JPH069670A - ホスホン酸ジエステル誘導体 - Google Patents
ホスホン酸ジエステル誘導体Info
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- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】本発明は、一般式
【化1】
〔式中R1 及びR2 は同一又は異なって水素原子、低級
アルキル基、低級アルコキシ基、ニトロ基又はハロゲン
原子を、R3 は低級アルキル基を、XはCH基又は窒素
原子を、Aは低級アルキレン基をそれぞれ示す。〕で表
わされるホスホン酸ジエステル誘導体を提供する。 【効果】本発明誘導体は、優れた脂質低下作用を有し、
高コレステロール血症、高トリグリセリド血症、高リン
脂質血症、高遊離脂肪酸血症等の各種の疾患(高脂質血
症)の治療及び予防に有効である。
アルキル基、低級アルコキシ基、ニトロ基又はハロゲン
原子を、R3 は低級アルキル基を、XはCH基又は窒素
原子を、Aは低級アルキレン基をそれぞれ示す。〕で表
わされるホスホン酸ジエステル誘導体を提供する。 【効果】本発明誘導体は、優れた脂質低下作用を有し、
高コレステロール血症、高トリグリセリド血症、高リン
脂質血症、高遊離脂肪酸血症等の各種の疾患(高脂質血
症)の治療及び予防に有効である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は新規なホスホン酸ジエス
テル誘導体に関する。
テル誘導体に関する。
【0002】
【従来の技術】本発明のホスホン酸ジエステル誘導体は
文献未載の新規化合物である。
文献未載の新規化合物である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は後記するよう
に医薬品として有用な化合物の提供を目的とする。
に医薬品として有用な化合物の提供を目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明によれば下記一般
式(1)で表わされるホスホン酸ジエステル誘導体が提
供される。
式(1)で表わされるホスホン酸ジエステル誘導体が提
供される。
【0005】
【化2】
【0006】〔式中R1 及びR2 は同一又は異なって水
素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ニトロ基
又はハロゲン原子を、R3 は低級アルキル基を、XはC
H基又は窒素原子を、Aは低級アルキレン基をそれぞれ
示す。〕 上記一般式において用いられる各基は、より具体的には
それぞれ次の通りである。即ち、低級アルキル基として
は、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
ブチル、イソブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル基等の直鎖又は分枝鎖状低級アルキル基を例示でき
る。低級アルコキシ基としては、例えばメトキシ、エト
キシ、プロポキシ、ブトキシ、tert−ブトキシ、ペンチ
ルオキシ、ヘキシルオキシ基等を例示できる。低級アル
キレン基としては、例えばメチレン、エチレン、メチル
メチレン、1−メチルエチレン、トリメチレン、2−メ
チルプロピレン、テトラメチレン基等を例示できる。ま
たハロゲン原子には、弗素原子、塩素原子、臭素原子、
沃素原子が包含される。
素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ニトロ基
又はハロゲン原子を、R3 は低級アルキル基を、XはC
H基又は窒素原子を、Aは低級アルキレン基をそれぞれ
示す。〕 上記一般式において用いられる各基は、より具体的には
それぞれ次の通りである。即ち、低級アルキル基として
は、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
ブチル、イソブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル基等の直鎖又は分枝鎖状低級アルキル基を例示でき
る。低級アルコキシ基としては、例えばメトキシ、エト
キシ、プロポキシ、ブトキシ、tert−ブトキシ、ペンチ
ルオキシ、ヘキシルオキシ基等を例示できる。低級アル
キレン基としては、例えばメチレン、エチレン、メチル
メチレン、1−メチルエチレン、トリメチレン、2−メ
チルプロピレン、テトラメチレン基等を例示できる。ま
たハロゲン原子には、弗素原子、塩素原子、臭素原子、
沃素原子が包含される。
【0007】上記一般式(1)で表わされる本発明誘導
体は、優れた脂質低下作用を有し、例えば高脂質血症治
療剤として、高コレステロール血症、高トリグリセリド
血症、高リン脂質血症、高遊離脂肪酸血症等の各種の疾
患(高脂質血症)の治療及び予防に有効である。
体は、優れた脂質低下作用を有し、例えば高脂質血症治
療剤として、高コレステロール血症、高トリグリセリド
血症、高リン脂質血症、高遊離脂肪酸血症等の各種の疾
患(高脂質血症)の治療及び予防に有効である。
【0008】本発明誘導体(1)は、各種の方法により
製造することができる。その具体例を下記反応工程式に
示す。
製造することができる。その具体例を下記反応工程式に
示す。
【0009】
【化3】
【0010】〔式中R1 、R2 、R3 及びAは前記に同
じ、Yはハロゲン原子を示す。〕 上記反応工程式−1に示す方法によれば、化合物(2)
と化合物(3)とを不活性溶媒中、脱酸剤の存在下で反
応させることにより、目的の本発明化合物を得ることが
できる。上記不活性溶媒としては、通常のもの、例えば
ベンゼン、トルエン、キシレン、石油エーテル等の芳香
族乃至脂肪族炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン(THF)、1,4−ジオキサン等の鎖状乃
至環状エーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、ア
セトフェノン等のケトン類、ジクロロメタン、クロロホ
ルム、四塩化炭素、1,2−ジクロロエタン等のハロゲ
ン化炭化水素類等を使用できる。脱酸剤としては、例え
ばトリエチルアミン、N,N−ジエチルアニリン、N−
メチルモルホリン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリ
ジン等の第3級アミン類を好ましく使用できる。上記反
応は、冷却下、室温下及び加熱下のいずれでも進行する
が、通常0℃〜室温付近の温度条件下で、0.5〜10
時間を要して実施されるのがよい。また必要に応じて、
上記反応により得られる生成物を更に上記と同様の不活
性溶媒中でと同様の脱酸剤の存在下に、クロロギ酸メチ
ル、クロロギ酸エチル等のハロギ酸エステル及び無水酢
酸、無水プロピオン酸等の酸無水物を用いて追加処理す
ることもできる。この追加処理は通常0℃〜室温付近で
0.5〜10時間程度で行ない得る。化合物(2)に対
する化合物(3)の使用量は、上記追加処理を行なわな
い場合は2〜2.2倍モル量程度とするのがよく、追加
処理を行なう場合は等モル量〜少過剰量程度とし、また
ハロギ酸エステル等を等モル量〜少過剰量程度用いるの
がよい。脱酸剤の使用量は、上記いずれの場合も化合物
(2)に対して2倍モル量〜過剰量とするのがよい。
じ、Yはハロゲン原子を示す。〕 上記反応工程式−1に示す方法によれば、化合物(2)
と化合物(3)とを不活性溶媒中、脱酸剤の存在下で反
応させることにより、目的の本発明化合物を得ることが
できる。上記不活性溶媒としては、通常のもの、例えば
ベンゼン、トルエン、キシレン、石油エーテル等の芳香
族乃至脂肪族炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン(THF)、1,4−ジオキサン等の鎖状乃
至環状エーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、ア
セトフェノン等のケトン類、ジクロロメタン、クロロホ
ルム、四塩化炭素、1,2−ジクロロエタン等のハロゲ
ン化炭化水素類等を使用できる。脱酸剤としては、例え
ばトリエチルアミン、N,N−ジエチルアニリン、N−
メチルモルホリン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリ
ジン等の第3級アミン類を好ましく使用できる。上記反
応は、冷却下、室温下及び加熱下のいずれでも進行する
が、通常0℃〜室温付近の温度条件下で、0.5〜10
時間を要して実施されるのがよい。また必要に応じて、
上記反応により得られる生成物を更に上記と同様の不活
性溶媒中でと同様の脱酸剤の存在下に、クロロギ酸メチ
ル、クロロギ酸エチル等のハロギ酸エステル及び無水酢
酸、無水プロピオン酸等の酸無水物を用いて追加処理す
ることもできる。この追加処理は通常0℃〜室温付近で
0.5〜10時間程度で行ない得る。化合物(2)に対
する化合物(3)の使用量は、上記追加処理を行なわな
い場合は2〜2.2倍モル量程度とするのがよく、追加
処理を行なう場合は等モル量〜少過剰量程度とし、また
ハロギ酸エステル等を等モル量〜少過剰量程度用いるの
がよい。脱酸剤の使用量は、上記いずれの場合も化合物
(2)に対して2倍モル量〜過剰量とするのがよい。
【0011】上記反応工程式に示す方法により得られる
目的化合物(1)は、通常の分離手段により容易に単離
精製できる。該手段としては、例えば吸着クロマトグラ
フィー、プレパラティブ薄層クロマトグラフィー、溶媒
抽出、再結晶等を例示できる。
目的化合物(1)は、通常の分離手段により容易に単離
精製できる。該手段としては、例えば吸着クロマトグラ
フィー、プレパラティブ薄層クロマトグラフィー、溶媒
抽出、再結晶等を例示できる。
【0012】
【実施例】以下、本発明を更に詳しく説明するため本発
明化合物の製造例を実施例として挙げる。
明化合物の製造例を実施例として挙げる。
【0013】
【実施例1】ジエチル 4−(6−メチル−4H−3,
1−ベンゾオキサジン−4−オン−2−イル)ベンジル
ホスホナートの製造 5−メチルアントラニル酸1.51gとピリジン10m
lとを乾燥ジクロロメタン30mlに溶解させ、氷冷攪
拌下この混合物に4−〔(ジエトキシホスホリル)メチ
ル〕ベンゾイル クロライド5.81gの乾燥ジクロロ
メタン10ml溶液をゆっくり滴下した。室温で10時
間攪拌後、反応混合物中に10%炭酸水素ナトリウム水
溶液30mlを加え、クロロホルムで抽出した。クロロ
ホルム層を10%塩酸水溶液30ml及び水30mlで
順次洗浄した後、芒硝上で乾燥し、溶媒を留去した。残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホル
ム:メタノール=80:1で溶出)に付して精製した。
これをベンゼン−n−ヘキサンより再結晶して標記化合
物の無色結晶2.0gを得た。
1−ベンゾオキサジン−4−オン−2−イル)ベンジル
ホスホナートの製造 5−メチルアントラニル酸1.51gとピリジン10m
lとを乾燥ジクロロメタン30mlに溶解させ、氷冷攪
拌下この混合物に4−〔(ジエトキシホスホリル)メチ
ル〕ベンゾイル クロライド5.81gの乾燥ジクロロ
メタン10ml溶液をゆっくり滴下した。室温で10時
間攪拌後、反応混合物中に10%炭酸水素ナトリウム水
溶液30mlを加え、クロロホルムで抽出した。クロロ
ホルム層を10%塩酸水溶液30ml及び水30mlで
順次洗浄した後、芒硝上で乾燥し、溶媒を留去した。残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホル
ム:メタノール=80:1で溶出)に付して精製した。
これをベンゼン−n−ヘキサンより再結晶して標記化合
物の無色結晶2.0gを得た。
【0014】融点=168〜169℃。
【0015】
【実施例2〜6】実施例1と同様にして、後記第1表に
示す各化合物を得た。
示す各化合物を得た。
【0016】第1表には各化合物の構造及び物性を示
す。尚、該表には前記実施例1の化合物をも併せ示す。
す。尚、該表には前記実施例1の化合物をも併せ示す。
【0017】
【実施例7】ジエチル 4−(7−クロロ−4H−3,
1−ベンゾオキサジン−4−オン−2−イル)ベンジル
ホスホナートの製造 4−クロロアントラニル酸3.43gとピリジン15m
lとを乾燥ジクロロメタン30mlに溶解させ、氷冷攪
拌下この混合物に4−〔(ジエトキシホスホリル)メチ
ル〕ベンゾイル クロライド5.81gの乾燥ジクロロ
メタン10ml溶液をゆっくり滴下した。室温で2時間
攪拌後、反応混合物中に氷冷攪拌下にクロロギ酸エチル
2.30gの乾燥ジクロロメタン10ml溶液をゆっく
りと滴下し、室温で3時間攪拌した。かくして得られた
反応混合物中に10%炭酸水素ナトリウム水溶液30m
lを加え、クロロホルムで抽出した。クロロホルム層を
10%塩酸水溶液30ml及び水30mlで順次洗浄し
た後、芒硝上で乾燥し、溶媒を留去し、残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム:酢酸エチ
ル=1:1で溶出)に付して精製した。これを酢酸エチ
ル−n−ヘキサンより再結晶して標記化合物の無色結晶
2.0gを得た。
1−ベンゾオキサジン−4−オン−2−イル)ベンジル
ホスホナートの製造 4−クロロアントラニル酸3.43gとピリジン15m
lとを乾燥ジクロロメタン30mlに溶解させ、氷冷攪
拌下この混合物に4−〔(ジエトキシホスホリル)メチ
ル〕ベンゾイル クロライド5.81gの乾燥ジクロロ
メタン10ml溶液をゆっくり滴下した。室温で2時間
攪拌後、反応混合物中に氷冷攪拌下にクロロギ酸エチル
2.30gの乾燥ジクロロメタン10ml溶液をゆっく
りと滴下し、室温で3時間攪拌した。かくして得られた
反応混合物中に10%炭酸水素ナトリウム水溶液30m
lを加え、クロロホルムで抽出した。クロロホルム層を
10%塩酸水溶液30ml及び水30mlで順次洗浄し
た後、芒硝上で乾燥し、溶媒を留去し、残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム:酢酸エチ
ル=1:1で溶出)に付して精製した。これを酢酸エチ
ル−n−ヘキサンより再結晶して標記化合物の無色結晶
2.0gを得た。
【0018】融点=176.5〜178.5℃。
【0019】
【実施例8】実施例7と同様にして下記第1表に示す化
合物を得た。このものの構造及び物性を第1表に示す。
合物を得た。このものの構造及び物性を第1表に示す。
【0020】
【表1】
Claims (1)
- 【請求項1】一般式 【化1】 〔式中R1 及びR2 は同一又は異なって水素原子、低級
アルキル基、低級アルコキシ基、ニトロ基又はハロゲン
原子を、R3 は低級アルキル基を、XはCH基又は窒素
原子を、Aは低級アルキレン基をそれぞれ示す。〕で表
わされるホスホン酸ジエステル誘導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3328493A JP2869608B2 (ja) | 1992-04-28 | 1993-02-23 | ホスホン酸ジエステル誘導体 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4-110116 | 1992-04-28 | ||
JP11011692 | 1992-04-28 | ||
JP3328493A JP2869608B2 (ja) | 1992-04-28 | 1993-02-23 | ホスホン酸ジエステル誘導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH069670A true JPH069670A (ja) | 1994-01-18 |
JP2869608B2 JP2869608B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=26371961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3328493A Expired - Fee Related JP2869608B2 (ja) | 1992-04-28 | 1993-02-23 | ホスホン酸ジエステル誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2869608B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995006051A1 (fr) * | 1993-08-20 | 1995-03-02 | Otsuka Pharmaceutical Factory, Inc. | Derive de diester phosphonique |
CN108484670A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-09-04 | 西北师范大学 | 一种含磷苯并恶嗪酮类化合物的合成方法 |
-
1993
- 1993-02-23 JP JP3328493A patent/JP2869608B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995006051A1 (fr) * | 1993-08-20 | 1995-03-02 | Otsuka Pharmaceutical Factory, Inc. | Derive de diester phosphonique |
US5527786A (en) * | 1993-08-20 | 1996-06-18 | Otsuka Pharmaceutical Factory, Inc. | Phosphonic diester derivatives |
CN108484670A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-09-04 | 西北师范大学 | 一种含磷苯并恶嗪酮类化合物的合成方法 |
CN108484670B (zh) * | 2018-05-18 | 2020-11-24 | 西北师范大学 | 一种含磷苯并恶嗪酮类化合物的合成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2869608B2 (ja) | 1999-03-10 |
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