのマッチングも要求される。
【０００３】従来、この種のガラスには、硼珪酸系のガ
ラスが使用されてきた。たとえば、このような用途に用
いられるガラスとしては、英国特許第５８９５３３号，
特開昭６０−２１８３０号に記載された紫外線透過ガラ
スなどが知られている。
ラスが使用されてきた。たとえば、このような用途に用
いられるガラスとしては、英国特許第５８９５３３号，
特開昭６０−２１８３０号に記載された紫外線透過ガラ
スなどが知られている。
【０００４】読みだし専用の半導体メモリーを紫外線で
効果的に消去するには、２５３．７ｎｍ（肉厚１ｍｍ）
で少なくとも透過率が７０％以上あることが必要とされ
る。一般にガラスの紫外線透過性は、ガラス中に含まれ
る鉄分を減らすことにより達成され、特に溶融時の雰囲
気を還元性に保持することにより近紫外部に吸収のある
Ｆｅ3+イオンをＦｅ2+イオンに還元することが重要であ
る。そのためには、ガラスの溶融に際してガラスバッチ
中に還元剤を使用し、強力な酸化剤となる硝酸塩や亜砒
酸，酸化アンチモンなどは避ける必要がある。通常還元
剤としては、ガラス構造形成物にはならない活性カーボ
ン粉，庶糖，澱粉（スターチ）などが使用されるが、酸
化物としてガラス形成物となる金属シリコン，金属アル
ミ，金属アンチモンや酒石酸ソーダなども使用される。
効果的に消去するには、２５３．７ｎｍ（肉厚１ｍｍ）
で少なくとも透過率が７０％以上あることが必要とされ
る。一般にガラスの紫外線透過性は、ガラス中に含まれ
る鉄分を減らすことにより達成され、特に溶融時の雰囲
気を還元性に保持することにより近紫外部に吸収のある
Ｆｅ3+イオンをＦｅ2+イオンに還元することが重要であ
る。そのためには、ガラスの溶融に際してガラスバッチ
中に還元剤を使用し、強力な酸化剤となる硝酸塩や亜砒
酸，酸化アンチモンなどは避ける必要がある。通常還元
剤としては、ガラス構造形成物にはならない活性カーボ
ン粉，庶糖，澱粉（スターチ）などが使用されるが、酸
化物としてガラス形成物となる金属シリコン，金属アル
ミ，金属アンチモンや酒石酸ソーダなども使用される。
【０００５】一方、通常のＩＣはもちろん、大容量メモ
リー素子など各種超ＬＳＩチップ半導体装置において、
アッセンブリに使用される気密封着用低融点ガラスある
いはその充填剤（フィラー）がα線粒子を放出し、ソフ
トエラーを発生することが知られている。これは、主と
して低融点ガラスの線膨脹係数の調整および強度向上を
目的として使用される充填剤（例えば、ジルコン Ｚｒ
ＳｉＯ4 など）が原因であり、放射性元素の分離が困難
である封着物質が使用された結果、α線放射率が著しく
増大し、高集積ＩＣの封止材料として用いることは適当
でないことが判明している。
リー素子など各種超ＬＳＩチップ半導体装置において、
アッセンブリに使用される気密封着用低融点ガラスある
いはその充填剤（フィラー）がα線粒子を放出し、ソフ
トエラーを発生することが知られている。これは、主と
して低融点ガラスの線膨脹係数の調整および強度向上を
目的として使用される充填剤（例えば、ジルコン Ｚｒ
ＳｉＯ4 など）が原因であり、放射性元素の分離が困難
である封着物質が使用された結果、α線放射率が著しく
増大し、高集積ＩＣの封止材料として用いることは適当
でないことが判明している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】半導体集積回路は、そ
の集積度が飛躍的に増大するにしたがって、従来問題に
ならなかったような微小な要因がエラーやトラブル発生
の原因となってきている。ＥＰ−ＲＯＭにおいてもこの
点は同様である。
の集積度が飛躍的に増大するにしたがって、従来問題に
ならなかったような微小な要因がエラーやトラブル発生
の原因となってきている。ＥＰ−ＲＯＭにおいてもこの
点は同様である。
【０００７】本発明者らは、ＥＰ−ＲＯＭパッケージ用
窓ガラスが半導体素子に近接して設けられていることか
ら、ＥＰ−ＲＯＭの窓ガラスがα線放出性元素を大量に
含有しα線粒子を放出する場合においても、このα線が
半導体素子に一過性の誤動作を引き起こしソフトエラー
の原因となることを見出した。α線粒子は、天然に存在
するウラン（Ｕ），トリウム（Ｔｈ），ラジウム（Ｒ
ａ）など放射性同位元素がα崩壊する際に放出される荷
電粒子である。
窓ガラスが半導体素子に近接して設けられていることか
ら、ＥＰ−ＲＯＭの窓ガラスがα線放出性元素を大量に
含有しα線粒子を放出する場合においても、このα線が
半導体素子に一過性の誤動作を引き起こしソフトエラー
の原因となることを見出した。α線粒子は、天然に存在
するウラン（Ｕ），トリウム（Ｔｈ），ラジウム（Ｒ
ａ）など放射性同位元素がα崩壊する際に放出される荷
電粒子である。
【０００８】また、これらα線放出性元素を含有するガ
ラスは同時に紫外線透過性においても特性が劣り、ＥＰ
−ＲＯＭパッケージ用窓ガラスに求められる高い紫外線
透過率が得られ難いことを見出だした。
ラスは同時に紫外線透過性においても特性が劣り、ＥＰ
−ＲＯＭパッケージ用窓ガラスに求められる高い紫外線
透過率が得られ難いことを見出だした。
【０００９】これらの問題をなくすためには、できるだ
け高純度に精製された原料を使用し、溶融工程における
不純物の混入を防止してガラスを製造する必要がある。
原料精製には物理的・化学的各種方法があるが、技術的
・経済的に限界があり、特に放射性同位元素の分離が容
易な原料と困難な原料が存在するため、α線源となる元
素を含まないガラスを容易に得ることはできない。
け高純度に精製された原料を使用し、溶融工程における
不純物の混入を防止してガラスを製造する必要がある。
原料精製には物理的・化学的各種方法があるが、技術的
・経済的に限界があり、特に放射性同位元素の分離が容
易な原料と困難な原料が存在するため、α線源となる元
素を含まないガラスを容易に得ることはできない。
【００１０】本発明は、これらの事情を考慮してなされ
たもので、実質的にガラス、特にガラス中の放射性同位
元素に起因する半導体素子のエラー発生がなく、紫外線
透過率の優れたＥＰ−ＲＯＭパッケージ用窓ガラスを提
供することを目的とする。
たもので、実質的にガラス、特にガラス中の放射性同位
元素に起因する半導体素子のエラー発生がなく、紫外線
透過率の優れたＥＰ−ＲＯＭパッケージ用窓ガラスを提
供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、ガラス中のＦｅ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｐｂ
Ｏ，ＺｒＯ2 含有量を各１００ｐｐｍ以下とし、かつ放
射性同位元素の含有量の合計を１００ｐｐｂ以下とした
ことを特徴とするＥＰ−ＲＯＭパッケージ用窓ガラスで
ある。
成するために、ガラス中のＦｅ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｐｂ
Ｏ，ＺｒＯ2 含有量を各１００ｐｐｍ以下とし、かつ放
射性同位元素の含有量の合計を１００ｐｐｂ以下とした
ことを特徴とするＥＰ−ＲＯＭパッケージ用窓ガラスで
ある。
【００１２】また、ガラス中のＦｅ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，
ＰｂＯ，ＺｒＯ2 含有量を各１００ｐｐｍ以下とし、か
つガラスからのα線放出量を０．１ｃ／ｃｍ2 ・ｈ以下
としたものである。
ＰｂＯ，ＺｒＯ2 含有量を各１００ｐｐｍ以下とし、か
つガラスからのα線放出量を０．１ｃ／ｃｍ2 ・ｈ以下
としたものである。
【００１３】さらに、これらいずれかの要件を満足し、
本発明の用途に適合するガラス組成としては、重量百分
率でＳｉＯ2 ５０〜７５％，Ａｌ2 Ｏ3 ０．２〜
５．０％，Ｂ2 Ｏ3 ５〜２０％，Ｌｉ2 Ｏ ０〜１
％，Ｎａ2 Ｏ ０．５〜９．５％，Ｋ2 Ｏ ０．２〜６
％，Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ ５〜１２％，ＭｇＯ
＋ＣａＯ＋ＢａＯ＋ＺｎＯ ０〜１２％，Ｓｂ2 Ｏ3
０〜１％，Ｃｌ- ０〜０．２％，Ｆ- ０〜０．５％，Ｓ
ｂ2 Ｏ3 ＋Ｃｌ- ＋Ｆ- ０．０２〜１．０％の基本組
成を有し、熱膨張係数が４８〜６５×１０-7℃-1である
ものが好適する。
本発明の用途に適合するガラス組成としては、重量百分
率でＳｉＯ2 ５０〜７５％，Ａｌ2 Ｏ3 ０．２〜
５．０％，Ｂ2 Ｏ3 ５〜２０％，Ｌｉ2 Ｏ ０〜１
％，Ｎａ2 Ｏ ０．５〜９．５％，Ｋ2 Ｏ ０．２〜６
％，Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ ５〜１２％，ＭｇＯ
＋ＣａＯ＋ＢａＯ＋ＺｎＯ ０〜１２％，Ｓｂ2 Ｏ3
０〜１％，Ｃｌ- ０〜０．２％，Ｆ- ０〜０．５％，Ｓ
ｂ2 Ｏ3 ＋Ｃｌ- ＋Ｆ- ０．０２〜１．０％の基本組
成を有し、熱膨張係数が４８〜６５×１０-7℃-1である
ものが好適する。
【００１４】
【作用】次に本発明のガラスを構成する成分の作用と、
その含有量を上記のように限定した理由を説明する。
その含有量を上記のように限定した理由を説明する。
【００１５】ＳｉＯ2 が５０％未満では、熱膨脹係数が
大きくなりアルミナセラミックパッケージとの気密封着
に支障をきたし、７５％を越えるとガラスの溶融性が悪
化する。Ｂ2 Ｏ3 は、５％未満では溶融性が悪くなり、
２０％を越えると化学耐久性が悪化し長期間使用時に表
面にウェザリングを生じ透光性を劣化させる。Ａｌ2Ｏ
3 は０．２％未満では、ガラスの分相が生じ成形が困難
になり、５％を越えると脈理が発生して均質なガラスが
得られなくなる。Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏは、融剤
として作用しガラスの溶融性を改良するするが、同時に
ガラスの熱膨脹係数を調整する効果があり、その合量が
５％以下では粘度が高くなり溶融性が悪化すると共に熱
膨脹係数も低くなり過ぎる。また、１２％を越える場合
は耐風化性が悪くなると共に、熱膨脹係数が高くなり過
ぎるため不適となる。ＺｎＯは、Ｂ2 Ｏ3 やアルカリ成
分の溶融時の揮発を抑える効果があるが、５％を越える
と失透性が増す。ＢａＯやＭｇＯ，ＣａＯは、５〜６％
以下の使用で化学耐久性を向上させる効果がある。Ｚｎ
Ｏも同様な効果をもつが、その合量が１２％をこえると
失透性が増大する。また、上記ガラスの清澄剤として
は、Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｆ-，Ｃｌ- が各々０．５％、０．５
％、０．２％未満で使用されるが、その合量が０．０２
％未満では十分な清澄効果が得られず、１％以上では再
発泡を生ずるため望ましくない。
大きくなりアルミナセラミックパッケージとの気密封着
に支障をきたし、７５％を越えるとガラスの溶融性が悪
化する。Ｂ2 Ｏ3 は、５％未満では溶融性が悪くなり、
２０％を越えると化学耐久性が悪化し長期間使用時に表
面にウェザリングを生じ透光性を劣化させる。Ａｌ2Ｏ
3 は０．２％未満では、ガラスの分相が生じ成形が困難
になり、５％を越えると脈理が発生して均質なガラスが
得られなくなる。Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏは、融剤
として作用しガラスの溶融性を改良するするが、同時に
ガラスの熱膨脹係数を調整する効果があり、その合量が
５％以下では粘度が高くなり溶融性が悪化すると共に熱
膨脹係数も低くなり過ぎる。また、１２％を越える場合
は耐風化性が悪くなると共に、熱膨脹係数が高くなり過
ぎるため不適となる。ＺｎＯは、Ｂ2 Ｏ3 やアルカリ成
分の溶融時の揮発を抑える効果があるが、５％を越える
と失透性が増す。ＢａＯやＭｇＯ，ＣａＯは、５〜６％
以下の使用で化学耐久性を向上させる効果がある。Ｚｎ
Ｏも同様な効果をもつが、その合量が１２％をこえると
失透性が増大する。また、上記ガラスの清澄剤として
は、Ｓｂ2 Ｏ3 ，Ｆ-，Ｃｌ- が各々０．５％、０．５
％、０．２％未満で使用されるが、その合量が０．０２
％未満では十分な清澄効果が得られず、１％以上では再
発泡を生ずるため望ましくない。
【００１６】以上のほか、調合原料中に還元剤を添加す
ることによりガラス中のＦｅ3+をＦｅ2+に還元すること
が紫外線透過率向上のために有効である。還元剤として
は澱粉（スターチ），酒石酸ソーダなどの有機化合物あ
るいは、活性カーボンまたは、金属シリコン，金属アン
チモンなどが有効である。これら還元剤の添加量は０．
０５％以下であると十分な還元効果が得られず、また
１．０％以上になるとカーボンや金属残留物が残りガラ
スが着色するので好ましくない。
ることによりガラス中のＦｅ3+をＦｅ2+に還元すること
が紫外線透過率向上のために有効である。還元剤として
は澱粉（スターチ），酒石酸ソーダなどの有機化合物あ
るいは、活性カーボンまたは、金属シリコン，金属アン
チモンなどが有効である。これら還元剤の添加量は０．
０５％以下であると十分な還元効果が得られず、また
１．０％以上になるとカーボンや金属残留物が残りガラ
スが着色するので好ましくない。
【００１７】上記ガラスは、その有効組成を形成するた
め原料を精製することができ、含有されるα放射性元素
（Ｕ，Ｔｈ，Ｒａなど）を１００ｐｐｂ以内に抑えるこ
とが可能である。また、α放射性元素の精製分離が困難
なＦｅ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＰｂＯ，ＺｒＯ2 について
は、各々１００ｐｐｍ以上含有するとα放射性元素の濃
度が１００ｐｐｂを越え、α線放出量が０．１ｃ／ｃｍ
2 ・ｈを越える。α線放出量が０．１ｃ／ｃｍ2 ・ｈを
越えるとＥＰ−ＲＯＭのエラー発生の原因となる。した
がってＥＰ−ＲＯＭパッケージ用窓ガラスからのα線放
出率を０．１ｃ／ｃｍ2 ・ｈ以下に抑えることが好まし
い。
め原料を精製することができ、含有されるα放射性元素
（Ｕ，Ｔｈ，Ｒａなど）を１００ｐｐｂ以内に抑えるこ
とが可能である。また、α放射性元素の精製分離が困難
なＦｅ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，ＰｂＯ，ＺｒＯ2 について
は、各々１００ｐｐｍ以上含有するとα放射性元素の濃
度が１００ｐｐｂを越え、α線放出量が０．１ｃ／ｃｍ
2 ・ｈを越える。α線放出量が０．１ｃ／ｃｍ2 ・ｈを
越えるとＥＰ−ＲＯＭのエラー発生の原因となる。した
がってＥＰ−ＲＯＭパッケージ用窓ガラスからのα線放
出率を０．１ｃ／ｃｍ2 ・ｈ以下に抑えることが好まし
い。
【００１８】平均熱膨張係数（０〜３００℃）を４８〜
６５×１０-7℃-1に限定した理由は、パッケージ材料が
主としてアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）セラミックとなるた
め、エポキシ系樹脂封着あるいはフリットガラス封着い
ずれの場合も、熱膨張係数をアルミナと同一、または低
めに保持し封着強度の向上、そりなどの変形を防止する
ためである。
６５×１０-7℃-1に限定した理由は、パッケージ材料が
主としてアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）セラミックとなるた
め、エポキシ系樹脂封着あるいはフリットガラス封着い
ずれの場合も、熱膨張係数をアルミナと同一、または低
めに保持し封着強度の向上、そりなどの変形を防止する
ためである。
【００１９】また、上述のとおりＥＰ−ＲＯＭのメモリ
ー内容を紫外線照射によって効率的に消去するには、２
５３．７ｎｍ（肉厚１ｍｍ）で少なくとも７０％以上の
透過率が必要である。
ー内容を紫外線照射によって効率的に消去するには、２
５３．７ｎｍ（肉厚１ｍｍ）で少なくとも７０％以上の
透過率が必要である。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。本
発明の実施例を表１に示す。表１中試料No.1ないしNo.6
は本発明の実施例を示し、No.7は従来例である。また表
中の組成は重量比で示してある。なお還元剤はガラス組
成に対して外割り添加した値である。
発明の実施例を表１に示す。表１中試料No.1ないしNo.6
は本発明の実施例を示し、No.7は従来例である。また表
中の組成は重量比で示してある。なお還元剤はガラス組
成に対して外割り添加した値である。
【００２１】表１に示した組成に従い、各種高純度に精
製された原料を使用し最終ガラス組成として１０００ｇ
となるよう調合し混合した後、１４８０℃の電気炉中で
５時間白金ルツボを使用して溶融した。その後炉内より
取り出し、鉄板上に成形したブロックを６００℃の温度
の電気炉に移し室温まで徐冷し、得られたガラスを所定
の寸法に光学研磨加工した。これらガラス板より放出さ
れるα線量の測定は、２πガスフロー式比例計数管を用
いた超低レベルα線測定装置で行ない、同時に遷移元素
とα線放射元素の化学分析をＩＣＰ−ＭＡＳＳにより実
施し、ＴＭＡ分析装置により平均熱膨張係数を測定し
た。そして、これらのガラスを実際にＥＰＲＯＭチップ
を内臓したアルミナパッケージに封着して、メモリーエ
ラーの有無を調査した。また比較例としてα線放射元素
を含有したガラスを調整し、同様の試験に供した。
製された原料を使用し最終ガラス組成として１０００ｇ
となるよう調合し混合した後、１４８０℃の電気炉中で
５時間白金ルツボを使用して溶融した。その後炉内より
取り出し、鉄板上に成形したブロックを６００℃の温度
の電気炉に移し室温まで徐冷し、得られたガラスを所定
の寸法に光学研磨加工した。これらガラス板より放出さ
れるα線量の測定は、２πガスフロー式比例計数管を用
いた超低レベルα線測定装置で行ない、同時に遷移元素
とα線放射元素の化学分析をＩＣＰ−ＭＡＳＳにより実
施し、ＴＭＡ分析装置により平均熱膨張係数を測定し
た。そして、これらのガラスを実際にＥＰＲＯＭチップ
を内臓したアルミナパッケージに封着して、メモリーエ
ラーの有無を調査した。また比較例としてα線放射元素
を含有したガラスを調整し、同様の試験に供した。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１の結果より、Ｆｅ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，
ＰｂＯ，ＺｒＯ2 含有量が各々１００ｐｐｍ以下で、
Ｕ，Ｔｈ，Ｒａを含むα放射性元素の含有量の合量が１
００ｐｐｂ以下である１〜６のサンプルでは、α線放出
量は０．１ｃ／ｃｍ2 ・ｈ以下であってＥＰ−ＲＯＭに
おけるエラーもみらず、２５３．７ｎｍにおける紫外線
透過率も高い値であった。これに対して、上記含有量が
本発明の範囲より外れている従来例では、α線放出量は
０．１ｃ／ｃｍ2 ・ｈ以上に高くなりＥＰ−ＲＯＭにお
けるエラーが発生し、紫外線透過率も低いものであっ
た。
ＰｂＯ，ＺｒＯ2 含有量が各々１００ｐｐｍ以下で、
Ｕ，Ｔｈ，Ｒａを含むα放射性元素の含有量の合量が１
００ｐｐｂ以下である１〜６のサンプルでは、α線放出
量は０．１ｃ／ｃｍ2 ・ｈ以下であってＥＰ−ＲＯＭに
おけるエラーもみらず、２５３．７ｎｍにおける紫外線
透過率も高い値であった。これに対して、上記含有量が
本発明の範囲より外れている従来例では、α線放出量は
０．１ｃ／ｃｍ2 ・ｈ以上に高くなりＥＰ−ＲＯＭにお
けるエラーが発生し、紫外線透過率も低いものであっ
た。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明のガラスは、α線放
出量が低く、ＥＰ−ＲＯＭのパッケージ用窓ガラスとし
て使用した場合、ガラスからのα線に起因するエラーの
発生を著しく低減することができる。また光学的、熱的
特性にも優れているため、アルミナセラミックパッケー
ジと封着した際に歪みの発生がなく、高い紫外線透過率
によりＥＰ−ＲＯＭの消去効率を高めることができる。
したがって、本発明のガラスは、ＥＰ−ＲＯＭのパッケ
ージ用窓ガラスとして極めて好適するものである。
出量が低く、ＥＰ−ＲＯＭのパッケージ用窓ガラスとし
て使用した場合、ガラスからのα線に起因するエラーの
発生を著しく低減することができる。また光学的、熱的
特性にも優れているため、アルミナセラミックパッケー
ジと封着した際に歪みの発生がなく、高い紫外線透過率
によりＥＰ−ＲＯＭの消去効率を高めることができる。
したがって、本発明のガラスは、ＥＰ−ＲＯＭのパッケ
ージ用窓ガラスとして極めて好適するものである。
Claims (4)
- 【請求項１】 ガラス中のＦｅ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｐｂ
Ｏ，ＺｒＯ2 含有量が各１００ｐｐｍ以下であり、かつ
放射性同位元素の含有量の合計が１００ｐｐｂ以下であ
ることを特徴とするＥＰ−ＲＯＭパッケージ用窓ガラ
ス。 - 【請求項２】 ガラス中のＦｅ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｐｂ
Ｏ，ＺｒＯ2 含有量が各１００ｐｐｍ以下であり、かつ
ガラスからのα線放出量が０．１ｃ／ｃｍ2・ｈ以下で
あることを特徴とするＥＰ−ＲＯＭパッケージ用窓ガラ
ス。 - 【請求項３】 肉厚１ｍｍに研磨したガラスの波長２５
３．７ｎｍにおける透過率が７０％以上であることを特
徴とする請求項１または２記載のＥＰ−ＲＯＭパッケー
ジ用窓ガラス。 - 【請求項４】 重量百分率でＳｉＯ2 ５０〜７５％，
Ａｌ2 Ｏ3 ０．２〜５．０％，Ｂ2 Ｏ3 ５〜２０
％，Ｌｉ2 Ｏ ０〜１％，Ｎａ2 Ｏ ０．５〜９．５
％，Ｋ2 Ｏ ０．２〜６％，Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2
Ｏ ５〜１２％，ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＢａＯ＋ＺｎＯ ０
〜１２％，Ｓｂ2 Ｏ3 ０〜１％，Ｃｌ-０〜０．２
％，Ｆ- ０〜０．５％，Ｓｂ2 Ｏ3 ＋Ｃｌ- ＋Ｆ-
０．０２〜１．０％の基本組成を有し、熱膨張係数が４
８〜６５×１０-7℃-1であることを特徴とする請求項１
ないし３のいずれかに記載のＥＰ−ＲＯＭパッケージ用
窓ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4083489A JP2562803B2 (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | Ｅｐ−ｒｏｍパッケージ用窓ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4083489A JP2562803B2 (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | Ｅｐ−ｒｏｍパッケージ用窓ガラス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697304A true JPH0697304A (ja) | 1994-04-08 |
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Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| JPS58159697U (ja) * | 1982-04-15 | 1983-10-24 | 富士通株式会社 | Ｅｐｒｏｍパツケ−ジ |
| JPS59169955A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-26 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体装置の封着用低融点ガラス |
| JPS6021830A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-04 | Nippon Electric Glass Co Ltd | アルミナ封着用紫外線透過ガラス |
| JPS6287433A (ja) * | 1985-10-12 | 1987-04-21 | Minolta Camera Co Ltd | 紫外線透過ガラス |
| JPH01173639A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-10 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
-
1992
- 1992-03-05 JP JP4083489A patent/JP2562803B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| JPS58159697U (ja) * | 1982-04-15 | 1983-10-24 | 富士通株式会社 | Ｅｐｒｏｍパツケ−ジ |
| JPS59169955A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-26 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体装置の封着用低融点ガラス |
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| JPH01173639A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-10 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
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